GB/T 30656-2023碳化硅單晶拋光片

ICS29045

CCSH.83

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T30656—2023

代替GB/T30656—2014

碳化硅單晶拋光片

Polishedmonocrystallinesiliconcarbidewafers

2023-03-17發(fā)布2023-10-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T30656—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替碳化硅單晶拋光片與相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和

GB/T30656—2014《》,GB/T30656—2014,

編輯性改動(dòng)外主要技術(shù)變化如下

,:

更改了適用范圍見第章年版的第章

a)(1,20141);

更改了術(shù)語和定義見第章年版的第章

b)(3,20143);

增加了按直徑的分類見

c)150.0mm(4.2.3);

增加了直徑碳化硅單晶拋光片的技術(shù)要求見第章

d)150.0mm(5);

增加了直徑半絕緣型碳化硅單晶拋光片的厚度及允許偏差見

e)100.0mm(5.2);

更改了總厚度變化的要求見年版的

f)(5.2,20144.5);

增加了局部厚度變化的要求見

g)(5.2);

更改了直徑碳化硅單晶拋光片的翹曲度彎曲度要求見年版的

h)100.0mm、(5.2,20144.5);

更改了電阻率的要求見年版的

i)(5.5,20144.10);

更改了微管密度的要求見年版的

j)(5.6,20144.8);

增加了工業(yè)級導(dǎo)電型碳化硅單晶拋光片位錯(cuò)密度的要求見

k)(5.7);

更改了表面質(zhì)量中裂紋六方空洞肉眼可見凹坑的要求見年版的

l)、、(5.10,20144.7);

增加了崩邊的要求見

m)(5.10);

增加了表面質(zhì)量中可用面積比例檢測面的內(nèi)容見的表腳注

n)、(5.109);

更改了表面粗糙度的要求見年版的

o)(5.11,20144.5);

更改了試驗(yàn)方法見第章年版的第章

p)(6,20145);

更改了組批取樣的要求見年版的

q)、(7.2、7.3,20146.2、6.3);

增加了檢驗(yàn)項(xiàng)目見

r)(7.3);

更改了檢驗(yàn)結(jié)果的判定見年版的

s)(7.4,20146.4);

更改了標(biāo)志的內(nèi)容見年版的

t)(8.1,20147.1);

更改了隨行文件的內(nèi)容見年版的

u)(8.5,20147.4);

更改了牌號表示方法中直徑晶向角度厚度的內(nèi)容見附錄年版的附錄

v)、、(A,2014A);

刪除了搖擺曲線的檢測方法見年版的附錄

w)(2014B);

增加了拉曼散射法的測試步驟見

x)(B.4.2)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司中國科學(xué)院物理研究所南京國盛電子有限

:、、

公司安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司

、、。

本文件主要起草人陳小龍彭同華佘宗靜王波劉春俊李素青郭鈺婁艷芳鄭紅軍楊建

:、、、、、、、、、、

駱紅鈕應(yīng)喜

、。

本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂

2014,。

Ⅰ

GB/T30656—2023

碳化硅單晶拋光片

1范圍

本文件規(guī)定了及碳化硅單晶拋光片的牌號及分類技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志

4H6H、、、、、

包裝運(yùn)輸貯存隨行文件和訂貨單內(nèi)容

、、、。

本文件適用于生產(chǎn)電力電子器件射頻微波器件及發(fā)光器件的外延材料用碳化硅單晶拋

、LED

光片

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體單晶晶向測定方法

GB/T1555

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計(jì)劃

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗(yàn)方法

GB/T6624

硅及其他電子材料晶片參考面長度測量方法

GB/T13387

硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向射線測試方法

GB/T13388X

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第部分按粒子濃度劃分空氣潔凈度等級

GB/T25915.1—20211:

硅片切口尺寸測試方法

GB/T26067

硅片平坦表面的表面粗糙度測量方法

GB/T29505

碳化硅單晶片直徑測試方法

GB/T30866

碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T30867

碳化硅單晶拋光片微管密度無損檢測方法

GB/T31351

氮化鎵單晶襯底片射線雙晶搖擺曲線半高寬測試方法

GB/T32188