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物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)選考題命陥析I■ ' ■【命題分析】物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)為選做題,做為“拼盤”命制的題型,各小題之間相對獨(dú)立,主要考查原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)。在原子結(jié)構(gòu)部分主要命題點(diǎn)有電子排布式或排布圖的書寫,電離能、電負(fù)性大小的比較與判斷。在分子結(jié)構(gòu)部分主要命題點(diǎn)有化學(xué)鍵類型的判斷,分子構(gòu)型的判斷,中心原子雜化方式的判斷。在晶體結(jié)構(gòu)部分主要命題點(diǎn)有晶體類型的判斷,晶體結(jié)構(gòu)的計(jì)算等。每年幾乎都有電子排布、軌道、鍵型、雜化類型、空間結(jié)構(gòu),多數(shù)有涉及晶胞的計(jì)算,偶爾有共面原子數(shù)、電負(fù)性或電離能等。2017年新增波長、幾何形狀、離子所處晶胞位置,沒有對電子排布、單雙鍵形成原因、密度提問。說明命題組擴(kuò)大了設(shè)問的范圍,根據(jù)上一年的提問做適當(dāng)回避。文字性表述內(nèi)容增加,得分分值不高。在備考時(shí),應(yīng)多關(guān)注理論、概念、在解釋中的應(yīng)用方面下功夫,做到文字清楚、條理清晰,答其所問,拿到該拿得分。年份201720162015以鉀和碘的相關(guān)化合物以Ge是典型的半導(dǎo)體兀素以碳及其化合物廣泛在化工、醫(yī)藥、材料等在電子材料領(lǐng)域應(yīng)用廣泛存在于自然界中為素領(lǐng)域的應(yīng)用為素材,考為素材,考查Ge價(jià)電子排材,考查C電子云、查兀素輻射波長,原子布式,未成對電子數(shù),解釋自旋相反電子數(shù),解最咼能層的符號、電子Ge原子難以形成雙鍵或三釋碳更容易成共價(jià)鍵云輪廓圖形狀及熔點(diǎn)低鍵的原因,鍺鹵化物熔沸點(diǎn)的原因,共價(jià)鍵類型、考查內(nèi)容的原因,粒子幾何構(gòu)型、變化規(guī)律及原因,電負(fù)性比雜化軌道類型,晶體雜化軌道類型,晶胞中較,雜化軌道類型、微粒間類型判斷,等電子體,原子位置及原子間距離作用力,原子坐標(biāo)參數(shù),已均攤法計(jì)算,金剛石計(jì)算知晶胞參數(shù)算密度結(jié)構(gòu)【解題策略】1?基態(tài)原子核外電子排布的四方法表示方法舉例電子排布式Cr:1s22s22p63s23p63d54s1簡化表示式Cu:[Ar]3d104s1價(jià)電子排布式Fe:3d64s2電子排布圖(或軌道表Ls2各5[忖I啊柑FljJ
示式)2?第一電離能、電負(fù)性⑴元素第一電離能的周期性變化規(guī)律:一般規(guī)律冋一周期,隨著原子序數(shù)的增加,兀素的第一電離能呈現(xiàn)增大的趨勢, 稀有氣體兀素的第電離能取大,堿金屬兀素的第電離冃匕取??;冋一主族,隨著電子層數(shù)的增加,元素的第一電離能逐漸減小特殊情況第一電離能的變化與兀素原子的核外電子排布有關(guān)。 通常情況下,當(dāng)原子核外電子排布在能量相等的軌道上形成全空 (p0、d0、f0)、半滿(p3、d5、f7)和全滿(p6、d10、f14)結(jié)構(gòu)時(shí),原子的能量較低,該元素具有較大的第一電離能⑵電離能、電負(fù)性大小判斷:規(guī)律在周期表中,電離能、電負(fù)性從左到右逐漸增大,從上往下逐漸減小特性冋周期主族兀素,第HA族(ns2)全充滿、VA族(np3)半充滿,比較穩(wěn)定,所以其第一電離能大于冋周期相鄰的川A 和WA族元素方法常常應(yīng)用化合價(jià)及物質(zhì)類別判斷電負(fù)性的大小, 如0與Cl的電負(fù)性比較:①HCIO中CI為+1價(jià)、0為一2價(jià),可知0的電負(fù)性大于CI:②AI203是離子化合物、AICI3是共價(jià)化合物,可知0的電負(fù)性大于CI(3)電離能、電負(fù)性的應(yīng)用①電離能的應(yīng)用:判斷元素金屬性的強(qiáng)弱電離能越小,金屬越容易失去電子,金屬性越強(qiáng);反之越弱判斷元素的化合價(jià)如果某兀素的ln+1?In,則該兀素的常見化合價(jià)為+ 門,如鈉兀素丨2?Il,所以鈉元素的化合價(jià)為+ 1②電負(fù)性的應(yīng)用:
金屬的電負(fù)性股小于金賊朮翠[的電負(fù)性越小,金風(fēng)兀累越活潑」非金屬的電偵性一般大于1.缶非金屆’元盍的電負(fù)性趣人?非金屬冗索越活邃TOC\o"1-5"\h\zS /N電負(fù)tL丸的兀索坳呈現(xiàn)負(fù)價(jià)/r電負(fù)性小的此素易呈現(xiàn)疋價(jià) " a/'電負(fù)性邈偵大的元猱脈子之間形應(yīng)的'1化學(xué)鏗主薑是離子鍵 ^J電負(fù)性差愷小的元素麻子之阿形成的'化學(xué)鍵主要揑瓦價(jià)權(quán) 」3.b鍵、n鍵的判斷由原子軌道重疊方式判斷:“頭碰頭”重疊為b鍵,“肩并肩”重疊為n鍵。由共價(jià)鍵數(shù)目判斷:單鍵為b鍵;雙鍵或三鍵,其中一個(gè)為 b鍵,其余為n鍵。由成鍵軌道類型判斷:s軌道形成的共價(jià)鍵全是 b鍵;雜化軌道形成的共價(jià)鍵全為 b鍵。4?中心原子雜化類型和分子空間構(gòu)型的相互判斷分子(A為中心原子)中心原子孤電子對數(shù)中心原子雜化方式分子構(gòu)型示例AB20sp直線形BeCb12spV形SO23spV形H2OAB302sp平面三角形BFs13sp三角錐形NHAB403sp正四面體形CH5?常見等電子體粒子通式價(jià)電子總數(shù)立體構(gòu)型CO、SCN\NO、NTAX216eT直線形cO「、NQ、SOAX324e平面三角形SQ、C3、NOAX218eTV形sOT、PCTAX432eT正四面體形po3t、sOt、ciotAX326eT三角錐形CON2AX10eT直線形CH、NhfAX48e正四面體形?非極性分子與極性分子的判斷
[非極¥分亍(__單質(zhì)卜彳疋負(fù)電荷屮心蛍合I結(jié)構(gòu)對稱': T: ~阪原f分刑 爭原子分子(代爲(wèi)卜丟負(fù)電荷中心不董冏T結(jié)構(gòu)*對耕:扱詁分子]?范德華力、氫鍵、共價(jià)鍵的比較范德華力氫鍵共價(jià)鍵作用粒子分子或原子(稀有氣體)氫原子與氟、氮、氧原子(分子內(nèi)、分子間)原子特征無方向性、無飽和性有方向性、有飽和性有方向性、有飽和性強(qiáng)度比較共價(jià)鍵>氫鍵〉范德華力影響強(qiáng)度的因素隨著分子極性和相對分子質(zhì)量的增大而增大組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì),相對分子質(zhì)量越大,范德華力越大對于AH”B,A、B的電負(fù)性越大,B原子的半徑越小,氫鍵鍵能越大成鍵原子半徑越小,鍵長越短,鍵能越大,共價(jià)鍵越穩(wěn)定對物質(zhì)性質(zhì)的影響①影響物質(zhì)的熔沸點(diǎn)、溶解度等物理性質(zhì)②組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì),隨相對分子質(zhì)量的增大,物質(zhì)的熔沸點(diǎn)升高分子間氫鍵的存在,使物質(zhì)的熔沸點(diǎn)升高,在水中的溶解度增大影響分子的穩(wěn)定性,共價(jià)鍵鍵能越大,分子穩(wěn)定性越強(qiáng)影響原子晶體的熔沸點(diǎn)、硬度8.物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低比較規(guī)律(1) 一般情況下,不同類型晶體的熔沸點(diǎn)高低規(guī)律:原子晶體>離子晶體>分子晶體,如:金剛石>NaCI>Cl2;金屬晶體>分子晶體,如:Na>Cl2(金屬晶體熔沸點(diǎn)有的很高,如鎢、鉑等,有的則很低,女口汞等)。(2) 形成原子晶體的原子半徑越小、鍵長越短,則鍵能越大,其熔沸點(diǎn)就越高,如:金剛石 >石英〉碳化硅>晶體硅。⑶形成離子晶體的陰陽離子的電荷數(shù)越多,離子半徑越小,則離子鍵越強(qiáng),熔沸點(diǎn)就越高,如:MgO>MgC,NaCI>CsCI。
金屬晶體中金屬離子半徑越小,離子所帶電荷數(shù)越多,其形成的金屬鍵越強(qiáng),金屬單質(zhì)的熔沸點(diǎn)就越高,女口AI>Mg>Na。分子晶體的熔沸點(diǎn)比較規(guī)律:①組成和結(jié)構(gòu)相似的分子,相對分子質(zhì)量越大,其熔沸點(diǎn)就越高,如:HI>HBr>HCI。②組成和結(jié)構(gòu)不相似的分子,分子極性越大,其熔沸點(diǎn)就越高,如: CO>N③同分異構(gòu)體分子中,支鏈越少,其熔沸點(diǎn)就越高,如:正戊烷 >異戊烷>新戊烷。④同分異構(gòu)體中的芳香烴及其衍生物,鄰位取代物>間位取代物>對位取代物,如:鄰二甲苯>間二甲苯>對二甲苯。9?晶胞中微粒數(shù)目的計(jì)算方法一一均攤法、彈于畦1冋為"個(gè)晶胞所JE有’誅粒子的+屬于該晶胞10.晶胞求算晶體密度的計(jì)算:根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)確定各種粒子的,TOC\o"1-5"\h\z求 —數(shù)目亠晶胞質(zhì)量(沁 Pzv 、根據(jù)晶胞的邊長或微粒間距離廠 晶休槪度"土晶胞休積(V) >晶體微粒與Mp之間的關(guān)系:若1個(gè)晶胞中含有x個(gè)微粒,則1mol晶胞中含有xmol微粒,其質(zhì)量為xMg(M為微粒的相對原子質(zhì)量);又1個(gè)晶胞的質(zhì)量為pa3g(a3為晶胞的體積,a為晶胞邊長或微粒間距離),貝U1mol晶胞的質(zhì)量為pa3NAg,因此有xM=pa^?!绢}型歸類】例題1稀土元素是指元素周期表中原子序數(shù)為 57到71的15種鑭系元素,以及與鑭系元素化學(xué)性質(zhì)相似的鈧(Sc)和釔(Y)共17種元素。稀土元素有“工業(yè)維生素”的美稱,如今已成為極其重要的戰(zhàn)略資源。鈧(Sc)為21號元素,位于元素周期表的 區(qū),基態(tài)原子價(jià)電子排布圖為 。⑵離子化合物Na3[Sc(OH)6]中,存在的化學(xué)鍵除離子鍵外還有 。Sm(釤)的單質(zhì)與1,2—二碘乙烷可發(fā)生反應(yīng):Sn^ICH2CHI—>Smb+CH===CbtICH2CHI中碳原子雜化軌道類型為 ,1molCH2===CH中含有的(T鍵數(shù)目為 。常溫下,1,2—二碘乙烷為液體而乙烷為氣體,其主要原因是PrO2(二氧化鐠)的晶體結(jié)構(gòu)與CaF2相似,晶胞中Pr(鐠)原子位于面心和頂點(diǎn)。則PrO?二氧化鐠)的晶胞中有 個(gè)氧原子。Ce(鈰)單質(zhì)為面心立方晶體,其晶胞參數(shù) a=516pm。晶胞中Ce(鈰)原子的配位數(shù)為 ,列式表示Ce(鈰)單質(zhì)的密度為 g-cm3(用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,不必計(jì)算出結(jié)果 )?!窘馕觥?3)rCH2CHJ中碳原子為飽和碳原子'雜化軌道類型為滬。1個(gè)ch2—ch2中含有斗個(gè)C-Hts,1個(gè)虬共5個(gè)。健,&lmolCH2=2中含有的心鍵數(shù)目為b2-二顒乙烷的相對分子質(zhì)量較大「分子間作用力較強(qiáng)「沸點(diǎn)相對較高,因此常溫下b2-二碘乙烷為濃體而乙烷為氣體。(4)晶胞中Pr原子位于面心和頂點(diǎn),耳個(gè)數(shù)為瑋+鷗二也根據(jù)化學(xué)式P心,則PG的晶胞中氧原子個(gè)數(shù)為8.11Ce單質(zhì)為面心立方晶體,則晶胞中 Ce原子的配位數(shù)為12;該晶胞中含有的Ce原子的個(gè)數(shù)為8X-+6X-4X140 _10 3 4X140 —3=4,故Ce單質(zhì)的密度為飛一g“516x10cm)=6.02x1023x(516X10-10)3g-cm?!觯篒 :■- 3 24【答案】(1)d ? ⑵共價(jià)鍵和配位鍵(3)sp 3.01x10(或5NA)1,2—二碘乙烷的相4X140對分子質(zhì)量較大,分子間作用力較強(qiáng),沸點(diǎn)相對較高(4)8(5)12 6.02X1023X(516X10—10)3或4X140NaX(516X10—10)3例題2CP、Cl、Fe等元素及其化合物有重要的應(yīng)用,回答下列問題:C原子的價(jià)電子排布圖為 。CCl4分子的立體構(gòu)型是 ,其中心原子采取 雜化,與CCI4互為等電子體的一種離子是 (填離子符號)。PCl3屬于 分子(填“極性”或“非極性”)。⑷FeO、NiO的晶體結(jié)構(gòu)均與 NaCl晶體結(jié)構(gòu)相同,其中 Fe2+與Ni2+的離子半徑分別為 7.8X10—2nm6.9X10—2nm,則熔點(diǎn)FeO NiO(填“〉”“<”或“=”),原因是 。⑸已知FeCl3的沸點(diǎn)為319C,熔點(diǎn)為306C,貝UFeCb的晶體類型為 。已知Fe單質(zhì)有如圖所示的兩種常見堆積方式:其中屬于體心立方密堆積的是 (填“a”或“b”);若單質(zhì)Fe按a方式緊密堆積,原子半徑為rpm,NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,則單質(zhì) Fe的密度為 g-cm—3(列出計(jì)算式即可)。
【解析】(1)C的原子序數(shù)為6,最外層電子數(shù)為4,原子的價(jià)電子排布圖為島 (2)CCI4分子中C原4—4X1子價(jià)層電子對數(shù)=4+—2—=4,所以采取sp3雜化;立體構(gòu)型為正四面體;與 CCI4互為等電子體的離子有SCT、PCT等。(3)PCI3分子中含有的共價(jià)鍵是極性共價(jià)鍵,其結(jié)構(gòu)不對稱,屬于極性分子。 (4)FeO、NiO的晶體結(jié)構(gòu)相同,F(xiàn)e2+、Ni2+所帶電荷相同,但Fe2+的離子半徑大于Ni2+的離子半徑,則FeO的晶格能于NiO的晶格能,因此熔點(diǎn)FeCkNdf耕艮據(jù)晶體的特點(diǎn)'FeCh熔、沸點(diǎn)較低,因此FeCh的晶體類型為分子晶體。(6)由晶胞示竜圖可扣,b為體心立方堆積,m為面心立方最密堆積小中鐵原子位于面心和頂點(diǎn),1 1 4x56則一個(gè)晶胞中Fe的個(gè)數(shù)為6^2+8>:8=4;—個(gè)晶胞的質(zhì)量為*幻面心立方結(jié)構(gòu)中,面對角線長為4【pm;-10 —104rX10 4rX10224g?cm_3。)3na【答案】(1)--相同,F(xiàn)e2+、Ni2+所帶電荷相同,但Fe2+的離子半徑大于Ni2224g?cm_3。)3na【答案】(1)--相同,F(xiàn)e2+、Ni2+所帶電荷相同,但Fe2+的離子半徑大于Ni2+的離子半徑,則(2)正四面體 sp3SO-(或PO-等)(3)極性(4)<FeONiO的晶體結(jié)構(gòu)FeO的晶格能小于NiO的晶格224能,因此熔點(diǎn)FeO<NiO(5)分子晶體 (6)b 4rX10—10(羽)沁【題型演練】Cu、Ni、V為制造合金及合成催化劑的重要元素。請回答下列問題:Cu元素位于元素周期表的 區(qū),其基態(tài)原子有 種能量不同的電子。[Cu(NH3)4]SO4是一種重要的配合物。與 SO—互為等電子體的分子的化學(xué)式為 (任寫一種);NH分子的VSEPR模型為 。⑶Ni(CO)4的熔點(diǎn)為一25C,沸點(diǎn)為43C。其晶體類型為 。晶體中(T鍵和n鍵的數(shù)目之比為((用元⑹已知:釔鋇銅氧晶體的晶胞是一個(gè)長方體 (如圖所示),其晶胞參數(shù)分別為anmbnm,阿伏加德羅常數(shù)的值為N的值為NA。則該晶體的密度為g/cm3(列出計(jì)算式即可)。1111111:?anmO—Ba已知A、BCDE、F、G七種元素,它們的原子序數(shù)依次增大。 A在所有元素中原子半徑最??; B原子2— 丄核外電子有6種不同運(yùn)動狀態(tài);D與CE均相鄰;A、D、E三種元素的原子序數(shù)之和為25;E和F有相同的核外電子排布;G的質(zhì)子數(shù)是25。請回答下列問題:(1)寫出元素G的基態(tài)原子價(jià)電子排布式:;BC、D三種元素分別形成的最簡單氫化物的沸點(diǎn)最高的是(用化學(xué)式表示)。(2)由上述元素中的兩種元素組成的一種陰離子與 D的一種同素異形體分子互為等電子體,該陰離子化學(xué)式(3)(1)寫出元素G的基態(tài)原子價(jià)電子排布式:;BC、D三種元素分別形成的最簡單氫化物的沸點(diǎn)最高的是(用化學(xué)式表示)。(2)由上述元素中的兩種元素組成的一種陰離子與 D的一種同素異形體分子互為等電子體,該陰離子化學(xué)式(3)由上述元素組成的屬于非極性分子且 VSEPR莫型為直線形的微粒的電子式為(任寫一種)。(4)M是由4個(gè)C原子組成的一種不穩(wěn)定的多原子單質(zhì)分子, M分子中C原子雜化方式為sp3雜化,M分子的立體構(gòu)型為⑸某一次性電池的比能量和可儲存時(shí)間均比普通干電池優(yōu)良,適用于大電流和連續(xù)放電,是民用電池的升級換代產(chǎn)品之一,它的負(fù)極材料是 Zn,正極材料是G的一種常見氧化物,電解質(zhì)是 KOH該電池的正極反應(yīng)式為⑹由上述元素中電負(fù)性最大的元素和第一電離能最小的元素形成的某化合物N的晶胞如圖所示?;衔颪與氧化鈣相比,晶格能較小的是(填化學(xué)式)。已知該化合物的晶胞邊長為 apm,則該化合物的密度g-cm-3(只要求列出計(jì)算式,不必計(jì)算出數(shù)值,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,1pm=10_10cm)。硼及其化合物在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中的用途非常廣泛?;卮鹣铝袉栴}:(1)基態(tài)硼原子核外電子排布式為,運(yùn)動狀態(tài)不同的電子有(1)基態(tài)硼原子核外電子排布式為,運(yùn)動狀態(tài)不同的電子有個(gè)。B4C屬于(2)B4C可用于寶石等硬質(zhì)材料的磨削、研磨等,其熔點(diǎn)為2350CB4C屬于晶體。層狀硼酸鈹?shù)慕M成為HbBeBQ。其中Be、B、O的電負(fù)性從大到小的順序?yàn)?;Be、B、O的第電離能從大到小的順序?yàn)?2一⑷硼砂中陰離子B4O7的結(jié)構(gòu)如圖所示,硼原子的雜化方式為 。i.BOO (任寫(5)NaBH4是有機(jī)合成中常用的還原劑,與 BH: (任寫一個(gè))。一種由硼和釤(Sm)形成的拓?fù)浣^緣體的結(jié)構(gòu)如圖所示,已知晶胞常數(shù) g?cm一3一種由硼和釤(Sm)形成的拓?fù)浣^緣體的結(jié)構(gòu)如圖所示,已知晶胞常數(shù) g?cm一3。a=413.3pm,則晶體的密度為最近研究表明:2molSb(CH3)3、2molSb(CH3)2Br和2molSb(CH3)Br2三種化合物進(jìn)行重組反應(yīng)可生成空間位阻最小的離子化合物—— [Sb2(CH3)5]2[Sb2(CH3)2Br6]。[Sb2(CH3)5]2[Sb2(CH3)2B「6]中HC、Br的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?⑵周期表中第VA 族包括7N、15P、33As、51Sb、83Bi 5種元素,則Sb的價(jià)電子排布式為 ,Sb和Bi兩種金屬單質(zhì)熔點(diǎn)較高的是 ,NP形成的簡單氫化物中,前者的沸點(diǎn)更高,原因是 ,AsO一的空間構(gòu)型是 ⑶[Sb2(CH3)5]+的結(jié)構(gòu)式為L 〔仏」,c、Sb原子的雜化軌道類型分別為 、 。寫出一種與配體互為等電子體的陽離子 (4)[Sb2(4)[Sb2(CH3)2Br6]「的結(jié)構(gòu)式為,將結(jié)構(gòu)中的配位鍵用“T”表示。⑸許多過渡金屬的砷化物都屬于六方晶系,如圖是某砷化鎳的晶胞結(jié)構(gòu),晶胞參數(shù)如圖所示,其密度為 g?cmT3。(NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值)
碳及其化合物與生產(chǎn)、生活密切相關(guān),回答下列問題:⑴碳元素有12C13C和14C等核素,同位素示蹤法用到的 14C原子核外有 對自旋方向相反的電子。TOC\o"1-5"\h\z13寫出C的軌道表示式 。⑵K3[Fe(CN)6]晶體中Fe3+與CNT之間的鍵,鍵型為—,該化學(xué)鍵能夠形成的原因是^^chchnh£ch3有機(jī)物 是 (填“極性”或“非極性”)分子,該有機(jī)物中采取 sp3雜化的原子對應(yīng)元素的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?。⑷乙二胺(H2N—CH—CH—NH)和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺,但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高得多,原因是(5)碳酸鹽在一定溫度下會發(fā)生分解,實(shí)驗(yàn)證明碳酸鹽的陽離子不同,分解溫度不同,如下表所示:碳酸鹽MgCOCaCOSrCO3BaCO熱分解溫度/c40290011721360陽離子半徑/pm6699112135TOC\o"1-5"\h\z試分析隨著陽離子半徑的增大,碳酸鹽的分解溫度逐步升高的原因: 。⑹石墨的晶體結(jié)構(gòu)和晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。已知石墨的密度為 pg?cmT3,C—C鍵長為rcm,阿伏加德羅常數(shù)的值為 計(jì)算石墨晶體的層間距為 cm。Mn、Fe均為第四周期過渡元素,兩元素的部分電離能數(shù)據(jù)如表所示:—\丿元糸MnFe電離能I1717759/(kJ?molJI215091561I332482957回答下列問題:Mn元素價(jià)電子層的電子排布式為 ,比較兩元素的丨2、丨3可知,氣態(tài)MS+再失去一個(gè)電子比氣態(tài)TOC\o"1-5"\h\zFe2+再失去一個(gè)電子難,對此,你的解釋是 。Fe原子或離子外圍有較多能量相近的空軌道而能與一些分子或離子形成配合物。與Fe原子或離子形成配合物的分子或離子應(yīng)具備的結(jié)構(gòu)特征是 。六氰合亞鐵離子[Fe(CN)6「]中的配體CN中C原子的雜化軌道類型是 ,寫出一種與CN互為等電子體的單質(zhì)分子的結(jié)構(gòu)式 。⑶三氯化鐵常溫下為固體,熔點(diǎn) 282C,沸點(diǎn)315C,在300C以上易升華,易溶于水,也易溶于乙醚、丙醇等有機(jī)溶劑。據(jù)此判斷三氯化鐵晶體為 。金屬鐵的晶體在不同溫度下有兩種堆積方式,晶胞分別如圖所示。面心立方晶胞和體心立方晶胞中實(shí)際有的Fe原子個(gè)數(shù)之比為 。A、B、C、DE代表前四周期原子序數(shù)依次增大的五種元素。 A、D同主族且有兩種常見化合物 DA和DA;工業(yè)上電解熔融C2A3制取單質(zhì)C;B、E除最外層均只有2個(gè)電子外,其余各層全充滿, E位于元素周期表的ds區(qū)?;卮鹣铝袉栴}:B、C中第一電離能較大的是 ,基態(tài)D原子價(jià)電子的軌道表達(dá)式為 。DA2分子的VSEPR模型是 。HA比HD熔沸點(diǎn)高得多的原因是 。⑶實(shí)驗(yàn)測得C與氯元素形成的化合物的實(shí)際組成為 C2CI6,其球棍模型如圖所示。已知 GCI6在加熱時(shí)易升華,與過量的NaOH溶液反應(yīng)可生成Na[C(OH)d。C2Cl6屬于 (填晶體類型)晶體,其中C原子的雜化軌道類型為 雜化。[C(OH)4]_中存在的化學(xué)鍵有 。工業(yè)上制備B的單質(zhì)是電解熔融B的氯化物,而不是電解 BA原因是 。⑸B、C的氟化物晶格能分別是2957kJ?mol「1、5492kJ?mol一1,二者相差很大的原因是(6)D與E所形成化合物晶體的晶胞如圖所示
TOC\o"1-5"\h\z在該晶胞中,E的配位數(shù)為 。原子坐標(biāo)參數(shù)可表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置。如圖晶胞中,原子坐標(biāo)參數(shù) a為(0,0,0);b為1111 一亍,0,3;c為£廳,0。貝Vd的坐標(biāo)參數(shù)為 。2222已知該晶胞的密度為pg?cmT3,則其中兩個(gè)D原子之間的距離為 pm。(列出計(jì)算式即可)鐵被譽(yù)為“第一金屬”,鐵及其化合物在生活中有廣泛應(yīng)用。(1)基態(tài)Fe3+的簡化電子排布式為 。3+⑵實(shí)驗(yàn)室用KSCN苯酚(… )檢驗(yàn)Fe。N、OS的第一電離能由大到小的順序?yàn)?(用元素符號表示),苯酚中碳原子的雜化軌道類型為 。⑶羰基鐵[Fe(CO)5]可用作催化劑、汽油抗爆劑等。 1molFe(CO)5分子中含 mol 鍵,與CO互為等電子體的離子是 (填化學(xué)式,寫一種)。(4)氮化鐵晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖 1所示。該晶體中鐵、氮的微粒個(gè)數(shù)之比為 。⑸氧化亞鐵晶體的晶胞如圖2所示。已知:氧化亞鐵晶體的密度為 pg?cmT3,NA代表阿伏加德羅常數(shù)的值。在該晶胞中,與Fe2+緊鄰且等距離的Fe2值。在該晶胞中,與Fe2+緊鄰且等距離的Fe2+數(shù)目為;Fe2+與O「最短核間距為pm。?09.在研究金礦床物質(zhì)組分的過程中,通過分析發(fā)現(xiàn)了Cu—Ni—Zn—Sn—Fe多金屬互化物。(1)某種金屬互化物具有自范性,原子在三維空間里呈周期性有序排列,該金屬互化物屬于 —(填“晶體”或“非晶體”),可通過 方法鑒別。2+ 2+ 2+⑵基態(tài)Ni的核外電子排布式為 ;Ni和Fe的半徑分別為69pm和78pm,則熔點(diǎn)NiO FeO(填“<”或“>”)。⑶銅能與類鹵素(SCN)2反應(yīng)生成Cu(SCN)2,1mol(SCN)2分子中含有<r鍵的數(shù)目為 ;類鹵素(SCN)2對應(yīng)的酸有兩種,理論上硫氰酸(HSCN)的沸點(diǎn)低于異硫氰酸(H—N===C===S的沸點(diǎn),其原因是 ;寫出一種與SCN互為等電子體的分子 (用化學(xué)式表示)。⑷氨基乙酸銅的分子結(jié)構(gòu)如圖,碳原子的雜化方式為立方NiO(氧化鎳)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示,其晶胞邊長為 apm列式表示NiO晶體的密度為 g-cm—3(不必計(jì)算出結(jié)果,阿伏加德羅常數(shù)的值為 NA)。人工制備的NiO晶體中常存在缺陷(如圖):一個(gè)Ni2+空缺,另有兩個(gè)Ni2+被兩個(gè)Ni3+所取代,其結(jié)果晶體仍呈電中性,但化合物中 Ni和O的比值卻發(fā)生了變化。已知某氧化鎳樣品組成 NioaO,該晶體中Ni3+與Ni2+的離子個(gè)數(shù)之比為 。22所示。鋁的配位數(shù)為10.碳、氮、氧、硫、氯和鋁、鐵、銅是中學(xué)重要的元素,其單質(zhì)和化合物在生活、生產(chǎn)中有廣泛應(yīng)用?;卮鹣铝袉栴}:基態(tài)銅原子的價(jià)層電子排布式為 ;基態(tài)鋁原子核外電子云形狀有 (填名稱)。C、HON四種元素形成的丁二酮肟常用于檢驗(yàn) Ni2+:在稀氨水介質(zhì)中,丁二酮肟與 Ni2+反應(yīng)可生成鮮紅色沉淀,其結(jié)構(gòu)如圖 1所示。?N0CuOAlo圖2該結(jié)構(gòu)中,碳碳之間的共價(jià)鍵類型是 (7鍵,從軌道重疊方式來分析,碳氮之間的共價(jià)鍵類型是TOC\o"1-5"\h\z ;氮鎳之間形成的化學(xué)鍵是 。該結(jié)構(gòu)中,碳原子的雜化軌道類型為 。氮化鋁是一種新型無機(jī)非金屬材料,具有耐高溫、耐磨等特性,空間結(jié)構(gòu)如圖 。氮化鋁的晶體類型是 。N和Cu形成的化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖 3所示,則該化合物的化學(xué)式為 。該化合物的相對分子質(zhì)量為MNA為阿伏加德羅常數(shù)。若該晶胞的邊長為 apm,則該晶體的密度是 g-cm一3。參考答案1.(1)ds 7(2)CCI 4、SiCI 4、CBm、SiF?任選一種,答案合理即可 )四面體形 (3)分子晶體 1:1(4)
C
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