LDMOS版圖設(shè)計實驗-第三次實驗報告

實用文檔半導體功率器件與智能功率IC實驗學生姓名：田瑞學號：201422030143指導教師：喬明一、實驗室名稱：211樓803工作站二、實驗項目名稱：半導體功率器件與智能功率IC實驗——LDMOS器件版圖設(shè)計實驗三、實驗原理：首先，設(shè)計版圖的基礎(chǔ)便是電路的基本原理，以及電路的工作特性，硅加工工藝的基礎(chǔ)、以及通用版圖的設(shè)計流程，之后要根據(jù)不同的工藝對應不同的設(shè)計規(guī)則，一般來說通用的版圖設(shè)計流程為：制定版圖規(guī)劃記住要制定可能會被遺忘的特殊要求清單設(shè)計實現(xiàn)考慮特殊要求及如何布線創(chuàng)建組元并對其進行布版圖驗證執(zhí)行基于計算機的檢查和目視檢查，進行校正工作最終步驟工程核查以及版圖核查版圖參數(shù)提取與后仿真完成這些之后需要特別注意的是寄生參數(shù)噪聲以及布局等的影響，具體是電路而定，在下面的實驗步驟中會體現(xiàn)到這一點。IC設(shè)計與制造的主要流程根據(jù)用途要求，確定系統(tǒng)總體方案電路設(shè)計與仿真根據(jù)用途要求，確定系統(tǒng)總體方案電路設(shè)計與仿真根據(jù)電路的指標和工作條件，確定電路結(jié)構(gòu)與類型，然后通過模擬計算，決定電路中各器件的參數(shù)（包括電參數(shù)、幾何參數(shù)等），EDA軟件進行模擬仿真。工藝設(shè)計根據(jù)電路特點選擇適當?shù)墓に?，再按電路中各器件的參?shù)要求，確定滿足這些參數(shù)的工藝參數(shù)、工藝流程和工藝條件。版圖設(shè)計按電路設(shè)計和確定的工藝流程，把電路中有源器件、阻容元件及互連以一定的規(guī)則布置在硅片上，繪制出相互套合的版圖，以供制作各次光刻掩模版用。版圖設(shè)計按電路設(shè)計和確定的工藝流程，把電路中有源器件、阻容元件及互連以一定的規(guī)則布置在硅片上，繪制出相互套合的版圖，以供制作各次光刻掩模版用。生成PG帶制作掩模版工藝流片測試，劃片封裝四、實驗目的：掌握版圖設(shè)計的基本理論。掌握版圖設(shè)計的常用技巧。掌握定制集成電路的設(shè)計方法和流程。熟悉CadenceVirtuosoLayoutEdit軟件的應用學會用Cadence軟件設(shè)計版圖、版圖的驗證以及后仿真熟悉Cadence軟件和版圖設(shè)計流程，減少版圖設(shè)計過程中出現(xiàn)的錯誤。五、實驗內(nèi)容：結(jié)合LDMOS的版圖文件，完成LDMOS器件的版圖繪制。六、實驗器材（設(shè)備、元器件）：CADENCE軟件七、實驗步驟：LDMOS的版圖文件nwell164008000pwell1107000pwell2703400355040504220452047404990525054705770592063508000poly20400180050007400nimplant20400740077008000pimplant107700omicont20300070009007600metal20200048008000nitride20060063008000八、實驗數(shù)據(jù)及結(jié)果分析：整體版圖版圖下部分別為：源端pad，漏端pad以及柵極pad九、實驗結(jié)論：通過實驗，了解LDMOS器件的版圖設(shè)計，熟悉CADENCE軟件的使用。畫版圖時要注意嚴格按照要求的尺寸進行設(shè)計，并在LSW窗口里選用正確的圖形?？梢允褂密浖械某咦觼頊y量尺寸。