我對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)的理解

1、我對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)的理解我這里只結(jié)合實(shí)際應(yīng)用情況對(duì)一些問(wèn)題談?wù)勎业睦斫?，不?duì)之處請(qǐng)指教。IGBT器件如何開(kāi)通和關(guān)閉，速度是快是慢，其實(shí)到如今為止，并沒(méi)有一個(gè)明確結(jié)論，最終取決實(shí)際應(yīng)用環(huán)境。圖1，應(yīng)用于雙管正激的IGBT圖2，應(yīng)用于雙管正激的IGBT圖1，IGBT柵極驅(qū)動(dòng)圖3，RCD吸收一 先說(shuō)開(kāi)通。誰(shuí)都知道，理論上開(kāi)通速度越快，越早進(jìn)入飽和去，開(kāi)關(guān)損耗越小。收到實(shí)際條件所限，開(kāi)通速度不能做的太快。1. 柵極雜散電感影響此電感普遍存在，特別是使用磁耦合的驅(qū)動(dòng)電路尤其明顯。它與柵極電容產(chǎn)生諧振，增加Rg，可以緩解此現(xiàn)象。無(wú)論是Lgs，還是Rg，都會(huì)影響開(kāi)通速度，增加開(kāi)關(guān)損耗。圖1。2. 實(shí)際電路影響

2、使用合理電路，降低Lgs影響，將Rg選擇的很小，是否就解決了問(wèn)題了呢？還沒(méi)有，如圖2，應(yīng)用于雙管正激的拓?fù)?。由于變壓器漏感Lts、磁復(fù)位引線(xiàn)電感Lds的存在，過(guò)高的di/dt，將造成過(guò)高的Vce（與Cce產(chǎn)生振蕩）。這些電感是很難預(yù)測(cè)的，為了提高性能，從布線(xiàn)上都是不斷降低它們。能量的降低使得Vce收到限制。如果不能完全解決此問(wèn)題，需要增加吸收。如圖3吸收的一種。額外增加的電路需要靠近IGBT根部，否則有害無(wú)用。吸收的增加增加了損耗，它是否可以抵消由于開(kāi)通速度的加快造成的影響，需要實(shí)際驗(yàn)證。（單）雙管正激是硬開(kāi)關(guān)拓?fù)渲?，開(kāi)通速度最快的一種，對(duì)應(yīng)其它拓?fù)洌热鐦蚴剑闆r更加糟糕。對(duì)于軟開(kāi)關(guān)，尤其是

3、電壓軟開(kāi)關(guān)，增加開(kāi)通速度是很好的選擇。二 再說(shuō)關(guān)閉。關(guān)閉速度快慢對(duì)IGBT關(guān)閉損耗影響不大。有人說(shuō)，快速關(guān)閉使dv/dt高，會(huì)毀壞IGBT。那看什么條件，只有很高dv/dt ，IGBT開(kāi)關(guān)速度跟不上時(shí)成立。小了只是負(fù)反饋?zhàn)饔?，增加?qū)動(dòng)上流過(guò)的電流而已。由于IGBT、母線(xiàn)上往往有吸收，速度受限。不易產(chǎn)生高dv/dt。真有這么高的dv/dt時(shí)，只要驅(qū)動(dòng)電路輸出阻抗足夠低，并不會(huì)毀壞柵極。再有，筆者十幾年從沒(méi)有見(jiàn)過(guò)由于dv/dt過(guò)高造成IGBT失效現(xiàn)象，此種只在理論上成立的假設(shè)不要再考慮了。真實(shí)原因是：由于IGBT是少子器件，他不能通過(guò)關(guān)閉門(mén)極來(lái)達(dá)到快速關(guān)閉IGBT目的。因此快速關(guān)閉對(duì)它無(wú)用。三 說(shuō)

4、一說(shuō)驅(qū)動(dòng)負(fù)偏壓只要控制制好母線(xiàn)電壓瞬態(tài)過(guò)沖，IGBT負(fù)偏壓不是必須。選擇合理的功率拓?fù)?，比如零流諧振變換器，可以最大限度降低對(duì)母線(xiàn)影響。與MOSFET一樣，負(fù)偏壓可以防止母線(xiàn)過(guò)高dv/dt造成門(mén)極誤導(dǎo)通。筆者說(shuō)過(guò)本人十幾年從沒(méi)有見(jiàn)過(guò)由于dv/dt過(guò)高造成IGBT失效，主要是指對(duì)門(mén)極影響。門(mén)極驅(qū)動(dòng)往往是低阻抗負(fù)載，尤其是有源驅(qū)動(dòng)器，阻抗很低，抗干擾能力很強(qiáng)。負(fù)偏壓選擇-5V足以，當(dāng)然選擇-15V未嘗不可。更高負(fù)偏壓會(huì)增加驅(qū)動(dòng)損耗。四 再論過(guò)流保護(hù)1. 高頻變換（不直接接負(fù)載）在設(shè)計(jì)電路過(guò)程中，在IGBT選擇上，幾乎都會(huì)在電流上留有余量，而保護(hù)點(diǎn)也往往低于IGBT的額定值。所謂3段式保護(hù)只在大于2

5、倍額定電流作用較好。在2倍額定電流保護(hù)內(nèi)最好是直接關(guān)閉。不僅反映速度快，而且可以逐個(gè)脈沖限流。真要是用它的保護(hù)，不僅延時(shí)時(shí)間長(zhǎng)，而且由于關(guān)閉損耗大，連續(xù)工作要不了多久不壞才怪。市面上幾乎所有的IGBT驅(qū)動(dòng)器都大肆宣揚(yáng)所謂3段式保護(hù)，可惜在實(shí)際應(yīng)用中，除非你是作為負(fù)載開(kāi)關(guān)使用，此功能基本無(wú)用。即便是作為負(fù)載開(kāi)關(guān)，如果沒(méi)有一定條件限制，保護(hù)功能也形同虛設(shè)。因此，除非你設(shè)計(jì)有缺陷，否則，3段式保護(hù)無(wú)用。2. 負(fù)載開(kāi)關(guān)IGBT作為負(fù)載開(kāi)關(guān)使用時(shí)，過(guò)流保護(hù)復(fù)雜得多。IGBT輸出電流取決于門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓。3段式保護(hù)只在大于2倍額定電流作用較好。門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓太高時(shí)，使得短路電流過(guò)大，由于存在閂鎖現(xiàn)象，柵極關(guān)閉

6、不起作用。因此驅(qū)動(dòng)電壓不要太高，不要過(guò)度追求導(dǎo)通壓降。使得3段式過(guò)流保護(hù)不起作用。一般閂鎖現(xiàn)象在輸出電流大于5倍額定電流時(shí)有可能出現(xiàn)，因此如果想可靠使用3段式過(guò)流保護(hù)，電流保護(hù)點(diǎn)最好小于此點(diǎn)。但確定柵極電壓與短路電流的關(guān)系幾乎是不可能的。作為負(fù)載開(kāi)關(guān)，限制電流上升率是一個(gè)非常好的措施，它同時(shí)限制了短路時(shí)間。使短路保護(hù)可以有多種選擇，除了3段式保護(hù)（本質(zhì)上是緩關(guān)閉），直接快速關(guān)閉也可行。在電流小于2倍額定電流時(shí)，采用直接快速關(guān)閉的方法更有效。假設(shè)400V，100A負(fù)載開(kāi)關(guān)，選擇300A的IGBT作為負(fù)載開(kāi)關(guān)，1uH電感作為電流上升率限制。則：di/dt=400A/us。設(shè)100A為保護(hù)點(diǎn)，電流小

7、于2倍額定電流，則：允許關(guān)閉最大延時(shí)（2*300-100）/400=1.25us。此條件不難滿(mǎn)足。即：為滿(mǎn)足快速關(guān)斷條件，IGBT容量選擇要足夠大，這樣換來(lái)更大的保護(hù)延時(shí)，更小的短路抑制電感。換句話(huà)說(shuō)，如果將保護(hù)延時(shí)設(shè)計(jì)的很小，也可以降低短路抑制電感，降低IGBT容量。從而提高可靠性。還是上例，如果保護(hù)延時(shí)達(dá)到200ns則：實(shí)際電流關(guān)閉點(diǎn)：100+400*0.2=180A。如果不考慮導(dǎo)通損耗，采用100A的IGBT也可以滿(mǎn)足使用要求。直接快速關(guān)閉沒(méi)有大量應(yīng)用的原因主要是因?yàn)轵?qū)動(dòng)器的反應(yīng)速度不夠快。兼顧反應(yīng)速度和驅(qū)動(dòng)能力的驅(qū)動(dòng)器市場(chǎng)上極少。JD10系列可以在100ns內(nèi)關(guān)閉300A的IGBT，而關(guān)閉腳反映時(shí)間只有50ns，即便是在隔離驅(qū)動(dòng)的前級(jí)關(guān)閉，也只有100ns延時(shí)，是市場(chǎng)僅見(jiàn)。附件：JD10系列MOS、IGBT驅(qū)動(dòng)器主要性能：l 單管大功率MOS或IGBT模塊驅(qū)動(dòng)器。l 驅(qū)動(dòng)延時(shí)極快：典型開(kāi)啟延時(shí)200ns，關(guān)閉延時(shí)100ns。l 具有