標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 34504-2017 藍(lán)寶石拋光襯底片表面殘留金屬元素測量方法》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn),旨在規(guī)范藍(lán)寶石拋光襯底片表面殘留金屬元素的測量過程。該標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體工業(yè)中使用的藍(lán)寶石拋光襯底片,其主要目的是通過科學(xué)的方法檢測這些材料表面上可能存在的微量或痕量金屬污染,從而確保產(chǎn)品質(zhì)量符合要求。
標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了從樣品準(zhǔn)備到分析報(bào)告出具整個(gè)流程中的具體步驟和技術(shù)要求。首先,在樣品制備階段,明確了如何選取代表性樣本以及對(duì)樣本進(jìn)行預(yù)處理的要求,包括清洗、切割等操作;接著是測試方法的選擇與實(shí)施,這里推薦使用電感耦合等離子體質(zhì)譜法(ICP-MS)作為主要手段來定量分析目標(biāo)金屬元素含量;此外還涵蓋了儀器校準(zhǔn)、數(shù)據(jù)處理及結(jié)果表示等方面的內(nèi)容。
在整個(gè)過程中,《GB/T 34504-2017》強(qiáng)調(diào)了實(shí)驗(yàn)條件控制的重要性,比如實(shí)驗(yàn)室環(huán)境應(yīng)保持清潔無塵,并且所有用于分析的試劑和耗材都需達(dá)到一定純度級(jí)別以避免引入額外污染源。同時(shí),對(duì)于不同種類的目標(biāo)金屬元素,該標(biāo)準(zhǔn)也提供了相應(yīng)的檢測限值參考,幫助用戶根據(jù)實(shí)際需要設(shè)定合理的質(zhì)量控制標(biāo)準(zhǔn)。
最后,依據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)完成的所有測量活動(dòng)均需形成正式文檔記錄,包括但不限于原始數(shù)據(jù)、計(jì)算過程及最終結(jié)論,以便于后續(xù)審核或比對(duì)工作。通過遵循這一系列嚴(yán)格而系統(tǒng)的指導(dǎo)原則,可以有效提升藍(lán)寶石拋光襯底片表面殘留金屬元素測量結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。
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- 被代替
- 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替,建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 24578-2024
- 2017-10-14 頒布
- 2018-05-01 實(shí)施



文檔簡介
ICS77040
H17.
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T34504—2017
藍(lán)寶石拋光襯底片表面
殘留金屬元素測量方法
Measurementmethodforsurfacemetalcontaminationonsapphire
polishedsubstratewafer
2017-10-14發(fā)布2018-05-01實(shí)施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布
中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
GB/T34504—2017
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)
(SAC/TC203)
化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口
(SAC/TC203/SC2)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位天通控股股份有限公司
:。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人康森宋巖巖邵峰沈瞿歡於震杰
:、、、、。
Ⅰ
GB/T34504—2017
藍(lán)寶石拋光襯底片表面
殘留金屬元素測量方法
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了藍(lán)寶石拋光襯底片表面深度為以內(nèi)的殘留金屬元素的全反射光熒光光譜測
5nmX
試方法
。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于藍(lán)寶石拋光襯底片表面殘留的在元素周期表中號(hào)除去鋁和氧
、11(Na)~92(U)(),
且面密度在92152范圍內(nèi)元素的定量測量其他用途藍(lán)寶石拋光片表面殘
10atoms/cm~10atoms/cm。
留金屬元素的測量可參照本標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
純氮高純氮和超純氮
GB/T8979—2008、
半導(dǎo)體材料術(shù)語
GB/T14264
潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范
GB50073—2013
3術(shù)語定義和縮略語
、
界定的以及下列術(shù)語定義和縮略語適用于本文件
GB/T14264、。
31術(shù)語和定義
.
311
..
掠射角glancingangle
全反射光熒光光譜測試方法中射線的入射角度
X(TXRF)X。
312
..
角掃描anglescan
作為掠射角函數(shù)對(duì)發(fā)射的熒光信號(hào)的測量
,。
313
..
臨界角criticalangle
能產(chǎn)生全反射的最大角度當(dāng)掠射角小于這一角度時(shí)被測表面發(fā)生對(duì)入射射線的全反射
,,X。
32縮略語
.
全反射光熒光光譜
TXRFX(totalreflectionX-rayfluorescence)
4方法原理
41的激發(fā)是以入射角小于的原級(jí)射線掠射激發(fā)樣品臺(tái)上的樣品入射的射線通過
.TXRF0.1°X。X
樣品表面發(fā)生全反射由此激發(fā)出來的射線熒光通過探測器進(jìn)行探測再通過光譜儀進(jìn)行定
,XSi(Li),
量分析射線的損耗波穿過樣品表層呈指數(shù)遞減衰減強(qiáng)度與樣品的表面粗糙度總
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