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文檔簡介
A
1stlevelpackaging第一級封裝
2ndlevelpackaging第二級封裝
aberration象差/色差
absorption吸收
accelerationcoIumn加速管
acceptor受主
AccumuIatev.積聚,堆積
acid酸
acousticstreaming聲學(xué)流
activeregion有源區(qū)
activate激活
activateddopant激活雜質(zhì)
activecomponent有源器件
adsorption吸附
aerosol懸浮顆粒
airionizer空氣電離化器
aIignmentmark對準(zhǔn)標(biāo)記
aIignment對準(zhǔn)
alloy合金
alternateadj.交替的,輪流的,預(yù)備的v.交替,
輪流,改變
aluminum鋁
aluminumsubtractiveprocess鋁刻蝕工藝
ambient環(huán)境
ammonia(NH3)氨氣
ammonium刊uoride(NH4F)氟化氨
ammoniumhydroxide(NH40H)氫氧化氨
amorphous非晶的,無定型
analog模擬信號
angstrom埃
anion陰離子
anisotropicetchprofiIe各向異性刻蝕剖面
anneal
antimony(sb)鋪
antireIectivecoating(ARC)抗反射涂層
APCVD常壓化學(xué)氣向淀積
applicationspecificIC(ASIC)專用集成電路
aqueoussolution水溶液
areaarray面陣列
argon(Ar)n.[化]氯
arsenic(As)確
arsine(AsH3)碑化氫,神烷
ashing灰化,去膠
aspectratio深寬比,高寬比
aspectratiodependentetching(ARDE)與刻蝕相關(guān)
的深寬比
asphyxiant窒息劑
assaynumber檢定數(shù)
atmosphericadj.大氣的
atmosphericpressure大氣壓
atmosphericpressureCVD(APCVD)常壓化學(xué)氣向淀積
atomicforcemicroscopy(AFM)原子力顯微鏡
atomicnumber原子序數(shù)
attemptn.努力,嘗試,企圖vt.嘗試,企圖
augerelectronspectroscopy(AES)俄歇電子能譜儀
autodoping自摻雜
automaticdefectcIassification(ADC)缺陷自動(dòng)分
類
B
back-endofIine(BEOL)(生產(chǎn)線)后端工序
backgrind減薄
backingfiIm背膜
bafflevt.困惑,阻礙,為難(擋片)
baffleassemblyn.集合,裝配,集會,集結(jié),
匯編(擋片塊)
ba11gridarray(BGA)球柵陣列
baIIroomIayout舞廳式布局,超凈間的布局
barrelreactor同桶型反應(yīng)室
barriermetal阻擋層金屬
barriervoItage勢壘電壓
base基極,基區(qū)
batch批
bayandchaseIayout生產(chǎn)區(qū)和技術(shù)夾層區(qū)
beambIow-up離子束膨脹
beamcurrent束流
beamdeceIeration束流減速
beamenergy離子束能量
beol(生產(chǎn)線)后端工序
bestfocus最佳聚焦
BGA球柵陣列
Biasing電壓拉偏
BlCMOS雙極CMOS
bincodenumber分類代碼號
binmap分類圖
bipolarjunctiontransistor(BJT)雙極晶體管
bipolartechnology雙極技術(shù)(工藝)
bird'sbeakeffect鳥嘴效應(yīng)
bIanketdeposition均厚淀積
blower增壓泵
boat舟
BOE氧化層刻蝕緩沖劑Bonvoyage[法]再見,一路
順風(fēng)[平安]
bondingpads壓點(diǎn)
bondingwire焊線,引線
boron(B)硼
borontrichloride(BCL3)三氯化硼
borontrifluoride(BF3)三氟化硼
borophosphosiIicateglass(BPSG)硼磷硅玻璃
borosiIicateglass(BSG)硼硅玻璃
bottomantireflectivecoating(BARC)下減反射涂
層
boule單晶錠
bracketn.墻上凸出的托架,括弧,支架v.括在
一起
breakthroughstep突破步驟,起始的干法刻蝕步驟
brightfielddetection亮場檢查
brushscrubbing涮洗
bubbler帶鼓泡槽
bufferedoxideetch(BOE)氧化層腐蝕緩沖液
bulkchemicaldistribution批量化學(xué)材料配送
buIkgases大批氣體
buIkheadequipmentIayout穿壁式設(shè)備布局
bumpedchip凸點(diǎn)式芯片
buriedlayer埋層
burn-box燃燒室(或盒)
burn-in老化
C
CA化學(xué)放大(膠)
cantilevern.[建]懸臂
cantileverpaddle懸臂槳
capoxide掩蔽氧化層
capacitance電容
capacitance-voItagetest(C-Vtest)電容-電壓測
試
capacitivecoupIedpIasma電容偶合等離子體
capacitor電容器
carbontetrafIuoride(CF4)四氟化碳
caro5sacid3號液
carrier載流子
carrier-depletionregion載流子耗盡層
carriergas攜帶氣體
cassette(承)片架
cation陽離子
caustic腐蝕性的
cavitation超聲波能
CD關(guān)鍵尺寸
CD-SEM線寬掃描電鏡
Celsiusadj.卡
centeroffocus(COF)焦點(diǎn)焦平面
centerslow中心慢速
centralprocessingunit(CPU)中央處理器
ceramicsubstrate陶瓷封裝
CERDIP陶瓷雙列直插封裝
ChanneI溝道
channeIIength溝道長度
channeIing溝道效應(yīng)
chargecarrier載流子
chase技術(shù)夾層
cheIatingagent螯合劑
chemicaIampIification(CA)化學(xué)放大膠
chemicaletchmechanism化學(xué)刻蝕機(jī)理
chemicalmechanicaIpIanarization(CMP)化學(xué)機(jī)械
平坦化
chemicalsoIution化學(xué)溶液
chemicalvapordeposition(CVD)化學(xué)氣相淀積
chip芯片
chiponboard(COB)板上芯片
chipscalepackage(CSP)芯片尺寸封裝
circuitgeometries電路幾何尺寸
classnumber凈化級別
cleanroom凈化間
cleanroomprotocol凈化間操作規(guī)程
Clearfieldmask亮場掩膜板
Clustertool多腔集成設(shè)備
CMOS互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體
CMP化學(xué)機(jī)械平坦化
Coater/deveIopertrack涂膠/顯影軌道
CobaItsiIicide鉆硅化合物
coefficientn.[數(shù)]系數(shù)
Coefficientofthermalexpansion(GTE)熱漲系數(shù)
Coherenceprobemicroscope相干探測顯微鏡
CoherentIight相干光
coiIv.盤繞,卷
ColdwalI冷壁
Collector集電極
CollimatedIight平行光
Collimatedsputtering準(zhǔn)直濺射
Compensatev.償還,補(bǔ)償,付報(bào)酬
Compoundsemiconductor化合物半導(dǎo)體
Concentration濃度
Condensation濃縮
Conductor導(dǎo)體
constantlyadv.不變地,經(jīng)常地,堅(jiān)持不懈地
ConfocaImicroscope共聚焦顯微鏡
ConformaIstepcoverage共型臺階覆蓋
Contact接觸(孔)
ContactaIignment接觸式對準(zhǔn)(光刻)
Contactanglemeter接觸角度儀
Contamination沾污、污染
contiboat連柱舟
conticaster[冶]連鑄機(jī)
ContinuousspraydeveIop連續(xù)噴霧顯影
Contourmaps包絡(luò)圖、等位圖、等值圖
Contrast對比度、反差
contributionn.捐獻(xiàn),貢獻(xiàn),投稿
Conventiona1-1inephotoresist常規(guī)I線光刻膠
Cook'stheory庫克理論
CopperCVD銅CVD
Copperinterconnect銅互連
Costofownership(COO)業(yè)主總成本
CovaIentbond共價(jià)鍵
Criticaldimension關(guān)鍵尺寸
CryogenicaerosolcIeaning冷凝浮質(zhì)清洗
Cryogenicpump(cryopump)冷凝泵
Crystal晶體
CrystaIactivation晶體激活
CrystaIdefect晶體缺陷
Crystalgrowth晶體生長
CrystaIlattice晶格
Crystalorientation晶向
GTE熱漲系數(shù)
Current-drivencurrentampIifier電流驅(qū)動(dòng)電流放
大器
CVD化學(xué)氣相淀積
Cycletime周期
CZcrystalpulIerCZ拉單晶設(shè)備
Czochralski(CZ)method切克勞斯基法
D
damascene大馬士革工藝
darkfileddetection暗場檢測
darkfiledmask暗場掩膜版
DCbias直流偏壓
decomposev.分解,(使)腐爛
deepUV(DUV)深紫外光
defau11n.默認(rèn)(值),缺省(值),食言,不履行責(zé)任,
[律]缺席v.疏怠職責(zé),缺席,拖欠,默認(rèn)
defectsdensity缺陷密度
defect缺陷
deglaze漂氧化層
degreeofplanarity(DP)平整度
dehydrationbake去濕烘培,脫水烘培
density密度
deplentionmode耗盡型
degreeoffocus焦深
depositn.堆積物,沉淀物,存款,押金,保證金,存
放物vt.存放,堆積vi.沉淀
deposition淀積
depositedoxidelayer淀積氧化層
depthoffocus焦深
descum掃底膜
designfortest(DFT)可測試設(shè)計(jì)
desorption解吸附作用
developinspect顯影檢查
deveIopment顯影
developer顯影液
deviationn.背離
deviceisolation器件隔離
devicetechnoIogy器件工藝
DIwater去離子水
Diametern.直徑
diametergrinding磨邊
diborane(B2H6)乙硼烷
dichIorosiIane(H2SiCL2)二氯甲硅烷
die芯片
diearray芯片陣列
dieattach粘片
die-by-dieaIignment逐個(gè)芯片對準(zhǔn)
dielectric介質(zhì)
dielectricconstant介電常數(shù)
diematrix芯片陣列
dieseparation分片
diffraction衍射
diffraction-1imitedoptics限制衍射鏡片
diffusion擴(kuò)散
diffusioncontroIled受控?cái)U(kuò)散
digital/analog數(shù)字/模擬
digitalcircuit
diluent
directchipattach(DCA)
directionality
discrete
dishing
disiocation
dissolutionrate
dissolutionratemonitor(DRM)溶解率監(jiān)測
DNQ-novolak重氮奈醍一酚醛樹脂
Donor施主
dopantprofiIe摻雜刨面)
dopedregion摻雜區(qū)
doping摻雜
dosemonitor劑量檢測儀
dose,Q劑量
downstreamreactor順流法反應(yīng)
drain漏
drive-in推進(jìn)
dryetch干法刻蝕
drymechanicaIpump干式機(jī)械泵
dryoxidation干法氧化
dummyn.啞巴,傀儡,假人,假貨adj.虛擬的,
假的,虛構(gòu)的n.[計(jì)]啞元
dynamicadj.動(dòng)力的,動(dòng)力學(xué)的,動(dòng)態(tài)的
economiesofscale規(guī)模經(jīng)濟(jì)
edgebeadremoval邊緣去膠
edgedie邊緣芯片
edgeexclusion無效邊緣區(qū)域
eectricallyerasablePROM電可擦除EPROM
eectrode電極
eectromigration電遷徙
eectronbeamIithography電子束光刻
eectroneyeIotronresonance電子共振回旋加速器
eectronshower電子簇射,電子噴淋
eectronstopping電子阻止
eectronicwafermap硅片上電性能分布圖
eectroplating電鍍
eectropoIishing電解拋光
eectrostaticchuck靜電吸盤
eectrostaticdischarge(ESD)靜電放電
eIipsometry橢圓偏振儀,橢偏儀
emitter發(fā)射極
endpointdetection終點(diǎn)檢測
engineeringn.工程(學(xué))
eIectrostaticdischarge(EDX)能量彌散譜儀
enhancementmode增強(qiáng)型
epi外延
epitaxiallayer外延層
epoxyunderfi11環(huán)氧樹脂填充不足
erasablePROM可擦除可編程只讀存儲器
erosion腐蝕,浸蝕
estabIishvt.建立,設(shè)立,安置,使定居,使人民
接受,確定v.建立
etch刻蝕
etchbias刻蝕漲縮量
etchprofiIe刻蝕刨
etchrate刻蝕速率
etchresidue刻蝕殘?jiān)?/p>
etchuniformity刻蝕均勻性
etchant刻蝕劑
etchbackplanarization返刻平坦化
eutecticattach共晶焊接
eutectictemperature共晶溫度
evaporation蒸發(fā)
evenadj.平的,平滑的,偶數(shù)的,一致的,平靜的,
恰好的,平均的,連貫的adv.[加強(qiáng)語氣]甚至C..
也),連??.都,即使,恰好,正當(dāng)vt.使平坦,使相
等vi.變平,相等n.偶數(shù),偶校驗(yàn)
exceedvt,超越,勝過vi.超過其他
excimerlaser準(zhǔn)分之激光
exposaIn.曝光,顯露
exposure曝光
exposuredose曝光量
PS
extremeUV極紫外線
extrinsicsiIicon摻雜硅
F
Fables無制造廠公司
fabrication制造
faciIities設(shè)施
factorn.因素,要素,因數(shù),代理人
fastrampfurnaces快速升降溫爐
faultmodel失效模式
FCCdiamond面心立方金剛石
featuresize特征尺寸
FEOL前工序
Fick'slawsFICK定律
field-effecttransistor場效應(yīng)晶體管
fieldoxide場氧化
fieId-by-fieIdaIignment逐場對準(zhǔn)
field-programmabIePROM現(xiàn)場可編程只讀存儲器
film膜
fiImstress膜應(yīng)力
finalassembIyandpackaging最終裝配和封裝
finaltest終測
firstinterIayerdielectric(ILD-1)第一層層間介質(zhì)
fixedoxidecharge臼定氧化物電荷
flats定位邊
flipchip倒裝芯片
floatzone區(qū)熔法
fluorosiIicateglass(FSG)氟化玻璃
focaIIength焦距
focaIplane焦平
focaIpoint焦點(diǎn)
focus聚焦
focusionbeam(FIB)聚焦離子束
footprint占地面積
formulan.公式,規(guī)則,客套語
forwardbias正偏壓
four-pointprobeUi探針
frenkeldefectFrenkel缺陷
front-openingunifiedpod(FOUP)前開口盒
functionaItest功能測試
furnaceflatzone恒溫區(qū)
G
g-1ineG線
gallium(Ga)錢
galliumarsenide(GaAs)神化密
gapfill間隙填充
gas氣體
gascabinet氣柜
gasmanifoId氣瓶集裝
gasphasenucleation氣相成核
gaspurge氣體沖洗
gasthroughput氣體產(chǎn)量
gate柵
gateoxide柵氧化硅
gateoxideintegrity柵氧完整性
germanium(Ge)錯(cuò)
getter俘獲
glass玻璃
glazing光滑表面
gIobaIalignment全局對準(zhǔn)
gIobaIplanarization全局平坦化
glowdischarge起輝放電
grayarea灰區(qū),技術(shù)夾層
grossdefect層錯(cuò)
groven.小樹林
grownoxidelayer熱氧化生長氧化層
H
HaIogen鹵素
hardbake堅(jiān)膜
hardwaren.五金器具,(電腦的)硬件,(電子儀器的)
部件
HEPAfilter高效過濾器
hermeticseaIing密生寸
heteroepitaxy異質(zhì)外延
heterogeneousreaction異質(zhì)反應(yīng)
hexamethyIdisiIazane(HMDS)六甲基二硅氨烷
high-densitypIasma(HDPCVD)高密度等離子體化學(xué)氣
相淀積
high-densitypIasmaetch高密度等離子刻蝕
high-pressureoxidation高壓氧化
high-temperaturediffusionfurnace高溫?cái)U(kuò)散爐
highvacuum高真空
highvacuumpumps高真空泵
hillock小丘(鋁)尖刺
homoepitaxy同質(zhì)外延
homogeneousreaction同質(zhì)反應(yīng)
horizontaladj.地平線的,水平的
horizontalfurnace臥式爐
hotelectron熱電子
hotwaII熱壁
hydrochloricacid(HCL)鹽酸
hydrofluoricacid(HF)氫氟酸
hydrogen(H2)氫氣
hydrogenchloride(HCL)氯化氫
hydrogenperoxide(H202)雙氧水
hydeophiIic親水性
hydrophobic憎水性,疏水性
hyperfiItration超過濾
i-lineI線
ICpackaging集成電路封裝
ICreliability集成電路可靠性
Iddqtesting靜態(tài)漏電流測試
imageresolution圖象清晰度圖象分解力
implantv.灌輸(注入)
impurity雜質(zhì)
incrementn.增加,增量
initialadj.最初的,詞首的,初始的n.詞首大
寫字母
insitumeasurements在線測量
indexofrefraction折射率
indium錮
inductivelycoupledpIasma(ICP)電感耦合等離子體
inertgas惰性氣體
infraredinterference紅外干涉
ingot錠
inkmark墨水標(biāo)識
in-lineparametrictest在線參數(shù)測試
input/output(I/0)pin輸入/輸出管腳
instituten.學(xué)會,學(xué)院,協(xié)會vt.創(chuàng)立,開始,
制定,開始(調(diào)查),提起(訴訟)
insulator絕緣體
integratevt.使成整體,使一體化,求???的積分v.
結(jié)合
integratedcircuit(IC)集成電路
integratedmeasurementtool集成電路測量儀
intervaln.間隔,距離,幕間休息n.時(shí)間間隔
interconnect互連
interconnectdelay互連連線延遲
interface-trappedcharge界面陷阱電荷
interferometer干涉儀
interlayerdielectric(ILD)層間介質(zhì)
interstitial間隙(原子)
intrinsicsiIicon本征硅
invokev.調(diào)用
ion離子
ionanalyzer離子分析儀
ionbeammillingorionbeametching(IBE)離子銃
或離子束刻蝕
ionimplantation離子注入
ionimplantationdamage離子注入損傷
ionimplantationdoping離子注入摻雜
ionimplanter離子注入機(jī)
ionprojectionIithography(IPL)離子投影機(jī)
ionization離子化
ionizedmetalpIasmaPVD離子化金屬等離子PVD
IPAvapordry異丙醇?xì)庀喔稍?/p>
isolationregions隔離區(qū)
isotropicetchprofiIe各向同性刻蝕刨面
J
JEFT結(jié)型場效應(yīng)管
junction(pn)PN結(jié)
junctiondepth結(jié)深
junctionspiking結(jié)尖刺
K
Kelvin絕對溫度
killerdefect致命缺陷
kineticaIIycontrolledreaction功能控制效應(yīng)
laminarairflow層狀空氣流,層流式
lapping拋光
latchup閂鎖效應(yīng)
lateraldiffusion橫向擴(kuò)散
lawofreflection反射定律
LDD輕摻雜漏
Leadframe引線框架
leakagecuttent漏電流
len透鏡
lenscompaction透鏡收縮
light光
Iightintensity光強(qiáng)
Iightscattering光散射
IightIydopeddrain(LDD)輕摻雜漏
Iinear線性
Iinearaccelerator線性加速器
Iinearstage線寬階段,線性區(qū)
Iinewidth線寬
liquid液體
Iithography光刻
Ioadedbrush沾污的毛刷
Ioadedeffect負(fù)載效應(yīng)
IoadIock真空鎖
localinterconnect(LI)局部互連
IocaIpIanarization局部平坦化
localoxidationofsiIicon(LOCOS)硅局部氧化隔離
法
logic邏輯
Iot批
low-pressurechemicalvapordeposition(LPCVD)低
壓化學(xué)氣相淀積
LSI大規(guī)模集成電路
M
magneticCZ(MCZ)磁性切克勞斯基晶體生長法
magnetica11yenhancedRIE(MERIE)磁增強(qiáng)反應(yīng)離子刻
蝕
magnetronsputtering磁控濺射
Magnificationn.擴(kuò)大,放大倍率
magnificentadj.華麗的,高尚的,宏偉的
majoritycarrier多子
make-upIoop補(bǔ)償循環(huán)
mask掩膜版n.面具,掩飾,石膏面像vt.戴面具,
掩飾,使模糊vi.化裝,戴面具,掩飾,參加化裝舞
會
mask-programmabIegatearray掩膜可編程門陣列
massflowcontrolIer(MFC)質(zhì)量流量計(jì)
massspectrometer質(zhì)譜儀
mass-transportIimitedreaction質(zhì)量傳輸限制效應(yīng)
mathematicaIadj.數(shù)學(xué)的,精確的
meanfreepath(MFP)平均自由程
mediumvacuum中真空
megasoniccIeaning超聲清洗
melt熔融
membranecontactor薄膜接觸器,隔膜接觸器
membranefilter薄膜過濾器,隔膜過濾器
merchantn.商人,批發(fā)商,貿(mào)易商,店主adj.
商業(yè)的,商人的
mercuryarclamp汞燈
MESFET用在神化錢結(jié)型場效應(yīng)晶體管中的金屬柵
metalcontact金屬接觸孔
metaIimpurities金屬雜質(zhì)
metalstack復(fù)合金屬,金屬堆疊
metaIIization金屬化
metalorganicCVD金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積
metrology度量衡學(xué)
microchip微芯片
microdefect微缺陷
microlithography微光刻
microloading微負(fù)載,與刻蝕相關(guān)的深寬比
micron長米
microprocessorn.[計(jì)]微處理器
microprocessorunit微處理器
microroughness微粗糙度
Millerindices密勒指數(shù)
minienvironment微環(huán)境
minimumgeometry最小尺寸
minoritycarrier少子
mixandmatch混合與匹配
mobiIeioniccontaminants(MIC)可動(dòng)離子沾污
mobiIeoxidecharge可動(dòng)氧化層電荷
modulen.模數(shù),模塊,登月艙,指令艙
modifyvt.更改修改v.修改
molecularbeamepitaxy(MBE)分子束外延
molecularflow分子流
monitorwafer(testwafer)陪片,測試片,樣片
monocrystal單晶
monoIithicdevice單片器件
Moore1slaw摩爾定律
MOS金屬氧化物半導(dǎo)體
MOSFET金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管
motorcurreantendpoint電機(jī)電流終點(diǎn)檢測(法)
MSI中規(guī)模集成電路
Multipliern.增加者,繁殖者,乘數(shù),增效器,乘法
器
multichipmoduIe(MCM)多芯片模式
multileneImeta11ization多重金屬化
Murphy'smodel墨菲模型
N
nanometer(nm)納米
nativeoxide自然氧化層
n-channeIMOSFETn溝道MOSFET
negatineresist負(fù)性光刻膠
negativen.否定,負(fù)數(shù),底片adj.否定的,消
極的,負(fù)的,陰性的vt.否定,拒絕(接受)
negatineresistdeveIopment負(fù)性光刻膠顯影
neutralbeamtrap中性束陷阱
next-generationIithogi^phy下一代光刻技術(shù)
nitricacid(HN03)硝酸
nitrogen(N2)氮?dú)?/p>
nitrogentrifluoride(NF3)三氟化氮
nitrousoxide(N20)一氧化二氮、笑氣
nMOSn溝道MOS場效應(yīng)晶體管
noncriticallayer非關(guān)鍵層
nonvoIatiIememory非揮發(fā)性存儲器
normality歸一化
notch定位槽
novolak苯酚甲醛聚樹脂材料
npnnpn型(三極管)
n-typesiIiconn型硅
nuclearstopping離子終止
nucleation成核現(xiàn)象,晶核形成
nucIeicoaIescence核合并
numericalaperture(NA)數(shù)值孔徑
n-weIIn阱
0
objective(顯微鏡的)物鏡
off-axisiIlumination(OAI)偏軸式曝光,離軸式曝
光
ohmiccontact歐姆接觸
opa叩運(yùn)算放大器
opticaIinterferometryendpoint光學(xué)干涉法終點(diǎn)檢
測
opticaIIithography光學(xué)光刻
opticaImicroscope(Iightmicroscope)光學(xué)顯微鏡
opticaIproximitycorrection(OPC)光學(xué)臨近修正
opticaIpyrometer光學(xué)高溫計(jì)
optics光學(xué)
organiccompound有機(jī)化合物
out-diffusion反擴(kuò)散
outgassing除氣作用
overdrive過壓力
overetchstep過刻蝕
overflowrinser溢流清洗
overlayaccuracy套準(zhǔn)精度
overlaybudget套準(zhǔn)偏差
overlayregistration套刻對準(zhǔn)
oxidation氧化
oxidation-inducedstackingfauIts(01SF)氧化誘生
層積缺陷,氧化誘生堆垛層錯(cuò)
oxide氧化物、氧化層、氧化膜
oxidezer氧化劑
oxide-trappedcharge氧化層陷阱電荷
ozone(03)臭氧
P
package封裝管殼
padconditioning墊修整
padoxide墊氧化膜
paddIe懸臂n.短槳,劃槳,明輪翼vi.劃槳,
戲水,涉水vt.用槳?jiǎng)?,攪,?/p>
parabolicstage拋物線階段
para11eI-pIate(planar)reactor平板反應(yīng)
paraIleitesting并行測試
parameter參數(shù)
parametrictest參數(shù)測試
parasitic寄生
parasiticcapacitance寄生電容
parasiticresistance寄生電阻
parasitictransistor寄生電阻器
partialpressure分壓
particledensity顆粒密度
particleperwaferperpass(PWP)每步每片上的顆
粒數(shù)
passivation鈍化
passivationlayer鈍化層
passivecomponents無源元件
patternsensitivity圖形靈敏性
patternedetching形刻蝕
patternwafer帶圖形硅片
patterning圖形轉(zhuǎn)移,圖形成型,刻印
pcboard印刷電路版
p-channeIMOSFETp溝道MOSFET
PCM工藝控制監(jiān)測
PEB曝光后烘焙
PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積
PEL允許曝露極限值
pellicle貼膜
pentavaIent五價(jià)元素
performvt.履行,執(zhí)行,表演,演出v.完成任
務(wù)
performingadj.表演的,履行的
perimetearray周邊陣列式(封裝)
pHseaIepH值
phase-shiftmask(PSM)相移掩膜技術(shù)
phosphine(PH3)磷化氫
phosphoricacid(H3P04)磷酸
phosphorus(P)磷
phosphorusoxychIoride(P0CL3)三氯氧磷
phosphosiIicategIass(PSG)磷硅玻璃
photoacidgenerator(PAG)光酸產(chǎn)生劑
photoacoustics光聲的
photoactivecompound(PAC)感光化合物
photographyn.攝影,攝影術(shù)光刻
photoIithography光刻(技術(shù))
photomask光掩膜
photoresist光刻膠
photoresiststripping去膠、光刻膠去除
physicaletchmechanism物理刻蝕機(jī)理
physicalvapordeposition(PVD)物理氣相淀積
pigtail引出頭
pingridarray(PGA)針柵陣列式(封裝)
pinhoIe針孔
piranha3號液
pitch間距
planar平面
planarcapacitor平面電容
planarprocess平面工藝
planarization平坦化
PIasma等離子體n.[解]血漿,乳漿,[物]等離子體,
等離子區(qū)
pIasma-baseddrycleaning等離子體干法清洗
pIasmaelectronflood等離子電子流
plasmaenhancedCVD(PECVD)等離子體增強(qiáng)CVD
pIasmaetch等離子體刻蝕
pIasma-induceddamage等離子體誘導(dǎo)損傷
pIasmapotentiaIdistribution等離子體勢分布
pIasticduaIin-1inepackage(DIP)雙列直插塑料封
裝
pIasticIeadedchipcarrier(PLCC)塑料電極芯片載
體
plasticpackaging塑料封裝
plug塞,填充vt,堵,塞,插上,插栓n塞子,插
頭,插銷
pMOS(p-channeI)p溝道MOS
pnjunctiondiodepn結(jié)型二極管
pnppnp型三極管
pointdefect點(diǎn)缺陷
Poisson'smodel泊松模型
polarization極化,偏振
polarizedIight極化光,偏振光
polish拋光
polishrate拋光速率
polishedwaferedge(edgegrind)倒角
polishingIoop磨拋循環(huán)
polishingpad拋光(襯)墊
polycide多晶硅化物
polycrystal多晶
polymern.聚合體
polymerformation聚合物方程式
poIymerization聚合作用
poIysiIicon多晶硅
poIysiIicongate多晶硅柵
portionn.一部分,一分
positiveIithography正性光刻
positiveresist正性光刻膠
positiveresistdeveIopment正性光刻膠顯影
post-deveIopinspection顯影后檢查
post-exposurebake(PEB)曝光后烘焙
ppb十億分之幾
ppm百萬分之幾
ppt萬億分之幾
preamorphization預(yù)非晶化
precursor先驅(qū)物
predeposition預(yù)淀積
premetaldielectric(PMD)金屬前介質(zhì)
prestonequationPreston方程
primaryorientationflat主定位邊
printbias光刻漲縮量
printedcircuitboade(PCB)印刷電路板
probe探針
probecard探針卡
prober探針臺
process工藝
processchamber工藝腔,工藝反應(yīng)室
processchemicaI工藝化學(xué)
processcontrolmonitor(PCM)工藝控制監(jiān)測(圖形)
processlatitude工藝水平,工藝能力
processrecipe工藝菜單
programmablearraylogic(PLA)可編程陣列邏輯
programmablelogicdevice可編程邏輯器件
programmableread-onlymemory可編程只讀存儲器
projectedrange投影射程
promptn.提示,付款期限vt.提示,鼓動(dòng),促使,
(給演員)提白adj.敏捷的,迅速的,即時(shí)的adv.
準(zhǔn)時(shí)地n.DOS命令:改變DOS系統(tǒng)提示符的風(fēng)格
proportionn.比例,均衡,面積,部分vt.使成
比例,使均衡,分?jǐn)?/p>
proportionaladj.比例的,成比例的,相稱的,均
衡的
proportionalband比例區(qū),比例帶,比例尺范
proximityaligner接近式光刻機(jī)
p-typesiIiconP型硅
puddledeveIop攪拌式顯影
pumpspeed抽氣速率
punchthrough穿通
purge(沖氣)清洗
purgecycle(沖氣抽氣)清洗循環(huán)
PVD物理氣相淀積
p-weIIP阱
pyrogenicsteam熱流
pyrogen熱原(質(zhì))
pyrolytic熱解
pyrophoric自燃的
quadfIatpack(QFP)方型管殼封裝
quadrupolemassanalyzer(QMA)Ui極質(zhì)量分析儀
quaIitymeasure質(zhì)量測量
quarz石英
quarztube石英管
quarzwaferboat石英舟
queuetime排隊(duì)時(shí)間
R
radiationdamage輻射損傷
radical激發(fā)
randomaccessmemory(RAM)隨機(jī)存儲器
range射程
rapidthremalanneal(RTA)快速熱il
rapidthermalprocessor(RTP)快速熱處理
RCAcleanRCA清洗
reactionrateIimited反應(yīng)速率限制
reactiveionetch(RIE)反應(yīng)離子刻蝕
reactivity反應(yīng)性
reactor反應(yīng)室,反應(yīng)腔
read-onlymemory(ROM)只讀存儲器
recombination復(fù)合
redistribution再分布
reflectionspectroscopy反射光譜儀
reflectivenotching反射開槽
reflow回流
refraction折射
refractorymetal難融金屬
regeneration再生
regeneration套準(zhǔn)精度
relativeindexofrefraction,n
removaIn.移動(dòng),免職,切除
repeatn.重復(fù),反復(fù)vt.重做,復(fù)述,向他人轉(zhuǎn)
述,復(fù)制,使再現(xiàn)vi.留有味道
representationn.表示法,表現(xiàn),陳述,請求,扮
演,畫像,繼承,代表
resetv.重新安排
residualgasanalyzer(RGA)殘余氣體分析器
resist光刻膠
resistdeveIopment光刻膠顯影
resistance電阻
resistivity電阻率
resolution分辨率
reticle掩膜版
retrogradewe11倒摻雜阱
reversebias反偏
reverseosmosis(RO)反向滲透
RF射頻
RFsputtering射頻濺射
rinsev.嗽口,(用清水)刷,沖洗掉,漂凈n.清
洗嗽洗,漂洗,漂清,沖洗
R0反向滲透
Rootsblower羅茨(機(jī)械增壓)泵
roughingpump低真空泵,機(jī)械泵
RTA快速熱i
RTP快速熱處理
S
satisfyvt,滿足,使?jié)M意,說服,使相信v.滿
意,確保
Scaling按比例縮小
SCALPEL具有角度限制分散投影電子束光刻
Scanner掃描儀
scanningelectronmicroscope(SEM)掃描電子顯微鏡
scanningprojectionaligner掃描投影光亥U機(jī)
schottkydiode肖特基二極管
screenoxidelayer掩蔽氧化層
scribeIine劃片道
scribeIinemonitor(SLM)劃片線監(jiān)測
scumming底膜
secondaryelectron二次電子
secondaryelectronflood二次電子流
secondaryionmassspectrometry(SIMS)二次離子質(zhì)
譜(法)
seed'smodelSEED模型
seIectiveetching選擇性刻蝕
seIectiveoxidation選擇性氧化
selectivity選擇性
semiconductorgradesiIicon半導(dǎo)體極硅
semiconductor半導(dǎo)體
sensitivity靈敏度
shaIIowtrenchisolation(STI)淺溝槽隔離
sheetresistance,RS方塊電阻
sheetresistivity,ps方塊電阻率
shotsize膠(點(diǎn))尺寸
shrinking縮小
SIunits公制
Sidewa11spacer側(cè)墻
Silane(siH4)硅烷
Silicide硅化合物
siIicon硅
siIicondioxide(S102)二氧化硅
siIiconnitride(SI3N4)氮化硅
siIicononsapphire藍(lán)寶石傷硅
siIicononinsulator(SOI)絕緣體上硅
siIicontetrachloride(SIC4)碳化硅
siIicontetrafluoride(SIF4)四氟化硅
siIicontetrachIoride(SICL4)U!氯化硅
singlecrystalsiIicon單晶硅
siIyIation硅烷化(作用)
SIMOX由注入氧隔離,一種SOI材料
singlecrystal單晶
slip滑移
slurry磨料
SMIF標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口
Sodiumhydroxide(NaOH)氫氧化鈉
softbake前烘
solid體
soIvent溶劑
SOS藍(lán)寶石上硅
Source源
sourcedrainimplants源漏注入
spacern.取間隔的裝置,逆電流器
spatialcoherence空間相干
spatiaIsignatureanalysis空間信號分析
specialtygase特種氣體
species種類
specificgravity比重
specificheat比熱
speckle斑點(diǎn)
spectroscipicelIipsometry橢圓偏振儀
spincoating光刻膠旋涂
spindryer旋轉(zhuǎn)式甩干桶
spin-on-dieIectric(SOD)旋轉(zhuǎn)介質(zhì)法
spin-on-glass(SOG)旋轉(zhuǎn)玻璃法
spraycIeaning噴霧清洗
sprayrinser噴霧清洗槽
spreadingresistanceprobe擴(kuò)散電阻探測
sputtern.噴濺聲,劈啪聲,急語,咕噥vi.唾
41cl士
沫飛濺,友劈麗丹,急忙地講Vt.噴出,飛濺出,氣
急敗壞地說
sputtering濺射
sputteretch濺射刻蝕
sputteredaluminum濺射鋁
sputteringyield濺射產(chǎn)額
SSI小規(guī)模集成電路
stackingfault層積缺陷,堆垛層錯(cuò)
standardclean1(SC-1)1號清洗液
standardclean2(SC-2)2號清洗液
standardmechanicaIinterface(SMIF)機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)接口
standingwave駐波
staticRAM靜態(tài)存儲器
statisticaIprocesscontrol(SPC)統(tǒng)計(jì)過程控制
stepcoverage臺階覆蓋
stepheight臺階高度
step-and-repeataligner分步重復(fù)光刻機(jī)
step-and-scansystem步進(jìn)掃描光亥lj機(jī)
stepper步進(jìn)光刻機(jī)
steppingmotordriver步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路
stepper步進(jìn)光刻機(jī)
stoichiometry化學(xué)計(jì)量(配比)
staggIe投射標(biāo)準(zhǔn)偏差
stress應(yīng)力
striation條紋
stripvt.錄lj,剝?nèi).條帶
stripping去膠
structure結(jié)構(gòu)
subatmosphericCVD亞大氣壓化學(xué)氣相淀積
submicron亞微米
sub-quartermicron亞0?25微米
substrate襯底
subIimation升華
substitutionalatom替位原子
subtractv.(?from)減去,減
subwaverlengthIithography亞波長光刻
sulfurhexafluoride(SF6)六氟化硫
sulfuricacid(H2S04)硫酸
surfaceprofiIer表面形貌
surfacetension表面張力
susceptor基座
T
targetchamber靶室
target靶
temperatureramprate溫度斜率
temperature溫度
TEOS正硅酸乙脂
testalgorithm測試算法
testcoverage測試覆蓋
teststructure測試結(jié)構(gòu)
testvector測試向量
thermaIbudget熱預(yù)算
thermaloxide熱氧化
thermocompressionbonding熱壓鍵合
thermocouple熱電偶
thermogravimetricanalysis(TGA)熱重量分析
thermosonicbonding熱超聲鍵合
thinfiIm薄膜
thinsmalIoutIinepackage(TSOP)薄小型封裝
IIHVcompound三/五族化合物
thoroughadj.十分的,徹底的
Threshold域值
thresholdvoitage域值電壓
thresholdvoItageadjustmentimplant調(diào)柵注入,域
值調(diào)整注入
throughput產(chǎn)量
tilt[tilt]v.(使)傾斜,(使)翹起,以言詞或文
字抨擊
timeofflightSIMS(TOF-SIMS)飛行時(shí)間二次離子質(zhì)
譜
titaniumsiIicide鈦硅化合物
TLV極限域值
topsurfaceimaging上表面圖形
topography形貌
torr托
toxic有毒
tracksystem(aIsotrack)軌道系統(tǒng)
transientenhanceddiffusion(TED)瞬時(shí)增強(qiáng)擴(kuò)散
transistor晶體管
trench槽
trenchcapacitor槽電容
trichIorosiIane(TCSorSiHCL3)三氯氫硅
triodeplanarreactor三真空管平面反應(yīng)室
tripleweII三阱
trivalent三價(jià)
tungsten(W)鴇
tungstenstchback鴇反刻
tungstenhexafIuoride(WF6)六氟化鴇
tungstenplug筲塞,鴇填充
turbomolecularpump(turbopump)渦輪分子泵
twinplanes(twinning)雙平面
twin-weII(twin-tub)雙阱
U
ULSI甚大規(guī)模集成電路
ultralowpenetrationair(ULPA)超低穿透空氣
ultrafiItration超過濾
ultrafineparticle超細(xì)顆粒
ultrahighpurity超高純度
ultrahighvacuum超高真空
ultrashaIlowjunction超淺結(jié)
ultrashaIlowjunction超聲鍵合(壓焊)
ultraviolet紫外線
undercut鉆蝕
uniformity均勻性
unitcelI元包,晶胞
unpatternedetching(spripping)無圖形刻蝕(剝離)
unpatternedwafer無圖形硅片
unplugv.拔去(塞子,插頭等),去掉..?的障礙物
UV紫外線
Vacancy空位
vacuum真空
vacuumwand真空吸片棒,真空鏡子
vanderpauwmethod范德堡法
vaporphaseepotaxy(VPE)氣相外延
vaporpressure氣壓
vaporprime氣相熏增粘劑,氣相成底膜
vaporization氣化
variablen,[數(shù)]變數(shù),可變物,變量adj.可變
的,不定的,易變的,[數(shù)]變量的
variabIeangIespectriscipicelIipsometry(VASE)可
變角度橢偏儀
variationn.變更,變化,變異,變種,[音]變奏,變
調(diào)
variousadj.不同的,各種各樣的,多方面的,多樣
的
verticalfurnace立式爐
via通孔
viscousflow粘滯流
VLSI超大規(guī)模集成電路
volatilememory揮發(fā)性存儲器
voIatiIe揮發(fā)
voltageregulator溫壓器
W
wafercassette硅片架
wafercharging硅片充電
waferelectricaltest(WET)硅片電學(xué)測試
waferetch硅片刻蝕
waferflatornotch硅片定位邊或定位凹槽
waferflatness硅片平整度
wafer-1eveIreIiabiIity(WLR)硅片可靠性
wafersiicing硅片劃片
wafersortyield硅片分選成品率
wafersort硅片分選
wafertest硅片測試
wafertilt硅片傾斜
wafertowafernon-uniformity(WTWNU)片間不均勻性
wafer-1eveIpackaging圓片級封裝
waferdeionization水去除離子
waveIengthdispersivespectrometer(WDX)波長彌散
譜儀
we11阱
WET硅片電學(xué)測試
wetcleaningstation濕法清洗臺
wetetch濕法刻蝕
wetoxidation濕法氧化
wetsink清洗槽
wirebonding引線鍵合
wiring連線
within-wafernonuniformity(WIWNU)片內(nèi)不均勻性
X
X-rayX射線
X-rayfIuorescence(XRF)X射線熒光性
X-rayIithographyX射線光刻
X-rayphotoelectronspectroscopy(XPS)X射線光
電能譜儀
Y
Yield成品率
Yieldmanagementsystem成品率管理系統(tǒng)
Z
ZetapotentiaIzeta電勢
zonen.地域,地帶,地區(qū),環(huán)帶,圈vt.環(huán)繞,使
分成地帶vi.分成區(qū)
1.acceptancetesting(WAT:waferacceptance
testing)
2.acceptor:受主,如B,摻入Si中需要接受電子
3.ACCESS:一個(gè)EDA(EngineeringDataAnalysis)系
統(tǒng)
4.Acid:酸
5.Activedevice:有源器件,如MOSFET(非線性,可
以對信號放大)
6.Alignmark(key):對位標(biāo)記
7.AlIoy:合金
8.AIuminum:鋁
9.Ammonia:氨水
10.Ammoniumfluoride:NH4F
11.Ammoniumhydroxide:NH40H
12.AmorphoussiIicon:a-Si,非晶硅(不是多晶硅)
13.Analog:模擬的
14.Angstrom:A(1E-10m)埃
15.Anisotropic:各向異性(如POLYETCH)
16.AQL(AcceptanceQuaIityLevel):接受質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),
在一定采樣下,可以95%置信度通過質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)(不同于可
靠性,可靠性要求一定時(shí)間后的失效率)
17.ARC(AntirefIectivecoating):抗反射層(用于
METAL等層的光刻)
18.Antimony(Sb)
19.Argon(Ar)氮
20.Arsenic(As)神
21.Arsenictrioxide(As203)三氧化二碑
22.Arsine(AsH3)
23.Asher:去膠機(jī)
24.Aspectration:形貌比(ETCH中的深度、寬度比)
25.Autodoping:自攙雜(外延時(shí)SUB的濃度高,導(dǎo)致
有雜質(zhì)蒸發(fā)到環(huán)境中后,又回?fù)降酵庋訉?
26.Backend:后段(CONTACT以后、PCM測試前)
27.Baseline:標(biāo)準(zhǔn)流程
28.Benchmark:基準(zhǔn)
29.Bipolar:雙極
30.Boat:擴(kuò)散用(石英)舟
31.CD:(CriticalDimension)臨界(關(guān)鍵)尺寸。
在工藝上通常指條寬,例如POLYCD為多晶條寬。
32.Characterwindow:特征窗口。用文字或數(shù)字描述
的包含工藝所有特性的一個(gè)方形區(qū)域。
33.ChernicaI-mechanicaIpolish(CMP):化學(xué)機(jī)械拋
光法。一種去掉圓片表面某種物質(zhì)的方法。
34.ChemicaIvapordeposition(CVD):化學(xué)汽相淀積。
一種通過化學(xué)反應(yīng)生成一層薄膜的工藝。
35.Chip:碎片或芯片。
36.CIM:computer-integratedmanufacturing的縮寫。
用計(jì)算機(jī)控制和監(jiān)控制造工藝的一種綜合方式。
37.Circuitdesign:電路設(shè)計(jì)。一種將各種元器件連
接起來實(shí)現(xiàn)一定功能的技術(shù)。
38.Cleanroom:一種在溫度,濕度和潔凈度方面都需要
滿足某些特殊要求的特定區(qū)域。
39.Compensationdoping:補(bǔ)償摻雜。向P型半導(dǎo)體摻
入施主雜質(zhì)或向N型摻入受主雜質(zhì)。
40.CMOS:complementarymetaloxidesemiconductor
的縮寫。一種將PM0S和NM0S在同一個(gè)硅襯底上混合制
造的工藝。
41.Computer-aideddesign(CAD):計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)。
42.Conductivitytype:傳導(dǎo)類型,由多數(shù)載流子決定。
在N型材料中多數(shù)載流子是電子,在P型材料中多數(shù)載
流子是空穴。
43.Contact:孑L。在工藝中通常指孔1,即連接鋁和硅
的孔。
44.Controlchart:控制圖。一種用統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)描述的可
以代表工藝某種性質(zhì)的曲線圖表。
45.Correlation:相關(guān)性。
46.Cp:工藝能力,詳見processcapabilityo
47.Cpk:工藝能力指數(shù),詳見processcapabiIity
indexo
48.Cycletime:園片做完某段工藝或設(shè)定工藝段所需
要的時(shí)間。通常用來衡量流通速度的快慢。
49.Damage:損傷。對于單晶體來說,有時(shí)晶格缺陷在
表面處理后形成無法修復(fù)的變形也可以叫做損傷。
50.Defectdensity:缺陷密度。單位面積內(nèi)的缺陷數(shù)。
51.DepIetionimplant:耗盡注入。一種在溝道中注入
離子形成耗盡晶體管的注入工藝。(耗盡晶體管指在柵
壓為零的情況下有電流流過的晶體管。)
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