FAB English Training新

1、Semiconductor 半導(dǎo)體 導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體主要依據(jù)導(dǎo)電系數(shù)的大小，決定了電子的移動(dòng)速度。 導(dǎo)體：金、銀、銅、鐵、人、水導(dǎo)電系數(shù)大，傳導(dǎo)容易 絕緣體：塑料、木頭、皮革、紙導(dǎo)電系數(shù)小、傳導(dǎo)不容易 半導(dǎo)體：硅中加鍺、砷、鎵、磷平時(shí)不導(dǎo)電加特定電壓后導(dǎo)電Wafer芯片或晶圓芯片或晶圓： 原意為法國的松餅，餅干上有格子狀的飾紋，與FAB內(nèi)生產(chǎn)的芯片圖形類似。Lot批：批： 一批芯片中最多可以有25片，最少可以只有一片。WIP Work In Process 在制品。從芯片投入到芯片產(chǎn)品，F(xiàn)AB內(nèi)各站積存了相當(dāng)數(shù)量的芯片，統(tǒng)稱為FAB內(nèi)的WIP .l一整個(gè)制程又可細(xì)分為數(shù)百個(gè)Stage和St

2、ep，每一個(gè)Stage所堆積的芯片，稱為Stage WIP。 Wafer ID 每一片芯片有自己的芯片刻號，叫Wafer IDLot ID 每一批芯片有自己的批號，叫Lot IDPart ID 各個(gè)獨(dú)立的批號可以共享一個(gè)型號，叫Part IDID Identification的縮寫 用以辨識(shí)各個(gè)獨(dú)立的個(gè)體，就像公司內(nèi)每一個(gè)人有自己的識(shí)別證。Rack（貨架）（貨架）Cassette晶舟盒晶舟盒(用來用來放蕊片放蕊片) Discipline& Cost& OEE Discipline：簡單稱之為簡單稱之為紀(jì)律紀(jì)律。泛指經(jīng)由訓(xùn)練與思考，對群體的。泛指經(jīng)由訓(xùn)練與思考，對群體的價(jià)值觀產(chǎn)生認(rèn)同而自我約束，

3、使群體能在既定的規(guī)范內(nèi)達(dá)成目標(biāo)，價(jià)值觀產(chǎn)生認(rèn)同而自我約束，使群體能在既定的規(guī)范內(nèi)達(dá)成目標(biāo)，與一般的盲從不同。與一般的盲從不同。 OEE：Overall Equipment Efficiency，設(shè)備綜合效率，設(shè)備綜合效率 Cost：成本：成本 間接物料：間接物料：Gas 氣體氣體 Chemical 酸酸,堿化學(xué)液堿化學(xué)液 PHOTO Chemical 光阻光阻,顯影液顯影液 Slurry 研磨液研磨液 Target 靶材靶材 Quartz 石英材料石英材料 Pad & Disk 研磨墊研磨墊Control Wafer 控片控片 Test Wafer 測試測試,實(shí)驗(yàn)用的蕊片實(shí)驗(yàn)用的蕊片PIE&Y

4、E&PE&EE PIE:負(fù)責(zé)統(tǒng)合處理工程部所遇到的技術(shù)整合問題負(fù)責(zé)統(tǒng)合處理工程部所遇到的技術(shù)整合問題;例如經(jīng)由芯片的例如經(jīng)由芯片的defect;或電性參數(shù)失效或電性參數(shù)失效等來判斷可能是那一個(gè)工藝站有問題等來判斷可能是那一個(gè)工藝站有問題;然后然后責(zé)成該工藝站的工程部來進(jìn)行檢查與解決責(zé)成該工藝站的工程部來進(jìn)行檢查與解決。YE-(Yield Enhancement)： 追蹤判斷品質(zhì)缺陷來源追蹤判斷品質(zhì)缺陷來源 良率改善計(jì)劃良率改善計(jì)劃確定品質(zhì)缺陷與良率的相關(guān)性確定品質(zhì)缺陷與良率的相關(guān)性/降低品質(zhì)缺陷的手法降低品質(zhì)缺陷的手法 量測機(jī)臺(tái)程序的設(shè)定量測機(jī)臺(tái)程序的設(shè)定 產(chǎn)品量測產(chǎn)品量測抽樣方法與品質(zhì)缺陷報(bào)

5、表系統(tǒng)抽樣方法與品質(zhì)缺陷報(bào)表系統(tǒng) 良率提升系統(tǒng)的設(shè)立良率提升系統(tǒng)的設(shè)立( Yield Enhancement System ) 定義工藝步驟中的重工（定義工藝步驟中的重工（Rework）流程）流程 工藝過程中破片的處理流程管制工藝過程中破片的處理流程管制 EE，Equipment engineer;設(shè)備工程師；簡單稱為設(shè)備設(shè)備工程師；簡單稱為設(shè)備;主要負(fù)責(zé)保主要負(fù)責(zé)保持生產(chǎn)線中機(jī)臺(tái)的高可使用率（持生產(chǎn)線中機(jī)臺(tái)的高可使用率（High Available Rate） PE：Process engineer;工藝工程師；簡稱為工藝工藝工程師；簡稱為工藝;主要負(fù)責(zé)處理生產(chǎn)主要負(fù)責(zé)處理生產(chǎn)線中產(chǎn)品或機(jī)臺(tái)

6、的異常。線中產(chǎn)品或機(jī)臺(tái)的異常。OI：Operation Instruction操作指導(dǎo)手冊：操作指導(dǎo)手冊：Alarm ：警訊警訊Recipe (PPID)程序程序OCAP：Out of Control Action Plan, 即產(chǎn)品制程結(jié)果量測值或機(jī)即產(chǎn)品制程結(jié)果量測值或機(jī)臺(tái)監(jiān)控臺(tái)監(jiān)控monitor量測值量測值,違反統(tǒng)計(jì)制程管制規(guī)則后的因應(yīng)對策違反統(tǒng)計(jì)制程管制規(guī)則后的因應(yīng)對策Wafer：硅片。一般的硅片硅片。一般的硅片(wafer)基材基材(substrate)可區(qū)分為可區(qū)分為N,P兩兩種類型（種類型（type）。）。N-type wafer 是指摻雜是指摻雜 negative元素元素(5價(jià)

7、電荷價(jià)電荷元素，例如：元素，例如：P、As)的硅片的硅片, P-type 的的wafer 是指摻雜是指摻雜 positive 元元素素(3價(jià)電荷元素價(jià)電荷元素, 例如：例如：B、In)的硅片。的硅片。SOP： standard operating procedure標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)程式標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)程式Flow：流程流程 PM： preventive maintenance是機(jī)臺(tái)預(yù)防保養(yǎng)是機(jī)臺(tái)預(yù)防保養(yǎng). 按周期對機(jī)臺(tái)相應(yīng)按周期對機(jī)臺(tái)相應(yīng)的的Parts(備品備品)采取相應(yīng)的維護(hù)或更換措施，為保持機(jī)臺(tái)性能的穩(wěn)采取相應(yīng)的維護(hù)或更換措施，為保持機(jī)臺(tái)性能的穩(wěn)定，防止制程良率下降，延長機(jī)臺(tái)及定，防止制程良率下降，延長機(jī)

8、臺(tái)及Parts壽命壽命.SPC SPC ： Statistic Process Control,過程質(zhì)量控制過程質(zhì)量控制 OOS ：out of spec;制程結(jié)果超出允收規(guī)格制程結(jié)果超出允收規(guī)格, 超出超出Control 但仍但仍在在Spec之內(nèi)的制程變異之內(nèi)的制程變異 OOC： out of control; 制程結(jié)果在允收規(guī)格內(nèi)但是違反統(tǒng)計(jì)制制程結(jié)果在允收規(guī)格內(nèi)但是違反統(tǒng)計(jì)制程管制規(guī)則程管制規(guī)則;用以警訊機(jī)臺(tái)或制程潛在可能的問題用以警訊機(jī)臺(tái)或制程潛在可能的問題 trend chart： SPC中一個(gè)重要的工具中一個(gè)重要的工具,是指某一工藝參數(shù)隨時(shí)是指某一工藝參數(shù)隨時(shí)間的變化而畫的圖。它能

9、告訴人們機(jī)臺(tái)的特性或工藝發(fā)生了間的變化而畫的圖。它能告訴人們機(jī)臺(tái)的特性或工藝發(fā)生了變化沒有。變化沒有。 Range：極差。一組測定值中最大值與最小值之差極差。一組測定值中最大值與最小值之差 ：標(biāo)準(zhǔn)偏差，偏差數(shù)的正平方根。標(biāo)準(zhǔn)偏差，偏差數(shù)的正平方根。 CPK：實(shí)際工程能力指數(shù)實(shí)際工程能力指數(shù). CP：潛在過程能力指數(shù)或工藝精密度。潛在過程能力指數(shù)或工藝精密度。 K：工藝準(zhǔn)確度。工藝準(zhǔn)確度。MFGMFG: MANUFACTURING 生產(chǎn)制造生產(chǎn)制造WPH: WPH(wafer per hour) 機(jī)臺(tái)每小時(shí)之芯片產(chǎn)出機(jī)臺(tái)每小時(shí)之芯片產(chǎn)出量量Move:芯片的制程步驟移動(dòng)數(shù)量芯片的制程步驟移動(dòng)數(shù)量S

10、tage Move:一片芯片完成一個(gè)一片芯片完成一個(gè)Stage之制程之制程,稱為一稱為一個(gè)個(gè)Stage MoveStep Move:一片芯片完成一個(gè)一片芯片完成一個(gè)Step 之制程之制程, 稱為一個(gè)稱為一個(gè)Step MoveStage 和和 step 的關(guān)系的關(guān)系:同一制程目的的同一制程目的的step合起來稱合起來稱為一個(gè)為一個(gè)stage; 例如爐管制程長例如爐管制程長oxide的的stage, 通常要經(jīng)通常要經(jīng)過清洗過清洗,進(jìn)爐管進(jìn)爐管,出爐管量測厚度出爐管量測厚度3道道step.MFG（生產(chǎn)制造生產(chǎn)制造） 硅片的制造就是依據(jù)客戶的要求，不斷的在不同工藝過硅片的制造就是依據(jù)客戶的要求，不斷的

11、在不同工藝過程（程（ module ）間重復(fù)進(jìn)行的生產(chǎn)過程，最后再利用電）間重復(fù)進(jìn)行的生產(chǎn)過程，最后再利用電性的測試（性的測試（WA T），確保產(chǎn)品良好。），確保產(chǎn)品良好。 module主要有四個(gè)部分：主要有四個(gè)部分：DIFF（擴(kuò)散）、（擴(kuò)散）、TF(薄膜薄膜)、PHOTO（光刻）、（光刻）、ETCH（刻蝕）。其中（刻蝕）。其中DIFF又包括又包括FURNACE(爐管爐管)、IMP(離子離子 注入注入)、RTP(快速熱處理快速熱處理)。TF包括包括PVD(物理氣相淀積物理氣相淀積)、CVD(化學(xué)氣相淀積化學(xué)氣相淀積) 、CMP(化學(xué)機(jī)械研磨化學(xué)機(jī)械研磨)?？涛g包括?？涛g包括 WET(濕刻濕刻)

12、和和DRY（干（干刻）?？蹋?。MFGMES: Manufacture Execution System; 即制造執(zhí)行系統(tǒng)即制造執(zhí)行系統(tǒng); 該系統(tǒng)該系統(tǒng)掌握生產(chǎn)有關(guān)的信息掌握生產(chǎn)有關(guān)的信息,簡述幾項(xiàng)重點(diǎn)如下簡述幾項(xiàng)重點(diǎn)如下:(1) 每一類產(chǎn)品的生產(chǎn)每一類產(chǎn)品的生產(chǎn)step內(nèi)容內(nèi)容/規(guī)格規(guī)格/限制限制(2) 生產(chǎn)線上所有機(jī)臺(tái)的可使用狀況生產(chǎn)線上所有機(jī)臺(tái)的可使用狀況;如可如可run那些程序那些程序,實(shí)時(shí)的機(jī)臺(tái)實(shí)時(shí)的機(jī)臺(tái)狀態(tài)狀態(tài)(可用可用/不可用不可用)(3) 每一產(chǎn)品批的基本資料與制造過程中的所有數(shù)據(jù)每一產(chǎn)品批的基本資料與制造過程中的所有數(shù)據(jù)(在那些機(jī)臺(tái)上在那些機(jī)臺(tái)上run過過/量測結(jié)果值量測結(jié)果值

13、/各各step的時(shí)間點(diǎn)的時(shí)間點(diǎn)/誰處理過誰處理過/過程有否工程問題批過程有否工程問題批注注等等 (4) 每一產(chǎn)品批現(xiàn)在與未來要執(zhí)行的每一產(chǎn)品批現(xiàn)在與未來要執(zhí)行的step等資料等資料EAP: Equipment Automation Program;機(jī)臺(tái)自動(dòng)化程序一機(jī)臺(tái)自動(dòng)化程序一旦機(jī)臺(tái)有了旦機(jī)臺(tái)有了EAP,此系統(tǒng)即會(huì)依據(jù)此系統(tǒng)即會(huì)依據(jù)LOT ID來和來和MES與機(jī)臺(tái)做溝與機(jī)臺(tái)做溝通反饋及檢查通反饋及檢查, 完成機(jī)臺(tái)進(jìn)貨生產(chǎn)與出貨的動(dòng)作完成機(jī)臺(tái)進(jìn)貨生產(chǎn)與出貨的動(dòng)作;另外大部份量另外大部份量測機(jī)臺(tái)亦可做到自動(dòng)收集量測資料與反饋至后端計(jì)算機(jī)的自測機(jī)臺(tái)亦可做到自動(dòng)收集量測資料與反饋至后端計(jì)算機(jī)的自動(dòng)化

14、作業(yè)動(dòng)化作業(yè)MFG Hold Lot:芯片需要停下來做實(shí)驗(yàn)或產(chǎn)品有問題需工程師判斷時(shí)的短暫停止芯片需要停下來做實(shí)驗(yàn)或產(chǎn)品有問題需工程師判斷時(shí)的短暫停止則需則需HOLD LOT;帳點(diǎn)上的狀態(tài)為帳點(diǎn)上的狀態(tài)為Hold,如此除非解決如此除非解決hold住的原因否則無住的原因否則無法繼續(xù)法繼續(xù)run貨貨 PN: Production Note，制造通報(bào)，制造通報(bào) MONITOR:對機(jī)臺(tái)進(jìn)行定期的檢測或是隨產(chǎn)品出機(jī)臺(tái)時(shí)的檢測稱之為對機(jī)臺(tái)進(jìn)行定期的檢測或是隨產(chǎn)品出機(jī)臺(tái)時(shí)的檢測稱之為MONITOR，如測微粒子、厚度等，如測微粒子、厚度等 TECN:暫時(shí)工程變更暫時(shí)工程變更 Control wafer:控片。

15、為了解機(jī)臺(tái)未來的控片。為了解機(jī)臺(tái)未來的run貨結(jié)果是否在規(guī)格內(nèi)貨結(jié)果是否在規(guī)格內(nèi),必須使必須使用控片去試用控片去試run,并量測所得結(jié)果如厚度并量測所得結(jié)果如厚度,平坦度平坦度,微粒數(shù)微粒數(shù)控片使用一次就要控片使用一次就要進(jìn)入回收流程。進(jìn)入回收流程。 Dummy wafer：擋片擋片用途（1）暖機(jī) （2）補(bǔ)足機(jī)臺(tái)內(nèi)應(yīng)擺芯片而未擺的空位置。擋片可重復(fù)使用到限定的時(shí)間RUN數(shù)、厚度后，再送去回收.例如可以同時(shí)run150片wafer的爐管,若不足150片時(shí)必須以擋片補(bǔ)足,否則可能影響制程平坦度等; High current 機(jī)臺(tái)每次可同時(shí)run17片,若不足亦須以擋片補(bǔ)足擋片的MFG T/R：Tu

16、rn Ratio, 芯片之移動(dòng)速度芯片之移動(dòng)速度; 即即1天內(nèi)移動(dòng)了幾個(gè)制程天內(nèi)移動(dòng)了幾個(gè)制程stage EAR：Engineer Abnormal Report(工程異常報(bào)告工程異常報(bào)告);通常發(fā)生系統(tǒng)性工程問題或大量的通常發(fā)生系統(tǒng)性工程問題或大量的報(bào)廢時(shí)報(bào)廢時(shí),必須必須issue EAR.異常事件是否異常事件是否issue EAR 主要依據(jù)主要依據(jù)EAR OI 定義定義 MO：Miss-Operation，指未依工作準(zhǔn)則之作業(yè)指未依工作準(zhǔn)則之作業(yè),而造成的生產(chǎn)損失而造成的生產(chǎn)損失 Clean room：潔凈室。指空氣中浮塵被隔離之操作空間潔凈室。指空氣中浮塵被隔離之操作空間 Cycle t

17、ime：周期時(shí)間。：周期時(shí)間。wafer 從投片從投片wafer start 到到WAT電性測試結(jié)束這段生產(chǎn)時(shí)間電性測試結(jié)束這段生產(chǎn)時(shí)間(如早上出門如早上出門.搭車到達(dá)公司所需經(jīng)過的時(shí)間搭車到達(dá)公司所需經(jīng)過的時(shí)間)Defect 何謂何謂Defect?答：答：Wafer上存在的有形污染與不完美，包括上存在的有形污染與不完美，包括 Wafer上的物理性異物（如：上的物理性異物（如：微塵，工藝殘留物，不正常反應(yīng)生成物）。微塵，工藝殘留物，不正常反應(yīng)生成物）。 化學(xué)性污染（如：殘留化學(xué)化學(xué)性污染（如：殘留化學(xué)藥品，有機(jī)溶劑）。藥品，有機(jī)溶劑）。 圖案缺陷（如：圖案缺陷（如：Photo或或etch造成的

18、異常成象，機(jī)械造成的異常成象，機(jī)械性刮傷變形，厚度不均勻造成的顏色異常）。性刮傷變形，厚度不均勻造成的顏色異常）。 Wafer本身或制造過程中本身或制造過程中引起的晶格缺陷。引起的晶格缺陷。 Defect的來源？的來源？答：答： 素材本身：包括素材本身：包括wafer,氣體，純水，化學(xué)藥品。氣體，純水，化學(xué)藥品。 外在環(huán)境：包含潔外在環(huán)境：包含潔凈室，傳送系統(tǒng)與程序。凈室，傳送系統(tǒng)與程序。 操作人員：包含無塵衣，手套。操作人員：包含無塵衣，手套。 設(shè)備零件老設(shè)備零件老化與制程反應(yīng)中所產(chǎn)生的副生成物。化與制程反應(yīng)中所產(chǎn)生的副生成物。 Defect的種類依掉落位置區(qū)分可分為的種類依掉落位置區(qū)分可分

19、為?答：答： Random defect : defect分布很散分布很散 cluster defect : defect集中在某一區(qū)域集中在某一區(qū)域 Repeating defect : defect重復(fù)出現(xiàn)在同一區(qū)域重復(fù)出現(xiàn)在同一區(qū)域MOSFET柵極電壓Gate(柵極)漏極電壓Drain 漏極Gate oxide 柵極氧化層Substrate 基材Source源極基本器件示意圖基本器件示意圖(Device)柵極電壓Gate(柵極)漏極電壓Drain 漏極Gate oxide 柵極氧化層Substrate 基材Source源極基本器件示意圖基本器件示意圖(Device)MOSFETFET：場

20、效應(yīng)晶體管場效應(yīng)晶體管MOSFET：Metal-Oxide -Semiconductor Field Effect Metal-Oxide -Semiconductor Field Effect TransistorTransistor金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管Power MOSFET ：功率場效應(yīng)晶體管：功率場效應(yīng)晶體管MG：Metal Gate Metal Gate 金屬柵金屬柵CMOS：Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transis

21、torTransistor互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)VDMOS：垂直式雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)垂直式雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)SBD：肖特基勢壘二極管肖特基勢壘二極管BICOMS： bipolar- Complementary Metal-Oxide- bipolar- Complementary Metal-Oxide-Semiconductor TransistorSemiconductor Transistor雙極型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體雙極型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管管TRENCH：溝：溝TFCVD：Chemical Vapor Depositio

22、n.Chemical Vapor Deposition.化學(xué)氣相沉積化學(xué)氣相沉積PVD：physical vapor deposition physical vapor deposition 物理氣相沉積物理氣相沉積CMP ：Chemical Mechanical Polishing Chemical Mechanical Polishing 化學(xué)化學(xué)機(jī)械機(jī)械研磨研磨USG: Undoped Silicate GlassUndoped Silicate Glass未摻雜的硅玻璃未摻雜的硅玻璃()PSG: Phosphorus Silicate GlassPhosphorus Silicate

23、Glass摻雜磷的硅玻璃摻雜磷的硅玻璃()BSG: Boron Silicate GlassBoron Silicate Glass摻雜硼的硅玻璃摻雜硼的硅玻璃()BPSG: Boron phosphorus silicate glassBoron phosphorus silicate glass摻雜硼磷的硅玻璃摻雜硼磷的硅玻璃()TEOS: : Tetra eth oxy silicate四乙氧基硅烷四乙氧基硅烷，用途為沉積二氧化用途為沉積二氧化硅硅SOG：spin Oxy Glass STI：Shallow Trench Isolation淺溝槽絕緣淺溝槽絕緣ARC：Antireflec

24、tive coating介電質(zhì)抗反射層鍍膜介電質(zhì)抗反射層鍍膜()TFTarget： 靶材靶材，在在PVD中，靶材是用來提供鍍膜（中，靶材是用來提供鍍膜（film）的金屬材料的金屬材料.MFC：Mass flow controller氣體流量控制器氣體流量控制器;用于控制用于控制 反應(yīng)反應(yīng)氣體的流量氣體的流量 鋁鋁(AL)，鈦，鈦(Ti)，氮化鈦，氮化鈦(TiN)，鈷，鈷( Co).鵭鵭 (W)/銅銅 (Cu) 測機(jī)項(xiàng)目：測機(jī)項(xiàng)目：反射率反射率(reflectivity index)，厚度，厚度(thickness)，阻，阻值值(resistance sheet)，微粒，微粒(particle)

25、，均勻度，均勻度(uniformity) blanket wafer：無圖形的芯片無圖形的芯片 pattern wafer：有圖形的芯片有圖形的芯片 CMP常見的缺陷有劃傷常見的缺陷有劃傷(scratch)， 殘留物殘留物(residue)， 腐腐蝕（蝕（corrosion）.DIFFDiffuse：擴(kuò)散是半導(dǎo)體制程常用的步驟，是在高溫氣擴(kuò)散是半導(dǎo)體制程常用的步驟，是在高溫氣氛下，物質(zhì)（氣，固，液）中之原子或分子由高濃度區(qū)氛下，物質(zhì)（氣，固，液）中之原子或分子由高濃度區(qū)域移至低濃度區(qū)域，擴(kuò)散機(jī)臺(tái)提高這種制程的條件。域移至低濃度區(qū)域，擴(kuò)散機(jī)臺(tái)提高這種制程的條件。爐管爐管：Furnace快速快速熱

26、熱退火退火：RTA離子注入離子注入：Ion Implanter測量設(shè)備測量設(shè)備：Metrology廢氣處理廢氣處理：ScrubberDIFF TC： Thermal Couple熱電偶。由兩種不同比熱的金屬熱電偶。由兩種不同比熱的金屬(例例:copper銅銅 nickel鎳鎳)焊接的一種量測溫度的焊接的一種量測溫度的Gauge,可可用其量測加熱用其量測加熱Heater的溫度的溫度.RTA：快速熱退火快速熱退火(rapid thermal annealing)目的：目的：修補(bǔ)硅片表面的晶格修補(bǔ)硅片表面的晶格,因?yàn)榍爸瞥桃驗(yàn)榍爸瞥?工藝工藝)所造成所造成的偒害的偒害CDA： Clean Dry A

27、ir潔凈干燥的壓縮空氣潔凈干燥的壓縮空氣,用來驅(qū)動(dòng)用來驅(qū)動(dòng)Valve及汽缸及汽缸DIFF IMP IMP：Ion Implantation 譯為離子注入譯為離子注入， 簡單的簡單的說離子注入說離子注入技術(shù)就是通過將選技術(shù)就是通過將選定的離子加速，射入晶片（定的離子加速，射入晶片（Wafer）的特定區(qū)域而改變其特性（尤其是電特性）的特定區(qū)域而改變其特性（尤其是電特性）的工藝。的工藝。 Doping：摻雜摻雜。純凈的硅是不導(dǎo)電的。純凈的硅是不導(dǎo)電的。 但人為地?fù)饺胍欢〝?shù)量的某種原子但人為地?fù)饺胍欢〝?shù)量的某種原子（雜質(zhì)）后，硅就會(huì)變得具有導(dǎo)電性。為了在硅片上做出晶體管，電容等器件，（雜質(zhì)）后，硅就會(huì)

28、變得具有導(dǎo)電性。為了在硅片上做出晶體管，電容等器件，我們必須控制硅片的導(dǎo)電類型和導(dǎo)電能力。而這種控制就是通過摻雜來是實(shí)現(xiàn)我們必須控制硅片的導(dǎo)電類型和導(dǎo)電能力。而這種控制就是通過摻雜來是實(shí)現(xiàn)的。的。 離子注入工藝中的主要參數(shù)：離子注入工藝中的主要參數(shù)： Species 離子種類離子種類 Energy 能量能量 Dose 注入劑量注入劑量 Implant Angle注入角度注入角度 Beam Current （束流大小）（束流大?。?離子注入機(jī)：離子注入機(jī)： 高束流注入離子注入機(jī)高束流注入離子注入機(jī) High Current Implanter中束流離子注入機(jī)中束流離子注入機(jī) Medium Cur

29、rent Implanter低能離子注入機(jī)低能離子注入機(jī) Low Energy Implanter高能離子注入機(jī)高能離子注入機(jī) High Energy ImplanterPHOTOMask room & MaskStepper & TrackPHOTO PHOTO：Photo lithgraphy 中文為光刻，將圖形從光罩上成象到感光中文為光刻，將圖形從光罩上成象到感光材料材料(光刻膠光刻膠)上的過程上的過程 Photo的流程分為前處理（的流程分為前處理（prime），上光阻（），上光阻（coat），軟烘（），軟烘（Soft Bake），曝光（，曝光（Exposure），曝光后烘烤（），曝光后

30、烘烤（PEB），顯影，顯影（Development），硬烘（），硬烘（Hard Bake） Photo resist：光阻光阻 HMDS：一種增粘劑一種增粘劑 Exposure Field：曝光區(qū)域，一次曝光所能覆蓋的區(qū)域曝光區(qū)域，一次曝光所能覆蓋的區(qū)域 Reticle ，Mask：光罩，光罩， Track：軌道機(jī)軌道機(jī) Stepper：步進(jìn)式曝光機(jī)步進(jìn)式曝光機(jī) WEE： Wafer Edge Exposure Overlay：套刻精度套刻精度 CD： Critical Dimension關(guān)鍵尺寸關(guān)鍵尺寸 CD-SEM：掃描電子顯微鏡掃描電子顯微鏡PHOTO ADI：After Develop

31、 Inspection，曝光和顯影完成之后，通過，曝光和顯影完成之后，通過ADI機(jī)機(jī)臺(tái)對所產(chǎn)生的圖形的定性檢查，看其是否正常，其檢查項(xiàng)目包括：臺(tái)對所產(chǎn)生的圖形的定性檢查，看其是否正常，其檢查項(xiàng)目包括：Layer ID, Locking Corner , Vernier , Photo Macro Defect RTMS：RTMS ( Reticle Management System) 光罩管理系統(tǒng)光罩管理系統(tǒng) DOF： Depth Of Focus焦深焦深 Focus：焦距：焦距 Energy：能量：能量 Load：裝載：裝載 Reject：拒絕：拒絕 Abort：打斷：打斷 Stage：載片臺(tái)：載片臺(tái) Nozzle：噴嘴：噴嘴 EMO： Emergency off: 機(jī)臺(tái)緊急開關(guān)機(jī)臺(tái)緊急開關(guān)ETCH Etch：蝕刻將形成在晶圓表面上的薄膜蝕刻將形成在晶圓表面上的薄膜, 全部或特定處所去除至必要厚全部或特定處所去除至