(完整word版)電力電子填空

1、考試試卷（ 1）1、電子技術(shù)包括_信息電子技術(shù) _和電力電子技術(shù)兩大分支，通常所說的模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)就屬于前者。2、為減少自身損耗，提高效率，電力電子器件一般都工作在_開關(guān) _狀態(tài)。當(dāng)器件的工作頻率較高時(shí)，_開關(guān) _損耗會(huì)成為主要的損耗。3、在PWM控制電路中，載波頻率與調(diào)制信號頻率之比稱為_載波比_，當(dāng)它為常數(shù)時(shí)的調(diào)制方式稱為 _同步 _調(diào)制。在逆變電路的輸出頻率范圍劃分成若干頻段，每個(gè)頻段內(nèi)載波頻率與調(diào)制信號頻率之比為桓定的調(diào)制方式稱為 _分段同步 _調(diào)制。4、面積等效原理指的是，_沖量 _相等而 _形狀 _不同的窄脈沖加在具有慣性的環(huán)節(jié)上時(shí)，其效果基本相同。5、在 GTR、 G

2、TO、IGBT 與 MOSFET中，開關(guān)速度最快的是_MOSFET，單管輸出功率最大的是_GTO_，應(yīng)用最為廣泛的是 _IGBT_。6、設(shè)三相電源的相電壓為U2，三相半波可控整流電路接電阻負(fù)載時(shí)，晶閘管可能承受的最大反向電壓為電源線電壓的峰值，即7、逆變電路的負(fù)載如果接到電源，則稱為，其承受的最大正向電壓為2U2有源逆變，如果接到負(fù)載，則稱為無源逆變。8、如下圖，指出單相半橋電壓型逆變電路工作過程中各時(shí)間段電流流經(jīng)的通路( 用 V1,VD1,V2,VD2表示)。(1)0t1時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為_ _；(2) t1t2時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為_ _；(3)t2t3時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為_ _；(

3、4)t3t4時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為_ _；(5)t4t5 時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為 VD1考試試卷（ 2）1、 _GTR_存在二次擊穿現(xiàn)象，_IGBT_存在擎住現(xiàn)象。2、功率因數(shù)由基波電流轉(zhuǎn)移和電流波形畸變這兩個(gè)因素共同決定的。3、晶閘管串聯(lián)時(shí)，給每只管子并聯(lián)相同阻值的電阻R 是均壓措施。4、同一晶閘管，維持電流IH 與掣住電流IL 在數(shù)值大小上有IL_2-4IH 。5、電力變換通?？蔀椋航涣髯冎绷?、直流變交流、直流變直流、和交流變交流6、在下圖中， _ _和 _ _構(gòu)成降壓斬波電路使直流電動(dòng)機(jī)電動(dòng)運(yùn)行，工作于第 1 象限； _ _和 _ _構(gòu)成升壓斬波電路，把直流電動(dòng)機(jī)的動(dòng)能轉(zhuǎn)變成為電能反饋到

4、電源，使電動(dòng)機(jī)作再生制動(dòng)運(yùn)行，工作于_ _象限?？荚嚲恚?3）電力晶體管GTR；可關(guān)斷晶閘管 GTO ；功率場效應(yīng)晶體管 MOSFET；絕緣柵雙極型晶體管IGBT ； IGBT 是MOSFET 和GTR的復(fù)合管。2、晶閘管對觸發(fā)脈沖的要求是要有足夠的驅(qū)動(dòng)功率和觸發(fā)脈沖前沿要陡幅值要高觸發(fā)脈沖要與晶閘管陽極電壓同步。3、多個(gè)晶閘管相并聯(lián)時(shí)必須考慮均流 的問題，解決的方法串專用均流電抗器4、在電流型逆變器中，輸出電壓波形為正弦波，輸出電流波形為方波。5、三相橋式逆變電路， 晶閘管換相是在同一橋臂上的上、下二個(gè)開關(guān)管間進(jìn)行， 稱為 180_ °導(dǎo)電型6、當(dāng)溫度降低時(shí)，晶閘管的觸發(fā)電流會(huì)增加

5、、正反向漏電流會(huì)下降；7、常用的過電流保護(hù)措施有快速熔斷器；串進(jìn)線電抗器；接入直流快速開關(guān)；控制快速移相使輸出電壓下降?？荚囋嚲?(4)卷一、填空題：（本題共 5 小題，每空 1 分，共 20 分）1、由波形系數(shù)可知，晶閘管在額定情況下的有效值電流為ITn 等于 1.57倍 IT （ AV），如果IT （ AV）=100 安培，則它允許的有效電流為157安培。通常在選擇晶閘管時(shí)還要留出 1.5-2倍的裕量。2、三相橋式全控整流電路是由一組共陰極三只晶閘管和一組共陽極的三只晶閘管串聯(lián)后構(gòu)成的，晶閘管的換相是在同一組內(nèi)的元件進(jìn)行的。每隔 60 換一次相，在電流連續(xù)時(shí)每只晶閘管導(dǎo)通 120 度。要使

6、電路工作正常，必須任何時(shí)刻要有 兩 只晶閘管同時(shí)導(dǎo)通，一個(gè)是共 陰 極的，另一個(gè)是共 陽 極的元件，且要求不是 不在同一橋臂上 的兩個(gè)元件。3、為了減小變流電路的開關(guān)損耗，通常讓元件工作在軟開關(guān)狀態(tài)，軟開關(guān)電路種類很多，但歸納起來可分為零電壓電路與零電流電路兩大類。4、提高變流置的功率因數(shù)的常用方法有減小觸發(fā)角； 增加整流相數(shù)；采用多組變流裝置串聯(lián)供電； 設(shè)置補(bǔ)償電容； 幾種。5、三相半波可控整流電路電阻性負(fù)載時(shí)，電路的移相范圍0-150 °，三相全控橋電阻性負(fù)載時(shí)，電路的移相范圍0-120°，三相半控橋電阻性負(fù)載時(shí)，電路的移相范圍0-180 °?？荚囋嚲?(5)

7、 卷一、填空題（本題共17 小題，每空 1分，共 20 分）1、晶閘管是硅晶體閘流管的簡稱，常用的外形有螺栓型與平板型。2、選用晶閘管的額定電流時(shí)，根據(jù)實(shí)際最大電流計(jì)算后至少還要乘以1.5 2。3、晶閘管的導(dǎo)通條件是陽極和門極同時(shí)承受正向電壓。4、晶閘管的斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓UDSM與轉(zhuǎn)折電壓UBO在數(shù)值大小上應(yīng)為UDSM 小于5、從晶閘管的伏安特性曲線可知，晶閘管具有單向可控導(dǎo)電性的特性。6、把晶閘管承受正壓起到觸發(fā)導(dǎo)通之間的電角度稱為控制角。7、觸發(fā)脈沖可采取寬脈沖觸發(fā)與雙窄脈沖觸發(fā)兩種方法，目前采用較多的是雙窄脈沖UBO。觸發(fā)方法。8、三相半波可控整流電路，是三相可控整流電路最基本的組成形

8、式。9、在三相半波可控整流電路中，電感性負(fù)載，當(dāng)控制角大于 30°時(shí)，輸出電壓波形出現(xiàn)負(fù)值，因而常加續(xù)流二極管。10、三相橋式整流電路中，當(dāng)控制角 30°時(shí)，則在對應(yīng)的線電壓波形上觸發(fā)脈沖距波形原點(diǎn)為90 ° 。11、考慮變壓器漏抗的可控整流電路中，如與不考慮漏抗的相比，則使輸出電壓平均值降低。12、有源逆變器是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能饋送回電網(wǎng)的逆變電路。13、有源逆變產(chǎn)生的條件之一是：變流電路輸出的直流平均電壓Ud 的極性必須保證與直流電源電勢Ed 的極性成反極性相連，且滿足|Ud|<|Ed|。14、為了防止因逆變角過小而造成逆變失敗，一般min應(yīng)取30

9、 °35°，以保證逆變時(shí)能正常換相。15、載波比( 又稱頻率比 )K 是PWM主要參數(shù)。設(shè)正弦調(diào)制波的頻率為fr，三角波的頻率為fc ，則載波比表達(dá)式為K=fc/fr。16、抑制過電壓的方法之一是用阻容電路吸收可能產(chǎn)生過電壓的能量，并用電阻將其消耗。17、斬波器的時(shí)間比控制方式分為脈沖寬度調(diào)制、頻率調(diào)制；混合調(diào)制三種方式?？荚囋嚲?( 6 )卷一、填空題（本題共17 小題，每空1 分，共 20 分）1、晶閘管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)具有三 端、四層、三個(gè) PN 結(jié)。2、在螺栓式晶閘管上有螺栓的一端是陽極。3、晶閘管的關(guān)斷條件是陽極電流下降到維持電流以下4、額定電流為100A 的晶閘管，流

10、過單向正弦全波時(shí)的最大可能平均電流是1141,4A。5、當(dāng)晶閘管承受反向陽極電壓時(shí)，不論門極為何種極性觸發(fā)電壓，管子都將工作在阻斷狀態(tài)。6、考慮變壓器漏抗的可控整流電路中，在換相過程期間，兩個(gè)相鄰的晶閘管同時(shí)導(dǎo)通，對應(yīng)的電角度稱為換相重疊角。7、在三相全控橋中，接在同一相的兩個(gè)晶閘管觸發(fā)脈沖的相位應(yīng)相差180°。8、在三相半波可控整流電路中，電阻性負(fù)載，當(dāng)控制角小于等于30° 時(shí)，電流連續(xù)。9、三相橋式可控整流電路適宜在高電壓而電流不太大的場合使用。10、帶平衡電抗器的雙反星形可控整流電路是由兩組三相半波可控整流電路并聯(lián)組成。11、三相半波可控整流電路，供電變壓器每相漏感折

11、合到次級的B 為 100H ，直流負(fù)載電流 Id 150A ，則換相壓降=14.5V。12、將直流電逆變?yōu)槟骋活l率或可變頻率的交流電直接輸出到負(fù)載的過程稱為無源逆變。13、在單相全控橋式變流器控制直流電動(dòng)機(jī)卷揚(yáng)機(jī)拖動(dòng)系統(tǒng)中，當(dāng)a> /2 時(shí)，電流主要是依靠電動(dòng)勢 Ed 來維持的，所以總的能量是電動(dòng)機(jī)回饋給電網(wǎng)。14、有環(huán)流可逆電路常見的主電路聯(lián)結(jié)方式有反并聯(lián)；交叉連接；、15、在無源逆變與直接斬波電路中，都必須設(shè)置換流輔助電路，強(qiáng)迫導(dǎo)通的晶閘管可靠關(guān)斷。16、晶閘管元件并聯(lián)時(shí)，要保證每一路元件所分擔(dān)的電流平均。17、根據(jù)對觸發(fā)電路的要求知道，觸發(fā)電路應(yīng)包括同步信號發(fā)生器、移相控制、脈沖整

12、形與功放電路?？荚囋嚲?( 7 )卷一、填空題（本題共14 小題，每空1 分，共 20 分）1、晶閘管是三端器件，三個(gè)引出電極分別為：陽極、陰極和門極。2、晶閘管的額定電流是用在一定條件下的通態(tài)平均電流來標(biāo)定。3、為了保證晶閘管可靠與迅速地關(guān)斷，通常在管子陽極電壓下降為零之后，加一段時(shí)間的反電壓。4、同一晶閘管，維持電流IH與擎住電流IL的數(shù)值大小上有IL大于IH 。5、某晶閘管的型號為KP200 -5，其中200 表示額定電流、 ，5 表示額定電壓等級。6、從晶閘管開始承受正向電壓的到晶閘管導(dǎo)通時(shí)刻的電度角稱為控制角。7、為了保證三相全控橋電路能啟動(dòng)工作，觸發(fā)脈沖必須采用單寬脈沖或 雙窄脈沖

13、。8、三相半波整流電路有、共陰極組、共陽極組兩種接法。9、三相全控橋的共陰極組要求觸發(fā)脈沖以120 °為間隔，依次在正 半周觸發(fā)共陰極組的各晶閘管。10、電阻性負(fù)載三相橋式可控整流電路中，晶閘管所承受的最大正向電壓UFm等于2U 2，設(shè) U2 為相電壓有效值。11、在單相全控橋式變流器控制直流電動(dòng)機(jī)卷揚(yáng)機(jī)拖動(dòng)系統(tǒng)中，若使變流器工作于有源逆變狀態(tài)時(shí)，需使控制角a> /2，同時(shí) |Ed|>|Ud|。12、為了防止逆變失敗，對于工作在逆變狀態(tài)的電路，對其觸發(fā)電路、 晶閘管、的可靠性，的質(zhì)量以及 電源 的保護(hù)功能，都比整流電路要求高，同時(shí)對逆變角的限制為30° -35&

14、#176;13、電壓型逆變器其中間直流環(huán)節(jié)以電容貯能。14、晶閘管串聯(lián)時(shí)，給每只管子并聯(lián)相同的RC 電路是均壓措施?？荚囋嚲?8一、填空題（本題共14 小題，每空1 分，共 20 分）1、晶閘管的三個(gè)電極分別是陽極、陰極、控制極（門極）2、選用晶閘管的額定電壓值應(yīng)比實(shí)際工作時(shí)的最大電壓大2-3倍，使其有一定的電壓裕量。3、當(dāng)晶閘管加上正向陽極電壓后，門極加上適當(dāng)?shù)恼螂妷?，使晶閘管導(dǎo)通的過程，稱為觸發(fā)。4、晶閘管和負(fù)載串聯(lián)，接在正弦交流電源上，晶閘管的額定電流為100A ，如果導(dǎo)電角為90° ,允許通過的最大電流平均值是70.7。5、晶閘管每周期導(dǎo)通的電度角稱晶閘管的導(dǎo)通角。6、電阻

15、性負(fù)載三相半波可控整流電路中，晶閘管所承受的最大正向電壓UTM 等于2 U 2（設(shè) U2 為相電壓有效值） 。7、在三相可控整流電路中， 0°的地方（自然換相點(diǎn)）為相鄰線電壓的交點(diǎn)，它距對應(yīng)線電壓波形的原點(diǎn)為60°8、三相橋式全控整流電路，電阻性負(fù)載，當(dāng)控制角小于等于 60°時(shí)，電流連續(xù)。9、對于三相半波可控整流電路，換相重疊角的影響，將使輸出電壓平均值降低10、逆變器可分為無源逆變器和有源逆變器兩大類。11、在晶閘管有源逆變電路中，絕對不允許兩個(gè)電源勢順向相連。12、變流器換流的方式有電容換流、電感換流兩種。13、晶閘管串聯(lián)時(shí)，給每只管子并聯(lián)相同阻值的電阻R 是

16、均壓措施。14、鋸齒波同步的晶體管觸發(fā)電路由同步環(huán)節(jié)、移相控制環(huán)節(jié)、脈沖形成與放大環(huán)節(jié)及其它環(huán)節(jié)成?？荚嚲?二、選擇題（本題共10 小題，前4 題每題2 分，其余每題1 分，共14 分）1、單相橋式PWM逆變電路如下圖，單極性調(diào)制工作時(shí)，在電壓的正半周是（B）A、V1與V4導(dǎo)通，V2與V3關(guān)斷B、 V1常通， V2常斷， V3與V4交替通斷C、 V1與V4關(guān)斷， V2與V3導(dǎo)通D、 V1常斷， V2常通，V3與V4交替通斷2、對于單相交流調(diào)壓電路，下面說法錯(cuò)誤的是（D）A 、晶閘管的觸發(fā)角大于電路的功率因素角時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角小于180 度B、晶閘管的觸發(fā)角小于電路的功率因素角時(shí)，必須加寬脈沖

17、或脈沖列觸發(fā)，電路才能正常工作C、晶閘管的觸發(fā)角小于電路的功率因素角正常工作并達(dá)到穩(wěn)態(tài)時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角為180度D、晶閘管的觸發(fā)角等于電路的功率因素角時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角不為3、在三相三線交流調(diào)壓電路中， 輸出電壓的波形如下圖所示，在180 度t1t2 時(shí)間段內(nèi)， 有（C）晶閘管導(dǎo)通。A、1 個(gè)B、2 個(gè)C、3 個(gè)D、4 個(gè)4、對于單相交交變頻電路如下圖，在t1t2 時(shí)間段內(nèi)， P 組晶閘管變流裝置與N 組晶閘管變流裝置的工作狀態(tài)是（C）A、P 組阻斷，N 組整流B、P 組阻斷，N 組逆變C、 N組阻斷，P 組整流D、 N組阻斷，P 組逆變5、電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路中，控制角的范圍是（

18、D）A 、 30° 150B、 0° 120 °C、15° 125 °D 、 0°150 °6、桓流驅(qū)動(dòng)電路中加速電容C 的作用是（A）A 、加快功率晶體管的開通B 、延緩功率晶體管的關(guān)斷C、加深功率晶體管的飽和深度D、保護(hù)器件7、直流斬波電路是一種（C ）變換電路。A 、 AC/ACB、 DC/ACC、 DC/DCD 、AC/DC8、為限制功率晶體管的飽和深度，減少存儲(chǔ)時(shí)間，桓流驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)常采用（B）A 、 du/dt 抑制電路B、抗飽和電路C、 di/dt 抑制電路D 、吸收電路9、已經(jīng)導(dǎo)通的晶閘管的可被關(guān)斷的條件是流過

19、晶閘管的電流（A）A 、減小至維持電流以下B 、減小至擎住電流以下C、減小至門極觸發(fā)電流以下D 、減小至5A以下10、 IGBT是一個(gè)復(fù)合型的器件，它是（B）A、GTR驅(qū)動(dòng)的MOSFETB 、 MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTRC、 MOSFET驅(qū)動(dòng)的晶閘管D、 MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTO考試卷21、下列電路中，不可以實(shí)現(xiàn)有源逆變的有（D）。A 、三相半波可控整流電路B、三相橋式全控整流電路C、單相橋式可控整流電路D、單相全波可控整流電路外接續(xù)流二極管2、晶閘管穩(wěn)定導(dǎo)通的條件（A）A 、晶閘管陽極電流大于晶閘管的擎住電流B、晶閘管陽極電流小于晶閘管的擎住電流C、晶閘管陽極電流大于晶閘管的維持電流D、晶閘管

20、陽極電流小于晶閘管的維持電流3、三相半波可控整流電路的自然換相點(diǎn)是（B）A 、交流相電壓的過零點(diǎn)B、本相相電壓與相鄰相電壓正半周的交點(diǎn)處C、比三相不控整流電路的自然換相點(diǎn)超前30°D、比三相不控整流電路的自然換相點(diǎn)滯后60°4、若增大SPWM 逆變器的輸出電壓基波頻率，可采用的控制方法是（C）A 、增大三角波幅度B、增大三角波頻率C、增大正弦調(diào)制波頻率D、增大正弦調(diào)制波幅度5、三相半波可控整流電路中，晶閘管可能承受的反向峰值電壓為（D）A、U2B、U2C、 2U2D.U26、晶閘管電流的波形系數(shù)定義為（B）A 、B、C、 Kf =IdT· ITD、 Kf =IdT

21、 -IT7、降壓斬波電路中，已知電源電壓Ud=16V ，負(fù)載電壓Uo=12V ，斬波周期T=4ms ，則開通時(shí)Ton=（C）A 、 1msB 、 2msC、 3msD、 4ms8、關(guān)于單相橋式PWM逆變電路，下面說法正確的是（C）A 、在一個(gè)周期內(nèi)單極性調(diào)制時(shí)有一個(gè)電平，雙極性有兩個(gè)電平B、在一個(gè)周期內(nèi)單極性調(diào)制時(shí)有兩個(gè)電平，雙極性有三個(gè)電平C、在一個(gè)周期內(nèi)單極性調(diào)制時(shí)有三個(gè)電平，雙極性有兩個(gè)電平D、在一個(gè)周期內(nèi)單極性調(diào)制時(shí)有兩個(gè)電平，雙極性有一個(gè)電平9、對于單相交交變頻電路如下圖，在t2t3 時(shí)間段內(nèi)， P 組晶閘管變流裝置與N 組晶閘管變流裝置的工作狀態(tài)是（D）A、P 組阻斷，N 組整流B

22、、 P 組阻斷，N 組逆變C、 N組阻斷，P 組整流D 、N組阻斷，P 組逆變10、在三相三線交流調(diào)壓電路中，輸出電壓的波形如圖所示，在 t2t3 時(shí)間段內(nèi)，有（B）晶閘管導(dǎo)通。A、1 個(gè)B、2 個(gè)C、3 個(gè)D、4 個(gè)考試卷三1、單相半控橋整流電路的兩只晶閘管的觸發(fā)脈沖依次應(yīng)相差（A）度。A 、 180°B、 60°C、 360 °D、 120°2、為C度時(shí)，三相半波可控整流電路，電阻性負(fù)載輸出的電壓波形，處于連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)。A、0 度B、60 度C、30 度D、120 度，3、晶閘管觸發(fā)電路中，若改變（B）的大小，則輸出脈沖產(chǎn)生相位移動(dòng)，達(dá)到移相

23、控制的目的。A 、同步電壓B 、控制電壓C、脈沖變壓器變比D、以上都不能4、可實(shí)現(xiàn)有源逆變的電路為（A ）。A 、三相半波可控整流電路B 、三相半控橋整流橋電路C、單相全控橋接續(xù)流二極管電路D 、單相半控橋整流電路5、在一般可逆電路中，最小逆變角min 選在下面那一種范圍合理（A）。A 、 30o-35oB 、 10o-15oC、 0o-10oD、 0o。6、單相半波可控整流電阻性負(fù)載電路中，控制角的最大移相范圍是（D ）A、90°B、 120 °C、 150 °D 、180 °7、若增大 SPWM 逆變器的輸出電壓基波頻率，可采用控制方法是（C）A 、

24、增大三角波幅度B 、增大三角波頻率C、增大正弦調(diào)制波頻率D 、增大正弦調(diào)制波幅度8、采用多重化電壓源型逆變器的目的，主要是為（C）A 、減小輸出幅值B 、增大輸出幅值C、減小輸出諧波D 、減小輸出功率9、為限制功率晶體管的飽和深度，減小存儲(chǔ)時(shí)間，恒流驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)常采用（B）dudiA 、dt抑制電路B、抗飽和電路C、dt抑制電路D、吸收電路10、一般認(rèn)為交交變頻輸出的上限頻率（D ）A 、與電網(wǎng)有相同的頻率C、可達(dá)電網(wǎng)頻率的80%B 、高于電網(wǎng)頻率 D 、約為電網(wǎng)頻率的1/21/3考試卷四1、三相全控橋式整流電路帶電阻負(fù)載，當(dāng)觸發(fā)角A 、 0.45U2B 、0.9U2C、 1.17U2=0o時(shí)，

25、輸出的負(fù)載電壓平均值為（D、 2.34U2D ）。2、變流裝置的功率因數(shù)總是（C）。A、大于 1B、等于 1C、小于 1 大于 0D、為負(fù)3、三相全控橋式整流電路帶大電感負(fù)載時(shí)，控制角的有效移相范圍是（A）。A 、 0°-90°B、 30° -120°C、 60° -150°D 、90° -150°4、三相半波可控整流電路在換相時(shí)，換相重疊角的大小與哪幾個(gè)參數(shù)有關(guān)（A ）。A 、 Id、 XL 、 U2B 、 Id；C、 U2D、 U2 、 XL ；5、為限制功率晶體管的飽和深度，減少存儲(chǔ)時(shí)間，桓流驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)常采用

26、（B）。A 、 du/dt 抑制電路B、抗飽和電路C、 di/dt 抑制電路D 、吸收電路6、單相半控橋電感性負(fù)載電路中，在負(fù)載兩端并聯(lián)一個(gè)續(xù)流二極管的作用是（D）。A 、增加晶閘管的導(dǎo)電能力B 、抑制溫漂C、增加輸出電壓的穩(wěn)定性D 、防止失控現(xiàn)象的產(chǎn)生7、功率晶體管的安全工作區(qū)由以下4 條曲線限定：集電極- 發(fā)射極允許最高擊穿電壓，集電極最大允許直流功率線，集電極最大允許電流線和_D_A 、基極最大允許直流功率線B 、基極最大允許電壓線C、臨界飽和線D 、二次擊穿功率線8、直流斬波電路是一種_C_ 變換電路。A 、 AC/ACB 、 DC/ACC、DC/DCD、 AC/DC9、三相半波帶電阻

27、性負(fù)載時(shí)，為C度時(shí)，可控整流輸出的電壓波形處于連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)。A、0 度B、60 度C、30 度D、120 度。10、在晶閘管觸發(fā)電路中，改變的大小，則輸出脈沖產(chǎn)生相位移動(dòng)，達(dá)到移相控制的目的。 BA 、同步電壓B、控制電壓C、脈沖變壓器變比D 、整流變壓器變比考試卷五1、晶閘管的伏安特性是指 ()A 、陽極電壓與門極電流的關(guān)系B 、門極電壓與門極電流的關(guān)系C、陽極電壓與陽極電流的關(guān)系D 、門極電壓與陽極電流的關(guān)系2、晶閘管電流的波形系數(shù)定義為()I dTI TK fK fA 、I TB 、I dTC、 Kf =IdT· ITD、 Kf =IdT -IT3、接有續(xù)流二極管的單相

28、半控橋式變流電路可運(yùn)行的工作象限是()A 、第二象限B 、第三象限C、第四象限D(zhuǎn)、第一象限4、電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路，相電壓的有效值為U2，當(dāng)控制角30時(shí)°，整流輸出電壓平均值等于()A 、 1.17U2cosB、 1.17U2sinC、 1.41U2cosD、 1.41U2sin5、在大電感負(fù)載三相全控橋中，整流電路工作狀態(tài)的最大移相范圍是（）A、60°B、 180 °C、 120 °D 、90°6、對于三相半波可控整流電路，換相重疊角與哪幾個(gè)參數(shù)有關(guān)()A 、 U2、負(fù)載電流 Id 以及變壓器漏抗XCB、和 U2C、以及負(fù)載電流ID

29、、 U2 以及變壓器漏抗 XC7、單相全控橋式變流電路工作于有源逆變狀態(tài)，在逆變角期間，處于換相進(jìn)行關(guān)斷的晶閘管承受的電壓是 ()A 、反向電壓B、正向電壓C、零電壓D、交變電壓8、三相全控橋式有源逆變電路，晶閘管電流的有效值IT為()112I dB、I dC、I dD、 IdA 、 3339、若增大SPWM 逆變器的輸出電壓基波頻率，可采用的控制方法是()A 、增大三角波幅度B 、增大三角波頻率C、增大正弦調(diào)制波頻率D 、增大正弦調(diào)制波幅度10、晶閘管固定脈寬斬波電路，一般采用的換流方式是()A 、電網(wǎng)電壓換流B 、負(fù)載電壓換流C、器件換流D 、LC 諧振換流考試卷六1、具有自關(guān)斷能力的電力

30、半導(dǎo)體器件稱為(C)A 、全控型器件B 、半控型器件C、不控型器件D、觸發(fā)型器件2、取斷態(tài)重復(fù)峰值電壓和反向重復(fù)峰值電壓中較小的一個(gè)，并規(guī)化為標(biāo)準(zhǔn)電壓等級后，定為該晶閘管的 (B )A 、轉(zhuǎn)折電壓B、反向擊穿電壓C、閾值電壓D 、額定電壓3、單相半控橋式整流電路帶純電阻性負(fù)載時(shí)，晶閘管承受正向電壓的最大值為( D)12U 22U 22 2U26 U 2A 、 2B 、C、D、4、單相橋式半控整流電路中，電阻性負(fù)載，流過每個(gè)晶閘管的有效電流IT ( A )A 、 IB、 0.5IC、(/2 )*ID、 (2 )*I5、三相橋式全控整流電路，電阻性負(fù)載時(shí)的移相范圍為（D ）。A 、 0°

31、 180°B、 0° 150°C、0° 120°D、 0° 90°6、單相全控橋式有源逆變電路，控制角為a，則輸出電壓的平均值為( A)A 、 Ud=1.17U2cosaB 、 Ud=0.9U2cosaC、 Ud= -2.34U2cosaD、 Ud=0.45U2cosa7、三相全控橋式變流電路工作于有源逆變狀態(tài)的條件是(A)A 、3B 、2C、4D 、28、為了防止逆變失敗，最小逆變角限制為(B ) 。A 、 100 150B 、200 250C、 300 350D、 4004509、電流型三相橋式逆變電路，120 

32、6;導(dǎo)通型， 則在任一時(shí)刻開關(guān)管導(dǎo)通的個(gè)數(shù)是不同相的上、下橋臂 (C)A 、各一只B、各二只C、共三只D、共四只10、定寬調(diào)頻是斬波器的一種(C)A 、時(shí)間比控制方式B、瞬時(shí)值控制C、移相控制方式D、模糊控制三、簡答題（共3 小題， 22 分）1、簡述晶閘管導(dǎo)通的條件與關(guān)斷條件。（ 7 分）答：晶閘管導(dǎo)通的條件是：陽極承受正向電壓，處于阻斷狀態(tài)的晶閘管，只有在門極加正向觸發(fā)電壓， 才能使其導(dǎo)通。 門極所加正向觸發(fā)脈沖的最小寬度，應(yīng)能使陽極電流達(dá)到維持通態(tài)所需要的最小陽極電流，即擎住電流以上。導(dǎo)通后的晶閘管管壓降很小。（3 分）使導(dǎo)通了的晶閘管關(guān)斷的條件是：使流過晶閘管的電流減小至某個(gè)小的數(shù)值維

33、持電流以下。其方法有二：（1）減小正向陽極電壓至某一最小值以下，或加反向陽極電壓；（2 分）（2）增加負(fù)載回路中的電阻。 （ 22、電壓型逆變電路的主要特點(diǎn)是什么？（8 分）答： (1) 直流側(cè)為電壓源或并聯(lián)大電容，直流側(cè)電壓基本無脈動(dòng)；（2 分）(2) 輸出電壓為矩形波，輸出電流因負(fù)載阻抗不同而不同；（ 3分）(3) 阻感負(fù)載時(shí)需提供無功。為了給交流側(cè)向直流側(cè)反饋的無功提供通道，逆變橋各臂并聯(lián)反饋二極管。（ 3 分）3、簡述實(shí)現(xiàn)有源逆變的基本條件，并指出至少兩種引起有源逆變失敗的原因（7 分）答：要有一個(gè)能提供逆變能量的直流電源，且極性必須與直流電流方向一致，其電壓值要稍大于 Ud；（ 2

34、分）（2）內(nèi)部條件：變流電路必須工作于<90°區(qū)域，使直流端電壓Ud 的極性與整流狀態(tài)時(shí)相反，才能把直流功率逆變成交流功率返送回電網(wǎng)。這兩個(gè)條件缺一不可。（2 分）當(dāng)出現(xiàn)觸發(fā)脈沖丟失、晶閘管損壞或快速熔斷器燒斷、電源缺相等原因都會(huì)發(fā)生逆變失敗。當(dāng)逆變角太小時(shí)，也會(huì)發(fā)生逆變失敗。（3 分）4、某一晶閘管，額定電壓為300V，額定電流為100A ，維持電流為4mA ，使用在下圖所示的各電路中是否合理?說明其理由。(不考慮電壓、電流裕量)（ 8 分）答：圖 a 不合理（ 1 分），電流小于維持電流（2 分）圖 b 不合理（ 1 分），最高電壓大于額定電壓（1 分）圖 c 合理（ 1

35、分），電流為 150A 小于 100×1.57（ 2 分）5、下面 BOOST 升壓電路中，電感 L 、電容 C 與二極管的作用是什么？（7 分）答：儲(chǔ)存電能升壓（ 3 分）；保持輸出電壓穩(wěn)定（4 分）。6、變壓器漏感對整流電路有什么影響？（8 分）答：出現(xiàn)換相重疊角，整流輸出電壓平均值Ud 降低；整流電路的工作狀態(tài)增多；（2 分）晶閘管的 di/dt 減小，有利于晶閘管的安全開通；（2分）有時(shí)人為串入進(jìn)線電抗器以抑制晶閘管的di/dt ；換相時(shí)晶閘管電壓出現(xiàn)缺口，產(chǎn)生正的du/dt，可能使晶閘管誤導(dǎo)通，為此必須加吸收電路（2 分）；換相使電網(wǎng)電壓出現(xiàn)缺口，成為干擾源。（2 分）7、什么是逆變失敗？逆變失敗后有什么