新型氧化物薄膜晶體管的研究進(jìn)展

1、新型氧化物薄膜晶體管的研究進(jìn)展新型氧化物薄膜晶體管的研究進(jìn)展報(bào)告內(nèi)容報(bào)告內(nèi)容1. TOEO-6會(huì)議介紹會(huì)議介紹1.1 TOEO-6會(huì)議內(nèi)容和分類(lèi)會(huì)議內(nèi)容和分類(lèi)1.2 與與TOEO-6會(huì)議同期舉辦的展覽會(huì)會(huì)議同期舉辦的展覽會(huì)2.2. 氧化物薄膜晶體管的研究進(jìn)展氧化物薄膜晶體管的研究進(jìn)展2.1 溝道層薄膜材料溝道層薄膜材料2.2 柵介質(zhì)層薄膜材料柵介質(zhì)層薄膜材料2.3 電學(xué)穩(wěn)定性電學(xué)穩(wěn)定性3.3. 氧化物氧化物TFT在平板顯示領(lǐng)域的應(yīng)用在平板顯示領(lǐng)域的應(yīng)用1. TOEO-6會(huì)議介紹會(huì)議介紹TOEO-6 6th International Symposium on Transparent Oxide

2、 Thin Films for Electronics and OpticsTOEO國(guó)際研討會(huì)始于國(guó)際研討會(huì)始于1999的日本東京的日本東京, 由日本學(xué)術(shù)由日本學(xué)術(shù)振興會(huì)振興會(huì)(JSPS)第第166屆委員會(huì)倡議發(fā)起屆委員會(huì)倡議發(fā)起TOEO會(huì)議主會(huì)議主要目的是提供探討具有特殊電學(xué)和光學(xué)要目的是提供探討具有特殊電學(xué)和光學(xué)性能的寬禁帶氧化物薄膜材料的基本問(wèn)題和應(yīng)用領(lǐng)域性能的寬禁帶氧化物薄膜材料的基本問(wèn)題和應(yīng)用領(lǐng)域的國(guó)際化平臺(tái)的國(guó)際化平臺(tái)TOEO-6參加人數(shù)為參加人數(shù)為200多人，大多數(shù)來(lái)自日本、韓多人，大多數(shù)來(lái)自日本、韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)1.1 TOEO-6會(huì)議內(nèi)容和分類(lèi)會(huì)議內(nèi)容和分類(lèi)

3、MaterialsMaterials nITO alternatives nTransparent Conducting Oxides (TCO) nTransparent Oxide Semiconductors (TOS) nOptic / electronic functional oxides: Synthesis, characterization and application nMaterials design, Development of New Materials nLight emitting materials / Photo-refractive materials

4、nBlue excitation, Organic / Inorganic EL materials nMulti / Coupled functional materials nPhotocatalysists nPhotovoltaic devices, etc.1.1 TOEO-6會(huì)議內(nèi)容和分類(lèi)會(huì)議內(nèi)容和分類(lèi)ProcessesProcesses nSputtering (pulsing, web coater, etc) nPLD nCVD nSol-gel nInk-jet, Printing nNew deposition method (plasma, wet processes,

5、 etc)1.1 TOEO-6會(huì)議內(nèi)容和分類(lèi)會(huì)議內(nèi)容和分類(lèi)Devices and ApplicationsDevices and Applications nThin film transistor (TFT) nOptoelectronic devices using TCOs and TOSs nFlat-panel display (FPD), OLED, electronic paper, etc nSolar cells (thin films, compounds, quantum dot, etc) nTransparent optoelectronic devices nFET

6、, UV-LED, FED, Sensor, etc nOther topics related to FPDs, photocatalysists, etc1.1 TOEO-6會(huì)議內(nèi)容和分類(lèi)會(huì)議內(nèi)容和分類(lèi)日本東京工業(yè)大學(xué)日本東京工業(yè)大學(xué)Hosono教授領(lǐng)銜的日本戰(zhàn)略性創(chuàng)新研究教授領(lǐng)銜的日本戰(zhàn)略性創(chuàng)新研究促進(jìn)事業(yè)促進(jìn)事業(yè)(ERATO)項(xiàng)目項(xiàng)目“細(xì)野透明電子活性項(xiàng)目細(xì)野透明電子活性項(xiàng)目(1999-2004)”，致力于新型功能氧化物材料尤其是新型，致力于新型功能氧化物材料尤其是新型TCO薄膜和薄膜和TOS薄膜及其器件的研究和開(kāi)發(fā)，并且取得了很多成果薄膜及其器件的研究和開(kāi)發(fā)，并且取得了很多成果因此，

7、因此， Hosono教授獲得了教授獲得了ERATO的的2004-2009第二個(gè)五年第二個(gè)五年計(jì)劃的立項(xiàng)與資助，題目為計(jì)劃的立項(xiàng)與資助，題目為“基于透明氧化物的納米結(jié)構(gòu)的基于透明氧化物的納米結(jié)構(gòu)的功能開(kāi)發(fā)與應(yīng)用開(kāi)展功能開(kāi)發(fā)與應(yīng)用開(kāi)展”連續(xù)對(duì)同一人的相近課題進(jìn)行資助，這在連續(xù)對(duì)同一人的相近課題進(jìn)行資助，這在ERATO項(xiàng)目資助項(xiàng)目資助史上是少有的現(xiàn)象史上是少有的現(xiàn)象 德國(guó)德國(guó)Fraunhofer研究機(jī)構(gòu)與會(huì)學(xué)者表示，他們已經(jīng)整合力量研究機(jī)構(gòu)與會(huì)學(xué)者表示，他們已經(jīng)整合力量，開(kāi)展，開(kāi)展TCO/TOS/器件及其應(yīng)用領(lǐng)域，特別是太陽(yáng)能電池領(lǐng)器件及其應(yīng)用領(lǐng)域，特別是太陽(yáng)能電池領(lǐng)域的研究域的研究1.2 TOEO

8、-6會(huì)議期間的展覽會(huì)會(huì)議期間的展覽會(huì)nDisplay 2009 日本第5屆國(guó)際平板顯示展面向民用面向民用、產(chǎn)業(yè)產(chǎn)業(yè)、車(chē)載車(chē)載、數(shù)字廣告等所有應(yīng)用所必需的顯示數(shù)字廣告等所有應(yīng)用所必需的顯示器件的大集結(jié)器件的大集結(jié)nFINETECH JAPAN 第19屆平板顯示研究開(kāi)發(fā)平板顯示研究開(kāi)發(fā) 制造技術(shù)制造技術(shù)展展n第4屆FPD部品材料EXPOn第1屆（國(guó)際）觸摸屏技術(shù)展n第一屆新一代照明技術(shù)展日本最大，日本最大，250家公司出展家公司出展 時(shí)間：時(shí)間：April 15-17, 2009地點(diǎn)：地點(diǎn)：Tokyo Fashion Town (TFT) Building報(bào)告內(nèi)容報(bào)告內(nèi)容1. TOEO-6會(huì)議介紹

9、會(huì)議介紹1.1 TOEO-6會(huì)議主題會(huì)議主題1.2 與與TOEO-6會(huì)議同期舉辦的展覽會(huì)會(huì)議同期舉辦的展覽會(huì)2.2. 氧化物薄膜晶體管的研究進(jìn)展氧化物薄膜晶體管的研究進(jìn)展2.1 溝道層薄膜材料溝道層薄膜材料2.2 柵介質(zhì)層薄膜材料柵介質(zhì)層薄膜材料2.3 電學(xué)穩(wěn)定性電學(xué)穩(wěn)定性3.3. 氧化物氧化物TFT在平板顯示領(lǐng)域的應(yīng)用在平板顯示領(lǐng)域的應(yīng)用2.2.氧化物薄膜晶體管的研究進(jìn)展氧化物薄膜晶體管的研究進(jìn)展溝道層薄膜溝道層薄膜lIn-Ga-Zn-OlZnOlIn-Zn-Sn-OlSnGaZnO lIn-Zn-OlZn-Sn-O lTi-O介質(zhì)層薄膜介質(zhì)層薄膜SiNx, SiOx, Al2O3,HfO2

10、, Y2O3, Ta2O5,制備工藝，影響因素及機(jī)制制備工藝，影響因素及機(jī)制Active Layer2.1 2.1 溝道層薄膜材料溝道層薄膜材料 InGaO3(ZnO)5Science, 300(23), 1269 (2003)nInGaZnO/YSZ: PLD at RT, n1400 for 30 min. nSingle-crystallinenmobility 80 cm2/Vs Nature, 432(25), 488 (2004)nInGaZnO/PET: PLD at RTnamorphousnmobility 10 cm2/Vs2.1 2.1 溝道層薄膜材料溝道層薄膜材料 a-

11、 a-InGaZnOn共價(jià)非晶半導(dǎo)體(如a-Si:H): CBM和VBM由sp3雜化軌道構(gòu)成n氧化物半導(dǎo)體電子輸運(yùn)通道(CBM)由金屬S軌道的球面擴(kuò)散所構(gòu)成2.1 2.1 溝道層薄膜材料溝道層薄膜材料 a- a-InGaZnOAPPLIED PHYSICS LETTERS 95, 013503 2009 a-IGZO:dc sputtering; SiNx:PECVD; 6.5 in. flexible full-color top-emission AMOLED on PI field-effect mobility of 15.1 cm2 /V s subthreshold slope o

12、f 0.25 V/dec, threshold voltage VTH of 0.9 V. high degree of spatial uniformity. withstood bending down to R=3 mm under tension and compression without any performance degradation.2.1 2.1 溝道層薄膜材料溝道層薄膜材料 a- a-InGaZnOAPPLIED PHYSICS LETTERS 94, 072103 2009 a-InGaZnO4：on cellulose paper by sputtering a

13、t RT threshold voltage：3.75 V saturation mobility 35 cm2 V1 s1 subthreshold gate-voltage swing 2.4 V decade1 on-to-off ratio of 104 The results verify that simple cellulose paper is a good gate dielectric as well as a low-cost substrate for flexible electronic devices such as paper-based displays.粗糙

14、表面上獲得高性能粗糙表面上獲得高性能TFT2.1 2.1 溝道層薄膜材料溝道層薄膜材料 ZnOAppl. Phys. Lett., Vol. 82(5), 733-735, 2003ATO (AlTi-O): ALD; ZnO: ion beam sputtering and a rapid thermal anneal (RTA) at 600800 in O2on-to-off ratio of 107; Threshold voltages: 10 to 20 V; Mobilities: 0.3 to 2.5 cm2/V s,One attractive application for

15、 transparent TFTs involves their use as select-transistors in each pixel of an active-matrix liquid-crystal display.2.1 2.1 溝道層薄膜材料溝道層薄膜材料 ZnO隨著隨著ZnO溝道層厚度從溝道層厚度從15 nm增加到增加到70 nm漏電流從漏電流從1010 增加到增加到 108 A開(kāi)關(guān)比從開(kāi)關(guān)比從1.2 107 下降到下降到 2 104ZnO薄膜的表面形貌先顯著改善后劣化薄膜的表面形貌先顯著改善后劣化25 nm厚厚ZnO薄膜具有最平整的表面形貌，薄膜具有最平整的表面形貌，并

16、顯示最佳性能：并顯示最佳性能：l 場(chǎng)效應(yīng)遷移率場(chǎng)效應(yīng)遷移率 5.1 cm2/V sl 開(kāi)關(guān)比開(kāi)關(guān)比1.2 107l 閾值電壓閾值電壓 20 V結(jié)論：結(jié)論：ZnO薄膜表面形貌對(duì)薄膜表面形貌對(duì) ZnO-TFTs具具有顯著影響有顯著影響Solid State Communications 146 (2008) 387390-上海大學(xué)上海大學(xué)張志林老師張志林老師2.1 2.1 溝道層薄膜材料溝道層薄膜材料 ZnO2.1 2.1 溝道層薄膜材料溝道層薄膜材料 ZnO:NThin Solid Films 516 (2008) 33053308-河南大學(xué)張新安老師河南大學(xué)張新安老師 ZnO:N 激光分子束外

17、延激光分子束外延 on/off ratio of 104 The threshold voltage is 5.15V The channel mobility on the order of 2.66 cm2 V1 s12.1 2.1 溝道層薄膜材料溝道層薄膜材料 IZTOJ. Mater. Chem., 2009, 19, 31353137Vth = 2 V mobility 30 cm2 V1 s1 R on/off 106 2.1 2.1 溝道層薄膜材料溝道層薄膜材料 SnGaZnOphys. stat. sol. (a) 205(8), 19201924, 2008a-SGZO on

18、 a-SiO2/n+-Si wafersthe device performances of theas-deposited channel TFTs were very poorIon 107 A；Ron/off 105 A, R on/off 106 and sat 1.8 cm2 V1 s1. 2.1 2.1 溝道層薄膜材料溝道層薄膜材料 IZOThin Solid Films 516 (2008) 58945898IZO (10 wt.% ZnO) at RTSiOx: PECVD at 280 operate in depletion modethreshold voltage of

19、 5 Vmobility of 15 cm2/V son-off ratio of 1062.1 2.1 溝道層薄膜材料溝道層薄膜材料 IZOIZO: dc sputteringSiO2: PPD = 5.2 cm2V-1s-1Vth = 0.94 VRon/off = 10402468100.04.0 x10-68.0 x10-61.2x10-51.6x10-52.0 x10-5VD(V) VG=1V VG=3V VG=5V VG=7V VG=9V VG=11VID(A)(a)-2024681012141618201E-91E-81E-71E-61E-51E-40.0000.0010.002

20、0.0030.0040.0050.0060.0070.008 I1/2D(A)ID(A)VG(V) VDS=20V,(b)1020304050607080 Intensity (a.u.)2 (degrees)2.1 2.1 溝道層薄膜材料溝道層薄膜材料 TiOxIEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 29(12), 1319-1321, 2008TiOx: MOCVD at 250 ; amorphous phaseJ. Appl. Phys. 105, 093712 20092.1 2.1 溝道層薄膜材料溝道層薄膜材料 理論研究理論研究2.2 2.2 介質(zhì)層薄膜材料介質(zhì)層

21、薄膜材料 SiNx Appl. Phys. Lett. 90, 212114 2007a 100-nm-thick SiOx layer deposited by PECVD = 35.8 cm2V-1s-1 Vth = 5.9 V Ron/off = 4.91062.2 2.2 介質(zhì)層薄膜材料介質(zhì)層薄膜材料 Al2 O3Adv. Mater. 2009, 21, 678682Al2O3：1st 9nm; 2nd 176 nm2.2 2.2 介質(zhì)層薄膜材料介質(zhì)層薄膜材料 Ta2 O5phys. stat. sol. (a) 205(2), 389 391, 2008清華大學(xué)李德杰老師課題組清華

22、大學(xué)李德杰老師課題組In2O3: sputteringTa2O5: sputtering = 12 cm2V-1s-12.2 2.2 介質(zhì)層薄膜材料介質(zhì)層薄膜材料 PVPIZO: dc sputteringPVP: 提拉法提拉法 = 4.4 cm2V-1s-1Vth = -1.2 VRon/off = 105-15-10-50510152010-1110-1010-910-810-710-610-5 VD=20VVG(V)ID(A)1020304050607080Intensity (a.u.)2 0510152002468101214 ID( A)VD(V) VG=-5V VG=0V VG=

23、5V VG=10V VG=15V VG=20V2.3 2.3 電學(xué)穩(wěn)定性電學(xué)穩(wěn)定性 氧化物氧化物TFT的電學(xué)穩(wěn)定性是近來(lái)非常受關(guān)注的課題，大量文獻(xiàn)的電學(xué)穩(wěn)定性是近來(lái)非常受關(guān)注的課題，大量文獻(xiàn)報(bào)道了這方面的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，通常與報(bào)道了這方面的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，通常與TFT制備環(huán)境、所采用的材制備環(huán)境、所采用的材料、結(jié)構(gòu)和測(cè)試方法都密切相關(guān)料、結(jié)構(gòu)和測(cè)試方法都密切相關(guān)氧化物氧化物TFT在較高正柵壓或較大開(kāi)態(tài)電流作用下閾值電壓一般在較高正柵壓或較大開(kāi)態(tài)電流作用下閾值電壓一般會(huì)單調(diào)增大，但也有少數(shù)減小或不規(guī)則變化的情況，閾值增會(huì)單調(diào)增大，但也有少數(shù)減小或不規(guī)則變化的情況，閾值增大有對(duì)數(shù)、乘方、指數(shù)等多種情況大有對(duì)數(shù)

24、、乘方、指數(shù)等多種情況去掉施加的電壓后閾值會(huì)逐漸向原來(lái)的數(shù)值恢復(fù)，但這個(gè)過(guò)去掉施加的電壓后閾值會(huì)逐漸向原來(lái)的數(shù)值恢復(fù)，但這個(gè)過(guò)程很少有文獻(xiàn)給出具體描述程很少有文獻(xiàn)給出具體描述對(duì)溝道層添加覆蓋層保護(hù)后對(duì)溝道層添加覆蓋層保護(hù)后TFT器件性能會(huì)變得更加穩(wěn)定，如器件性能會(huì)變得更加穩(wěn)定，如Al2O3和和PVP保護(hù)層使閾值電壓變化量減小；保護(hù)層使閾值電壓變化量減小；SiO2有提高穩(wěn)定有提高穩(wěn)定性的作用；總之，有覆蓋層性的作用；總之，有覆蓋層/頂柵介質(zhì)層的器件穩(wěn)定性要優(yōu)于頂柵介質(zhì)層的器件穩(wěn)定性要優(yōu)于溝道層裸露的器件，閾值的不規(guī)則變化也全部發(fā)生于后者，溝道層裸露的器件，閾值的不規(guī)則變化也全部發(fā)生于后者，因此可

25、以斷定一層能有效隔絕水汽的保護(hù)層有助于提高器件因此可以斷定一層能有效隔絕水汽的保護(hù)層有助于提高器件的穩(wěn)定性的穩(wěn)定性2.3 2.3 電學(xué)穩(wěn)定性電學(xué)穩(wěn)定性采用采用Si3N4絕緣層的器件閾值呈對(duì)數(shù)關(guān)系變化，變化幅度較絕緣層的器件閾值呈對(duì)數(shù)關(guān)系變化，變化幅度較大但比較容易恢復(fù)；而采用大但比較容易恢復(fù)；而采用Al2O3絕緣層的器件變化呈乘絕緣層的器件變化呈乘方關(guān)系，幅度較小方關(guān)系，幅度較小采用采用O等離子體處理等離子體處理Si3N4絕緣層表面使器件各方面性能都絕緣層表面使器件各方面性能都得到了改善得到了改善大多數(shù)文獻(xiàn)中絕緣層采用了大多數(shù)文獻(xiàn)中絕緣層采用了ALD沉積沉積Al2O3或熱氧化的或熱氧化的SiO

26、2，這些雖然是質(zhì)量很好的介質(zhì)材料，但是不適宜在顯，這些雖然是質(zhì)量很好的介質(zhì)材料，但是不適宜在顯示面板中使用，普通絕緣材料構(gòu)成的器件還需要進(jìn)一步的示面板中使用，普通絕緣材料構(gòu)成的器件還需要進(jìn)一步的研究研究溝道層的成分會(huì)對(duì)器件穩(wěn)定性產(chǎn)生影響，但影響方式?jīng)]有溝道層的成分會(huì)對(duì)器件穩(wěn)定性產(chǎn)生影響，但影響方式?jīng)]有明確結(jié)論明確結(jié)論2.3 2.3 電學(xué)穩(wěn)定性電學(xué)穩(wěn)定性有文獻(xiàn)報(bào)道關(guān)于有文獻(xiàn)報(bào)道關(guān)于IGZO沉積過(guò)程中氧流量的變化對(duì)器件最沉積過(guò)程中氧流量的變化對(duì)器件最終性能影響的研究結(jié)果，得到了器件閾值越接近零就越穩(wěn)終性能影響的研究結(jié)果，得到了器件閾值越接近零就越穩(wěn)定的結(jié)論，器件閾值不是零的情況被認(rèn)為是溝道界面存在

27、定的結(jié)論，器件閾值不是零的情況被認(rèn)為是溝道界面存在大量缺陷的一種表現(xiàn)，也有其它文獻(xiàn)支持這個(gè)結(jié)論大量缺陷的一種表現(xiàn)，也有其它文獻(xiàn)支持這個(gè)結(jié)論氧化物氧化物TFT的電學(xué)穩(wěn)定性的好壞在相當(dāng)程度上決定了其能的電學(xué)穩(wěn)定性的好壞在相當(dāng)程度上決定了其能否在否在AMOLED中的應(yīng)用，雖然研究工作不少，但有待進(jìn)中的應(yīng)用，雖然研究工作不少，但有待進(jìn)一步開(kāi)展一步開(kāi)展報(bào)告內(nèi)容報(bào)告內(nèi)容1. TOEO-6會(huì)議介紹會(huì)議介紹1.1 TOEO-6會(huì)議主題會(huì)議主題1.2 與與TOEO-6會(huì)議同期舉辦的展覽會(huì)會(huì)議同期舉辦的展覽會(huì)2.2. 氧化物薄膜晶體管的研究進(jìn)展氧化物薄膜晶體管的研究進(jìn)展2.1 溝道層薄膜材料溝道層薄膜材料2.2

28、柵介質(zhì)層薄膜材料柵介質(zhì)層薄膜材料2.3 電學(xué)穩(wěn)定性電學(xué)穩(wěn)定性3.3. 氧化物氧化物TFT在平板顯示領(lǐng)域的應(yīng)用在平板顯示領(lǐng)域的應(yīng)用3.3.氧化物氧化物TFT在平板顯示領(lǐng)域的應(yīng)用在平板顯示領(lǐng)域的應(yīng)用 (a-Si)-TFT的問(wèn)題的問(wèn)題a-Si TFT易于在低溫下大面積制備，技術(shù)成熟，是目前使用最為易于在低溫下大面積制備，技術(shù)成熟，是目前使用最為廣泛的技術(shù)廣泛的技術(shù) a-Si TFT的載流子遷移率的載流子遷移率1 cm2/Vs，電流供給能力較弱，電流供給能力較弱，不能適應(yīng)快速、大面積和更高清晰度顯示的需求，不能適應(yīng)快速、大面積和更高清晰度顯示的需求 a-Si 薄膜不透明，它將占用像素中的一定面積，使有

29、效顯薄膜不透明，它將占用像素中的一定面積，使有效顯示面積減小，像素開(kāi)口率達(dá)不到示面積減小，像素開(kāi)口率達(dá)不到100%；為了獲得足夠的亮；為了獲得足夠的亮度，就需要增加光源強(qiáng)度，從而增加功率消耗度，就需要增加光源強(qiáng)度，從而增加功率消耗 a-Si 材料的能帶間隙為材料的能帶間隙為1.7 eV，對(duì)可見(jiàn)光是光敏材料，在可，對(duì)可見(jiàn)光是光敏材料，在可見(jiàn)光照射下產(chǎn)生額外的光生載流子，使見(jiàn)光照射下產(chǎn)生額外的光生載流子，使TFT性能惡化，因此性能惡化，因此每一像素單元每一像素單元TFT必須對(duì)光屏蔽，即增加不透明金屬掩膜板必須對(duì)光屏蔽，即增加不透明金屬掩膜板(黑矩陣黑矩陣)來(lái)阻擋光對(duì)來(lái)阻擋光對(duì)TFT的照射的照射 增

30、加增加TFT-LCD的工藝復(fù)的工藝復(fù)雜性、提高成本、降低可靠性雜性、提高成本、降低可靠性3.3.氧化物氧化物TFT在平板顯示領(lǐng)域的應(yīng)用在平板顯示領(lǐng)域的應(yīng)用 (p-Si)-TFT的問(wèn)題的問(wèn)題低溫多晶硅低溫多晶硅(LTPS)TFT憑借其較高的載流子遷移率具有反應(yīng)憑借其較高的載流子遷移率具有反應(yīng)速度快、高亮度、高清晰度等優(yōu)點(diǎn)速度快、高亮度、高清晰度等優(yōu)點(diǎn)能夠滿(mǎn)足制備簡(jiǎn)單邏輯電路并在視頻應(yīng)用下的要求，成為一能夠滿(mǎn)足制備簡(jiǎn)單邏輯電路并在視頻應(yīng)用下的要求，成為一種繼種繼a-Si TFT的主流技術(shù)的主流技術(shù)但是，但是，p-Si TFT技術(shù)同時(shí)具有：技術(shù)同時(shí)具有：l工藝復(fù)雜、設(shè)備昂貴、成本高工藝復(fù)雜、設(shè)備昂貴、成本高lLTPS TFT也不透明，且均勻性差也不透明，且均勻性差l其工藝溫度對(duì)有機(jī)基板而言太高，不能適應(yīng)柔性顯示其工藝溫度對(duì)有機(jī)基板而言太高，不能適應(yīng)柔性顯示的需求的需求3.3.氧化物氧化物TFT在平板顯示領(lǐng)域的應(yīng)用在平板顯示領(lǐng)域的應(yīng)用各種半導(dǎo)體各種半導(dǎo)體TFT的優(yōu)缺點(diǎn)的優(yōu)缺點(diǎn) 3.3.氧化物氧化物TFT在平板顯示領(lǐng)域的應(yīng)用在平板顯示領(lǐng)域的應(yīng)用Sony Demonstrated AMOLED TV in 2007 3.3.氧化物氧化物TFT在平板顯示領(lǐng)域的應(yīng)用在平板顯示領(lǐng)域的應(yīng)用使用氧化物半使用