2025年高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)：晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 限時(shí)訓(xùn)練

2025屆高三下學(xué)期限時(shí)訓(xùn)練12

用時(shí)25分鐘

1.類比和推理是中學(xué)化學(xué)學(xué)習(xí)的重要方法，下列推測合理的是（）

冰晶體中分子采用非密堆積氨晶體中分子也采用非密堆積

AH2ONH2

BCC）2晶體是分子晶體Si。？晶體也是分子晶體

CH4分子為正四面體形，鍵角為P4分子也是正四面體形，鍵角也是

c

109028,109028,

D%呈直線形，中心原子采用sp雜化「呈直線形，中心原子也采用sp雜化

A.AB.BC.CD.D

2.加熱煮沸濃NaOH溶液和白磷反應(yīng)可制PH3,該過程同時(shí)可獲得P2H,。其中一個(gè)反應(yīng)為

P4+3NaOH+3H2O—3NaH2PO2+PH3To下列說法不正確的是（）

A.熱穩(wěn)定性：N2H4〉P2H4,沸點(diǎn)：N2H4<P2H4

B.PQPH3與P2H4都是分子晶體

c.制備過程中有極性鍵、非極性鍵的斷裂，也有極性鍵、非極性鍵的形成

D.PH3的配位能力比NH3強(qiáng)，這是由于PH3配體中的P存在3d空軌道

3.某鋰離子電池電極材料結(jié)構(gòu)如圖。結(jié)構(gòu)1是鉆硫化物晶胞的一部分，可代表其組成和結(jié)構(gòu);

晶胞2是充電后的品胞結(jié)構(gòu)；品胞3中P的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（0,0,0）,所有晶胞均為立方品胞。

下列說法正確的是（）

結(jié)構(gòu)1晶胞2晶胞3

A.晶胞2中Li的配位數(shù)是4

B.晶胞2和晶胞3是兩種不同構(gòu)型的Li?S

C.結(jié)構(gòu)1鉆硫化物的化學(xué)式為CogS9

D.晶胞3中M的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為且

224

\7

4.某鋰離子電池電極材料結(jié)構(gòu)如圖。結(jié)構(gòu)1是鉆硫化物晶胞的一部分，可代表其組成和結(jié)構(gòu);

晶胞2是充電后的晶胞結(jié)構(gòu)；所有晶胞均為立方晶胞。下列說法正確的是（）

B.晶胞2中Li與Li的最短距離為且a

2

C.充電前后與S距離最近的金屬原子數(shù)目相同

D.晶胞2和晶胞3表示同一晶體

5.金屬鐵因生產(chǎn)工藝和溫度不同，會有不同的晶體結(jié)構(gòu)。a-Fe和Fe的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示,

下列說法正確的是（）

A.7-Fe中鐵原子的配位數(shù)為12

B.1個(gè)7—Fe晶胞的質(zhì)量約為（4x56）g

C.金屬鐵因?yàn)橛凶杂梢苿拥碾x子而具有導(dǎo)電性

D.g—Fe與Fe性質(zhì)完全相同

6.汞及其化合物在我國應(yīng)用的歷史悠久，可用作醫(yī)藥、顏料等。一種含汞化合物的立方晶胞

結(jié)構(gòu)如圖所示，該晶胞的密度為dg/cn?，A的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（0,0,0）。

圖1

下列說法正確的是（）

A.B的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（3」」

U44

B.晶胞中相鄰的兩個(gè)S?一之間的距離為Ylanm

2

C阿伏加德羅常數(shù)NA為932x1臚

da3

D.圖2是晶胞的俯視圖

7.鎰的某種氧化物Mn、Oy的四方晶胞及其在xy平面的投影如圖所示，當(dāng)Mn、。，晶體有。原子

脫出時(shí)，形成0空位會使晶體具有半導(dǎo)體性質(zhì)。下列說法正確的是（）

?Mn

OO

A.鎰元素基態(tài)原子的價(jià)電子排布圖為：3d54s2

B.該氧化物化學(xué)式為M1I2O3

C.出現(xiàn)0空位，Mn的化合價(jià)升高

D.Na2O晶體難以通過形成0空位具有半導(dǎo)體性質(zhì)

8.下列物質(zhì)中，含有極性共價(jià)鍵的離子晶體是（）

A.NaClB.Na2OC.Na2O2D.NaOH

9.已知NixMgmO晶體屬立方晶系，晶胞邊長a.將IT摻雜到該晶胞中，可得到一種高性能的

p型太陽能電池材料，其結(jié)構(gòu)單元如圖所示。假定摻雜后的晶胞參數(shù)不發(fā)生變化，下列說法

正確的是（）

A.該結(jié)構(gòu)單元中。原子數(shù)為3B.Ni和Mg間的最短距離是a

C.Ni最近且等距的0原子個(gè)數(shù)為4D.該物質(zhì)的化學(xué)式為LiojMg].⑵砧2.37504

10.科研工作者合成了低溫超導(dǎo)化合物M,再利用低溫去插層法，獲得了一個(gè)新化合物N。二

者的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說法正確的是（）

A.去插層過程中Cs元素均轉(zhuǎn)化為Cs單質(zhì)

B.N的化學(xué)式為VzSe?。

C.M中與Cs原子最臨近的Se原子有2個(gè)

D.N中V原子填充了Se原子構(gòu)成的正八面體空隙

n.實(shí)驗(yàn)室制取HF的原理為CaF?+H2so4（濃冷CaSC）4+2HFT,氫氟酸可用來刻蝕玻璃，發(fā)

生反應(yīng)：SiO2+4HF-Sil^T+2H2O□CaF2的立方晶胞如圖所示，其晶胞參數(shù)為apm。下

列說法錯(cuò)誤的是（）

?Ca2+OF

A.氫化物的穩(wěn)定性：HF>H2O

B.SiF4、凡0、SO：三者的中心原子價(jià)層電子對數(shù)相等

C.CaF2的晶體密度為更肅式g-cmT（%為阿伏加德羅常數(shù)的值）

D.CaH晶體中F-與Ca2+之間的最近距離為晶胞體對角線長的工

一4

12.已知圖甲為金屬鈉的晶胞，晶胞棱長為apm,其晶胞截面如圖乙所示。圖丙為ZnS晶胞

截面，已知ZnS屬立方晶體，假設(shè)晶胞棱長為dpm。下列關(guān)于ZnS晶胞的描述錯(cuò)誤的是（）

~面￡工田

“y=0y=0.5a

甲乙

L田

y=0y=0.25dy=0.5dy=0.75d

丙.

A.每個(gè)晶胞中含有的S?一數(shù)目為4

B.與Zn2+距離最近且相等的S2一有8個(gè)

C.該晶胞中兩個(gè)距離最近的42+和S?-的核間距的計(jì)算表達(dá)式為pm

388

D.ZnS晶體的密度為了丁'103°g,cm，（名表示阿伏加德羅常數(shù)的值）

13.由銅、錮、錢、硒組成的晶體屬于四元半導(dǎo)體化合物，Se原子填充在Cu與Ga（或In）圍成

的四面體空隙中，晶胞棱邊夾角均為90。，設(shè)義為阿伏加德羅常數(shù)的值。已知：A點(diǎn)、B點(diǎn)

原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為（0,0,0）和，m下列說法錯(cuò)誤的是（）

A.該晶體的化學(xué)式：CuInGa,xSe2

B.C點(diǎn)Se原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)是

(448

C.距離Cu原子最近且等距的Se原子有2個(gè)

D.若晶胞中Ga與In原子數(shù)相同，晶體密度為Ff^xiosog/cn?

a

14.干冰晶體的晶胞如圖1所示，形狀是邊長為anm的立方體，沿AB連線方向的投影圖如圖2所示。下列

說法錯(cuò)誤的是

圖1圖2

A.該晶體為分子晶體

B.晶胞沿AB連線旋轉(zhuǎn)120可與旋轉(zhuǎn)前重合

C.該晶體中每個(gè)CO?分子周圍有12個(gè)緊鄰分子

D.該晶體的密度為46二1鏟8行

15.一種鋁(Ta)的化合物的四方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(b<2a)。已知NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)

x、y、ze[0,l),原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為1時(shí)記為0。M、N的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為(0,0,0),(0,0,1/2),下列說法

錯(cuò)誤的是

A.P的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(1/2,0,1/4)B.該化合物的化學(xué)式為KjTaOzR

?口口4.06x10“3

C.與Q距離相等且最近的K+有8個(gè)D.該晶體的密度是—g/cm3

a-bNA

限時(shí)訓(xùn)練12——晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)專題

答案以及解析

1.答案：A

解析：A.冰晶體中水分子采用非密堆積，是因?yàn)楸w內(nèi)部水分子間形成氫鍵的緣故；由此

類比，因?yàn)榘狈肿娱g也可以形成氫鍵，所以氨晶體中氨分子也采用非密堆積，A正確；

B.二氧化硅晶體為共價(jià)晶體，B錯(cuò)誤；

C.P4分子是正四面體形，結(jié)構(gòu)為,鍵角為60。，C錯(cuò)誤;

D工中心原子價(jià)層電子對數(shù)為2+g（7+l-2xl）=5,采用sp3d雜化，D錯(cuò)誤；

故選Ao

2.答案：A

解析：原子半徑N<P,故鍵長N—N<P—P、N—H<P—H,鍵能N—N>P—P、N—H>P—H,

故熱穩(wěn)定性N2H4>P2H4。N2H4分子間可形成氫鍵，增大其沸點(diǎn)，P2H4只存在范德華力，則

沸點(diǎn)N2H4>P2H4,A項(xiàng)錯(cuò)誤。P4、PH3與P2H4都是由分子構(gòu)成，都是分子晶體，B項(xiàng)正確。

制備過程中有H?。中的O—H極性鍵斷裂、P’中的P—P非極性鍵的斷裂，PH3中有P—H極

性鍵形成、P2H4中有P—P非極性鍵形成，C項(xiàng)正確。NH3利用N的孤電子對與過渡金屬配

位形成配位鍵，而PH3的中心原子P既有孤電子對，也有空的d軌道，既能提供配位的電子

對，又能提供接受電子對的空軌道，故配位能力NH3<PH3,D項(xiàng)正確。

3.答案：A

解析：A.由晶胞結(jié)構(gòu)可知，以位于體心的Li為研究對象，周圍距離最近且相等的O原子有4

個(gè)，Li的配位數(shù)是4,A正確；

B.當(dāng)2個(gè)晶胞2放在一起時(shí)，截取第1個(gè)晶胞的右一半和第2個(gè)晶胞的左一半合并后就是晶

胞3。根據(jù)晶胞2的結(jié)構(gòu)可知，S的個(gè)數(shù)為1+12義：=4,Li的個(gè)數(shù)為8,則晶胞2表示的化學(xué)

式為Li?S,在晶胞3中，S的個(gè)數(shù)為8x：+6xt=4,Li的個(gè)數(shù)為8,則晶胞3表示的化學(xué)式

o2

為LizS,晶胞2和晶胞3表示同一晶體，構(gòu)型是相同的，B錯(cuò)誤;

C.由均攤法得，結(jié)構(gòu)1中含有C。的數(shù)目為4+4x，=4.5,含有S的數(shù)目為l+12xj=4,Co

與S的原子個(gè)數(shù)比為9：8,因此結(jié)構(gòu)1的化學(xué)式為Co9s8,C錯(cuò)誤；

D.晶胞3中P的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0,0,0),晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞3中M的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為[m],

D錯(cuò)誤；

故選Ao

4.答案：D

解析：A.由均攤法得，結(jié)構(gòu)1中含有Co的數(shù)目為4+4x：=4.5,含有S的數(shù)目為l+12xj=4,

84

Co與S的原子個(gè)數(shù)比為9:8,因此結(jié)構(gòu)1的化學(xué)式為Co9s8,A錯(cuò)誤；

B.由圖可知，晶胞2中Li與Li的最短距離為晶胞邊長的;，晶胞邊長為a,即Li與Li的最

短距離為藍(lán)，B錯(cuò)誤；

C.結(jié)構(gòu)1中，與S最近的Co是4個(gè)，晶胞2中與S最近的Li有8個(gè)，C錯(cuò)誤;

D.當(dāng)2個(gè)晶胞2放在一起時(shí)，截取第1個(gè)晶胞的右一半和第2個(gè)晶胞的左一半合并后就是晶

;根據(jù)晶胞2的結(jié)構(gòu)可知，S的個(gè)數(shù)為1+12X*,

Li的個(gè)數(shù)為8,則晶胞2表示的化學(xué)式為Li?S,在晶胞3中，S的個(gè)數(shù)為8X：+6X!=4,Li的

o2

個(gè)數(shù)為8,則晶胞3表示的化學(xué)式為Li?S,晶胞2和晶胞3表示同一晶體，D正確；故選D。

5.答案：A

解析：A./—Fe屬于面心立方最密堆積，鐵原子的配位數(shù)為12,故A正確；

B.1個(gè)7—Fe晶胞中有8X'+6XL=4個(gè)鐵原子，故質(zhì)量約為m=*xN=與型g,故B錯(cuò)誤;

82NRNA

C.金屬鐵具有導(dǎo)電性的原因是鐵原子最外層的電子逃逸出原子，形成自由電子。這些自由電

子在電場力的作用下能夠做定向移動，從而形成電流，使得金屬鐵能夠?qū)щ?，故c錯(cuò)誤；

D.￡—Fe與7-Fe晶體結(jié)構(gòu)不同，故性質(zhì)不完全相同，故D錯(cuò)誤；

故選Ao

6.答案：D

解析：A.A的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（0,0,0）,A為坐標(biāo)原點(diǎn)，則B的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為故A錯(cuò)誤;

B.根據(jù)圖示，晶胞中相鄰的兩個(gè)S2-之間的距離為面對角線的一半，則兩個(gè)S2-之間的距離為

anm,故B錯(cuò)誤；

C.面對角線為2anm,則晶胞邊長為缶nm，根據(jù)均攤原則，晶胞中S?一數(shù)為4、Hg?+數(shù)為

8v-r-阿伏加德羅"交故0錯(cuò)誤;

D.從上往下看晶胞，得到正方形，四個(gè)頂點(diǎn)和對角線交點(diǎn)有Hg2+,四個(gè)小正方形的中心有

S2-,即圖2是晶胞的俯視圖，故D正確；

選D。

7.答案：D

解析：A.Mn的原子序數(shù)為25,位于元素周期表第四周期VHB族；基態(tài)Mn的價(jià)電子排布式為:

3d54s2，不是電子排布圖，故A錯(cuò)誤；

B.根據(jù)均攤法可知，該晶胞中Mn的個(gè)數(shù)為8義工+1=2,。的個(gè)數(shù)為4x^+2=4,該鎰氧化物

82

的化學(xué)式為Mn。?，B錯(cuò)誤；

C.MnOx晶體有。原子脫出時(shí)，出現(xiàn)?？瘴唬磝減小，Mn的化合價(jià)為+2x,即Mn的化合

價(jià)降低，C錯(cuò)誤；

D.Na2。中Na的化合價(jià)下降只能為0,說明Na?。不能通過這種方式獲得半導(dǎo)體性質(zhì)，D正

確；

故選D。

8.答案：D

解析：A.NaCl只含離子鍵，A錯(cuò)誤；

B.Na?。只含離子鍵，B錯(cuò)誤；

C.NazOz含有非極性共價(jià)鍵的離子晶體，C錯(cuò)誤；

D.NaOH含有極性共價(jià)鍵的離子晶體，D正確；

故選D。

9.答案:D

解析：A.該晶胞中。原子個(gè)數(shù)為1+12XL=4,故A錯(cuò)誤；

4

B.根據(jù)圖知，Ni和Mg的最短距離等于晶胞面對角線長度的一半，即走a,故B錯(cuò)誤；

2

C.Ni的配位數(shù)即距離Ni最近的0原子的個(gè)數(shù)為6個(gè)，故C錯(cuò)誤；

D.該晶胞中。原子個(gè)數(shù)為l+12x；=4,Li原子個(gè)數(shù)為lx2^=0.5,Mg原子個(gè)數(shù)為

lx-+2x-=1.125,Ni原子個(gè)數(shù)為7義工+3x,2=2.375,所以Li、Mg、Ni、O原子個(gè)數(shù)之比

8282

=0.5：1.125：2.375：4,所以其化學(xué)式為L'M及/電的。",故D正確；

故選D。

10.答案：B

解析：去插層過程中Cs元素生成CsLA項(xiàng)錯(cuò)誤。根據(jù)均攤法計(jì)算，N晶胞中含有V原子數(shù)

為8*。+4義:=4、Se原子數(shù)為8xJ+2=4,O原子數(shù)為8x：+l=2,則N的化學(xué)式為

4248

V2Se2O,B項(xiàng)正確。由M的晶胞結(jié)構(gòu)可知，Cs原子位于晶胞的棱上，同時(shí)被4個(gè)晶胞共有,

M中與Cs原子最臨近的Se原子有8個(gè)，C項(xiàng)錯(cuò)誤。由N的晶胞結(jié)構(gòu)可知，N中V原子位于

Se原子圍成的平面正方形中心，D項(xiàng)錯(cuò)誤。

1L答案：C

解析：A.O、F同周期，核電荷數(shù)越大非金屬性越強(qiáng)，因此穩(wěn)定性HF>H2。，A正確；

B.SiFgH,0和SO：的中心原子的價(jià)層電子對數(shù)分別為4+上兇=4、2+紀(jì)*=4、

-22

.6+2—4x2工工品

4+--------------=4，DB正確；

2

C.由均攤法可知氟化鈣每個(gè)晶胞中含有8x、6><L=4個(gè)Ca"，8個(gè)F1由晶胞結(jié)構(gòu)可知其密

82

4x78

度為_312_,c錯(cuò)誤?

NAg-cm3=—-------——g-cm3)用慶，

-10333O

(axlO)axW2VA

D.CaF?晶體中Ca?+為面心立方最密堆積，F(xiàn)位于Ca?+圍成的正四面體的空隙中，Ca?+與F之

間的最近距離為立方晶胞體對角線長的L,D正確;

4

故選C。

12.答案：B

解析：由圖丙可知，S?-位于晶胞的頂角和面心，ZnS晶胞中含S?-的個(gè)數(shù)為8義：+6義:=4,

o2

A項(xiàng)正確。ZQ2+位于S2-形成的正四面體空隙中，與Zi?+距離最近且相等的S2一有4個(gè)，B項(xiàng)

錯(cuò)誤。距離最近的%一和Zn?+的核間距為晶胞體對角線長的則核間距的計(jì)算表達(dá)式為

乎dpm,C項(xiàng)正確。設(shè)晶體的密度為

nM4x(32+65)=4^x10-g.cm-

P，P=------------yg-cm

10D項(xiàng)正確。

而AFAX(JX10)

13.答案:C

解析：晶胞中Cu的個(gè)數(shù)為l+8x：+4x〈=4,Se在晶胞內(nèi)部，個(gè)數(shù)為8個(gè)，Ga或In的個(gè)數(shù)

o2

為6xg+4x；=4個(gè)。

A.根據(jù)分析，Cu：Ga(In)：Se=l:l:2,該晶體的化學(xué)式：CuInxGa1_xSe2,A正確；

B.由晶胞圖可知，C點(diǎn)Se原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)是B正確；

C.由中心的Cu原子可知，距離Cu原子最近且等距的Se原子有4個(gè)，C錯(cuò)誤；

D.若晶胞中Ga與In原子數(shù)相同，則晶胞中有4個(gè)Cu,2個(gè)Ga,2個(gè)In,8個(gè)Se,晶胞的質(zhì)

日生4x64+2x70+2x115+8x791258曰口人山工口生?*a曰/企…鼻二

量為------------------------g=g,晶胞的體積為a2cxl0-30cm3,則晶體密度為

NAS

-^-xlO3Og/cm3,D正確；

a

答案選C。

14.【答案】D

【解析】A.干冰晶體通過分子間作用力結(jié)合，屬于分子晶體，A正確；

B.由AB的連線投影圖可知，旋轉(zhuǎn)120。后，可與旋轉(zhuǎn)前重合，B正確；

C.以頂點(diǎn)的CO2分子為對象，分子周圍最近的CO?分子位于與之相鄰的3個(gè)面的面心，頂點(diǎn)的CO2分子

被8個(gè)晶胞共用，則CO?分子周圍有3x8xg=12個(gè)緊鄰CO?分子，C正確；

D.根據(jù)均攤法，C0