GB/T 14264-2024半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

ICS29045

CCSH.80

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T14264—2024

代替GB/T14264—2009

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

Terminologyofsemiconductormaterials

2024-04-25發(fā)布2024-11-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T14264—2024

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

一般術(shù)語(yǔ)

3…………………1

材料制備與工藝

4…………………………33

缺陷

5………………………38

縮略語(yǔ)和簡(jiǎn)稱

6……………47

索引

…………………………50

Ⅰ

GB/T14264—2024

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)與相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編

GB/T14264—2009《》,GB/T14264—2009,

輯性改動(dòng)外主要技術(shù)變化如下

,:

增加了寬禁帶半導(dǎo)體等項(xiàng)術(shù)語(yǔ)及其定義見(jiàn)第章第章

———“”261(3~5);

刪除了脊形崩邊等項(xiàng)術(shù)語(yǔ)及其定義見(jiàn)年版的第章

———“”64(20093);

更改了化合物半導(dǎo)體等項(xiàng)術(shù)語(yǔ)及其定義見(jiàn)第章第章年版的第章

———“”62(3~5,20093)。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位有研半導(dǎo)體硅材料股份公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司北京大學(xué)

:、、

東莞光電研究院南京國(guó)盛電子有限公司云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司青海黃河上游水電開(kāi)發(fā)有

、、、

限責(zé)任公司新能源分公司中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所有研國(guó)晶輝新材料有限公司浙江中

、、、

晶科技股份有限公司江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司新特能源股份

、、、

有限公司宜昌南玻硅材料有限公司亞洲硅業(yè)青海股份有限公司中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研

、、()、

究所四川永祥股份有限公司云南馳宏國(guó)際鍺業(yè)有限公司麥斯克電子材料股份有限公司浙江海納半

、、、、

導(dǎo)體股份有限公司常州時(shí)創(chuàng)能源股份有限公司東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體

、、、

研究所

。

本文件主要起草人孫燕賀東江李素青寧永鐸丁曉民朱曉彤駱紅普世坤秦榕杭寅鄭安生

:、、、、、、、、、、、

宮龍飛程鳳伶黃笑容李國(guó)鵬金鵬王彬張雪囡邱艷梅劉文明尹東林孫聶楓李壽琴崔丁方

、、、、、、、、、、、、、

史舸潘金平殷淑儀由佰玲

、、、。

本文件于年首次發(fā)布年第一次修訂本次為第二次修訂

1993,2009,。

Ⅲ

GB/T14264—2024

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

1范圍

本文件界定了半導(dǎo)體材料的一般術(shù)語(yǔ)和定義材料制備與工藝及缺陷的術(shù)語(yǔ)和定義以及縮略語(yǔ)

,,。

本文件適用于半導(dǎo)體材料的研發(fā)生產(chǎn)制備及相關(guān)領(lǐng)域

、、。

2規(guī)范性引用文件

本文件沒(méi)有規(guī)范性引用文件

。

3一般術(shù)語(yǔ)

31

.

半導(dǎo)體semiconductor

導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間室溫下電阻率約為-512由帶正電的空穴

,10Ω·cm~10Ω·cm,

和帶負(fù)電的電子兩種載流子參加導(dǎo)電并具有負(fù)的電阻溫度系數(shù)以及光電導(dǎo)效應(yīng)整流效應(yīng)的固體

,、

物質(zhì)

。

注半導(dǎo)體按其結(jié)構(gòu)分為單晶體多晶體和非晶體

:、。

32

.

本征半導(dǎo)體intrinsicsemiconductor

晶格完整且不含雜質(zhì)在熱平衡條件下其中參與導(dǎo)電的電子和空穴數(shù)目近乎相等的理想半導(dǎo)體

,,。

注通常所說(shuō)的本征半導(dǎo)體是指僅含極痕量雜質(zhì)導(dǎo)電性能與理想情況很相近的半導(dǎo)體

:,。

33

.

元素半導(dǎo)體elementalsemiconductor

由單一元素的原子組成的半導(dǎo)體材料

。

注如硅鍺金剛石等

:、、。

34

.

化合物半導(dǎo)體compoundsemiconductor

由種或種以上不同元素按確定的原子配比形成的半導(dǎo)體材料

22。

注如砷化鎵磷化銦碲化鎘碳化硅氮化鎵氧化鎵銦鎵氮和

:(GaAs)、(InP)、(CdTe)、(SiC)、