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1、 維普資訊 年第 期 · 一 一 塒 一 , 一 科 程 中 , ( ) ( ) 個 取 向 晶 和 兩 棗 蔽求 曝 墨 霹霉 措 , 一 粒 在強 度 方 拍 加 的 原 因 , 方法 測 稿 柚 面增 筠 仆 伯 摹 用 量 這 些 取 向 晶 粒 相 關(guān) 取 向誤 差 分 布 , 析 分 一 ,為 , 一 一 , ( ) 晶粒 所 ( ) 和 ( ) 用 晶界數(shù) 分 別 為 和 , 。圖 給 出 試 樣 在 退 火 時 , 三 種取 向 晶粒 的取 這 向誤 差 角 分 布 , ( ) 晶粒 具 有低 角 度 “ 。 囊 晶界 頻 率 最 高 ( 向誤 差 小 于 , 一 方
2、 取 )另 , 舯 謝 瑚 枷 面 , ( ) 晶粒 發(fā) 生 高 角 和 ( ) 度 晶界 頻率 高于 晶粒 , ( ) 一般 來說 , 高角 度晶界 遷移 率高于那 些低 角度 晶界 的遷 移率 , 而且 高角 度 晶界 的 晶界能 也 高 于 低 角 度 晶界 的 晶界能 , 另外 , 等 人和 一 一 一 一 一 一 一 一 圖 試樣 在 退 火 時不同層 面 的 斷 圖 等人 假 定 在 鋼 中 , 能 量 晶界 高 遷移 率高 于那 些 低 能量 晶界遷 移 率 , 種 差 這 別 可能空 位機 理 解 釋 。眾所 周 知 , 晶界 遷移 的發(fā)生是 原子 在 晶粒 和空 位 之 間進(jìn)
3、 行 交換 , 高能量 晶界 比低能 量晶界 更有能力 吸收 和放 出空位 , 這是 因 為空 位 數(shù) 與 晶界 結(jié)構(gòu) 的無 序 狀態(tài)密切 相關(guān) , 由于高 晶界能 具 有較 強 的無 序結(jié)構(gòu) , 因此 空 位數(shù) 和 位 錯較 高 的 晶粒 導(dǎo) 致 了高遷 移率 , 高角 度 、 晶界能 晶粒長大 速率 高 較高 , 與之相 反 , 低 角度 、 晶界 能包 圍 的 被 低 晶粒 不 能 長 大 , 果 和 結(jié) ( ) ( ) 向晶粒 比 和 隨機 取 向 晶 取 () 圖 樣 在 退 火溫 度 條件 下各 種 取 試 向 晶 粒 的 面 積 分 數(shù) 粒更 有可 能發(fā)生 變 化 。對 比圖 和
4、 圖 , 可 以發(fā) 現(xiàn)在 樣 中 , ( ) 試 和 ( ) 向具有 高角度 , 晶界 能 的頻率 高 于 取 高 ( 取 向 誤 差 高 。 試 樣 中 高 斯 和 比 ) 晶 粒 。另 一 方 面 , 樣 ( ) 在 試 中 , ( ) 晶粒 具 有 低 角度 晶界 的頻 率 高 于 晶粒 , 是 具有 高頻 率 低 角 () 但 度 晶界 的 晶粒似 乎沒 有起 到抑 制 ( ) 晶粒長 大 的作 用 , 因為 晶 粒分 布 () 均勻并且 沒 有象 圖 中高 斯 晶粒 形 成 晶 團(tuán) , 用 測 量方法 可 證實 這個 事 實 。在 晶粒 圖 樣 在退 火溫度 條 件 下各 種 取 試
5、 向 晶 粒 的 平 均 晶 粒 直 徑 長大初 期 , 當(dāng)退火 溫度增 加時 , 兩個 最強 織構(gòu) 組分 和 在破 壞 隨機 取 ( ) ( ) 向晶粒 基礎(chǔ) 上 被增 強 , 些 取 向 晶粒 的 尺 寸 這 我們 需要 研究 樣在 晶粒 長 大過 試 維普資訊 年第 期 超過 那 些 隨機 取 向晶 粒 的 尺 寸 , 外 , 另 ( ) 取 向 晶 粒 比那 些 和 ( ) ( ) 向晶粒更具 有利 于 晶界 特征 分布 , 取 基 于 這兩 個原 因 , 晶粒 長 大 階段 , ( ) 在 和 織構(gòu)組 分被 增強 。 () 晶 團(tuán) 中( 就是發(fā) 生低 角度 , 晶界能頻 率 較 也
6、低 高) 的晶粒 不能連 續(xù)長 大 , 終被 別 的晶粒取 最 代 。因此 , 們 可 以斷 言 : 晶粒 長 大 過 程 我 在 中 , 使一個 織構(gòu) 組分 連續(xù)增 強 , 若 具有特 別取 向 的晶粒不 僅在尺 寸方 面超過 那些 其它 取 向 晶粒 , 而且發(fā) 生高 角度 , 晶界能頻 率高 。 高 結(jié) 論 在 試樣 的晶 粒長 大 過程 中。 主要 術(shù) 織構(gòu)組 分 高 斯 和 組 分 較 差 , ( ) 隨機 織構(gòu)較 強 , 斯 和 取 向 晶粒 尺 寸 高 () 小于 那些 隨機 取 向 晶粒 尺 寸 , 晶粒 長大 開 從 鑊 卜 始 時期 , 斯織構(gòu) 組分 強度連 續(xù)減 少 ,
7、高 因為高 斯 晶粒含低 角度 , 低遷 移率 晶界 的比例 較高 。 在 試 樣 中 , 要 織 構(gòu) 組 分 主 取向偏差 角 。 ( ) 組 分 在 取 代 隨 機 取 向 晶 和 ( ) 粒后 變 強 , ( ) 取 向 晶 和 ( ) 粒尺 寸高 于 隨機 取 向晶 粒 尺 寸 , 另外 , ( ) 取 向 晶粒 發(fā)生 高 角度 , 和 ( ) 高 晶界能 的頻率 高于那 些組 分逐漸 減少 的 ( ) 向晶粒 。 取 基 于試驗 得 到結(jié) 果 , 出無 取 向 電工 鋼 提 圖 試 樣 在 退 火 時 ( ) 和 取 , ( ) ( ) 向 晶 粒 的取 向 偏 差 角 分 布 關(guān)
8、系 正 如上述所 說 , 晶粒 長大 過 程 中關(guān) 于 在 織 構(gòu)變化 有兩 種不 同結(jié)果 , 樣 中 , 在 試 主要織 構(gòu) 組 分 , 如高 斯 和 組 分 例 ( ) 強 度減少 , 些 取 向 晶粒 平 均 尺 寸小 于 那 些 這 隨機 取 向晶 粒 尺 寸 。 與 之 相 反 , 在 試 晶粒長 大過程 中控 制織 構(gòu) 變 化 的一 般 規(guī) 律 , 在 晶粒 長大過 程 中, 果 具有 特 別 取 向 的 晶 如 粒不僅 尺寸 超過 那 些 其它 取 向晶 粒 , 且 發(fā) 而 生高 角度 , 晶界能 的頻 率高 , 高 這個織 構(gòu)組 分 樣 中 , 要 織 構(gòu) 組 分 , 如 和 主 例 ( 組 分在 破壞 隨 機取 向組 分 基礎(chǔ) 上 () 變強 。 和 取 向晶 粒尺 ( ) ( ) 寸大于 那些 隨機 取 向 晶粒 , 是 它 不 能成 為 但 晶粒長 大過 程 中織 構(gòu)增 強 的充 分 條件 , 圖 從 可 以被 加強 ,
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