太陽(yáng)能單晶硅片的制備技術(shù)簡(jiǎn)介_(kāi)第1頁(yè)
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太陽(yáng)能單晶硅片的制備技術(shù)簡(jiǎn)介_(kāi)第3頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

太陽(yáng)能單晶硅片制備技術(shù)簡(jiǎn)介馬恩高2006中科院物理所嘉興工程中心目錄一、引言

二、原料及其準(zhǔn)備三、單晶硅棒的生長(zhǎng)四、硅棒的切片技術(shù)五、物理所工程中心簡(jiǎn)況

一、引言

中科院嘉興中心物理所分中心

太陽(yáng)能級(jí)硅片太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)

電池制備流程國(guó)內(nèi)主要廠商

二.原料及其準(zhǔn)備:多晶硅料坩堝濃度單位Si濃度%雜質(zhì)濃度(TMI)atoms/cm3電子級(jí)99.9999999—9N99.999999999-11N1ppba1ppta5×10135×1011太陽(yáng)能級(jí)99.9999------6N1ppma5×1016高純金屬硅99.9----------3N1000ppma5×1019金屬硅98.5-99>10000ppma>5×1020注：?jiǎn)尉Ч柚性訑?shù)約為5×102２atoms/cm3ppma:原子數(shù)百萬(wàn)分比例,ppba;原子數(shù)十億分比例,硅中的雜質(zhì)濃度雜質(zhì)(ppm)金屬硅高純金屬硅太陽(yáng)能級(jí)硅B15-50<30<1P10-50<15<5O3000<2000<10C100-250<250<10Fe2000<150<10Al100-200<50<2Ca100-600<500<2Ti200<51Cr50<151

廢料回收技術(shù)廢電池IC廢料堝底料頭尾料廢料處理程序廢料粗分砍砂磨削浸泡超聲清洗電阻分檢D.I水清洗\烘干酸洗NY廢料處理設(shè)備吹砂機(jī)磨削機(jī)腐蝕機(jī)清洗機(jī)

三、單晶硅棒的生長(zhǎng)：

籽晶晶頸晶肩晶身晶尾CZ直拉法區(qū)溶法摻雜與電阻率的控制:CZ直拉法長(zhǎng)晶技術(shù)生長(zhǎng)爐結(jié)構(gòu):長(zhǎng)晶過(guò)程:籽晶熔煉引晶放肩等徑生長(zhǎng)收尾長(zhǎng)晶

太陽(yáng)能級(jí)硅棒性能指標(biāo):三、硅棒的切片技術(shù)：

切頭滾方多線切割機(jī)

清洗

分檢供水系統(tǒng)車間布局應(yīng)用

四、物理所工程中心簡(jiǎn)介

目前有常駐人員：25人

實(shí)驗(yàn)室與工作場(chǎng)地:約3000M2

實(shí)驗(yàn)室一：動(dòng)力電池重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究方向：鋰電新穎電極材料動(dòng)力電池

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