電子元器件基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體器件

1、資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)之處，請聯(lián)系改正或者刪除一、中國半導(dǎo)體器件型號命名方法半導(dǎo)體器件型號由五部分（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成.五個(gè)部分意義如下：第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2二極管、3-三極管第二部分:用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：AN型信材料、BP型褚材料、C-N型硅材料、DP型硅材料。表示三極管時(shí)：APNP型楮材料、B-NPN型鑄材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P普通管、V-微波管、卬-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整

2、流管、L-整流堆、S一隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關(guān)管、X-低頻小功率管（F<3MHz,PclW）、G一高頻小功率管（f3MHz,Pc（1W）、D一低頻大功率管（f<3MHz,Pc>1W）>A-高頻大功率管（f3MHz,Pc1W）>T-半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）、Y一體效應(yīng)器件、B雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、CS-場效應(yīng)管、BT一半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管、PIN-PIN型管、JG一激光器件。第四部分：用數(shù)字表示序號第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法二、日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由

3、五至七部分組成.通常只用到前五個(gè)部分，其各部分的符號意義如下：第一部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、卜二極管、2三極或具有兩個(gè)pn結(jié)的其他器件、3-具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)pn結(jié)的其他器件、-一儂此類推。第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊標(biāo)志.S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導(dǎo)體分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型.ATMEL代理A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、FP控制極可控硅、GN控制極可控硅、H-N基極單結(jié)晶體管、J-P溝道場效應(yīng)管、K-N溝道場效應(yīng)

4、管、M-雙向可控硅.第四部分:用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數(shù)一從“11”開始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號;不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。第五部分：用字母表示同一型號的改進(jìn)型產(chǎn)品標(biāo)志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。美國半導(dǎo)體分立器件型號命名方法三、美國晶體管或其他半導(dǎo)體件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件命名方法如下：第一部分：用符號表示番件用途的類型。JAN一軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、(無)一非軍用品。第二部分：用數(shù)字表示pn

5、結(jié)數(shù)目。1一二極管、2二三極管、3三個(gè)pn結(jié)器件、n-n個(gè)pn結(jié)器件。第三部分:美國電子工業(yè)協(xié)會(EIA)注冊標(biāo)志.N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會(EIA)注冊登記。第四部分：美國電子工業(yè)協(xié)會登記順序號。多位數(shù)字一該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號。第五部分：用字母表示器件分檔.A、B、C、D、同一型號器件的不同檔別.如:JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關(guān)三極管,JAN一軍級、2-三極管、N-EIA注冊標(biāo)志、3251EIA登記順序號、A-2N3251A檔。四、國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體器件型號命名方法德國、法國、意大利、荷蘭、比利時(shí)等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國

6、家，大都采用國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個(gè)基本部分組成，各部分的符號及意義如下：第一部分：用字母表示器件使用的材料。A器件使用材料的禁帶寬度Eg=O。61。OeV如楮、B一器件使用材料的Eg=1.0l。3eV如硅、C-器件使用材料的Eg>l。3eV如珅化銀、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如睇化鋼、E-器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料第二部分:用字母表示器件的類型及主要特征.A檢波開關(guān)混頻二極管、B-變?nèi)荻O管、C-低頻小功率三極管、I氐頻大功率三極管、E一隧道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復(fù)合黠件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開放磁路中的霍

7、爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發(fā)光器件、R-小功率晶閘管、s一小功率開關(guān)管、T一大功率晶閘管、U一大功率開關(guān)管、X一倍增二極管、Y一整流二極管、Z-穩(wěn)壓二極管。第三部分：用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號。三位數(shù)字-代表通用半導(dǎo)體器件的登記序號、一個(gè)字母加二位數(shù)字-表示專用半導(dǎo)體器件的登記序號。貼片留電容第四部分：用字母對同一類型號器件進(jìn)行分檔。A、B、C、D、E-一一一表示同一型號的器件按某一參數(shù)進(jìn)行分檔的標(biāo)志。wxq$#除四個(gè)基本部分外，有時(shí)還加后綴，以區(qū)別特性或進(jìn)一步分類。常見后綴如下：1、穩(wěn)壓二極管型號的后綴。其后綴的第一部分是一個(gè)字母，表示穩(wěn)定電

8、壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、士15%；其后綴第二部分是數(shù)字，表示標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值；后綴的第三部分是字母V,代表小數(shù)點(diǎn)，字母V之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的小數(shù)值.2、整流二極管后綴是數(shù)字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特.5 / 50資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)之處，請聯(lián)系改正或者刪除3、晶閘管型號的后綴也是數(shù)字，通常標(biāo)出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個(gè)電壓值。如:BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP楮高頻小功率三極管。

9、五、歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號命名法歐洲有些國家，如德國、荷蘭采用如下命名方法.第一部分：。-表示半導(dǎo)體器件第二部分:A一二極管、C三極管、AP光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩(wěn)壓管、RP-光電器件。第三部分：多位數(shù)字-表示器件的登記序號。第四部分:A、B、C-表示同一型號器件的變型產(chǎn)品。俄羅斯半導(dǎo)體器件型號命名法由于使用少,在此不介紹。一、半導(dǎo)體二極管參數(shù)符號及其意義CT勢壘電容Cj結(jié)（極間）電容，表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，錯(cuò)檢波二極管的總電容Cjv偏壓結(jié)電容Co零偏壓電容Cjo零偏壓結(jié)電容Cjo/Cjn結(jié)電容變化Cs管殼電容或封裝電容Ct總電容CTV電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定

10、電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比CTC電容溫度系數(shù)Cvn標(biāo)稱電容IF正向直流電流（正向測試電流）.錯(cuò)檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流(平均值)，硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；留電容封裝測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時(shí)給定的電流IF(AV)正向平均電流IFM(IM)正向峰值電流(正向最大電流).在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。IH-恒定電流、維持電流。li發(fā)光二極管起輝電流IFRM正向重復(fù)峰值電流IFSM正向不重復(fù)峰值電流(浪涌電流)Io整流電流。在特

11、定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流IF(ov)-正向過載電流IL-一光電流或穩(wěn)流二極管極限電流ID暗電流2 / 50資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)之處，請聯(lián)系改正或者刪除IB2單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流IEM發(fā)射極峰值電流IEB10雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流IEB20雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流ICM最大輸出平均電流IFMP正向脈沖電流IP峰點(diǎn)電流IV谷點(diǎn)電流IGT晶閘管控制極觸發(fā)電流IGD一一晶閘管控制極不觸發(fā)電流IGFM控制極正向峰值電流IR(AV)反向平均電流IR（In）反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時(shí)，給定的反向電流;硅堆在正弦半波電阻性負(fù)

12、載電路中，加反向電壓規(guī)定值時(shí)，所通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時(shí)所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。IRM反向峰值電流IRR晶閘管反向重復(fù)平均電流IDR晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流IRRM-一反向重復(fù)峰值電流IRSM一一反向不重復(fù)峰值電流（反向浪涌電流）2 / 50資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)之處，請聯(lián)系改正或者刪除Irp反向恢復(fù)電流Iz穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）.測試反向電參數(shù)時(shí)，給定的反向電流Izk穩(wěn)壓管膝點(diǎn)電流IOM最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時(shí)電流；在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許

13、連續(xù)通過楮檢波二極管的最大工作電流IZSM穩(wěn)壓二極管浪涌電流IZM-最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流iF正向總瞬時(shí)電流iR一一反向總瞬時(shí)電流ir-反向恢復(fù)電流lop工作電流Is穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流f頻率n電容變化指數(shù)；電容比Q優(yōu)值(品質(zhì)因素)6vz-穩(wěn)壓管電壓漂移di/dt通態(tài)電流臨界上升率dv/dt通態(tài)電壓臨界上升率PB承受脈沖燒毀功率PFT(AV)正向?qū)ㄆ骄纳⒐β蔖FTM正向峰值耗散功率PFT正向?qū)偹矔r(shí)耗散功率Pd耗散功率PG門極平均功率PGM門極峰值功率PC一控制極平均功率或集電極耗散功率Pi-輸入功率PK最大開關(guān)功率PM額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所

14、能承受的最大功率PMP最大漏過脈沖功率PMS最大承受脈沖功率Po一一輸出功率PR反向浪涌功率Ptot總耗散功率Pomax最大輸出功率Psc連續(xù)輸出功率3 / 50資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)之處，請聯(lián)系改正或者刪除PSM不重復(fù)浪涌功率PZM最大耗散功率。在給定使用條件下,穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率RF(r)正向微分電阻。在正向?qū)〞r(shí)，留電容電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量正向電流相應(yīng)增加I,則/：稱微分電阻RBB雙基極晶體管的基極間電阻RE射頻電阻RL負(fù)載電阻Rs(rs)串聯(lián)電阻Rth熱阻R(th)ja結(jié)到環(huán)境的熱阻Rz(ru)動態(tài)電阻R(th

15、)jc結(jié)到殼的熱阻r6衰減電阻r(th)瞬態(tài)電阻Ta環(huán)境溫度Tc殼溫td延遲時(shí)間tf下降時(shí)間tfr正向恢復(fù)時(shí)間3 / 50資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)之處，請聯(lián)系改正或者刪除tg電路換向關(guān)斷時(shí)間tgt門極控制極開通時(shí)間Tj結(jié)溫Tjm最高結(jié)溫ton開通時(shí)間toff-關(guān)斷時(shí)間tr上升時(shí)間trr反向恢復(fù)時(shí)間ts一一存儲時(shí)間tstg溫度補(bǔ)償二極管的貯成溫度a-溫度系數(shù)Xp發(fā)光峰值波長人光譜半寬度n單結(jié)晶體管分壓比或效率VB反向峰值擊穿電壓Vc整流輸入電壓VB2B1一一基極間電壓VBE10發(fā)射極與第一基極反向電壓VEB飽和壓降VFM最大正向壓降（正向峰值電壓）VF正向壓降（正向直流電壓）VF正向壓降

16、差VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VGT門極觸發(fā)電壓AVX鋰電容VGD門極不觸發(fā)電壓VGFM門極正向峰值電壓VGRM門極反向峰值電壓VF(AV)正向平均電壓Vo交流輸入電壓V0M最大輸出平均電壓Vop工作電壓Vn中心電壓Vp峰點(diǎn)電壓VR反向工作電壓(反向直流電壓)VRM-反向峰值電壓(最高測試電壓)V(BR)-一擊穿電壓4 / 50資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)之處，請聯(lián)系改正或者刪除Vth閥電壓（門限電壓）VRRM反向重復(fù)峰值電壓（反向浪涌電壓）VRWM反向工作峰值電壓Vv谷點(diǎn)電壓Vz穩(wěn)定電壓Vz穩(wěn)壓范圍電壓增量Vs通向電壓（信號電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓av電壓溫度系數(shù)Vk-一膝點(diǎn)電壓（穩(wěn)流二極

17、管）VL極限電壓二、雙極型晶體管參數(shù)符號及其意義Cc集電極電容Ccb集電極與基極間電容Cce發(fā)射極接地輸出電容Ci-輸入電容Cib共基極輸入電容Cie共發(fā)射極輸入電容Cies共發(fā)射極短路輸入電容Cieo一一共發(fā)射極開路輸入電容4 / 50資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)之處，請聯(lián)系改正或者刪除Cn-中和電容（外電路參數(shù)）Co輸出電容Cob共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容Coe共發(fā)射極輸出電容Coeo共發(fā)射極開路輸出電容Cre共發(fā)射極反饋電容Cic一一集電結(jié)勢壘電容CL負(fù)載電容（外電路參數(shù)）Cp并聯(lián)電容（外電路參數(shù)）BVcbo一一發(fā)射極開路，集電極與基極間擊穿電壓BVceo基

18、極開路,CE結(jié)擊穿電壓BVebo-一集電極開路EB結(jié)擊穿電壓BVces基極與發(fā)射極短路CE結(jié)擊穿電壓BVcer-一基極與發(fā)射極串接一電阻，CE結(jié)擊穿電壓D占空比fT特征頻率fmax-最高振蕩頻率。當(dāng)三極管功率增益等于1時(shí)的工作頻率hFE一一共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù)hlE共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗hOE共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導(dǎo)hRE共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù)hie共發(fā)射極小信號短路輸入阻抗hre-共發(fā)射極小信號開路電壓反饋系數(shù)hfe共發(fā)射極小信號短路電壓放大系數(shù)hoe共發(fā)射極小信號開路輸出導(dǎo)納IB基極直流電流或交流電流的平均值Ic-一集電極直流電流或交流電流的平均值IE一一發(fā)射極直流電流或交流電流的平均值I

19、cbo基極接地，發(fā)射極對地開路，在規(guī)定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流Iceo-發(fā)射極接地，基極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，TI代理集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流lebo基極接地，集電極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VEB條件下，發(fā)射極與基極之間的反向截止電流leer基極與發(fā)射極間串聯(lián)電阻R,集電極與發(fā)射極間的電壓VCE為規(guī)定值時(shí),集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流Ices發(fā)射極接地，基極對地短路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流5 / 50資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)之處，請聯(lián)系改正或者刪除Icex一一發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間

20、加指定偏壓，在規(guī)定的反向偏壓VCE下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流ICM集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。IBM在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi)，能連續(xù)地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值ICMP集電極最大允許脈沖電流ISB二次擊穿電流IAGC正向自動控制電流Pc集電極耗散功率PCM集電極最大允許耗散功率Pi一輸入功率Po輸出功率Pose振蕩功率Pn-噪聲功率Ptot總耗散功率ESB二次擊穿能量rbi基區(qū)擴(kuò)展電阻（基區(qū)本征電阻）rbb，Cc基極-集電極時(shí)間常數(shù)，即基極擴(kuò)展電阻與集電結(jié)電容量的乘積rie發(fā)射極接地，交流輸出短路時(shí)的輸入電阻roe發(fā)射極接地，在規(guī)定VCE、1

21、c或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時(shí)的輸出電阻RE外接發(fā)射極電阻（外電路參數(shù)）5 / 50資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)之處，請聯(lián)系改正或者刪除RB外接基極電阻（外電路參數(shù)）Rc外接集電極電阻（外電路參數(shù)）RBE外接基極一發(fā)射極間電阻（外電路參數(shù)）RL負(fù)載電阻（外電路參數(shù)）RG信號源內(nèi)阻Rth熱阻Ta環(huán)境溫度Tc管殼溫度Ts結(jié)溫Tjm最大允許結(jié)溫Tstg-貯存溫度td延遲時(shí)間tr上升時(shí)間ts存貯時(shí)間tf下降時(shí)間ton開通時(shí)間toff關(guān)斷時(shí)間VCB集電極一基極（直流）電壓VCE集電極-發(fā)射極（直流）電壓VBE-基極發(fā)射極（直流）電壓VCB0基極接地,發(fā)射極對地開路，集電極與基極之間在指定條

22、件下的最高耐壓VEB0-基極接地，集電極對地開路，發(fā)射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓VCE0發(fā)射極接地，基極對地開路,集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓VCER發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間串接電阻R,集電極與發(fā)射極間在指定條件下的最高耐壓VCES一一發(fā)射極接地,基極對地短路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓VCEX發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極之間加規(guī)定的偏壓，集電極與發(fā)射極之間在規(guī)定條件下的最高耐壓Vp穿通電壓。VSB二次擊穿電壓VBB基極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）Vcc一一集電極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）VEE發(fā)射極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）VCE（sat）發(fā)射極接地

23、，規(guī)定Ic、IB條件下的集電極-發(fā)射極間飽和壓降VBE（sat）-一發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB條件下，基極-發(fā)射極飽和壓降（前向壓降）31 / 50資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)之處，請聯(lián)系改正或者刪除VAGC-正向自動增益控制電壓Vn(p-p)-輸入端等效噪聲電壓峰值Vn噪聲電壓Cj結(jié)(極間)電容,表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，錯(cuò)檢波二極管的總電容Cjv偏壓結(jié)電容Co零偏壓電容Cjo零偏壓結(jié)電容Cjo/Cjn結(jié)電容變化Cs-一管殼電容或封裝電容Ct總電容CTV-電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比CTC電容溫度系數(shù)Cvn標(biāo)稱電容IF一一正向直流電流（正向測

24、試電流）。錯(cuò)檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時(shí)給定的電流IF（AV）正向平均電流IFM（IM）正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。IH-恒定電流、維持電流.Ii發(fā)光二極管起輝電流IFRM-一正向重復(fù)峰值電流1() / 50資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)之處，請聯(lián)系改正或者刪除IFSM正向不重復(fù)峰值電流(浪涌電流)1。-一整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電

25、壓條件下所通過的工作電流IF(ov)一一正向過載電流IL光電流或穩(wěn)流二極管極限電流ID暗電流IB2單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流IEM發(fā)射極峰值電流IEB10雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流IEB20雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流ICM最大輸出平均電流IFMP正向脈沖電流IP峰點(diǎn)電流IV谷點(diǎn)電流IGT晶閘管控制極觸發(fā)電流IGD一一晶閘管控制極不觸發(fā)電流IGFM控制極正向峰值電流IR(AV)反向平均電流IR(In)反向直流電流(反向漏電流)。在測反向特性時(shí)，給定的反向電流;硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電路中，加反向電壓規(guī)定值時(shí)，所通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時(shí)所通過的電流；

26、稔壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。IRM反向峰值電流IRR晶閘管反向重復(fù)平均電流IDR晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流IRRM-一反向重復(fù)峰值電流7 / 50資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)之處，請聯(lián)系改正或者刪除IRSM反向不重復(fù)峰值電流（反向浪涌電流）Irp反向恢復(fù)電流Iz-穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數(shù)時(shí)，給定的反向電流Izk穩(wěn)壓管膝點(diǎn)電流IOM最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時(shí)電流；在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過楮檢波二極管的最大工作電流IZSM穩(wěn)壓二極管浪涌電流IZM一一最大穩(wěn)壓電流.在最大耗散功

27、率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流iF正向總瞬時(shí)電流iR反向總瞬時(shí)電流ir-反向恢復(fù)電流lop工作電流Is穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流f頻率n電容變化指數(shù)；電容比Q優(yōu)值(品質(zhì)因素)6Vz穩(wěn)壓管電壓漂移di/dt-一通態(tài)電流臨界上升率dv/dt通態(tài)電壓臨界上升率PB承受脈沖燒毀功率PFT(AV)一-正向?qū)ㄆ骄纳⒐β蔖FTM正向峰值耗散功率PFT正向?qū)偹矔r(shí)耗散功率Pd耗散功率1() / 50資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)之處，請聯(lián)系改正或者刪除PG門極平均功率PGM門極峰值功率PC控制極平均功率或集電極耗散功率Pi輸入功率PK最大開關(guān)功率PM-額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率PMP

28、最大漏過脈沖功率7 / 50資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)之處，請聯(lián)系改正或者刪除PMS最大承受脈沖功率Po輸出功率PR反向浪涌功率Ptot總耗散功率Fornax最大輸出功率Psc連續(xù)輸出功率PSM不重復(fù)浪涌功率PZM最大耗散功率.在給定使用條件下,穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率RF(r)一一正向微分電阻。在正向?qū)〞r(shí)，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量正向電流相應(yīng)增加：!,則/I稱微分電阻RBB雙基極晶體管的基極間電阻RE射頻電阻RL負(fù)載電阻Rs(rs)串聯(lián)電阻Rth熱阻R(th)ja一一結(jié)到環(huán)境的熱阻Rz(ru)動態(tài)電阻R(th)jc結(jié)到殼的熱阻r

29、6衰減電阻r(th)一一瞬態(tài)電阻Ta一一環(huán)境溫度Tc殼溫td延遲時(shí)間tf下降時(shí)間12 / 50資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)之處，請聯(lián)系改正或者刪除tfr正向恢復(fù)時(shí)間tg電路換向關(guān)斷時(shí)間tgt門極控制極開通時(shí)間Tj結(jié)溫Tjm最高結(jié)溫ton開通時(shí)間toff關(guān)斷時(shí)間tr上升時(shí)間trr反向恢復(fù)時(shí)間ts存儲時(shí)間tstg-溫度補(bǔ)償二極管的貯成溫度a溫度系數(shù)入P發(fā)光峰值波長人一一光譜半寬度n-單結(jié)晶體管分壓比或效率VB反向峰值擊穿電壓Vc整流輸入電壓VB2B1基極間電壓VBE10發(fā)射極與第一基極反向電壓VEB飽和壓降最大正向壓降（正向峰值電壓）VF正向壓降（正向直流電壓）VF正向壓降差VDRM斷態(tài)重復(fù)峰

30、值電壓11 / 50資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)之處，請聯(lián)系改正或者刪除VGT門極觸發(fā)電壓VGD門極不觸發(fā)電壓VGFM門極正向峰值電壓VGRM-門極反向峰值電壓VF(AV)正向平均電壓Vo交流輸入電壓V0M最大輸出平均電壓12 / 50資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)之處，請聯(lián)系改正或者刪除Vop工作電壓Vn中心電壓Vp峰點(diǎn)電壓VR反向工作電壓（反向直流電壓）VRM一反向峰值電壓（最高測試電壓）V（BR）-擊穿電壓Vth閥電壓（門限電壓）VRRM反向重復(fù)峰值電壓（反向浪涌電壓）VRWM反向工作峰值電壓Vv谷點(diǎn)電壓Vz穩(wěn)定電壓Vz穩(wěn)壓范圍電壓增量Vs通向電壓（信號電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓av電壓溫度系數(shù)Vk一一膝點(diǎn)電壓（穩(wěn)流二極管）VL極限電壓三、場效應(yīng)管參數(shù)符號意義Cds漏一源電容Cdu漏一襯底電容Cgd柵-源電容Cgs漏-源電容Ciss柵短路共源輸入電容Coss柵短路共源輸出電容Crss柵短路共源反向傳輸電容D占空比（占空系數(shù)，外電路參數(shù)）di/dt-一電流上升率（外電路參數(shù)）dv/dt電壓上升率（外電