第05章 存儲(chǔ)器ppt課件

1、存儲(chǔ)器的類型存儲(chǔ)器的類型隨機(jī)存儲(chǔ)器隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器ROM存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)、地址分配存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)、地址分配 5-1 存儲(chǔ)器分類硬盤(pán)：硬盤(pán)：IDE、SCSI、ATA光盤(pán)：光盤(pán)：CD-ROMFLASH： U盤(pán)盤(pán)SRAMDRAMPROMEPROMEEPROMRAMROM外部存儲(chǔ)器外部存儲(chǔ)器內(nèi)部存儲(chǔ)器內(nèi)部存儲(chǔ)器（半導(dǎo)體存儲(chǔ)器）（半導(dǎo)體存儲(chǔ)器）存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器5-2隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RAM一、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器一、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM）1、靜態(tài)、靜態(tài)RAM的構(gòu)成的構(gòu)成單元電路：?jiǎn)卧娐罚?個(gè)個(gè)MOS管組成雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器，存儲(chǔ)一位二進(jìn)管組成雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器，存儲(chǔ)一位二進(jìn)制數(shù)制數(shù)“0或或“1”。只要

2、不掉電，只要不掉電， “0或或“1狀態(tài)一直保持，狀態(tài)一直保持，除非重新寫(xiě)入新數(shù)據(jù)。除非重新寫(xiě)入新數(shù)據(jù)。不需要刷新，集成度低，成本高。不需要刷新，集成度低，成本高。Q1、Q2 組成一個(gè)觸發(fā)器組成一個(gè)觸發(fā)器Q3、 Q4 作為負(fù)載電阻作為負(fù)載電阻Q5、 Q6 作為控制門(mén)作為控制門(mén)寫(xiě)入時(shí)：由寫(xiě)入時(shí)：由I/O線輸入線輸入: 若若I/O=1，使，使Q2 導(dǎo)通，導(dǎo)通，Q1 截截止，止， A=1，B=0。讀出時(shí)：讀出時(shí)：A、B點(diǎn)信號(hào)由點(diǎn)信號(hào)由Q5、Q6送出到送出到 I/O線上。線上。 若若A=1，B=0，則，則I/O=1。存儲(chǔ)矩陣：存儲(chǔ)矩陣：存儲(chǔ)器以存儲(chǔ)單元為基本單位構(gòu)成矩陣。存儲(chǔ)器以存儲(chǔ)單元為基本單位構(gòu)成矩

3、陣。存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)線有存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)線有1位、位、4位、位、8位，可以同位，可以同時(shí)寫(xiě)入時(shí)寫(xiě)入/讀出讀出1位、位、4位、位、8位二進(jìn)制數(shù)。位二進(jìn)制數(shù)。地址譯碼器：地址譯碼器：不同存儲(chǔ)單元通過(guò)不同地址碼來(lái)區(qū)別。不同存儲(chǔ)單元通過(guò)不同地址碼來(lái)區(qū)別。地址譯碼器包括行譯碼與列譯碼。地址譯碼器包括行譯碼與列譯碼。三態(tài)數(shù)據(jù)緩沖器與控制邏輯三態(tài)數(shù)據(jù)緩沖器與控制邏輯所有存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)并聯(lián)形成存儲(chǔ)器的所有存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)并聯(lián)形成存儲(chǔ)器的內(nèi)部數(shù)據(jù)總線，可有內(nèi)部數(shù)據(jù)總線，可有1位、位、4位、位、8位。位。內(nèi)部數(shù)據(jù)總線通過(guò)三態(tài)數(shù)據(jù)緩沖器與外部數(shù)據(jù)內(nèi)部數(shù)據(jù)總線通過(guò)三態(tài)數(shù)據(jù)緩沖器與外部數(shù)據(jù)總線連接。總線連接。數(shù)據(jù)

4、緩沖器受片選信號(hào)控制，當(dāng)片選信號(hào)無(wú)效數(shù)據(jù)緩沖器受片選信號(hào)控制，當(dāng)片選信號(hào)無(wú)效時(shí)，緩沖器關(guān)閉，外部數(shù)據(jù)總線與片內(nèi)總線之時(shí)，緩沖器關(guān)閉，外部數(shù)據(jù)總線與片內(nèi)總線之間處于高阻狀態(tài)，數(shù)據(jù)無(wú)法寫(xiě)入或讀出。間處于高阻狀態(tài)，數(shù)據(jù)無(wú)法寫(xiě)入或讀出。數(shù)據(jù)寫(xiě)入操作需要在寫(xiě)信號(hào)有效時(shí)完成，數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)寫(xiě)入操作需要在寫(xiě)信號(hào)有效時(shí)完成，數(shù)據(jù)讀出操作需要在讀信號(hào)有效時(shí)完成。讀出操作需要在讀信號(hào)有效時(shí)完成。2、靜態(tài)、靜態(tài)RAM的例子：的例子：6264數(shù)據(jù)總線：數(shù)據(jù)總線：D7D0，存，存儲(chǔ)單元為字節(jié)結(jié)構(gòu)。儲(chǔ)單元為字節(jié)結(jié)構(gòu)。地址總線：地址總線：A12A0，共共8k個(gè)單元。個(gè)單元。總?cè)萘繛榭側(cè)萘繛?k8A010A19A28A37A46A

5、55A64A73A825A924A1021A1123A122CS120CS226WE27OE22D011D112D213D315D416D517D618D719OE：輸出使能，接：輸出使能，接RDWE：寫(xiě)入使能，接：寫(xiě)入使能，接WRCS2、CS1：片選：片選1、動(dòng)態(tài)、動(dòng)態(tài)RAM的構(gòu)成的構(gòu)成u依靠電容存儲(chǔ)電荷來(lái)決定存儲(chǔ)信息是依靠電容存儲(chǔ)電荷來(lái)決定存儲(chǔ)信息是“0還是還是“1”。u由于電容漏電，需要定時(shí)重寫(xiě)數(shù)據(jù)，稱為由于電容漏電，需要定時(shí)重寫(xiě)數(shù)據(jù)，稱為刷新操作，故外圍電路復(fù)雜。刷新操作，故外圍電路復(fù)雜。u集成度高，功耗低，價(jià)格低。集成度高，功耗低，價(jià)格低。二、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器二、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

6、DRAM）動(dòng)態(tài)基本存儲(chǔ)電路動(dòng)態(tài)基本存儲(chǔ)電路數(shù)據(jù)以電荷形式存于電容器上，三極管作為開(kāi)關(guān)。數(shù)據(jù)以電荷形式存于電容器上，三極管作為開(kāi)關(guān)。1寫(xiě)入時(shí)，行選擇線為寫(xiě)入時(shí)，行選擇線為 1 ，Q導(dǎo)通，導(dǎo)通，C充電；充電；2讀出時(shí)，行選擇線為讀出時(shí)，行選擇線為 1 ，電容，電容C上電荷通過(guò)上電荷通過(guò)Q送送到數(shù)據(jù)線上，經(jīng)放大，送出；到數(shù)據(jù)線上，經(jīng)放大，送出；3需刷新需刷新 u在讀寫(xiě)操作時(shí)，片選信號(hào)必須都有效。在讀寫(xiě)操作時(shí)，片選信號(hào)必須都有效。u讀操作：在片選信號(hào)與讀操作：在片選信號(hào)與OE都有效時(shí)，由地址都有效時(shí)，由地址碼所選中存儲(chǔ)單元的內(nèi)容出現(xiàn)在外部數(shù)據(jù)總線碼所選中存儲(chǔ)單元的內(nèi)容出現(xiàn)在外部數(shù)據(jù)總線上。上。u寫(xiě)操作

7、：在片選信號(hào)與寫(xiě)操作：在片選信號(hào)與WE信號(hào)都有效時(shí)，信號(hào)都有效時(shí)，外部數(shù)總線上的內(nèi)容送到由地址碼所選中存儲(chǔ)外部數(shù)總線上的內(nèi)容送到由地址碼所選中存儲(chǔ)單元，通常在單元，通常在WE負(fù)脈沖的上升沿存入單元中負(fù)脈沖的上升沿存入單元中。三、存儲(chǔ)器的工作時(shí)序三、存儲(chǔ)器的工作時(shí)序5-3只讀存儲(chǔ)器 ROM一、掩膜型一、掩膜型ROM掩膜型掩膜型ROM中的信息是芯片生產(chǎn)廠家根據(jù)用中的信息是芯片生產(chǎn)廠家根據(jù)用戶給定的數(shù)據(jù)對(duì)芯片圖形掩膜進(jìn)行光刻確定戶給定的數(shù)據(jù)對(duì)芯片圖形掩膜進(jìn)行光刻確定的，出廠后數(shù)據(jù)不能更改。的，出廠后數(shù)據(jù)不能更改。MOS型型ROM速度慢，功耗小，而雙極型速度慢，功耗小，而雙極型ROM速度快，功耗大。速

8、度快，功耗大。費(fèi)用主要決定于掩膜的費(fèi)用，單個(gè)芯片的成費(fèi)用主要決定于掩膜的費(fèi)用，單個(gè)芯片的成本很小，因此適宜于大批量生產(chǎn)。本很小，因此適宜于大批量生產(chǎn)。二、可編程二、可編程ROMPROM）PROM中的信息在出廠后允許更改一次，可中的信息在出廠后允許更改一次，可由用戶決定。由用戶決定。PROM由二極管矩陣組成，用可熔金屬絲連由二極管矩陣組成，用可熔金屬絲連接存儲(chǔ)單元發(fā)射極。金屬絲熔斷為接存儲(chǔ)單元發(fā)射極。金屬絲熔斷為“0”，連，連接狀態(tài)為接狀態(tài)為“1”，出廠時(shí)都是連著的。，出廠時(shí)都是連著的。編程時(shí)，用大電流把金屬絲熔斷，從而把編程時(shí)，用大電流把金屬絲熔斷，從而把“1改為改為“0”。一旦燒斷，金屬絲不

9、能恢復(fù)，故只能編程一一旦燒斷，金屬絲不能恢復(fù)，故只能編程一次。次。三、可擦除可編程三、可擦除可編程ROMEPROM）1、EPROM工作原理工作原理出廠時(shí)所有數(shù)據(jù)都是出廠時(shí)所有數(shù)據(jù)都是“1狀態(tài)。狀態(tài)。用高電壓、大電流可把用高電壓、大電流可把“1狀態(tài)改寫(xiě)為狀態(tài)改寫(xiě)為“0狀態(tài)，稱之為狀態(tài)，稱之為“編程操作。編程操作。通過(guò)紫外線照射，可把數(shù)據(jù)通過(guò)紫外線照射，可把數(shù)據(jù)“0恢復(fù)為恢復(fù)為“1狀態(tài)，稱之為狀態(tài)，稱之為“擦除擦除”。可以進(jìn)行多次可以進(jìn)行多次“編程編程”、“擦除操作。擦除操作。2、EPROM的例子：的例子：2764數(shù)據(jù)總線：數(shù)據(jù)總線：D7D0，存，存儲(chǔ)單元為字節(jié)結(jié)構(gòu)。儲(chǔ)單元為字節(jié)結(jié)構(gòu)。地址總線：地

10、址總線：A12A0，共共8k個(gè)單元。個(gè)單元?？?cè)萘繛榭側(cè)萘繛?k8A19A28A37A46A55A64A73A825A924A1021A1123A122PGM27OE22CS20NC26O111O212O313O415O516O617O718O819A010OE：輸出使能，接：輸出使能，接RDPGM：編程脈沖：編程脈沖CS：片選：片選四、電可擦除可編程四、電可擦除可編程ROMEEPROM）片內(nèi)集成升壓電路，外部只需片內(nèi)集成升壓電路，外部只需+5V電源；電源；在系統(tǒng)在線讀寫(xiě)；在系統(tǒng)在線讀寫(xiě)；壽命達(dá)壽命達(dá)10萬(wàn)次；萬(wàn)次；三種操作三種操作讀出：讀出：編程寫(xiě)入）：字節(jié)寫(xiě)入編程寫(xiě)入）：字節(jié)寫(xiě)入/頁(yè)寫(xiě)方式

11、頁(yè)寫(xiě)方式擦除：整片單元都寫(xiě)為擦除：整片單元都寫(xiě)為FF四、電可擦除可編程四、電可擦除可編程ROMEEPROM）并行接口并行接口串行接口：串行接口：I2C；SPI閃存Flash Memory） 集成度很高，采用單管單元； 速度快，多線程重寫(xiě)； 壽命長(zhǎng)； NOR閃存：隨機(jī)讀取 NAND閃存：連續(xù)讀取，U盤(pán)(2).CPU 的時(shí)序與存儲(chǔ)器的存取速度之間的配合問(wèn)題的時(shí)序與存儲(chǔ)器的存取速度之間的配合問(wèn)題 (1) 首先要弄清楚首先要弄清楚CPU的操作時(shí)序的操作時(shí)序 (2) 然后，選擇滿足然后，選擇滿足CPU操作時(shí)序的存儲(chǔ)器芯片，其操作時(shí)序的存儲(chǔ)器芯片，其中最重要的是存儲(chǔ)器的存取速度。中最重要的是存儲(chǔ)器的存取速

12、度。(3).(3).地址信號(hào)連接地址信號(hào)連接把把CPU的地址總線分為不變與可變兩部分：的地址總線分為不變與可變兩部分：不變地址：訪問(wèn)所有存儲(chǔ)單元保持不變的地址信號(hào)不變地址：訪問(wèn)所有存儲(chǔ)單元保持不變的地址信號(hào)，不變地址一般是高位地址。，不變地址一般是高位地址?？勺兊刂罚涸L問(wèn)不同的存儲(chǔ)單元時(shí)，其值會(huì)改變的可變地址：訪問(wèn)不同的存儲(chǔ)單元時(shí)，其值會(huì)改變的地址信號(hào)。可變地址分為片間尋址和片內(nèi)尋址兩地址信號(hào)?？勺兊刂贩譃槠g尋址和片內(nèi)尋址兩部分。部分。片間尋址：用于指定多個(gè)芯片中的某一片，作用于片間尋址：用于指定多個(gè)芯片中的某一片，作用于存儲(chǔ)器芯片的片選信號(hào)。存儲(chǔ)器芯片的片選信號(hào)。片內(nèi)尋址：用于指定同一個(gè)芯

13、片內(nèi)部的不同存儲(chǔ)單片內(nèi)尋址：用于指定同一個(gè)芯片內(nèi)部的不同存儲(chǔ)單元，多個(gè)芯片的片內(nèi)尋址信號(hào)通常相同。片內(nèi)尋元，多個(gè)芯片的片內(nèi)尋址信號(hào)通常相同。片內(nèi)尋址用地址數(shù)量決定于存儲(chǔ)器芯片的地址數(shù)。址用地址數(shù)量決定于存儲(chǔ)器芯片的地址數(shù)。從高到低：不變地址、片間尋址、片內(nèi)尋址。從高到低：不變地址、片間尋址、片內(nèi)尋址。(4).(4).控制信號(hào)的連接控制信號(hào)的連接8086 CPU的與存儲(chǔ)器有關(guān)的信號(hào)：的與存儲(chǔ)器有關(guān)的信號(hào)：M/IO：存儲(chǔ)器與存儲(chǔ)器與I/O端口的區(qū)別端口的區(qū)別RD：寫(xiě)操作有效，接存儲(chǔ)器的寫(xiě)操作有效，接存儲(chǔ)器的OEWR：讀操作有效，接存儲(chǔ)器的讀操作有效，接存儲(chǔ)器的WEBHE：8086的高位數(shù)據(jù)有效的高

14、位數(shù)據(jù)有效(5).(5).數(shù)據(jù)信號(hào)的連接數(shù)據(jù)信號(hào)的連接8086 有有16位外部數(shù)據(jù)總線，位外部數(shù)據(jù)總線，8088 有有8位外部數(shù)據(jù)總位外部數(shù)據(jù)總線，而存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)總線有線，而存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)總線有1位、位、4位、位、8位之分位之分。一一.存儲(chǔ)器地址選擇存儲(chǔ)器地址選擇例例1： 用用1K8的的RAM芯片，組成芯片，組成4K8 的的RAM系統(tǒng)，系統(tǒng)，CPU尋址空間尋址空間64KB(16條地址線條地址線)。解：解：(1)確定芯片組數(shù)：確定芯片組數(shù)： (4K8 ) (1K8) = 4片片(2)片內(nèi)譯碼：片內(nèi)譯碼：1K=210，低位，低位10條地址線條地址線(3)片選信號(hào)的處理方式：線選法、全譯碼、部片選信號(hào)

15、的處理方式：線選法、全譯碼、部分譯碼分譯碼1. 線選法線選法每個(gè)片選信號(hào)與一條高位地址線直每個(gè)片選信號(hào)與一條高位地址線直接連接。接連接。電路簡(jiǎn)單；地址不連續(xù)，地址存在電路簡(jiǎn)單；地址不連續(xù)，地址存在重疊。重疊。D7D0A0A9CSD7D0A0A9CSD7D0A0A9CSD7D0A0A9CSD7D0A9A0A10A11A12A13線選法地址空間基本地址空間：基本地址空間： A15A14 =00線選法地址空間重疊地址空間重疊地址空間1： A15A14 =0 1線選法地址空間重疊地址空間重疊地址空間2： A15A14 =1 0線選法地址空間重疊地址空間重疊地址空間3： A15A14 =1 1兩個(gè)基本概

16、念 地址重疊：由于存在沒(méi)有使用到的地址信號(hào)，其值等于“0或等于“1都不影響存儲(chǔ)單元的選擇，導(dǎo)致同一個(gè)單元針對(duì)這些地址信號(hào)等于“0或者等于“1而對(duì)應(yīng)不同的地址碼，即多個(gè)地址碼對(duì)應(yīng)同一個(gè)物理的存儲(chǔ)單元。 地址不連續(xù)：由于在同一個(gè)時(shí)刻只有一個(gè)片選信號(hào)有效，導(dǎo)致用于片選的地址碼在數(shù)值上不連續(xù)，使得不同存儲(chǔ)器芯片的地址碼在數(shù)值上不連續(xù)。2. 全譯碼選擇方式全譯碼選擇方式所有高位地址經(jīng)譯碼器后控制片選所有高位地址經(jīng)譯碼器后控制片選信號(hào)。信號(hào)。電路復(fù)雜，地址連續(xù)，不存在重疊。電路復(fù)雜，地址連續(xù)，不存在重疊。D7D0A0A9CSD7D0A0A9CSD7D0A0A9CSD7D0A0A9CSD7D0A9A0A10

17、A15M/IO6 : 64譯碼器譯碼器全譯碼地址空間74LS138譯碼器譯碼器Y71 1 1 1 0 0Y10 0 1 1 0 0Y20 1 0 1 0 0Y30 1 1 1 0 0Y41 0 0 1 0 0Y61 1 0 1 0 0Y=1X X X其它Y51 0 1 1 0 0Y00 0 0 1 0 0Y=0C B AG1 G2A G2BA1B2C3G16G2A4G2B5Y015Y114Y213Y312Y411Y510Y69Y773. 部分譯碼選擇方式部分譯碼選擇方式選擇部分高位地址經(jīng)譯碼器后控制選擇部分高位地址經(jīng)譯碼器后控制片選信號(hào)。片選信號(hào)。電路適中，地址連續(xù)，存在重疊空電路適中，地址連

18、續(xù)，存在重疊空間。間。D7D0A0A9CSD7D0A0A9CSD7D0A0A9CSD7D0A0A9CSD7D0A9A0CS4CS3CS1CS2片選譯碼電路片選譯碼電路M/IOA1B2C3G16G2A4G2B5Y015Y114Y213Y312Y411Y510Y69Y77CS1CS2CS3CS4A10A11A12A13A14部分譯碼地址空間基本地址空間：基本地址空間： A15 = 0部分譯碼地址空間重疊地址空間：重疊地址空間： A15 = 1A15 = 1當(dāng)當(dāng)A15A15由由 0 0 變?yōu)樽優(yōu)?1 1 時(shí)，相當(dāng)于把原地址范圍對(duì)應(yīng)時(shí)，相當(dāng)于把原地址范圍對(duì)應(yīng)加上加上8000H8000H即可，所以各個(gè)芯

19、片的重疊空間為：即可，所以各個(gè)芯片的重疊空間為：1#1#：A000H A3FFHA000H A3FFH2#2#：A400H A7FFHA400H A7FFH3#3#：A800H ABFFHA800H ABFFH4#4#：AC00H AFFFH AC00H AFFFH 例：按規(guī)定地址范圍設(shè)計(jì)譯碼電路例：按規(guī)定地址范圍設(shè)計(jì)譯碼電路用用1k8的芯片構(gòu)成的芯片構(gòu)成4k8的存儲(chǔ)器。的存儲(chǔ)器。設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)16位地址部分譯碼電路，要求位地址部分譯碼電路，要求地址范圍：地址范圍：7000H 7FFFH 。分析：分析：芯片個(gè)數(shù)：（芯片個(gè)數(shù)：（4k8）（）（1k8）= 4不變地址：不變地址：A15A14A13A12=

20、0111 接譯碼接譯碼器控制信號(hào)或輸入信號(hào)器控制信號(hào)或輸入信號(hào)可變地址：可變地址：A11A0 =000H FFFH，其中：，其中：片內(nèi)尋址：片內(nèi)尋址： A9A0 接芯片內(nèi)的地址信號(hào)接芯片內(nèi)的地址信號(hào)片間尋址：片間尋址：A11A10接譯碼器輸入信號(hào)接譯碼器輸入信號(hào)A1B2C3G16G2A4G2B5Y015Y114Y213Y312Y411Y510Y69Y77M/IOCS1CS2CS3CS4A10A11A12A13A14A15存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)線一般為存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)線一般為8位。位。 8088 有有8位外部數(shù)位外部數(shù)據(jù)總線，可以直接與存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)線對(duì)接。據(jù)總線，可以直接與存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)線對(duì)接。8086 有有1

21、6位外部數(shù)據(jù)總線，采用分體結(jié)構(gòu)，連接位外部數(shù)據(jù)總線，采用分體結(jié)構(gòu)，連接低低8位數(shù)據(jù)線的存儲(chǔ)器為偶存儲(chǔ)體，當(dāng)位數(shù)據(jù)線的存儲(chǔ)器為偶存儲(chǔ)體，當(dāng) A0 = 0 時(shí)時(shí)該存儲(chǔ)體工作；連接高該存儲(chǔ)體工作；連接高8位數(shù)據(jù)線的存儲(chǔ)器為奇位數(shù)據(jù)線的存儲(chǔ)器為奇存儲(chǔ)體，當(dāng)存儲(chǔ)體，當(dāng) BHE = 0 時(shí)該存儲(chǔ)體工作。時(shí)該存儲(chǔ)體工作。(1).(1).數(shù)據(jù)信號(hào)的連接數(shù)據(jù)信號(hào)的連接對(duì)對(duì) 8088 系統(tǒng)：系統(tǒng)：IO/M：高電平訪問(wèn)外設(shè)，低電平訪問(wèn)存儲(chǔ)器，該信：高電平訪問(wèn)外設(shè)，低電平訪問(wèn)存儲(chǔ)器，該信號(hào)控制存儲(chǔ)器片選。號(hào)控制存儲(chǔ)器片選。BHE：8088 的該信號(hào)無(wú)效。的該信號(hào)無(wú)效。A0：A0信號(hào)參與存儲(chǔ)器的片內(nèi)尋址。信號(hào)參與存儲(chǔ)器

22、的片內(nèi)尋址。(2).(2).控制信號(hào)的連接控制信號(hào)的連接RD：寫(xiě)操作有效，接存儲(chǔ)器的寫(xiě)操作有效，接存儲(chǔ)器的OE WR：讀操作有效，接存儲(chǔ)器的讀操作有效，接存儲(chǔ)器的WE(2).(2).控制信號(hào)的連接控制信號(hào)的連接對(duì)對(duì) 8086 系統(tǒng)：系統(tǒng)：M/IO：低電平訪問(wèn)外設(shè)，高電平訪問(wèn)存儲(chǔ)器，該信：低電平訪問(wèn)外設(shè)，高電平訪問(wèn)存儲(chǔ)器，該信號(hào)控制存儲(chǔ)器片選。號(hào)控制存儲(chǔ)器片選。BHE：8086 的該信號(hào)控制奇存儲(chǔ)體的片選信號(hào)。的該信號(hào)控制奇存儲(chǔ)體的片選信號(hào)。A0：8086的的A0信號(hào)不參與存儲(chǔ)器的片內(nèi)尋址，而是信號(hào)不參與存儲(chǔ)器的片內(nèi)尋址，而是作為偶存儲(chǔ)體的選擇信號(hào)，控制偶存儲(chǔ)體的片選作為偶存儲(chǔ)體的選擇信號(hào)，控制

23、偶存儲(chǔ)體的片選信號(hào)，偶存儲(chǔ)體與奇存儲(chǔ)體的片內(nèi)尋址都從信號(hào)，偶存儲(chǔ)體與奇存儲(chǔ)體的片內(nèi)尋址都從A1開(kāi)開(kāi)始。始。例例 5-4：用：用 4k8的的EEPROM芯片芯片 2732， 8k8的的RAM芯片芯片 6264，譯碼器，譯碼器74LS138構(gòu)成構(gòu)成8k字字ROM和和8k字字RAM的存儲(chǔ)器系統(tǒng)，最小模式系統(tǒng)。的存儲(chǔ)器系統(tǒng)，最小模式系統(tǒng)。計(jì)算芯片數(shù)量：計(jì)算芯片數(shù)量： 2732：（：（8k16）（）（4k8）= 22 =4； 6264：（：（8k16）（）（8k8）= 12 =2；連接數(shù)據(jù)線：連接數(shù)據(jù)線： 1#、3# 2732的的 D7D0 作低作低8位數(shù)據(jù)，為偶存儲(chǔ)體，位數(shù)據(jù)，為偶存儲(chǔ)體， 2#、4#

24、 2732的的 D7D0 作高作高8位數(shù)據(jù)位數(shù)據(jù) ，為奇存儲(chǔ)體。，為奇存儲(chǔ)體。1# 6264的的 D7D0 作低作低8位數(shù)據(jù)，作為偶存儲(chǔ)體，位數(shù)據(jù)，作為偶存儲(chǔ)體， 2# 6264的的 D7D0 作高作高8位數(shù)據(jù)，作為奇存儲(chǔ)體。位數(shù)據(jù)，作為奇存儲(chǔ)體。D7D0A0A11OECSD7D0A0A11OECSD7D0A0A11OECSD7D0A0A11OECSD7D0D15D8D7D0A0A12OEWECS1CS2D7D0A0A12OEWECS1CS2D7D0D15D8存儲(chǔ)器片內(nèi)尋址存儲(chǔ)器片內(nèi)尋址 2732：4k 單元，單元，12根地址，根地址，A1A12； 6264：8k 單元，單元，13根地址，根地

25、址，A1A13。綜合后，選擇綜合后，選擇A1A13作為存儲(chǔ)器片內(nèi)尋址。作為存儲(chǔ)器片內(nèi)尋址。存儲(chǔ)器的控制信號(hào)：存儲(chǔ)器的控制信號(hào)： 4片片2732、2片片6264的的OE并聯(lián)后接并聯(lián)后接CPU的的RD。2片片6264的的WE并聯(lián)后接并聯(lián)后接CPU的的WR。D7D0A0A11OECSD7D0A0A11OECSD7D0A0A11OECSD7D0A0A11OECSD7D0A12A1D15D8RDD7D0A0A12OEWECS1CS2D7D0A0A12OEWECS1CS2D7D0A13A1D15D8RDWR存儲(chǔ)器片選信號(hào)存儲(chǔ)器片選信號(hào) 存儲(chǔ)器片選信號(hào)由存儲(chǔ)體選擇信號(hào)、片間尋址存儲(chǔ)器片選信號(hào)由存儲(chǔ)體選擇信號(hào)

26、、片間尋址地址線、與存儲(chǔ)器訪問(wèn)信號(hào)共同決定。地址線、與存儲(chǔ)器訪問(wèn)信號(hào)共同決定。所有片選信號(hào)只在存儲(chǔ)器訪問(wèn)信號(hào)有效時(shí)才有效，對(duì)所有片選信號(hào)只在存儲(chǔ)器訪問(wèn)信號(hào)有效時(shí)才有效，對(duì)8086而言其而言其M/IO=1，8088的的IO/M=0，該信號(hào)常接，該信號(hào)常接 74LS138 譯碼器的控制信號(hào)。譯碼器的控制信號(hào)。所有偶存儲(chǔ)體的片選信號(hào)只在所有偶存儲(chǔ)體的片選信號(hào)只在 A0=0 時(shí)有效時(shí)有效所有奇存儲(chǔ)體的片選信號(hào)只在所有奇存儲(chǔ)體的片選信號(hào)只在BHE=0時(shí)有效。時(shí)有效。D7D0A0A11OECSD7D0A0A11OECSD7D0A0A11OECSD7D0A0A11OECSD7D0A12A1D15D8CS1C

27、S2CS3CS4RDD7D0A0A12OEWECS2CS1D7D0A0A12OEWECS2CS1D7D0A13A1D15D8RDWRA0BHECS0VCCVCCM/IOCS 0A14A15A16A17A18ABCG1G2AG2BY0Y1BHEA13A0CS1CS2CS3CS4各芯片地址范圍：基本地址各芯片地址范圍：基本地址 A19 = 01#2732：00000H 01FFFH 中的偶地址中的偶地址2#2732：00000H 01FFFH 中的奇地址中的奇地址3#2732：02000H 03FFFH 中的偶地址中的偶地址4#2732：02000H 03FFFH 中的奇地址中的奇地址1#6264

28、：04000H 07FFFH 中的偶地址中的偶地址2#6264：04000H 07FFFH 中的奇地址中的奇地址重疊地址如何？重疊地址如何？高檔計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)體 每個(gè)存儲(chǔ)體提供8位數(shù)據(jù)； 08位CPU需 1 個(gè)存儲(chǔ)體 16位CPU需 2 個(gè)存儲(chǔ)體，BHE A0 32位CPU需 4 個(gè)存儲(chǔ)體，BH3 BH2 BH1 BH0 64位CPU需 8 個(gè)存儲(chǔ)體，BH7 BH0 用用1k1的片子組成的片子組成1k8的存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器 需需 8 個(gè)芯片個(gè)芯片 地址線地址線 （210=1024需需 10 根根 數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線 8 根根 控制線控制線 WRA9-A0D7-D0WRWECPU系統(tǒng)系統(tǒng)典型芯片典型芯片 I

29、ntel 27162K 8）(教材教材p123)1.芯片特性芯片特性 數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線:8條條 地址線地址線:11條條 控制線控制線:讀允許讀允許OE 片選控制片選控制:CE2.接口方法接口方法:(P126,圖圖6.12) A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 O1 O2 O3GNDUCCA8A9UPPOEA10CEO7O6O5O4O31234567891011122423222120191817161514132716引腳圖引腳圖輸出輸出允許允許片選片選例：用例：用EPROM 27162K*8為某為某8位位CPU 設(shè)計(jì)一個(gè)設(shè)計(jì)一個(gè)16KB的的ROM存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器.(1) 確定芯片組數(shù)確定芯片組數(shù): 每片每片2716存儲(chǔ)容量為存儲(chǔ)容量為2KB,16KB需要需要8片片 (2) 片內(nèi)譯碼片內(nèi)譯碼: (3) 8個(gè)片選信號(hào)的譯碼個(gè)片選信號(hào)的譯碼:用用74LS138(4) CPU的總線與存儲(chǔ)器的連接的總線