微機組裝與維護-內(nèi)存

第四課內(nèi)存的選購與維修1基本概述2歷史3適用類型4主頻5傳輸類型6接口類型7內(nèi)存容量8內(nèi)存電壓9顆粒封裝10傳輸標準11內(nèi)存帶寬12工作原理13虛擬內(nèi)存14內(nèi)存設(shè)置15內(nèi)存煉成16常見品牌EDO內(nèi)存DDRⅡ內(nèi)存SDRAM內(nèi)存DDR內(nèi)存基本概述內(nèi)存簡單的說就是存儲程序以及數(shù)據(jù)的地方，可以分為物理內(nèi)存和虛擬內(nèi)存，通常我們是指機器的物理內(nèi)存,當(dāng)物理RAM滿時（實際上，在RAM滿之前），計算機就會用硬盤空間做內(nèi)存來彌補計算機RAM空間的缺乏。虛擬內(nèi)存就在硬盤上創(chuàng)建了。在計算機的組成結(jié)構(gòu)中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內(nèi)存儲器（簡稱內(nèi)存），輔助存儲器又稱外存儲器（簡稱外存）。外存通常是磁性介質(zhì)或光盤，像硬盤，軟盤，磁帶，CD等，能長期保存信息，并且不依賴于電來保存信息，但是由機械部件帶動，速度與CPU相比就顯得慢的多。內(nèi)存指的就是主板上的存儲部件，是CPU直接與之溝通，并用其存儲數(shù)據(jù)的部件，存放當(dāng)前正在使用的（即執(zhí)行中）的數(shù)據(jù)和程序，它的物理實質(zhì)就是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸入輸出和數(shù)據(jù)存儲功能的集成電路，內(nèi)存只用于暫時存放程序和數(shù)據(jù)，一旦關(guān)閉電源或發(fā)生斷電，其中的程序和數(shù)據(jù)就會丟失。比爾蓋茨為什么說“無論對誰來說,640K內(nèi)存都足夠了

比爾先生的DOS操作系統(tǒng)最早設(shè)計時，PC機的硬件系統(tǒng)只支持1M字節(jié)的尋址空間，所以DOS只能管理最多1M字節(jié)的連續(xù)內(nèi)存空間。在這1M內(nèi)存中，又只有640K被留給應(yīng)用程序使用，它們被稱為常規(guī)內(nèi)存或基本內(nèi)存，其它384K被稱為高端內(nèi)存，是留給視頻顯示和BIOS等使用的。在1982年，640K內(nèi)存對微型計算機來說顯得綽綽有余，人們甚至認為，640K的內(nèi)存可以用來干任何事。所以蓋茨先生這樣說,沒有想到互聯(lián)網(wǎng)的高度發(fā)展,640K遠遠不夠了.時代在進步呀內(nèi)存的發(fā)展在計算機誕生初期并不存在內(nèi)存條的概念，最早的內(nèi)存是以磁芯的形式排列在線路上，每個磁芯與晶體管組成的一個雙穩(wěn)態(tài)電路作為一比特（BIT）的存儲器，每一比特都要有玉米粒大小，可以想象一間的機房只能裝下不超過百k字節(jié)左右的容量。后來才出線現(xiàn)了焊接在主板上集成內(nèi)存芯片，以內(nèi)存芯片的形式為計算機的運算提供直接支持。那時的內(nèi)存芯片容量都特別小，最常見的莫過于256K×1bit、1M×4bit，雖然如此，但這相對于那時的運算任務(wù)來說卻已經(jīng)綽綽有余了。內(nèi)存條的誕生

內(nèi)存芯片的狀態(tài)一直沿用到286初期，鑒于它存在著無法拆卸更換的弊病，這對于計算機的發(fā)展造成了現(xiàn)實的阻礙。有鑒于此，內(nèi)存條便應(yīng)運而生了。將內(nèi)存芯片焊接到事先設(shè)計好的印刷線路板上，而電腦主板上也改用內(nèi)存插槽。這樣就把內(nèi)存難以安裝和更換的問題徹底解決了。在80286主板發(fā)布之前，內(nèi)存并沒有被世人所重視，這個時候的內(nèi)存是直接固化在主板上，而且容量只有64～256KB，對于當(dāng)時PC所運行的工作程序來說，這種內(nèi)存的性能以及容量足以滿足當(dāng)時軟件程序的處理需要。不過隨著軟件程序和新一代80286硬件平臺的出現(xiàn)，程序和硬件對內(nèi)存性能提出了更高要求，為了提高速度并擴大容量，內(nèi)存必須以獨立的封裝形式出現(xiàn)，因而誕生了“內(nèi)存條”概念。在80286主板剛推出的時候，內(nèi)存條采用了SIMM（SingleIn-lineMemoryModules，單邊接觸內(nèi)存模組）接口，容量為30pin、256kb，必須是由8片數(shù)據(jù)位和1片校驗位組成1個bank，正因如此，我們見到的30pinSIMM一般是四條一起使用。自1982年P(guān)C進入民用市場一直到現(xiàn)在，搭配80286處理器的30pinSIMM內(nèi)存是內(nèi)存領(lǐng)域的開山鼻祖。隨后，在1988～1990年當(dāng)中，PC技術(shù)迎來另一個發(fā)展高峰，也就是386和486時代，此時CPU已經(jīng)向16bit發(fā)展，所以30pinSIMM內(nèi)存再也無法滿足需求，其較低的內(nèi)存帶寬已經(jīng)成為急待解決的瓶頸，所以此時72pinSIMM內(nèi)存出現(xiàn)了，72pinSIMM支持32bit快速頁模式內(nèi)存，內(nèi)存帶寬得以大幅度提升。72pinSIMM內(nèi)存單條容量一般為512KB～2MB，而且僅要求兩條同時使用，由于其與30pinSIMM內(nèi)存無法兼容，因此這個時候PC業(yè)界毅然將30pinSIMM內(nèi)存淘汰出局了。EDODRAM（ExtendedDateOutRAM外擴充數(shù)據(jù)模式存儲器）內(nèi)存，這是1991年到1995年之間盛行的內(nèi)存條，EDODRAM同F(xiàn)PMDRAM（FastPageModeRAM快速頁面模式存儲器）極其相似，它取消了擴展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存與傳輸內(nèi)存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數(shù)據(jù)發(fā)送給CPU的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V，帶寬32bit，速度在40ns以上，其主要應(yīng)用在當(dāng)時的486及早期的Pentium電腦上。在1991年到1995年中，讓我們看到一個尷尬的情況，那就是這幾年內(nèi)存技術(shù)發(fā)展比較緩慢，幾乎停滯不前，所以我們看到此時EDODRAM有72pin和168pin并存的情況，事實上EDO內(nèi)存也屬于72pinSIMM內(nèi)存的范疇，不過它采用了全新的尋址方式。EDO在成本和容量上有所突破，憑借著制作工藝的飛速發(fā)展，此時單條EDO內(nèi)存的容量已經(jīng)達到4～16MB。由于Pentium及更高級別的CPU數(shù)據(jù)總線寬度都是64bit甚至更高，所以EDODRAM與FPMDRAM都必須成對使用。SDRAM時代

自IntelCeleron系列以及AMDK6處理器以及相關(guān)的主板芯片組推出后，EDODRAM內(nèi)存性能再也無法滿足需要了，內(nèi)存技術(shù)必須徹底得到個革新才能滿足新一代CPU架構(gòu)的需求，此時內(nèi)存開始進入比較經(jīng)典的SDRAM時代。第一代SDRAM內(nèi)存為PC66規(guī)范，但很快由于Intel和AMD的頻率之爭將CPU外頻提升到了100MHz，所以PC66內(nèi)存很快就被PC100內(nèi)存取代，接著133MHz外頻的PIII以及K7時代的來臨，PC133規(guī)范也以相同的方式進一步提升SDRAM的整體性能，帶寬提高到1GB/sec以上。由于SDRAM的帶寬為64bit，正好對應(yīng)CPU的64bit數(shù)據(jù)總線寬度，因此它只需要一條內(nèi)存便可工作，便捷性進一步提高。在性能方面，由于其輸入輸出信號保持與系統(tǒng)外頻同步，因此速度明顯超越EDO內(nèi)存。不可否認的是，SDRAM內(nèi)存由早期的66MHz，發(fā)展后來的100MHz、133MHz，盡管沒能徹底解決內(nèi)存帶寬的瓶頸問題，但此時CPU超頻已經(jīng)成為DIY用戶永恒的話題，所以不少用戶將品牌好的PC100品牌內(nèi)存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功，值得一提的是，為了方便一些超頻用戶需求，市場上出現(xiàn)了一些PC150、PC166規(guī)范的內(nèi)存。盡管SDRAMPC133內(nèi)存的帶寬可提高帶寬到1064MB/S，加上Intel已經(jīng)開始著手最新的Pentium4計劃，所以SDRAMPC133內(nèi)存不能滿足日后的發(fā)展需求，此時，Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus聯(lián)合在PC市場推廣RambusDRAM內(nèi)存（稱為RDRAM內(nèi)存）。與SDRAM不同的是，其采用了新一代高速簡單內(nèi)存架構(gòu)，基于一種類RISC(ReducedInstructionSetComputing，精簡指令集計算機）理論，這個理論可以減少數(shù)據(jù)的復(fù)雜性，使得整個系統(tǒng)性能得到提高。在AMD與Intel的競爭中，這個時候是屬于頻率競備時代，所以這個時候CPU的主頻在不斷提升，Intel為了蓋過AMD，推出高頻PentiumⅢ以及Pentium4處理器，因此RambusDRAM內(nèi)存是被Intel看著是未來自己的競爭殺手锏，RambusDRAM內(nèi)存以高時鐘頻率來簡化每個時鐘周期的數(shù)據(jù)量，因此內(nèi)存帶寬相當(dāng)出色，如PC10661066MHz32bits帶寬可達到4.2GByte/sec，RambusDRAM曾一度被認為是Pentium4的絕配。盡管如此，RambusRDRAM內(nèi)存生不逢時，后來依然要被更高速度的DDR“掠奪”其寶座地位，在當(dāng)時，PC600、PC700的RambusRDRAM內(nèi)存因出現(xiàn)Intel820芯片組“失誤事件”、PC800RambusRDRAM因成本過高而讓Pentium4平臺高高在上，無法獲得大眾用戶擁戴，種種問題讓RambusRDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066規(guī)范RDRAM來力挽狂瀾，但最終也是拜倒在DDR內(nèi)存面前。DDR時代

DDRSDRAM(DoubleDataRateSDRAM）簡稱DDR，也就是“雙倍速率SDRAM”的意思。DDR可以說是SDRAM的升級版本，DDR在時鐘信號上升沿與下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)，這使得DDR的數(shù)據(jù)傳輸速度為傳統(tǒng)SDRAM的兩倍。由于僅多采用了下降緣信號，因此并不會造成能耗增加。至于定址與控制信號則與傳統(tǒng)SDRAM相同，僅在時鐘上升緣傳輸。DDR內(nèi)存是作為一種在性能與成本之間折中的解決方案，其目的是迅速建立起牢固的市場空間，繼而一步步在頻率上高歌猛進，最終彌補內(nèi)存帶寬上的不足。第一代DDR200規(guī)范并沒有得到普及，第二代PC266DDRSRAM（133MHz時鐘×2倍數(shù)據(jù)傳輸=266MHz帶寬）是由PC133SDRAM內(nèi)存所衍生出的，它將DDR內(nèi)存帶向第一個高潮，目前還有不少賽揚和AMDK7處理器都在采用DDR266規(guī)格的內(nèi)存，其后來的DDR333內(nèi)存也屬于一種過度，而DDR400內(nèi)存成為目前的主流平臺選配，雙通道DDR400內(nèi)存已經(jīng)成為800FSB處理器搭配的基本標準，隨后的DDR533規(guī)范則成為超頻用戶的選擇對象DDR2時代

隨著CPU性能不斷提高，我們對內(nèi)存性能的要求也逐步升級。不可否認，緊緊依高頻率提升帶寬的DDR遲早會力不從心，因此JEDEC組織很早就開始醞釀DDR2標準，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平臺開始對DDR2內(nèi)存的支持，所以DDR2內(nèi)存將開始演義內(nèi)存領(lǐng)域的今天。DDR2能夠在100MHz的發(fā)信頻率基礎(chǔ)上提供每插腳最少400MB/s的帶寬，而且其接口將運行于1.8V電壓上，從而進一步降低發(fā)熱量，以便提高頻率。此外，DDR2將融入CAS、OCD、ODT等新性能指標和中斷指令，提升內(nèi)存帶寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標準來看，針對PC等市場的DDR2內(nèi)存將擁有400、533、667MHz等不同的時鐘頻率。高端的DDR2內(nèi)存將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II內(nèi)存將采用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2內(nèi)存將采用0.13微米的生產(chǎn)工藝，內(nèi)存顆粒的電壓為1.8V，容量密度為512MB。RDRAM

Intel在推出：PC-100后，由于技術(shù)的發(fā)展，PC-100內(nèi)存的800MB/s帶寬已經(jīng)不能滿足需求，而PC-133的帶寬提高并不大（1064MB/s），同樣不能滿足日后的發(fā)展需求。Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus公司聯(lián)合在PC市場推廣RambusDRAM(DirectRambusDRAM）。RambusDRAM是：Rambus公司最早提出的一種內(nèi)存規(guī)格，采用了新一代高速簡單內(nèi)存架構(gòu)，基于一種RISC(ReducedInstructionSetComputing，精簡指令集計算機）理論，從而可以減少數(shù)據(jù)的復(fù)雜性，使得整個系統(tǒng)性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit總線，在一個時鐘周期內(nèi)，可以在上升沿和下降沿的同時傳輸數(shù)據(jù)，這樣它的實際速度就為400MHz×2=800MHz，理論帶寬為（16bit×2×400MHz/8）1.6GB/s，相當(dāng)于PC-100的兩倍。另外，Rambus也可以儲存9bit字節(jié)，額外的一比特是屬于保留比特，可能以后會作為：ECC(ErroI·CheckingandCorrection，錯誤檢查修正）校驗位。Rambus的時鐘可以高達400MHz，而且僅使用了30條銅線連接內(nèi)存控制器和RIMM(RambusIn-lineMemoryModules，Rambus內(nèi)嵌式內(nèi)存模塊），減少銅線的長度和數(shù)量就可以降低數(shù)據(jù)傳輸中的電磁干擾，從而快速地提高內(nèi)存的工作頻率。不過在高頻率下，其發(fā)出的熱量肯定會增加，因此第一款Rambus內(nèi)存甚至需要自帶散熱風(fēng)扇。DDR3時代

DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓，從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電；DDR2的4bit預(yù)讀升級為8bit預(yù)讀。DDR3目前最高能夠達到2000Mhz的速度，盡管目前最為快速的DDR2內(nèi)存速度已經(jīng)提升到800Mhz/1066Mhz的速度，但是DDR3內(nèi)存模組仍會從1066Mhz起跳。一、DDR3在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計：1．8bit預(yù)取設(shè)計，而DDR2為4bit預(yù)取，這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。2．采用點對點的拓樸架構(gòu)，以減輕地址/命令與控制總線的負擔(dān)。3．采用100nm以下的生產(chǎn)工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準功能。部分廠商已經(jīng)推出1.35V的低壓版DDR3內(nèi)存。DDR4時代

內(nèi)存廠商預(yù)計在2012年，DDR4時代將開啟，起步頻率降至1.2V，而頻率提升至2133MHz，次年進一步將電壓降至1.0V，頻率則實現(xiàn)2667MHz。[1]新一代的DDR4內(nèi)存將會擁有兩種規(guī)格。根據(jù)多位半導(dǎo)體業(yè)界相關(guān)人員的介紹，DDR4內(nèi)存將會是Single-endedSignaling(傳統(tǒng)SE信號）方式DifferentialSignaling(差分信號技術(shù)）方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也對此表示了確認。預(yù)計這兩個標準將會推出不同的芯片產(chǎn)品，因此在DDR4內(nèi)存時代我們將會看到兩個互不兼容的內(nèi)存產(chǎn)品。內(nèi)存-歷史IBM推出的第一臺PC機采用的CPU是8088芯片，它只有20根地址線，也就是說，它的地址空間是1MB。PC機的設(shè)計師將1MB中的低端640KB用作RAM，供DOS及應(yīng)用程序使用，高端的384KB則保留給ROM、視頻適配卡等系統(tǒng)使用。從此，這個界限便被確定了下來并且沿用至今。低端的640KB就被稱為常規(guī)內(nèi)存即PC機的基本RAM區(qū)。保留內(nèi)存中的低128KB是顯示緩沖區(qū)，高64KB是系統(tǒng)BIOS（基本輸入/輸出系統(tǒng)）空間，其余192KB空間留用。從對應(yīng)的物理存儲器來看，基本內(nèi)存區(qū)只使用了512KB芯片，占用0000至7FFFF這512KB地址。顯示內(nèi)存區(qū)雖有128KB空間，但對單色顯示器（MDA卡）只需4KB就足夠了，因此只安裝4KB的物理存儲器芯片，占用了B0000至B0FFF這4KB的空間，如果使用彩色顯示器（CGA卡）需要安裝16KB的物理存儲器，占用B8000至BBFFF這16KB的空間，可見實際使用的地址范圍都小于允許使用的地址空間。在當(dāng)時（1980年末至1981年初）這么“大”容量的內(nèi)存對PC機使用者來說似乎已經(jīng)足夠了，但是隨著程序的不斷增大，圖象和聲音的不斷豐富，以及能訪問更大內(nèi)存空間的新型CPU相繼出現(xiàn)，最初的PC機和MS－DOS設(shè)計內(nèi)存的局限性變得越來越明顯。擴充內(nèi)存

到1984年，即286被普遍接受不久，人們越來越認識到640KB的限制已成為大型程序的障礙，這時，Intel和Lotus，這兩家硬、軟件的杰出代表，聯(lián)手制定了一個由硬件和軟件相結(jié)合的方案，此方法使所有PC機存取640KB以上RAM成為可能。而Microsoft剛推出Windows不久，對內(nèi)存空間的要求也很高，因此它也及時加入了該行列。在1985年初，Lotus、Intel和Microsoft三家共同定義了LIM－EMS，即擴充內(nèi)存規(guī)范，通常稱EMS為擴充內(nèi)存。當(dāng)時，EMS需要一個安裝在I/O槽口的內(nèi)存擴充卡和一個稱為EMS的擴充內(nèi)存管理程序方可使用。但是I/O插槽的地址線只有24位（ISA總線），這對于386以上檔次的32位機是不能適應(yīng)的。所以，現(xiàn)在已很少使用內(nèi)存擴充卡?，F(xiàn)在微機中的擴充內(nèi)存通常是用軟件如DOS中的EMM386把擴展內(nèi)存模擬或擴充內(nèi)存來使用。所以，擴充內(nèi)存和擴展內(nèi)存的區(qū)別并不在于其物理存儲器的位置，而在于使用什么方法來讀寫它。下面將作進一步介紹。前面已經(jīng)說過擴充存儲器也可以由擴展存儲器模擬轉(zhuǎn)換而成。EMS的原理和XMS不同，它采用了頁幀方式。頁幀是在1MB空間中指定一塊64KB空間（通常在保留內(nèi)存區(qū)內(nèi)，但其物理存儲器來自擴展存儲器），分為4頁，每頁16KB。EMS存儲器也按16KB分頁，每次可交換4頁內(nèi)容，以此方式可訪問全部EMS存儲器。符合EMS的驅(qū)動程序很多，常用的有EMM386.EXE、QEMM、TurboEMS、386MAX等。DOS和Windows中都提供了擴展內(nèi)存

我們知道，286有24位地址線，它可尋址16MB的地址空間，而386有32位地址線，它可尋址高達4GB的地址空間，為了區(qū)別起見，我們把1MB以上的地址空間稱為擴展內(nèi)存XMS（eXtendmemory）。在386以上檔次的微機中，有兩種存儲器工作方式，一種稱為實地址方式或?qū)嵎绞剑硪环N稱為保護方式。在實方式下，物理地址仍使用20位，所以最大尋址空間為1MB，以便與8086兼容。保護方式采用32位物理地址，尋址范圍可達4GB。DOS系統(tǒng)在實方式下工作，它管理的內(nèi)存空間仍為1MB，因此它不能直接使用擴展存儲器。為此，Lotus、Intel、AST及Microsoft公司建立了MS－DOS下擴展內(nèi)存的使用標準，即擴展內(nèi)存規(guī)范XMS。我們常在Config.sys文件中看到的Himem.sys就是管理擴展內(nèi)存的驅(qū)動程序。擴展內(nèi)存管理規(guī)范的出現(xiàn)遲于擴充內(nèi)存管理規(guī)范。內(nèi)存-歷史

內(nèi)存數(shù)據(jù)線的寬度的發(fā)展隨著數(shù)據(jù)總線寬度的增加，對內(nèi)存數(shù)據(jù)線的寬度要求也不斷提高。內(nèi)存數(shù)據(jù)線的寬度從早期的1bit提高到4bit、8bit、32bit和目前的64bit。內(nèi)存接插形式也經(jīng)歷了DIP內(nèi)存、SIMM內(nèi)存和DIMM內(nèi)存時代。DIP內(nèi)存DIP內(nèi)存即普通雙列直插內(nèi)存芯片，主要應(yīng)用于數(shù)據(jù)寬度為8bit的Apple機、PC機、PC/XT機時代。DIP內(nèi)存直接焊接在主板上或插在主板的DIP插座上，早期的DIP僅有1bit數(shù)據(jù)，需以9片為一組安裝，其中8片為數(shù)據(jù)位，一片為校驗位。SIMM內(nèi)存SIMM（Single-InLineMemoryModule），單邊接插內(nèi)存模塊。SIMM內(nèi)存是一條焊有多片內(nèi)存芯片的印刷電路板，插在主板內(nèi)存插槽中，它分30線SIMM和72線SIMM兩種類型。30線SIMM內(nèi)存條誕生于286時代，有8bit數(shù)據(jù)位（部分另加有1位校驗位）。對16bit數(shù)據(jù)總線的286、386SX主板均以兩條為一組安裝，對32bit數(shù)據(jù)總線的386DX、486主板則需以四條為一組安裝，30線內(nèi)存條常見容量有256KB、1MB和4MB。72線SIMM內(nèi)存條誕生于486時代后期，有32bit數(shù)據(jù)位。對32bit數(shù)據(jù)總線的486主板，可以一條為一組安裝；對有64bit內(nèi)存數(shù)據(jù)總線的586主板，需以二條為一組安裝。72線內(nèi)存條常容量有4MB、8MB、16MB和32MB。DIMM內(nèi)存DIMM（DualIn-LineMemoryModule）雙邊接插內(nèi)存模塊。主板上的DIMM內(nèi)存插槽兩邊均有金屬引腳線，每邊84線雙邊共有84*2=168條引腳，故而常稱其為168線內(nèi)存條。168線DIMM內(nèi)存條有64bit數(shù)據(jù)位，在586級主板上安裝一條即能工作。大多主板均采用DIMM內(nèi)存條。168線內(nèi)存條的常見容量有32MB、64MB、128MB。就以目前的臺式機主板來分，內(nèi)存槽（內(nèi)存的接口）有3種主流的劃分（DDRI,DDRII,DDRIII)DDRI184PIN，基準工作電壓2.5V（最高頻率為400M）

DDRII240PIN,基準工作電壓1.8V(雖然DDRIII的最低限制是800，但DDRII從400往上，高端也已經(jīng)達到1333或者更高了）

DDRIII240PIN，基準工作電壓1.5V(最低限制的頻率為800M,高端的已經(jīng)有1600M或更以上了）內(nèi)存技術(shù)先后出現(xiàn)了FPMDRAM、EDODRAM、BEDODRAM、SDRAM、DDRDRAM、RambusDRAM等多種存儲器，主要技術(shù)向高集成度、高速度、高性能方向發(fā)展。FPMDRAM：又叫快頁內(nèi)存，是傳統(tǒng)DRAM的改進型產(chǎn)品，在Intel286、386時代很流行。其主要特點是采用了不同于早期DRAM的列地址讀出方式，以30pin的FPMDRAM為例，每秒刷新率可以達到幾百次，在當(dāng)時是非常驚人的，從而提高了內(nèi)存的傳輸速率。但由于FPMDRAM使用了同一電路來存取數(shù)據(jù)的方式，因此也帶來一些弊端，例如FPMDRAM在存取時間上會有一定的時間間隔，而且在FPMDRAM中，由于存儲地址空間是按頁排列的，因此當(dāng)訪問到某一頁面后，再切換到另一頁面會占用額外的時鐘周期。

在Intel286、386時代，我們常?？梢钥吹揭粔KPCB電路板上有著2至3枚雙排針腳的內(nèi)存芯片，容量只有1MB或2MB，因此可以說早期的FPM內(nèi)存容量是非常低的，這樣的容量擺到現(xiàn)在看來，幾乎是不可想象的，但當(dāng)時就是這樣，能有4MB內(nèi)存的電腦已是極高的配置了。進入Intel486時代以后，電腦的各個部分也都在飛速發(fā)展著，從電腦內(nèi)部總線到操作系統(tǒng)沒有一處不在發(fā)生著變化。至此大容量內(nèi)存的發(fā)展由此進入快車道。新的FPMDRAM內(nèi)存開始采用72PIN接口，由4/8顆內(nèi)存芯片組成的4MB、8MB、16MB容量內(nèi)存條逐漸大量面世，到了后期，32MB內(nèi)存也漸露身影，按理說72pinSIMMFPM是32bit產(chǎn)品，比30pinSIMMFPM性能更好些，但當(dāng)時72pinSIMMFPM價格相對較高，個人用戶考慮價格問題減緩了新品的推廣。至此，內(nèi)存的類型也開始發(fā)生新的變化。EDODRAM：一種被稱為EDO的采用新的尋址方式的內(nèi)存開始流行。EDO內(nèi)存（ExtendedDAtaOut）也稱“擴展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存”。它的工作原理基本與FPMDRAM類似，取消了擴展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存與傳輸內(nèi)存兩個存儲周期之間的時間間隔，可在把數(shù)據(jù)發(fā)給CPU的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通的DRAM快出15%~30%。EDODRAM的工作電壓是5V，帶寬32bit，其接口方式多為72pin的SIMM類型，但也有168pin的DIMM類型。由于Pentium及其以上級別系統(tǒng)的數(shù)據(jù)總線寬度都是64bit的，所以EDODRAM與FPMDRAM都必須以一對一組的形式同時安裝，共同組成一個Bank。486后期的有些主板和大多586主板均支持EDODRAM。除了速度快、主板支持率高的特點外，EDODRAM在制造上只是在原來DRAM基礎(chǔ)上增加了少量EDO邏輯電路，因此成本與FPMDRAM相差不大，于是EDODRAM一上市就得到了很好的推廣，直到更高性能的SDRAM出現(xiàn)之后，EDODRAM才退出市場。

SDRAM：當(dāng)個人電腦進入IntelPentium時代后，SDRAM開始為大家所熟悉了，并一直流行到至今。SD（SynchronousDynamic）RAM也稱為“同步動態(tài)內(nèi)存”，都是168線的，帶寬為64bit，工作電壓為3.3V，目前最快的速度可達6ns。它的工作原理是將RAM與CPU以相同的時鐘頻率進行控制，使RAM和CPU的外頻同步，徹底取消等待時間，所以它的數(shù)據(jù)傳輸速度比EDORAM又至少快了13%。采用64bit的數(shù)據(jù)寬，所以只需一根內(nèi)存條就可以安裝使用。對SDRAM的支持是從Intel的VX控制芯片組開始的。VX芯片組集成了許多新的功能，其中包括支持168pin的SDRAM，在VX主板中，我們一般可以看到有四根可插72pin內(nèi)存的SIMM內(nèi)存插槽，此外還有一根可以插168pin的DIMM內(nèi)存插槽，這也說明VX控制芯片是初次嘗試支持SDRAM，不過VX控制芯片只是過渡時期的產(chǎn)品，真正能夠完美支持SDRAM的是后來Intel發(fā)布的TX控制芯片，再來看TX主板，一般SIMM已被縮減至一組，甚至沒有，而DIMM都有二根甚至三根。經(jīng)過CPU的再三發(fā)展后，外頻的概念慢慢地被建立起來。內(nèi)存與CPU是有著極強聯(lián)系的，CPU的外頻有了66MHz、100MHz等，于是內(nèi)存的工作時鐘也被確立起來。因為，內(nèi)存需要工作在CPU的外頻下，所以也就有了所謂的PC66、PC100等內(nèi)存規(guī)范，甚至到后來的PC133規(guī)范。因為主頻越高，工作的速度也就越快，所以SDRAM相對于EDO等各型內(nèi)存，其存取周期所花的時間大大縮短，常見的一般有10ns、8ns、7ns等。在CPU被超頻的同時，我們還接觸到了一個CL問題。CL是CASLatency的簡稱，CAS是指內(nèi)存在存取數(shù)據(jù)的延遲時間，那么這個數(shù)據(jù)就代表著內(nèi)存的反應(yīng)速度。一般在主板的BIOS中，我們可以看到CL參數(shù)的調(diào)協(xié)，選項有2或3，數(shù)字小代表內(nèi)存的反應(yīng)速度較快，可以快速響應(yīng)CPU給予的指令，并在高速下作。這也是衡量SDRAM優(yōu)劣與否的重要標志之一。隨著內(nèi)存的進一步規(guī)范，我們可以看到在SDRAM內(nèi)存條上有一個極小的芯片，一般以內(nèi)存右下或右上的位置。這塊極小的芯片被稱為SPD。這塊SPD其實就是一塊2K的EPROM，它是在內(nèi)存出廠時，由廠家將該內(nèi)存的性能指標寫入其中，用戶在使用中，由主板將其內(nèi)容讀出，并在BIOS中內(nèi)存類型為Auto的條件上，按SPD的內(nèi)容來調(diào)整工作參數(shù)，以加強系統(tǒng)穩(wěn)定性。DDRDRAM：DDR（DoubleDataRateDRAM），雙速率DRAM是DRAM技術(shù)的延續(xù)，與DRAM的主要區(qū)別是DDRDRAM能利用時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)，因此不需提高工作頻率就能成倍提高DRAM的速度，而且制成本并不高。此技術(shù)可應(yīng)用于SDRAM和SGRAM，使得實際帶寬增加了兩倍。就實際功能來看，在100MHz下DDRSDRAM的理論帶寬甚至可以達到1.66GB/s，在133MHz下可達到2.1GB/s，200MHz更可達到3.2GB/s。可以看到DDRDRAM在未來的高速PC系統(tǒng)和服務(wù)器中有著極大的應(yīng)用前景。目前威盛和其它一些內(nèi)存廠商正大力推廣DDRSDRAM，欲使其成為下一代內(nèi)存主流。AMD、VIA等廠商也在探討其下一代主板芯片組中應(yīng)用DDRSDRAM的可能性。因其合理的性價比從其誕生以來一直受到人們熱烈的期望，希望這一新的內(nèi)存產(chǎn)品全面提升系統(tǒng)的處理速度和帶寬，就連對Rambus抱有無限希望的Intel公司也向外界宣布將以最快的速度生產(chǎn)支持DDR內(nèi)存的新一代P4系統(tǒng)。DDR是DoubleDataRateSDRAM的縮寫（雙倍數(shù)據(jù)速率）。DDRSDRAM內(nèi)存技術(shù)是從主流的PC66，PC100，PC133SDRAM技術(shù)發(fā)展而來。這一新技術(shù)使新一代的高性能計算機系統(tǒng)成為可能，包括臺式機、工作站、服務(wù)器、便攜式，也包括新的通信產(chǎn)品，如路由器。DDR內(nèi)存目前被廣泛應(yīng)用于高性能圖形適配器。

DDRDIMMs與SDRAMDIMMs的物理元數(shù)相同，但兩側(cè)的線數(shù)不同，DDR應(yīng)用184pins，而SDRAM則應(yīng)用168pins。因此，DDR內(nèi)存不向后兼容SDRAM，要求專為DDR設(shè)計的主板與系統(tǒng)。DDR內(nèi)存技術(shù)是成熟的PC100和PC133SDRAM技術(shù)的革命性進步。DDR內(nèi)存芯片由半導(dǎo)體制造商用現(xiàn)有的晶圓片，程序及測試設(shè)備生產(chǎn)，從而降低了內(nèi)存芯片的成本。Kingston能夠利用其現(xiàn)有的制造與測試設(shè)備在全球范圍內(nèi)提供DDR模塊。RDRAM（RambusDRAM）是美國的RAMBUS公司開發(fā)的一種內(nèi)存。與DDR和SDRAM不同，它采用了串行的數(shù)據(jù)傳輸模式。在推出時，因為其徹底改變了內(nèi)存的傳輸模式，無法保證與原有的制造工藝相兼容，而且內(nèi)存廠商要生產(chǎn)RDRAM，還必須要加納一定專利費用，再加上其本身制造成本，就導(dǎo)致了RDRAM從一問世就高昂的價格，讓普通用戶無法接收。而同時期的DDR則能以較低的價格，不錯的性能，逐漸成為主流，雖然RDRAM曾受到英特爾公司的大力支持，但始終沒有成為主流。

RDRAM的數(shù)據(jù)存儲位寬是16位，遠低于DDR和SDRAM的64位。但在頻率方面，則遠遠高于二者，可以達到400MHz乃至更高。同樣也是在一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，內(nèi)存帶寬能達到1.6Gbyte/s。

普通的DRAM行緩沖器的信息，在寫回存儲器后便不再保留，而RDRAM則具有繼續(xù)保持這一信息的特性，于是在進行存儲器訪問時，如行緩沖器中已經(jīng)有目標數(shù)據(jù)，則可利用，因而實現(xiàn)了高速訪問。另外，其可把數(shù)據(jù)集中起來，以分組的形式傳送。所以，只要最初用24個時鐘，以后便可每1時鐘讀出1個字節(jié)。一次訪問所能讀出的數(shù)據(jù)長度，可以達到256字節(jié)。DDR2（DoubleDataRate2）SDRAM，是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標準，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)?。Q句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍于外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。由于DDR2標準規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅實的基礎(chǔ)。DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓，從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電;DDR2的4bit預(yù)讀升級為8bit預(yù)讀。DDR3目前最高能夠1600Mhz的速度，由于目前最為快速的DDR2內(nèi)存速度已經(jīng)提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3內(nèi)存模組將會從1333Mhz的起跳。DDR4內(nèi)存有兩種規(guī)格。其中使用Single-endedSignaling信號的DDR4內(nèi)存其傳輸速率已經(jīng)被確認為1.6～3.2Gbps，而基于差分信號技術(shù)的DDR4內(nèi)存其傳輸速率則將可以達到6.4Gbps。由于通過一個DRAM實現(xiàn)兩種接口基本上是不可能的，因此DDR4內(nèi)存將會同時存在基于傳統(tǒng)SE信號和微分信號的兩種規(guī)格產(chǎn)品。內(nèi)存-適用類型

1、臺式機內(nèi)存是DIY市場內(nèi)最為普遍的內(nèi)存，價格也相對便宜。筆記本內(nèi)存則對尺寸、穩(wěn)定性、散熱性方面有一定的要求，價格要高于臺式機內(nèi)存。而應(yīng)用于服務(wù)器的內(nèi)存，則對穩(wěn)定性以及內(nèi)存糾錯功能要求嚴格，同樣穩(wěn)定性也是著重強調(diào)的。筆記本內(nèi)存，就是應(yīng)用于筆記本電腦的內(nèi)存產(chǎn)品。筆記本內(nèi)存只是使用的環(huán)境與臺式機內(nèi)存不同，在工作原理方面，并沒有什么區(qū)別。只是因為筆記本電腦對內(nèi)存的穩(wěn)定性、體積、散熱性方面的需求，筆記本內(nèi)存在這幾方面要優(yōu)于臺式機內(nèi)存，價格方面也要高于臺式機內(nèi)存。對于多數(shù)的筆記本電腦，都并沒有配備單獨的顯存，而是采用內(nèi)存共享的形式，內(nèi)存要同時負擔(dān)內(nèi)存和顯存的存儲作用。因此，內(nèi)存對于筆記本電腦性能的影響很大。服務(wù)器是企業(yè)信息系統(tǒng)的核心，因此對內(nèi)存的可靠性非常敏感。服務(wù)器上運行著企業(yè)的關(guān)鍵業(yè)務(wù)，內(nèi)存錯誤，可能造成服務(wù)器錯誤并使數(shù)據(jù)永久丟失。因此，服務(wù)器內(nèi)存在可靠性方面的要求很高，所以服務(wù)器內(nèi)存大多都帶有Buffer（緩存器）、Register（寄存器）、ECC（錯誤糾正代碼），以保證把錯誤發(fā)生的可能性降到最低。服務(wù)器內(nèi)存具有普通PC內(nèi)存所不具備的高性能、高兼容性和高可靠性。內(nèi)存-主頻

內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣，習(xí)慣上被用來表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz（兆赫）為單位來計量的。內(nèi)存主頻越高，在一定程度上代表著內(nèi)存所能達到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前，市面上已推出的內(nèi)存產(chǎn)品中，最高能達到2666MHz的主頻，而較為主流的是1600MHz和2000MHz的DDR內(nèi)存。大家知道，計算機系統(tǒng)的時鐘速度是以頻率來衡量的。晶體振蕩器控制著時鐘速度，在石英晶片上加上電壓，其就以正弦波的形式震動起來，這一震動可以通過晶片的形變和大小記錄下來。晶體的震動以正弦調(diào)和變化的電流形式表現(xiàn)出來，這一變化的電流就是時鐘信號。而內(nèi)存本身并不具備晶體振蕩器，因此，內(nèi)存工作時的時鐘信號，是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時鐘發(fā)生器提供的。也就是說，內(nèi)存無法決定自身的工作頻率，其實際工作頻率是由主板來決定的。一般情況下，內(nèi)存的工作頻率是和主板的外頻相一致的。通過主板調(diào)節(jié)CPU的外頻，也就調(diào)整了內(nèi)存的實際工作頻率。內(nèi)存工作時，有兩種工作模式：一種是同步工作模式。此模式下，內(nèi)存的實際工作頻率與CPU外頻一致，這是大部分主板所采用的默認內(nèi)存工作模式。另外一種是異步工作模式。這樣，允許內(nèi)存的工作頻率與CPU外頻可存在一定差異。它可以讓內(nèi)存工作在高出或低于系統(tǒng)總線速度33MHz，又或者讓內(nèi)存和外頻以3:4、4:5等特定比例的頻率上。利用異步工作模式技術(shù)，就可以避免以往超頻而導(dǎo)致的內(nèi)存瓶頸問題。舉個例子：一塊845E的主板，最大只能支持DDR266內(nèi)存，其主頻是266MHz，這是DDR內(nèi)存的等效頻率，其實際工作頻率是133MHz。在正常情況下（不進行超頻），該主板上內(nèi)存工作頻率最高可以設(shè)置到DDR266的模式。但如果主板支持內(nèi)存異步功能，那么就可以采用內(nèi)存、外頻頻率以5:4的比例模式下工作。這樣，內(nèi)存的工作頻率就可以達到166MHz，此時主板就可以支持DDR333（等效頻率333MHz，實際頻率166MHz）了。目前的主板芯片組，幾乎都支持內(nèi)存異步。內(nèi)存-接口類型

接口類型，是根據(jù)內(nèi)存條金手指上導(dǎo)電觸片的數(shù)量來劃分的。金手指上的導(dǎo)電觸片，也習(xí)慣稱為針腳數(shù)（Pin）。因為不同的內(nèi)存采用的接口類型各不相同，而每種接口類型所采用的針腳數(shù)各不相同。筆記本內(nèi)存一般采用144Pin、200Pin接口；臺式機內(nèi)存則基本使用168Pin和184Pin接口。對應(yīng)于內(nèi)存所采用的不同針腳數(shù)，內(nèi)存插槽類型也各不相同。目前，臺式機系統(tǒng)主要有SIMM、DIMM和RIMM三種類型的內(nèi)存插槽，而筆記本內(nèi)存插槽則是在SIMM和DIMM插槽基礎(chǔ)上發(fā)展而來，基本原理并沒有變化，只是在針腳數(shù)上略有改變。金手指（connectingfinger）是內(nèi)存條上與內(nèi)存插槽之間的連接部件，所有的信號都是通過金手指進行傳送的。金手指由眾多金黃色的導(dǎo)電觸片組成，因其表面鍍金而且導(dǎo)電觸片排列如手指狀，所以稱為“金手指”。金手指實際上是在覆銅板上通過特殊工藝再覆上一層金，因為金的抗氧化性極強，而且傳導(dǎo)性也很強。不過，因為金昂貴的價格，目前較多的內(nèi)存都采用鍍錫來代替。從上個世紀90年代開始，錫材料就開始普及，目前主板、內(nèi)存和顯卡等設(shè)備的“金手指”，幾乎都是采用的錫材料，只有部分高性能服務(wù)器/工作站的配件接觸點，才會繼續(xù)采用鍍金的做法，價格自然不菲。內(nèi)存處理單元的所有數(shù)據(jù)流、電子流，正是通過金手指與內(nèi)存插槽的接觸與PC系統(tǒng)進行交換，是內(nèi)存的輸出輸入端口。因此，其制作工藝，對于內(nèi)存連接顯得相當(dāng)重要。內(nèi)存插槽最初的計算機系統(tǒng)，通過單獨的芯片安裝內(nèi)存，那時內(nèi)存芯片都采用DIP（Dualln-linePackage，雙列直插式封裝）封裝，DIP芯片是通過安裝在插在總線插槽里的內(nèi)存卡與系統(tǒng)連接，此時還沒有正式的內(nèi)存插槽。DIP芯片有個最大的問題，就在于安裝起來很麻煩，而且隨著時間的增加，由于系統(tǒng)溫度的反復(fù)變化，它會逐漸從插槽里偏移出來。隨著每日頻繁的計算機啟動和關(guān)閉，芯片不斷被加熱和冷卻，慢慢地芯片會偏離出插槽。最終導(dǎo)致接觸不好，產(chǎn)生內(nèi)存錯誤。早期還有另外一種方法，是把內(nèi)存芯片直接焊接在主板或擴展卡里，這樣有效避免了DIP芯片偏離的問題，但無法再對內(nèi)存容量進行擴展，而且如果一個芯片發(fā)生損壞，整個系統(tǒng)都將不能使用，只能重新焊接一個芯片或更換包含壞芯片的主板。此種方法付出的代價較大，也極為不便。內(nèi)存-內(nèi)存容量

內(nèi)存容量是指該內(nèi)存條的存儲容量，是內(nèi)存條的關(guān)鍵性參數(shù)。內(nèi)存容量以MB作為單位，可以簡寫為M。內(nèi)存的容量一般都是2的整次方倍，比如64MB、128MB、256MB等。一般而言，內(nèi)存容量越大，越有利于系統(tǒng)的運行。目前臺式機中主流采用的內(nèi)存容量為1G或2G，64MB、128MB、256M的內(nèi)存已較少采用。

系統(tǒng)對內(nèi)存的識別，是以Byte（字節(jié)）為單位，每個字節(jié)由8位二進制數(shù)組成，即8bit（比特，也稱“位”）。按照計算機的二進制方式，1Byte＝8bit；1KB＝1024Byte；1MB＝1024KB；1GB＝1024MB；1TB＝1024GB。系統(tǒng)中內(nèi)存的數(shù)量，等于插在主板內(nèi)存插槽上所有內(nèi)存條容量的總和。內(nèi)存容量的上限，一般由主板芯片組和內(nèi)存插槽決定。不同主板芯片組，可以支持的容量不同，比如Inlel的810和815系列芯片組，最高支持512MB內(nèi)存，多余的部分無法識別。目前，多數(shù)芯片組可以支持到2GB以上的內(nèi)存。此外，主板內(nèi)存插槽的數(shù)量，也會對內(nèi)存容量造成限制。比如，使用128MB一條的內(nèi)存，主板由兩個內(nèi)存插槽，最高可以使用256MB內(nèi)存。因此，在選擇內(nèi)存時，要考慮主板內(nèi)存插槽數(shù)量，并且可能需要考慮將來有升級的余地。內(nèi)存-內(nèi)存電壓

內(nèi)存正常工作，需要的一定的電壓值。不同類型的內(nèi)存，電壓也不同，但各自均有自己的規(guī)格，超出其規(guī)格，容易造成內(nèi)存損壞。SDRAM內(nèi)存一般工作電壓都在3.3伏左右，上下浮動額度不超過0.3伏；DDRSDRAM內(nèi)存一般工作電壓都在2.5伏左右，上下浮動額度不超過0.2伏；而DDR2SDRAM內(nèi)存的工作電壓一般在1.8V左右。具體到每種品牌、每種型號的內(nèi)存，則要看廠家了，但都會遵循SDRAM內(nèi)存3.3伏、DDRSDRAM內(nèi)存2.5伏、DDR2SDRAM內(nèi)存1.8伏的基本要求，在允許的范圍內(nèi)浮動。內(nèi)存-顆粒封裝

顆粒封裝，其實就是內(nèi)存芯片所采用的封裝技術(shù)類型。封裝就是將內(nèi)存芯片包裹起來，以避免芯片與外界接觸，防止外界對芯片的損害?？諝庵械碾s質(zhì)和不良氣體，乃至水蒸氣，都會腐蝕芯片上的精密電路，進而造成電學(xué)性能下降。不同的封裝技術(shù)，在制造工序和工藝方面差異很大。封裝后，對內(nèi)存芯片自身性能的發(fā)揮，也起到至關(guān)重要的作用。

隨著光電、微電制造工藝技術(shù)的飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品始終在朝著更小、更輕、更便宜的方向發(fā)展、因此，芯片元件的封裝形式，也不斷得到改進。芯片的封裝技術(shù)，多種多樣，有DIP、POFP、TSOP、BGA、QFP、CSP等等，種類不下三十種，經(jīng)歷了從DIP、TSOP到BGA的發(fā)展歷程。芯片的封裝技術(shù)已經(jīng)歷了幾代的變革，性能日益先進，芯片面積與封裝面積之比越來越接近，適用頻率越來越高，耐溫性能越來越好，以及引腳數(shù)增多，引腳間距減小，重量減小，可靠性提高，使用更加方便。內(nèi)存-傳輸標準

內(nèi)存有很嚴格的制造要求。而其中的傳輸標準，則代表著對內(nèi)存速度方面的標準。不同類型的內(nèi)存，無論是SDRAM、DDRSDRAM，還是RDRAM都有不同的規(guī)格，每種規(guī)格的內(nèi)存，在速度上是各不相同的。傳輸標準是內(nèi)存的規(guī)范，只有完全符合該規(guī)范，才能說該內(nèi)存采用了此傳輸標準。比如說傳輸標準PC3200內(nèi)存，代表著此內(nèi)存為工作頻率200MHz，等效頻率為400MHz的DDR內(nèi)存，也就是常說的DDR-400。DDR傳輸標準

PC1600如果按照傳統(tǒng)習(xí)慣傳輸標準的命名，PC1600（DDR200）應(yīng)該是PC200。在當(dāng)時DDR內(nèi)存正在與RDRAM內(nèi)存進行下一代內(nèi)存標準之爭，此時的RDRAM按照頻率命名，應(yīng)該叫PC600和PC800。這樣，對于不是很了解的人來說，自然會認為PC200遠遠落后于PC600，而JEDEC基于市場競爭的考慮，將DDR內(nèi)存的命名規(guī)范進行了調(diào)整。傳統(tǒng)習(xí)慣是按照內(nèi)存工作頻率來命名，而DDR內(nèi)存則以內(nèi)存?zhèn)鬏斔俾拭?。因此，才有了今天的PC1600、PC2100、PC2700、PC3200、PC3500等。PC1600的實際工作頻率是100MHz，而等效工作頻率是200MHz，那么，它的數(shù)據(jù)傳輸率就為“數(shù)據(jù)傳輸率＝頻率*每次傳輸?shù)臄?shù)據(jù)位數(shù)”，也就是200MHz*64bit=12800Mb/s，再除以8就換算為MB為單位，就是1600MB/s，從而命名為PC1600。內(nèi)存-內(nèi)存帶寬

從功能上理解，我們可以將內(nèi)存看作是內(nèi)存控制器（一般位于北橋芯片中）與CPU之間的橋梁或與倉庫。顯然，內(nèi)存的容量決定“倉庫”的大小，而內(nèi)存的帶寬決定“橋梁”的寬窄，兩者缺一不可，這也就是我們常常說道的“內(nèi)存容量”與“內(nèi)存速度”。除了內(nèi)存容量與內(nèi)存速度，延時周期也是決定其性能的關(guān)鍵。當(dāng)CPU需要內(nèi)存中的數(shù)據(jù)時，它會發(fā)出一個由內(nèi)存控制器所執(zhí)行的要求，內(nèi)存控制器接著將要求發(fā)送至內(nèi)存，并在接收數(shù)據(jù)時向CPU報告整個周期（從CPU到內(nèi)存控制器，內(nèi)存再回到CPU）所需的時間。毫無疑問，縮短整個周期也是提高內(nèi)存速度的關(guān)鍵，這就好比在橋梁上工作的警察，其指揮疏通能力也是決定通暢度的因素之一。更快速的內(nèi)存技術(shù)對整體性能表現(xiàn)有重大的貢獻，但是提高內(nèi)存帶寬只是解決方案的一部分，數(shù)據(jù)在CPU以及內(nèi)存間傳送所花的時間通常比處理器執(zhí)行功能所花的時間更長，為此緩沖區(qū)被廣泛應(yīng)用。其實，所謂的緩沖器就是CPU中的一級緩存與二級緩存，它們是內(nèi)存這座“大橋梁”與CPU之間的“小橋梁”。事實上，一級緩存與二級緩存采用的是SRAM，我們也可以將其寬泛地理解為“內(nèi)存帶寬”，不過現(xiàn)在似乎更多地被解釋為“前端總線”DDR2可以看作是

DDR技術(shù)標準的一種升級和擴展。DDR的核心頻率與時鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時鐘頻率的兩倍，也就是說，在一個時鐘周期內(nèi)，必須傳輸兩次數(shù)據(jù)。而DDR2采用“4bitPrefetch(4位預(yù)取)”機制，核心頻率僅為時鐘頻率的一半，時鐘頻率再為數(shù)據(jù)頻率的一半。這樣，即使核心頻率還在200MHz，DDR2內(nèi)存的數(shù)據(jù)頻率也能達到800MHz，也就是所謂的DDR2800。目前，已有的標準DDR2內(nèi)存分為DDR2400和DDR2533，今后還會有DDR2667和DDR2800，其核心頻率分別為100MHz、133MHz、166MHz和200MHz，其總線頻率(時鐘頻率)分別為200MHz、266MHz、333MHz和400MHz，等效的數(shù)據(jù)傳輸頻率分別為400MHz、533MHz、667MHz和800MHz，其對應(yīng)的內(nèi)存?zhèn)鬏攷挿謩e為3.2GB/sec、4.3GB/sec、5.3GB/sec和6.4GB/sec，按照其內(nèi)存?zhèn)鬏攷挿謩e標注為PC23200、PC24300、PC25300和PC26400。內(nèi)存帶寬的重要性在回答這一問題之前，我們先來簡單看一看系統(tǒng)工作的過程?；旧袭?dāng)CPU接收到指令后，它會最先向CPU中的一級緩存（L1Cache）去尋找相關(guān)的數(shù)據(jù)，雖然一級緩存是與CPU同頻運行的，但是由于容量較小，所以不可能每次都命中。這時CPU會繼續(xù)向下一級的二級緩存（L2Cache）尋找，同樣的道理，當(dāng)所需要的數(shù)據(jù)在二級緩存中也沒有的話，會繼續(xù)轉(zhuǎn)向L3Cache（如果有的話，如K6-2＋和K6-3）、內(nèi)存和硬盤。由于目前系統(tǒng)處理的數(shù)據(jù)量都是相當(dāng)巨大的，因此幾乎每一步操作都得經(jīng)過內(nèi)存，這也是整個系統(tǒng)中工作最為頻繁的部件。如此一來，內(nèi)存的性能就在一定程度上決定了這個系統(tǒng)的表現(xiàn)，這點在多媒體設(shè)計軟件和3D游戲中表現(xiàn)得更為明顯。3D顯卡的內(nèi)存帶寬（或許稱為顯存帶寬更為合適）的重要性也是不言而喻的，甚至其作用比系統(tǒng)的內(nèi)存帶寬更為明顯。如何提高內(nèi)存帶寬內(nèi)存帶寬的計算方法并不復(fù)雜，大家可以遵循如下的計算公式：帶寬＝總線寬度×總線頻率×一個時鐘周期內(nèi)交換的數(shù)據(jù)包個數(shù)。很明顯，在這些乘數(shù)因子中，每個都會對最終的內(nèi)存帶寬產(chǎn)生極大的影響。然而，如今在頻率上已經(jīng)沒有太大文章可作，畢竟這受到制作工藝的限制，不可能在短時間內(nèi)成倍提高。而總線寬度和數(shù)據(jù)包個數(shù)就大不相同了，簡單的改變會令內(nèi)存帶寬突飛猛進。DDR技術(shù)就使我們感受到提高數(shù)據(jù)包個數(shù)的好處，它令內(nèi)存帶寬瘋狂地提升一倍。當(dāng)然，提高數(shù)據(jù)包個數(shù)的方法不僅僅局限于在內(nèi)存上做文章，通過多個內(nèi)存控制器并行工作同樣可以起到效果，這也就是如今熱門的雙通道DDR芯片組（如nForce2、I875/865等）。內(nèi)存-工作原理

我們平常所提到的計算機的內(nèi)存指的是動態(tài)內(nèi)存（即DRAM），動態(tài)內(nèi)存中所謂的“動態(tài)”，指的是當(dāng)我們將數(shù)據(jù)寫入DRAM后，經(jīng)過一段時間，數(shù)據(jù)會丟失，因此需要一個額外設(shè)電路進行內(nèi)存刷新操作。以相同速度高速地、隨機地寫入和讀出數(shù)據(jù)（寫入速度和讀出速度可以不同）的一種半導(dǎo)體存儲器。簡稱RAM。RAM的優(yōu)點是存取速度快、讀寫方便，缺點是數(shù)據(jù)不能長久保持，斷電后自行消失，因此主要用于計算機主存儲器等要求快速存儲的系統(tǒng)。按工作方式不同，可分為靜態(tài)和動態(tài)兩類。靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的單元電路是觸發(fā)器，存入的信息在規(guī)定的電源電壓下便不會改變。SRAM速度快，使用方便。動態(tài)隨機存儲器（

DRAM

）的單元由一個金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）電容和一個MOS晶體管構(gòu)成，數(shù)據(jù)以電荷形式存放在電容之中，需每隔2～4毫秒對單元電路存儲信息重寫一次（刷新）。DRAM存儲單元器件數(shù)量少，集成度高，應(yīng)用廣泛。內(nèi)存-虛擬內(nèi)存

內(nèi)存在計算機中的作用很大，電腦中所有運行的程序都需要經(jīng)過內(nèi)存來執(zhí)行，如果執(zhí)行的程序很大或很多，就會導(dǎo)致內(nèi)存消耗殆盡。為了解決這個問題，Windows中運用了虛擬內(nèi)存技術(shù)，即拿出一部分硬盤空間來充當(dāng)內(nèi)存使用，當(dāng)內(nèi)存占用完時，電腦就會自動調(diào)用硬盤來充當(dāng)內(nèi)存，以緩解內(nèi)存的緊張。舉一個例子來說，如果電腦只有128MB物理內(nèi)存的話，當(dāng)讀取一個容量為200MB的文件時，就必須要用到比較大的虛擬內(nèi)存，文件被內(nèi)存讀取之后就會先儲存到虛擬內(nèi)存，等待內(nèi)存把文件全部儲存到虛擬內(nèi)存之后，跟著就會把虛擬內(nèi)里儲存的文件釋放到原來的安裝目錄里了。內(nèi)存-內(nèi)存煉成

金士頓設(shè)在臺灣的工廠，并記錄了內(nèi)存的生產(chǎn)流程，接下來就讓我們跟隨AnandTech的編輯一起來看看內(nèi)存是怎樣煉成的。金士頓在臺灣的工廠Hsin-Chu制造基地主要負責(zé)內(nèi)存組裝，并沒有晶片制造能力。內(nèi)存原料由其他金士頓工廠制造，或從其他品牌工廠購買。工廠擁有4條SurfaceMountTechnology（SMT表面組裝技術(shù)）生產(chǎn)線，能夠生產(chǎn)DDR，DDR2和閃存。

內(nèi)存生產(chǎn)完全由組裝程序自動完成，工人直到最后質(zhì)檢時才會接觸到內(nèi)存。質(zhì)檢是一個必不可少的步驟，焊接好的DIMM將通過光學(xué)檢查站進行質(zhì)檢。每個板卡和芯片自動檢驗焊接的完整性，質(zhì)量差的產(chǎn)品將被丟棄。經(jīng)過檢測后，DIMM將被貼上標簽，然后DIMM進入下個生產(chǎn)階段，DIMM被分割成具有8個PCB的獨立DIMM。盡管完成的DIMM已經(jīng)接受了機器檢驗，但是金士頓為了保證100%的產(chǎn)品合格率，還將進行最后的產(chǎn)品質(zhì)量檢驗，切割好的DIMM被裝在托盤中準備進行最后檢測。在最后的質(zhì)量檢驗中，檢測人員將模擬最終用戶的電腦平臺，以保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性。所有產(chǎn)品檢測合格后，才能封裝上市。內(nèi)存-常見品牌

現(xiàn)代（HY）

個人認為，原廠現(xiàn)代和三星內(nèi)存是目前兼容性和穩(wěn)定性最好的內(nèi)存條，其比許多廣告吹得生猛的內(nèi)存條要來得實在得多，此外，現(xiàn)代"Hynix（更專業(yè)的稱呼是海力士半導(dǎo)體HynixSemiconductorInc.）"的D43等顆粒也是目前很多高頻內(nèi)存所普遍采用的內(nèi)存芯片。目前，市場上超值的現(xiàn)代高頻條有現(xiàn)代原廠DDR500內(nèi)存，采用了TSOP封裝的HY5DU56822CT-D5內(nèi)存芯片，其性價比很不錯。金士頓（Kingston）

作為世界第一大內(nèi)存生產(chǎn)廠商的Kingston，其金士頓內(nèi)存產(chǎn)品在進入中國市場以來，就憑借優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)量和一流的售后服務(wù)，贏得了眾多中國消費者的心。

不過Kingston雖然作為世界第一大內(nèi)存生產(chǎn)廠商，然而Kingston品牌的內(nèi)存產(chǎn)品，其使用的內(nèi)存顆粒確是五花八門，既有Kingston自己顆粒的產(chǎn)品，更多的則是現(xiàn)代（Hynix）、三星（Samsung）、南亞（Nanya）、華邦（Winbond）、英飛凌（Infinoen）、美光（Micron）等等眾多廠商的內(nèi)存顆粒。

Kingston的高頻內(nèi)存有采用"Hynix"D43顆粒和Winbond的內(nèi)存顆粒的金士頓DDR400、DDR433-DDR500內(nèi)存等，其分屬ValueRam系列（經(jīng)濟型）和HyperX系列。

Kingston的ValueRam系列，價格與普通的DDR400一樣，但其可以超頻到DDR500使用。而Kingston的HyperX系列其超頻性也不錯，Kingston500MHz的HyperX超頻內(nèi)存（HyperXPC4000）有容量256MB、512MB單片包裝與容量512MB與1GB雙片的包裝上市，其電壓為2.6伏特，采用鋁制散熱片加強散熱，使用三星K4H560838E-TCCC芯片，在DDR400下的CAS值為2.5，DDR500下的CAS值為3，所以性能也一般。利屏

利屏是進來新近崛起的一個內(nèi)存新秀。利屏科技（深圳）有限公司總部設(shè)在美國西部風(fēng)景如畫的世界高科技重鎮(zhèn)舊金山。公司致力于研發(fā)、生產(chǎn)和銷售利屏LPT極限高端內(nèi)存條產(chǎn)品。公司擁有一支技術(shù)過硬的產(chǎn)品研發(fā)團隊和足跡遍及中、外的專業(yè)銷售隊伍。產(chǎn)品深受廣大游戲玩家和超頻愛好者的喜愛。同時被冠以“超頻之神”的美譽。

“利屏”眼鏡蛇DDR400系列內(nèi)存也是專門為追求性能的玩家所設(shè)計，它采用的也是D43的顆粒，但是時序更高，為了加強散熱更是加上了金屬散熱片，其超頻能力相當(dāng)強勁，在加0.1V左右的電壓下可以超頻到DDR520。而利屏的DDR466內(nèi)存，它采用的是編號為K4H560838E-TCCC的三星顆粒，運行在DDR466的時候內(nèi)存時序為3-4-4-8，但其256MB容量接近500元的報價就顯得太高了。

而利屏的高端極限內(nèi)存DDR560，提供單片256MB和512MB包裝，同時雙片裝的512MB和1024MB支持雙通道架構(gòu)，每條內(nèi)存的表面均有銅質(zhì)散熱片進行散熱及確保運行的穩(wěn)定性，其CAS值均為3，只能說剛好能用而已。勝創(chuàng)（Kingmax）

成立于1989年的勝創(chuàng)科技有限公司是一家名列中國臺灣省前200強的生產(chǎn)企業(yè)（CommonwealthMagazine，May2000），同時也是內(nèi)存模組的引領(lǐng)生產(chǎn)廠商。

通過嚴格的質(zhì)量控制和完善的研發(fā)實力，勝創(chuàng)科技獲得了ISO-9001證書，同時和IT行業(yè)中最優(yōu)秀的企業(yè)建立了合作伙伴關(guān)系。公司以不斷創(chuàng)新的設(shè)計工藝和追求完美的信念生產(chǎn)出了高性能的尖端科技產(chǎn)品，不斷向移動計算領(lǐng)域提供價廉物美的最出色的內(nèi)存模組。

在SDRAM時期，Kingmax就曾成功的建造了PC150帝國，開啟了內(nèi)存產(chǎn)品的高速時代，也奠定了Kingmax在內(nèi)存領(lǐng)域領(lǐng)先的地位。而今DDR來了，從266到300，再到現(xiàn)在的500，Kingmax始終保持著領(lǐng)先的位置，繼續(xù)引領(lǐng)著內(nèi)存發(fā)展的方向。說到KingMax內(nèi)存，就不能不說到它獨特的“TinyBGA”封裝技術(shù)專利——作為全球領(lǐng)先的DRAM生產(chǎn)廠商，勝創(chuàng)科技在1997年宣布了第一款基于TinyBGA封裝技術(shù)的內(nèi)存模組，這項屢獲殊榮的封裝技術(shù)能以同樣的體積大小封裝3倍于普通技術(shù)所達到的內(nèi)存容量。同時，勝創(chuàng)科技還研制了為高端服務(wù)器和工作站應(yīng)用設(shè)計的1GBStackBGA模組、為DDR應(yīng)用設(shè)計的FBGA模組以及為RambusRIMM應(yīng)用設(shè)計的速度高達1.6GB/秒的flip-chipBGA/DCA模組。Kingmax勝創(chuàng)推出的低價版的DDR433內(nèi)存產(chǎn)品，該產(chǎn)品采用傳統(tǒng)的TSOP封裝內(nèi)存芯片，工作頻率433MHz。Kingmax推出的這個SuperRamPC3500系列的售價和PC3200處于同一檔次，這為那些熱衷超頻又手頭不寬裕的用戶提供了一個不錯的選擇。此外，Kingmax也推出了CL-3的DDR500內(nèi)存產(chǎn)品，其性能和其它廠家的同類產(chǎn)品大同小異。Corsair（海盜船）是一家較有特點的內(nèi)存品牌，其內(nèi)存條都包裹著一層黑色金屬外殼，這層金屬殼緊貼在內(nèi)存顆粒上，一方面可以屏蔽其他的電磁干擾。其代表產(chǎn)品如CorsairTwinXPC3200（CMX512-3200XL）內(nèi)存，其在DDR400下，可以穩(wěn)定運行在CL2-2-2-5-T1下，將潛伏期和尋址時間縮短為原來的一半，這款內(nèi)存并不比一些DDR500產(chǎn)品差，而且Corsair為這種內(nèi)存提供終身保修。

而CorsairDDR500內(nèi)存采用Hynix芯片，這款XMS4000能穩(wěn)定運行在DDR500，并且可以超頻到DDR530，在DDR500下其CAS值為2.5，性能還算不錯。宇瞻（Apacer）在內(nèi)存市場，Apacer一直以來都有著較好的聲譽，其SDRAM時代的WBGA封裝也響徹一時，在DDR內(nèi)存上也樹立了良好形象。宇瞻科技隸屬宏基集團，實力非常雄厚。初期專注于內(nèi)存模組行銷，并已經(jīng)成為全球前四大內(nèi)存模組供應(yīng)商之一。據(jù)權(quán)威人士透露，在國際上，宇瞻的品牌知名度以及產(chǎn)品銷量與目在前國內(nèi)排名第一的品牌持平甚至超過，之所以在國內(nèi)目前沒有坐到龍頭位置，是因為宇瞻對于品牌宣傳一直比較低調(diào)，精力更多投入到產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)而不是品牌推廣當(dāng)中。

宇瞻推出的"宇瞻金牌內(nèi)存"系列。宇瞻金牌內(nèi)存產(chǎn)品線特別為追求高穩(wěn)定性、高兼容性的內(nèi)存用戶而設(shè)計。宇瞻金牌內(nèi)存堅持使用100％原廠測試顆粒（決不使用OEM顆粒）是基于現(xiàn)有最新的DDR內(nèi)存技術(shù)標準設(shè)計而成，經(jīng)過ISO9002認證之工廠完整流程生產(chǎn)制造。采用20微米金手指高品質(zhì)6層PCB板，每條內(nèi)存都覆蓋有美觀精質(zhì)的黃金色金屬銘牌，而且通過了最高端的Advantest測試系統(tǒng)檢測后，采用高速SMT機臺打造，經(jīng)過高低壓、高低溫、長時間的密封式空間嚴苛測試，并經(jīng)過全球知名系統(tǒng)及主板大廠完全兼容性測試，品質(zhì)與兼容性都得到最大限度的保證。

宇瞻的DDR500內(nèi)存（PC4000內(nèi)存）采用金黃色的散熱片和綠色的PCB板搭配。金屬散熱片的材質(zhì)相當(dāng)不錯，在手中有種沉甸甸的感覺，為了防止氧化，其表面被鍍成了金色。內(nèi)存顆粒方面，這款內(nèi)存采用了三星的內(nèi)存顆粒，具體型號為：K4H560838E-TCC5，為32Mx8規(guī)格DDR466@CL=3的TSOPII封裝顆粒，標準工作電壓2.6V+-0.1V，標準運行時序CL-tRCD-tRP為3-4-4。在DDR500下其CL值為3，性能將就。金邦（geil）

金邦科技股份有限公司是世界上專業(yè)的內(nèi)存模塊制造商之一。全球第一家也是唯一家以漢字注冊的內(nèi)存品牌，并以中文命名的產(chǎn)品"金邦金條"、"千禧條GL2000"迅速進入國內(nèi)市場，在極短的時間內(nèi)達到行業(yè)銷量遙遙領(lǐng)先。第一支"量身訂做，終身保固"記憶體模組的內(nèi)存品牌，首推"量身訂做"系列產(chǎn)品，使計算機進入最優(yōu)化狀態(tài)。在聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會JEDEC尚未通過DDR400標準的情況下，率先推出第一支"DDR400"并成功于美國上市。金邦高性能、高品質(zhì)和高可靠性的內(nèi)存產(chǎn)品，引起業(yè)界和傳媒的廣泛關(guān)注。在過去幾年中，金邦內(nèi)存多次榮獲國內(nèi)權(quán)威雜志評為讀者首選品牌和編輯選擇獎，穩(wěn)奪國內(nèi)存儲器市場占有率三強。

金邦的GeilPlatinum系列的DDR500內(nèi)存（PC4000），采用TSOPII封裝，使用了純銅內(nèi)存散熱片，可較妥善的解決內(nèi)存的散熱問題。采用六層低電磁干擾PCB板設(shè)計；單條容量256MB，在內(nèi)存芯片上做了整體打磨并上打上了Geil的印記，"號稱"使用了4ns的內(nèi)存芯片，但仍可以看出其是采用Hynix的內(nèi)存顆粒。額定工作頻率可達500MHz，在內(nèi)存參數(shù)方面這是默認為CL3，可達CL2.5。除此而外，其還有金條PC4200（DDR533）等款產(chǎn)品。內(nèi)存選購指南

內(nèi)存質(zhì)量和性能的好壞直接影響著計算機工作的穩(wěn)定和性能的發(fā)揮，因此選購內(nèi)存時一定要選購質(zhì)量有保證，且性能穩(wěn)定的內(nèi)存。要選購好的內(nèi)存，一般可從內(nèi)存品牌和內(nèi)存編號入手。內(nèi)存品牌內(nèi)存芯片編號

內(nèi)存選購方法對于選擇內(nèi)存來說，最重要的是穩(wěn)定性和性能，而內(nèi)存的做工水平直接會影響到性能、穩(wěn)定以及超頻。內(nèi)存顆粒的好壞直接影響到內(nèi)存的性能，可以說也是內(nèi)存最重要的核心元件。所以大家在購買時，盡量選擇大廠生產(chǎn)出來的內(nèi)存顆粒，一般常見的內(nèi)存顆粒廠商有三星、現(xiàn)代、鎂光、南亞、茂矽等，它們都是經(jīng)過完整的生產(chǎn)工序，因此在品質(zhì)上都更有保障。而采用這些頂級大廠內(nèi)存顆粒的內(nèi)存條品質(zhì)性能，必然會比其他雜牌內(nèi)存顆粒的產(chǎn)品要高出許多。內(nèi)存PCB電路板的作用是連接內(nèi)存芯片引腳與主板信號線，因此其做工好壞直接關(guān)系著系統(tǒng)穩(wěn)定性。目前主流內(nèi)存PCB電路板層數(shù)一般是6層，這類電路板具有良好的電氣性能，可以有效屏蔽信號干擾。而更優(yōu)秀的高規(guī)格內(nèi)存往往配備了8層PCB電路板，以起到更好的效能。SPD隱藏信息

SPD信息可以說非常重要，它能夠直觀反映出內(nèi)存的性能及體制。它里面存放著內(nèi)存可以穩(wěn)定工作的指標信息