片式鉭電容的開(kāi)發(fā)

1、-本 科 畢 業(yè) 論 文片式鉭電容的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用院 別： 物理與電子工程學(xué)院學(xué)科門(mén)類(lèi)： 理學(xué)專(zhuān) 業(yè)： 應(yīng)用物理學(xué)姓 名： 廖昌俊學(xué) 號(hào)： 2021051173 2021年6月. z-應(yīng)用物理學(xué)專(zhuān)業(yè)本科畢業(yè)論文* *2021年6月. z-目 錄摘要IABSTRACI1鉭電容的概述11.1 鉭電容的簡(jiǎn)介及根本構(gòu)造11.2 鉭電容的生產(chǎn)工藝流程21.3 鉭電容的分類(lèi)與使用52鉭電容的現(xiàn)狀52.1鉭電容的國(guó)外生產(chǎn)狀況52.2鉭電容的市場(chǎng)消費(fèi)73鉭電容的應(yīng)用領(lǐng)域74片式鉭電容的前景展望8參考文獻(xiàn)10致11. z-摘要鉭電容以獨(dú)特優(yōu)異的綜合性廣泛使用于各行業(yè)。鉭電容由鉭絲和鉭粉經(jīng)過(guò)一系列工藝制作而成，具有小

2、型化，貼片化，損耗角(tan)小，容量大，高溫穩(wěn)定性等一系列獨(dú)特性能。在遠(yuǎn)距離通訊，工業(yè)，電子制造業(yè)，航天軍工，醫(yī)療及一些尖端科學(xué)領(lǐng)域發(fā)揮了較大的價(jià)值。本文主要是對(duì)鉭電容的根本概述，工藝，現(xiàn)狀，應(yīng)用，開(kāi)展趨勢(shì)和應(yīng)用前景的綜合論述。關(guān)鍵詞：鉭電容; 廣泛使用; 開(kāi)展趨勢(shì) ABSTRACTantalum capacitors are widely used in various industries for its unique and e*cellent prehensive properties. Tantalum capacitors by tantalum and tantalum pow

3、der through a series of production process, has the advantages of miniaturization, SMD, loss angle tangent (tan), large capacity, high temperature stability, a series of unique properties.In the long distance munications, industry, electronics manufacturing, aerospace industry, medical and some cutt

4、ing-edge science has played a greater value. This paper is mainly about the basic overview of tantalum capacitors, process, status, application, development trends and application prospects of a prehensive e*position.Key words:Tantalum capacitors, Widely used, Development trends. z-1鉭電容的概述1.1 鉭電容的簡(jiǎn)介

5、及根本構(gòu)造鉭，英文名叫Tantalum，具有2900以上的熔點(diǎn)，過(guò)渡金屬元素，主要存在于鉭鐵礦中，富有延展性，硬度適中，介電常數(shù)為27，有優(yōu)越的化學(xué)性質(zhì)。對(duì)鹽酸，濃硝酸及“王水都不反響，抗腐蝕性極強(qiáng)，金屬活動(dòng)性在所有金屬元素中排倒數(shù)第四。 鉭電容，1956年貝爾實(shí)驗(yàn)室研制成功，由鉭粉與鉭絲壓制而成，鉭絲直徑一般在2毫米10毫米之間，通過(guò)強(qiáng)大的機(jī)械外力保證了巨大的部外表積即較大的容積比每克電容電壓的乘積，然后經(jīng)過(guò)高溫真空燒結(jié)1200-1800后作為電容器的陽(yáng)極，通過(guò)電化學(xué)方法在其外表生成五氧化二鉭Ta2O5氧化膜作為介質(zhì)，通過(guò)加熱硝酸錳分解得到陰極二氧化錳。鉭電容一般以貼片式和直插鉭電容最為常見(jiàn)

6、。直插式鉭電容構(gòu)造圖如圖1.1所示。鉭絲與鉭粉混合壓制成鉭塊陽(yáng)極，通過(guò)電化學(xué)方法，在陽(yáng)極外表生成Ta2O5氧化膜介電層，通過(guò)加熱使硝酸錳分解變成二氧化錳得到陰極，以石墨為緩沖層，防止銀漿與二氧化錳接觸被氧化而失去作用，以二根CP導(dǎo)線(xiàn)引出電容正負(fù)極，一般情況下，導(dǎo)線(xiàn)較長(zhǎng)的為正極，短的一端是負(fù)極。圖1.1 直插式鉭電容構(gòu)造圖貼片式鉭電容構(gòu)造如圖1.2所示。與直插式鉭電容類(lèi)似，貼片鉭電容多為臥式構(gòu)造，體積較小，外殼為塑料封裝。外殼標(biāo)注黑色矩形的通常電容正極，另一端則為負(fù)極。圖1.2 貼片鉭電容構(gòu)造圖在鉭電解電容工作過(guò)程中，具有自動(dòng)修補(bǔ)或隔絕氧化膜的獨(dú)特性能，使氧化膜介質(zhì)隨時(shí)得到加固和恢復(fù)其應(yīng)有的絕緣

7、能力，而不致遭到連續(xù)的累積性破壞。這種獨(dú)特自愈性能，保證了其長(zhǎng)壽命和可靠性5。1.2 鉭電容的生產(chǎn)工藝流程鉭電容主要有引線(xiàn)式和貼片式二種安裝，其制造工藝大體一樣。而鉭電容的生產(chǎn)廠商主要是歐美日本等企業(yè)，其中主要競(jìng)爭(zhēng)廠商有AV*,NEC,KEMET基美)，VISHAY。以下是生產(chǎn)廠商AV*生產(chǎn)的TAJ系列傳統(tǒng)鉭電容加工工藝流6程圖1.3和簡(jiǎn)要說(shuō)明。 圖1.3 鉭電容加工工藝流程圖鉭電容加工工藝簡(jiǎn)要說(shuō)明：(1)原材料檢驗(yàn):目前主要鉭電容企業(yè)原料均由鉭業(yè)提供。(2)成型:將粗細(xì)不等的顆粒鉭粉與粘合劑均勻混合，再與鉭絲一起壓制得到鉭電容陽(yáng)極。(3)燒結(jié):燒結(jié)是指將鉭塊燒結(jié)成一定形狀的微觀多孔體。此過(guò)程

8、對(duì)溫度和真空度均須嚴(yán)格控制。(4)濕檢:通過(guò)燒結(jié)后的鉭塊抽樣賦能實(shí)驗(yàn)和點(diǎn)參數(shù)測(cè)試確定鉭塊燒結(jié)比容，對(duì)下道工序賦能的參數(shù)進(jìn)展優(yōu)化，同時(shí)，還將對(duì)鉭絲，鉭塊的尺寸，強(qiáng)度等參數(shù)進(jìn)展測(cè)試。(5)焊接:在工藝架上焊接鉭與四氟墊，得到整架產(chǎn)品，方便后面的工序操作。(6)賦能:利用電化學(xué)的方法，在陽(yáng)極外表生成絕緣的介質(zhì)層五氧二鉭氧化膜，再將成架的產(chǎn)品浸入形成液中一般為稀硝酸一定深度，硝酸溶液會(huì)滲透到鉭塊部孔道中，再將鉭塊作為陽(yáng)極通電，硝酸分解出氧，與硝酸接觸的鉭粒子外表生產(chǎn)五氧化二鉭氧化膜。(7)被膜:首先清洗鉭電容外表的雜質(zhì)并枯燥，放入硝酸錳溶液中加熱，得到電容的陰極二氧化錳，該工序應(yīng)屢次重復(fù)，確保電容電量

9、不會(huì)有較大損失。(8)石墨銀漿:石墨主要起緩沖作用，降低了電容的ESR，還阻止了銀漿的氧化，一般使用機(jī)器自動(dòng)操作。銀漿主要收集電流，也方便后面工序引出引線(xiàn)，此道工序操作繁瑣，多以手工為主。(9)浸銀:對(duì)鉭電容陰極二氧化錳進(jìn)展一系列的性能測(cè)試。(10)裝配:該工序主要是切割產(chǎn)品，切割前應(yīng)該去除已經(jīng)在鉭絲上的氧化膜，然后將陽(yáng)極與整個(gè)框架焊在一起，而陰極則使用銀膏。(11)模塑:將上面得到的框架條產(chǎn)品模塑封裝，使其成為有幾何尺寸和外觀的形體。(12)噴砂:噴除產(chǎn)品框架上多余毛刺，再固化加強(qiáng)產(chǎn)品的模塑強(qiáng)度，常用水作為噴砂，因?yàn)槠鋵?duì)焊性影響較小。(13)打印:打印產(chǎn)品相關(guān)信息，一般包括容量，額定電壓，陽(yáng)

10、極標(biāo)識(shí)。(14)切邊:將框架條的產(chǎn)品陽(yáng)極邊切除。(15)預(yù)測(cè)試:自動(dòng)化測(cè)試產(chǎn)品漏電流，剔除漏電流大的產(chǎn)品。(16)老化篩選:這是整個(gè)工序比較重要的一步，因?yàn)槠潆娙莸目煽啃匀Q此工序的方法是否得到完整實(shí)施。一般在老化爐進(jìn)展三步，一次老煉，浪涌測(cè)試，二次老煉。(17)編帶:利用編帶機(jī)將產(chǎn)品引線(xiàn)成型，自動(dòng)編帶成為一整卷盤(pán)產(chǎn)品。(18)查盤(pán):對(duì)已經(jīng)成型的的鉭電容外觀再次檢驗(yàn)，留下外觀合格品，去除多余載帶，調(diào)整卷盤(pán)纏繞方向并打好包裝。目前電子產(chǎn)品不僅小型化，其功耗卻不斷增加，傳統(tǒng)以二氧化錳為負(fù)極的鉭電容缺點(diǎn)越來(lái)明顯，損耗角正切較大，高頻特性差，低ESR很難再減小，且在被膜時(shí)失效率高，加之本身二氧化錳氧含

11、量很高，溫度很高時(shí)，可能會(huì)自燃，燃燒電路，損壞其他電子元件。對(duì)此工藝改進(jìn)，主要有以下二種方法。(1)對(duì)傳統(tǒng)制造工藝的改造。傳統(tǒng)重要的幾道工序決定了電容的性能，因此對(duì)鉭粉比容量，燒結(jié)，被膜，賦能，燒結(jié)等重要幾道工序進(jìn)展細(xì)節(jié)的改進(jìn)，尤其是賦能和被膜工序，得到的陰極和電介質(zhì)無(wú)氧化二鉭是整個(gè)電容性能的關(guān)鍵，其主要目前主要技術(shù)難點(diǎn)有二個(gè)，一是氧化膜質(zhì)量，二是陰極二氧化錳的被覆質(zhì)量16。2對(duì)陰極材料的替換。使用高導(dǎo)電聚合物來(lái)替換傳統(tǒng)方法的陰極二氧化錳，目前主要有四種聚乙炔，聚苯胺，聚吡咯，聚乙烯二氧噻吩PEDT4是目前研究最多，最深入的導(dǎo)電高聚合物，其不僅能彌補(bǔ)二氧化錳作為陰極帶來(lái)的缺點(diǎn)，且還能提高鉭電容

12、在高頻率工作時(shí)的低ESR,提高紋波電壓和穩(wěn)定性，提高鉭電容的自修復(fù)能力和阻燃性。四種高導(dǎo)電聚合物都同時(shí)存在一個(gè)問(wèn)題，如何在被被膜時(shí)實(shí)現(xiàn)高導(dǎo)電聚合物在多微孔的陽(yáng)極外表均勻致密的沉積14。但是聚苯胺，聚吡咯大量使用時(shí)，會(huì)產(chǎn)生污染物質(zhì)，對(duì)環(huán)境有一定的危害。此外，PEDT聚合反響快，反響難以控制，電容量引出率低，等問(wèn)題仍是難題。目前由拜爾公司使用PEDT研制的鉭電容是當(dāng)前可靠性最高的鉭電容導(dǎo)電聚合物，此外，KEMET成功研制出了T52*,T53*二個(gè)系列的軍工導(dǎo)電聚合物鉭電容4。1.3 鉭電容的分類(lèi)與使用鉭電容主要按二種方式分類(lèi)，按安裝方式可以分為；引線(xiàn)式和貼片式。按電解質(zhì)的可分為；固體和體態(tài)鉭電容8

13、。由于鉭電容本身的一些屬性，使用鉭電容前應(yīng)該注意以下一些問(wèn)題；(1)鉭電容為極性電容，勿施加反向電壓。(2)應(yīng)當(dāng)在電容器規(guī)定的紋波電壓使用。(3)環(huán)境溫度一般為-55-125，額定電壓2.5-50V，頻率小于10KHZ。(4)注意安裝方式，不要受到過(guò)大的機(jī)械沖擊和熱沖擊。(5)注意保養(yǎng)，點(diǎn)檢和清洗方式，發(fā)生故障應(yīng)先切斷電源，再逐一排查。2鉭電容的現(xiàn)狀2.1鉭電容的國(guó)外生產(chǎn)狀況隨著科技的開(kāi)展，鉭電容的性能得到更好的放大，廠家遍布國(guó)外，尤其是歐美日本。1997年世界貼片鉭電容年產(chǎn)量到達(dá)145億只，2000年超過(guò)了250億只，片式化率超過(guò)80%。 日本生產(chǎn)鉭電容始于八十年代中期，最初的廠品是樹(shù)脂模型

14、SK系列，從3.3uf的K1到靜電量為33uf的超小型大電容K6。日本電氣公司成為了世界上最大的片式鉭電容廠商，目前已被美國(guó)凱美特公司取代8。二十世紀(jì)八十年代，我國(guó)開(kāi)場(chǎng)自主研發(fā)的片式鉭電容，九十世紀(jì)，又研制了模塑封裝型片式鉭電容器；中國(guó)振華集團(tuán)(主要趨向于軍工領(lǐng)域)在1995年首次引入鉭電容生產(chǎn)線(xiàn)，之后又連續(xù)引進(jìn)了6條鉭電容生產(chǎn)線(xiàn)，使我國(guó)的鉭電容得到了迅速的開(kāi)展。2001年國(guó)生產(chǎn)鉭電解電容11.78億只，同比增長(zhǎng)42.4%，其中片式鉭電容9.96億只4，片式化率到達(dá)88.5%，目前已超過(guò)90%，是我國(guó)鉭電容產(chǎn)品最多，配套規(guī)格最多的專(zhuān)業(yè)制造企業(yè)之一，星日鉭電容星日電子是國(guó)最大的鉭電容生產(chǎn)基地，主

15、要對(duì)口華為等電子企業(yè)，2021年突破鉭電容年產(chǎn)量15億只。圖2.1為全球鉭電容生產(chǎn)總量走勢(shì)圖。圖2.1 全球鉭電容生產(chǎn)總量走勢(shì)圖從鉭電容的生產(chǎn)總量走勢(shì)圖上可以看出，其生產(chǎn)總量有二個(gè)頂峰期，一個(gè)是2000年，超過(guò)了250億只，另一個(gè)是2021年，接近350億只。二十世紀(jì)九十年代，隨著電子設(shè)備的逐漸普及化，通訊，網(wǎng)絡(luò)的開(kāi)展帶動(dòng)著個(gè)人微機(jī)，傳呼機(jī)普遍使用，加之軍工武器對(duì)鉭電容的青睞，使得鉭電容的需求有較大上升，到2000年到達(dá)最大，之后逐漸出現(xiàn)市場(chǎng)飽和，有小幅度下降。其原因有二個(gè)，一是以美國(guó)為首的歐美興旺國(guó)家的制造業(yè)出現(xiàn)低迷，計(jì)算機(jī)，移動(dòng)銷(xiāo)量持續(xù)降低；二是2000年電子市場(chǎng)出現(xiàn)亢奮狀態(tài)，對(duì)鉭電容市場(chǎng)

16、的銷(xiāo)量預(yù)計(jì)過(guò)高，尤其是計(jì)算機(jī)和移動(dòng)方面，導(dǎo)致許多銷(xiāo)售商重復(fù)定貨，出現(xiàn)了大面積的鉭電容庫(kù)存積壓。但是隨著片式鉭電容生產(chǎn)技術(shù)和廠品構(gòu)造的不斷改造，小型化，大容量，低ESR，高頻特性等優(yōu)點(diǎn)，在電子廠品，微處理器，汽車(chē)工業(yè)，醫(yī)療方面得到進(jìn)一步使用，總量逐步上升，到2021年到達(dá)最大值，約為350億只。近幾年，各大電容器公司不斷推出新品電容，鈮電解電容，MLCC片式多層瓷電容器，尤其是MLCC，占使用電容器市場(chǎng)份額的43%，價(jià)格相對(duì)鉭電容較低，許多電子工程師在使用1.0-100uf的MLCC電容時(shí)，發(fā)現(xiàn)其能滿(mǎn)足普通電路需求，逐漸侵入原有的鉭電容市場(chǎng)，據(jù)產(chǎn)業(yè)研究院公布的?2021-2021年中國(guó)MLCC行

17、業(yè)開(kāi)展前景預(yù)測(cè)與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報(bào)告?預(yù)計(jì)，到2021年，MLCC在中國(guó)手機(jī)方面的使用將到達(dá)3416億只。加之鋁電解電容一直的傳統(tǒng)地位，使得鉭電容生產(chǎn)總量下降，但是鉭電容一些獨(dú)特的優(yōu)異屬性在一些特定領(lǐng)域的應(yīng)用，始終是其他鉭電容無(wú)法替代的。2.2鉭電容的市場(chǎng)消費(fèi)由于鉭電容本身優(yōu)越性，之前主要是軍工用品，隨著其使用圍越來(lái)越廣泛，現(xiàn)在全球片式鉭電容器主要用于手機(jī)中，約占35%，平均一部手機(jī)使用5只至20只不等，其次為數(shù)碼相機(jī)及數(shù)碼影音產(chǎn)品，約占34%，筆記本電腦方面應(yīng)用占15%。圖2.2為全球鉭電容消費(fèi)構(gòu)造圖。圖2.2 全球鉭電容消費(fèi)構(gòu)造圖3鉭電容的應(yīng)用領(lǐng)域鉭電容以獨(dú)特的性能異于其他電解電容，不管是

18、其超低的漏電流，等效串聯(lián)電阻，大容量，輕小，都是其他同等體積電容器達(dá)不到的，重要地位不言而喻。應(yīng)用領(lǐng)域橫跨工業(yè)，電子，通訊，國(guó)防，航天，醫(yī)療等行業(yè)。以下是鉭電容的二個(gè)典型應(yīng)用。1移動(dòng)：移動(dòng)經(jīng)過(guò)幾次變革，智能化，數(shù)字化，輕小薄型化是根本趨勢(shì)，也使得其部變化較大，空間的大面積縮小，間接的要求了所使用的電容必須有更好的濾波性能，消除噪音。在電源電路DC/DC轉(zhuǎn)換過(guò)程中一般都接上鉭電解電容9，而實(shí)際工作過(guò)程時(shí)，與理想情況有所差異，通常在輸出端與輸入端都接上電容，使其更好的將各種干擾濾除。2微處理器：目前市場(chǎng)上使用的筆記本微處理器主要是美國(guó)Inert奔騰系列。當(dāng)電壓降低時(shí)，供應(yīng)的電流不斷增高，微處理器與

19、其他電子器件重復(fù)的自動(dòng)進(jìn)展ON/OFF,由于時(shí)間極短，電源的穩(wěn)定性受到了很大的影響，Inter公司采用低阻抗，容量大的片式鉭電容，很好的解決了電荷急速變動(dòng)對(duì)電源的穩(wěn)定性的影響15。除此之外，鉭電容還在以下應(yīng)用領(lǐng)域得到具體應(yīng)用。通訊: 程控機(jī)、專(zhuān)用交換機(jī)、傳呼機(jī)、無(wú)繩、 機(jī)13；電腦：主機(jī)、芯片、微處理器；汽車(chē)：發(fā)動(dòng)機(jī)控制、燃料控制、尾氣排放控制、噪聲控制、剎車(chē)裝置、空氣袋、避碰裝置、音響系統(tǒng)、汽車(chē)電視、汽車(chē)隨機(jī)故障診斷系統(tǒng)、汽車(chē)構(gòu)造優(yōu)化設(shè)計(jì)系統(tǒng)、汽車(chē)性能計(jì)算機(jī)化測(cè)試系統(tǒng)；儀器儀表：石油勘探用儀器儀表，其它各種實(shí)驗(yàn)與生產(chǎn)用儀器儀表；航空航天：民用航空飛機(jī)、衛(wèi)星；國(guó)防軍工：現(xiàn)代軍事武器和裝備。4片

20、式鉭電容的前景展望鉭電容由于具有優(yōu)越的優(yōu)勢(shì)，加上外表貼裝技術(shù)的不斷改進(jìn)，能在相對(duì)較寬的溫度圍下工作，且具有高可靠性，在現(xiàn)代工業(yè)電子重要作用不可替代。近年來(lái)，其技術(shù)取得了一系列突破，超小型化、輕型化、薄型化、片式化、大容量方向?qū)⑹倾g電容的下一個(gè)技術(shù)開(kāi)展趨勢(shì)。隨著電子整機(jī)化的開(kāi)展，片式鉭電容的應(yīng)用領(lǐng)域正在擴(kuò)寬，行業(yè)的應(yīng)用比重也將發(fā)生變化，未來(lái)醫(yī)療，航空與軍工，汽車(chē)工業(yè)，小型電子消費(fèi)等領(lǐng)域的應(yīng)用不僅更細(xì)更廣，應(yīng)用比重也將大大增加。1鉭電容技術(shù)開(kāi)展趨勢(shì)。隨著半導(dǎo)體行業(yè)的飛速開(kāi)展和鉭電容技術(shù)的不斷更新，高密度元件成了電子行業(yè)的首選。鉭電子作為高密度元件的標(biāo)志之一，其技術(shù)開(kāi)展主要朝小型化，輕型化，薄型化，

21、片式化，高頻大容量化五個(gè)方向開(kāi)展。小型化：日本最初研發(fā)的貼片鉭電容外形大小為3.5±0.2mm×2.8±0.2mm，之后不斷改進(jìn)工藝，尺寸不斷縮小，從3.2±0.2mm×1.6±0.2mm，1.0±0.03mm×0.5±0.03mm,縮小至0.8±0.03mm×0.5±0.03mm，之后AV*研制的0201型的貼片鉭電容，尺寸為0.02in×0.01in，公制為0.6±0.03mm×(0.3±0.03)mm，是目前尺寸最小的貼片鉭電容1

22、 。輕型化：鉭電容的質(zhì)量的輕型化將使鉭電容的鉭粉的消耗量有所減小，生產(chǎn)一個(gè)普通的鉭電容，美國(guó)需鉭粉60mg左右，日本需25-30mg，我國(guó)則需70-90mg。日本松下電子企業(yè)研發(fā)KE型鉭電容，開(kāi)場(chǎng)質(zhì)量到達(dá)了28mg，目前質(zhì)量降低了一半，僅是14mg，其使用的的鉭粉質(zhì)量?jī)H為1 mg。薄型化：日本成功研制的厚度小于0.1mm,體積僅有0.75mm3貼片鉭電容2,引線(xiàn)長(zhǎng)僅有0.05mm。片式化：日本1977年成功研制的沒(méi)有引線(xiàn)的鉭電容，并成功使用在薄膜收音機(jī)以來(lái)，拉開(kāi)了片式鉭電容的序幕。電子廠品逐漸小型化是整個(gè)電子器件的主流趨勢(shì)，其中鉭電容的片式化也在不斷增加，從剛開(kāi)場(chǎng)的70%，到目前已超過(guò)91%。

23、高頻大容量：由于電子不斷小型化趨勢(shì)，加上功耗越來(lái)越大，使得各大廠商不僅對(duì)其體積有要求，而且電容的大容量也是其追求的目標(biāo)，1990年最大的電容容量?jī)H為100uf。目前包括KEMET,NEC等一系列主要廠商研制的鉭電容最大為1000uf，而AV*的TAJ系列到達(dá)了4.7V,2200uf。2鉭電容新應(yīng)用領(lǐng)域與比重的變化。隨著經(jīng)濟(jì)開(kāi)展和工業(yè)4.0的到來(lái)，人們的消費(fèi)觀念逐漸轉(zhuǎn)變，將會(huì)更加注重產(chǎn)品質(zhì)量與平安性，未來(lái)鉭電容的主要開(kāi)展和應(yīng)用領(lǐng)域也會(huì)與之息息相關(guān)。由于鉭電容的一系列其他電容無(wú)法替代的關(guān)鍵作用，其在醫(yī)療，航空與軍事領(lǐng)域，汽車(chē)工業(yè)，電子消費(fèi)等應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?huì)大大增加。醫(yī)療用鉭：目前便攜式電池供電種類(lèi)繁多

24、，由于醫(yī)療鉭電容的低流漏電流較其他電容大大減低，Vishay研制的TM8系列鉭電容將漏電流限制在200nA，這是其他電容遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到的，大大的提高了設(shè)備的儲(chǔ)能，同時(shí)方便攜帶，隨時(shí)充電，延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命，因此未來(lái)在一些關(guān)鍵醫(yī)療植入設(shè)備，醫(yī)療儀器，醫(yī)療電子方面將會(huì)有更多的應(yīng)用。航空與軍事領(lǐng)域:航空、軍事、武器一直都備受關(guān)注，與一般的電子消費(fèi)市場(chǎng)不同，對(duì)電容的性能要求極高，價(jià)格上下并不在其考慮圍。所以，其使用的電容必須可靠性高，壽命長(zhǎng)，高容量，且小型化和易于片式，這些鉭電容綜合優(yōu)異性能是其他電容難以匹敵的，這也將一直是鉭電容的備受青睞的原因3。汽車(chē)工業(yè)：人們消費(fèi)水平的逐漸提高，往更注重汽車(chē)的可靠與平安

25、性成了購(gòu)置的首要考慮。全球汽車(chē)市場(chǎng)逐漸上升，汽車(chē)工業(yè)電子再次迎來(lái)迅速開(kāi)展，在2021年3月慕尼黑電子展，會(huì)聚了接近六萬(wàn)明行業(yè)精英和企業(yè)參展，使汽車(chē)電子再次成為了主角。在一般中高級(jí)轎車(chē)中，每輛車(chē)最少使用300個(gè)鉭電容?，F(xiàn)在鉭電容技術(shù)改進(jìn)，構(gòu)造優(yōu)化，生產(chǎn)本錢(qián)較原來(lái)也有大幅度減少，以后一般的車(chē)輛也能大量使用鉭電容，當(dāng)汽車(chē)不再成為奢侈品時(shí)，汽車(chē)工業(yè)也將會(huì)是鉭電容最重要的消費(fèi)支柱之一11。電子消費(fèi)：目前能源，資源過(guò)度消費(fèi)，環(huán)境保護(hù)責(zé)任加大，用料少，費(fèi)能少，少排污等隨著小型化廠品的到來(lái)而不可輕視。加上外表貼裝技術(shù)的成熟化，更要求電子產(chǎn)品趨于小，薄，輕方向開(kāi)展，對(duì)電容要求越來(lái)越高，鉭電容能在溫度變化的條件下

26、正常工作，濾波，耦合極好，且當(dāng)鉭電容與其他電容體積一樣大時(shí)，電容量為其他電容的5-10倍，將是未來(lái)輕薄小型電子產(chǎn)品的首選12。參考文獻(xiàn)1屈乃琴,久錄.國(guó)外片式鉭電容器的開(kāi)發(fā)與開(kāi)展J.?稀有金屬與硬質(zhì)合金?， 2000,(3):1-3.2鐘景明,春光,高勇,寧.片式鉭電容器的研究現(xiàn)狀與開(kāi)展趨勢(shì)J.?稀有金屬快報(bào)?， 2003,1-5.3永燃.宇航片式鉭電容器耐加速應(yīng)力研究D：電子科技大學(xué)，2021.4濤.鉭電解電容用新型聚合物電極材料D：電子科技大學(xué)，2003.1-5.5蔡鈞璞.基于高溫漏電流指標(biāo)的鉭電容器優(yōu)化篩選方案研究J.?混合微電子技 術(shù)?,2021,(1):25.6廉軍.片式鉭電容的構(gòu)造及制造工藝J.?電子工業(yè)專(zhuān)業(yè)設(shè)備?,2000,(9):60-63.7王耀東.中壓大容量液體鉭電容器工作電解質(zhì)的研究C.博碩論文庫(kù).*：*大學(xué)，2006,7-8.8王春霞,艷,馬永紅.鉭電解電容使用中的本卷須知J.?電源技術(shù)?，202