基區(qū)對BJT的重要性

1、基區(qū)基區(qū)對于對于雙極型晶體管雙極型晶體管的的重要性重要性小組討論：小組討論：雙極型晶體管的結構：雙極型晶體管的結構：由結構可見，由結構可見，BJT是由兩個背靠背的是由兩個背靠背的pn結組成結組成的，而基區(qū)是兩個的，而基區(qū)是兩個pn結中間的公共區(qū)域結中間的公共區(qū)域載流子在基區(qū)的運輸：載流子在基區(qū)的運輸：（以（以npnnpn型為例）型為例）發(fā)射結處于正偏，有利于多子的擴散，基區(qū)的空穴也會注入到發(fā)射區(qū)。進入到基區(qū)的電子，大部分電子由于擴散擴散和漂移漂移（內電場的存在）運動到達集電結邊界，在集電結反向強電場的作用下被掃入集電區(qū)。而小部分注入到基區(qū)的電子流會和基區(qū)中的空穴流復合復合，及轉換為空穴流。l通

2、過基區(qū)在通過基區(qū)在BJTBJT中特殊的位置以及載流子通過基區(qū)的過程，中特殊的位置以及載流子通過基區(qū)的過程，可見基區(qū)是可見基區(qū)是BJTBJT結構中一個重要的區(qū)域。結構中一個重要的區(qū)域。l基區(qū)的寬度基區(qū)的寬度，參雜濃度參雜濃度以及以及雜質分布雜質分布等都會影響雙極性晶等都會影響雙極性晶體管的性能。體管的性能。l基區(qū)寬度必須很?。从行Щ鶇^(qū)的寬度要遠遠小于基區(qū)中基區(qū)寬度必須很?。从行Щ鶇^(qū)的寬度要遠遠小于基區(qū)中少數(shù)載流子的擴散長度），這才能形成一個有用的晶體管，少數(shù)載流子的擴散長度），這才能形成一個有用的晶體管，否則放大性能太差（這也有利于提高頻率和速度）。否則放大性能太差（這也有利于提高頻率和速度

3、）。l同時，基區(qū)的摻雜濃度也必須小于發(fā)射區(qū)的摻雜濃度，否同時，基區(qū)的摻雜濃度也必須小于發(fā)射區(qū)的摻雜濃度，否則同樣性能也很差（但是基區(qū)摻雜濃度也不能太低，否則則同樣性能也很差（但是基區(qū)摻雜濃度也不能太低，否則要影響頻率、速度和噪聲等性能）。要影響頻率、速度和噪聲等性能）?；鶇^(qū)參雜是否均勻影響了晶體管的直流特性?；鶇^(qū)參雜是否均勻影響了晶體管的直流特性?；鶇^(qū)的寬度基區(qū)的寬度 適當連接晶體管，可使它具有放大功能。其中確?；鶇^(qū)寬度很小就是是晶體管具有放大作用的原因之一，因為當有效基區(qū)的寬度遠遠小于基區(qū)中少數(shù)載流子的擴散長度時，那么從發(fā)射區(qū)注入到基區(qū)的載流子絕大部分可到達集電區(qū)，很少的一部分在基區(qū)被復合掉

4、。 共基極電流放大系數(shù) * 為提高電流放大系數(shù)，需減小基區(qū)傳輸系數(shù)*，即減小基區(qū)寬度，選用良好的單晶體，使少子壽命較長。 但當基區(qū)太薄，基區(qū)中存在一定的電阻 ，在多子流過基區(qū)時會產生壓降，它對晶體管的特性有影響，如發(fā)射極電流集邊效應，放大，頻率特性變差和基極電阻引起的噪聲等。 【基區(qū)擴展電阻效應會使發(fā)射結中心部分的電流密 度大大降低，發(fā)射極電流主要集中在發(fā)射極的邊緣部分，產生發(fā)射極電流集邊效應】基區(qū)的雜質分布基區(qū)的雜質分布（以（以npnnpn為例）為例） 基區(qū)薄，相比較于發(fā)射區(qū)，它的濃度要很低，這樣到達基區(qū)的電子與空穴復合的機會很少，則絕大部分的電子會通過基區(qū)到達集電結，再被方向強電場抽入集電區(qū)。但當基區(qū)的濃度 太小會造成基極電阻增大，功率增益下降，噪聲系數(shù)上升，大電流特性變壞等弊端。 雜質分布非均勻的基區(qū)內存在自建場，加速了基區(qū)中少子運動，從而使復合電流減小，提高了基區(qū)的輸運系數(shù)值。 隨著集電結反向電壓的增加，集電結勢壘向兩邊擴展，基區(qū)有效寬度減小，這種現(xiàn)象叫基區(qū)寬度調制效應。如果基區(qū)摻雜濃度比集電區(qū)低，基區(qū)的寬度又較小，則可能在集電結發(fā)生雪崩擊穿之前，有效基區(qū)寬度減小到0，基區(qū)穿通。 基區(qū)大注入少子，會使基區(qū)電導率上升，電阻率不斷下降，產生基區(qū)電導調制效應。 ：共發(fā)射極短路電流放大系數(shù)降到1時的頻率。為提高特征頻率，