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1、1近年近年招聘會招聘會上上與與IC有關部分有關部分筆試、面試題目的答案舉例筆試、面試題目的答案舉例 21、我們公司的產品是集成電路,請描我們公司的產品是集成電路,請描述一下你對集成電路的認識,列舉一些述一下你對集成電路的認識,列舉一些與集成電路相關的內容(如講清楚模擬、與集成電路相關的內容(如講清楚模擬、數(shù)字、雙極型、數(shù)字、雙極型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概等的概念)。念)。3單片微型計算機單片微型計算機(簡稱單片機簡稱單片機)有有時也稱為微控制器時也稱為微控制器MCU (micro control unit) 。 當然,與當然,與MPU相相比,比,

2、MCU上的上的CPU的功能比較的功能比較簡單,存儲器的容量也很有限。簡單,存儲器的容量也很有限。MCU已被廣泛應用于各種家用已被廣泛應用于各種家用電器產品以及工業(yè)控制。用得最電器產品以及工業(yè)控制。用得最多的是多的是4位和位和8位位MCU。4什么是什么是MCU?MCU(Micro Controller Unit),又,又稱單片微型計算機稱單片微型計算機(Single Chip Microcomputer),是指隨著大規(guī)模集,是指隨著大規(guī)模集成電路的出現(xiàn)及其發(fā)展,將計算機的成電路的出現(xiàn)及其發(fā)展,將計算機的CPU、RAM、ROM、定時數(shù)器和多、定時數(shù)器和多種種I/O接口集成在一片芯片上,形成芯接口集

3、成在一片芯片上,形成芯片級的計算機。片級的計算機。5設計方法上從設計方法上從CISC結構演變到結構演變到RISC結構結構通常將采用英特爾處理器的服務器稱為通常將采用英特爾處理器的服務器稱為IA (Intel Architecture)架構服務器,由于架構服務器,由于該架構服務器采用了開放式體系,并且該架構服務器采用了開放式體系,并且實現(xiàn)了工業(yè)標準化技術和得到國內外大實現(xiàn)了工業(yè)標準化技術和得到國內外大量軟硬件供應商的支持,在大批量生產量軟硬件供應商的支持,在大批量生產的基礎上,以其極高的性能價格比而在的基礎上,以其極高的性能價格比而在全球范圍內,尤其在我國得到廣泛的應全球范圍內,尤其在我國得到廣

4、泛的應用。用。2000年國內年國內IA架構服務器供應商前架構服務器供應商前三位是惠普、三位是惠普、IBM、浪潮。、浪潮。6(1)CISC指令集指令集 CISC指令集,也稱為指令集,也稱為復雜指令集復雜指令集,英文名是英文名是CISC,(,(Complex Instruction Set Computer的縮寫)。在的縮寫)。在CISC微處理微處理器中,程序的各條指令是按順序串行執(zhí)器中,程序的各條指令是按順序串行執(zhí)行的,每條指令中的各個操作也是按順行的,每條指令中的各個操作也是按順序串行執(zhí)行的。順序執(zhí)行的優(yōu)點是控制序串行執(zhí)行的。順序執(zhí)行的優(yōu)點是控制簡單,但計算機各部分的利用率不高,簡單,但計算機

5、各部分的利用率不高,執(zhí)行速度慢。執(zhí)行速度慢。7(2)RISC指令集指令集 lRISC是英文是英文“Reduced Instruction Set Computing ” 的縮寫,中文意思是的縮寫,中文意思是“精簡精簡指令集指令集”。它是在。它是在CISC指令系統(tǒng)基礎上指令系統(tǒng)基礎上發(fā)展起來的,有人對發(fā)展起來的,有人對CISC機進行測試表機進行測試表明,各種指令的使用頻度相當懸殊,最常明,各種指令的使用頻度相當懸殊,最常使用的是一些比較簡單的指令,它們僅占使用的是一些比較簡單的指令,它們僅占指令總數(shù)的指令總數(shù)的20,但在程序中出現(xiàn)的頻度,但在程序中出現(xiàn)的頻度卻占卻占80。復雜的指令系統(tǒng)必然增加微

6、處。復雜的指令系統(tǒng)必然增加微處理器的復雜性,使處理器的研制時間長,理器的復雜性,使處理器的研制時間長,成本高。并且復雜指令需要復雜的操作,成本高。并且復雜指令需要復雜的操作,必然會降低計算機的速度。必然會降低計算機的速度。8 基于上述原因,基于上述原因,20世紀世紀80年代年代RISC型型CPU誕誕生了,相對于生了,相對于CISC型型CPU ,RISC型型CPU不僅不僅精簡了指令系統(tǒng),還采用了一種叫做精簡了指令系統(tǒng),還采用了一種叫做“超標量超標量和超流水線結構和超流水線結構”,大大增加了并行處理能力。,大大增加了并行處理能力。RISC指令集是高性能指令集是高性能CPU的發(fā)展方向。它與的發(fā)展方向

7、。它與傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的CISC(復雜指令集復雜指令集)相對。相比而言,相對。相比而言,RISC的指令格式統(tǒng)一,種類比較少,尋址方的指令格式統(tǒng)一,種類比較少,尋址方式也比復雜指令集少。當然處理速度就提高很式也比復雜指令集少。當然處理速度就提高很多了。目前在中高檔服務器中普遍采用這一指多了。目前在中高檔服務器中普遍采用這一指令系統(tǒng)的令系統(tǒng)的CPU,特別是高檔服務器全都采用,特別是高檔服務器全都采用RISC指令系統(tǒng)的指令系統(tǒng)的CPU。RISC指令系統(tǒng)更加適指令系統(tǒng)更加適合高檔服務器的操作系統(tǒng)合高檔服務器的操作系統(tǒng)UNIX,現(xiàn)在,現(xiàn)在Linux也也屬于類似屬于類似UNIX的操作系統(tǒng)。的操作系統(tǒng)。RISC型

8、型CPU與與Intel和和AMD的的CPU在軟件和硬件上都不兼容。在軟件和硬件上都不兼容。92、FPGA和和ASIC的概念,他們的區(qū)別。的概念,他們的區(qū)別。ASIC:專用集成電路,它是面向專門用專用集成電路,它是面向專門用途的電路,專門為一個用戶設計和制造的。途的電路,專門為一個用戶設計和制造的。根據(jù)一個用戶的特定要求,能以低研制成根據(jù)一個用戶的特定要求,能以低研制成本,短、交貨周期供貨的全定制,半定制本,短、交貨周期供貨的全定制,半定制集成電路。與門陣列等其它集成電路。與門陣列等其它ASIC (Application Specific IC)相比,它們又具有相比,它們又具有設計開發(fā)周期短、設

9、計制造成本低、開發(fā)設計開發(fā)周期短、設計制造成本低、開發(fā)工具先進、標準產品無需測試、質量穩(wěn)定工具先進、標準產品無需測試、質量穩(wěn)定以及可實時在線檢驗等優(yōu)點。以及可實時在線檢驗等優(yōu)點。10從從ASIC的發(fā)展看,它的主要特點不單純的發(fā)展看,它的主要特點不單純在其本身的專用性,其更深的含義在于在其本身的專用性,其更深的含義在于用用戶直接參與集成電路的設計戶直接參與集成電路的設計。由于。由于ASIC是系統(tǒng)設計的一部分,它要求系統(tǒng)設計者是系統(tǒng)設計的一部分,它要求系統(tǒng)設計者直接參與芯片電路設計。直接參與芯片電路設計。ASIC可以是??梢允菍槟骋活愄囟☉枚O計的集成電路,稱為某一類特定應用而設計的集成電路,

10、稱為為標準專用電路標準專用電路(ASSP-Application Specific Standard Product),也可以是專,也可以是專為某一用戶的特定應用而設計的集成電路,為某一用戶的特定應用而設計的集成電路,稱為定制專用電路。稱為定制專用電路。11 FPGA (Field Programmable Gate Array)是是可編程可編程ASIC 。FPGA兼顧了兼顧了PLD和門陣列和門陣列兩者的優(yōu)點:兩者的優(yōu)點: 具有門陣列電路那樣的單元陣列結構,具有門陣列電路那樣的單元陣列結構,但單元與門陣列不同,每個單元包含了但單元與門陣列不同,每個單元包含了PLA、若干寄存器和多路開關。、若干

11、寄存器和多路開關。 又象又象PLD那樣,用戶可以通過編程,任那樣,用戶可以通過編程,任意設定每個單元的內部電路結構以及單元意設定每個單元的內部電路結構以及單元之間的連線之間的連線 基本特征:基本特征:不需要定制式掩膜層,不需要定制式掩膜層,通過可編程實現(xiàn)組合邏輯和時序邏輯通過可編程實現(xiàn)組合邏輯和時序邏輯123、什么叫做、什么叫做OTP片、掩膜片,片、掩膜片,兩者的區(qū)別何在?兩者的區(qū)別何在?13什么是什么是OTP ? (OTP-一次性可編程一次性可編程/可編程的一次性燒錄可編程的一次性燒錄) OTP(One Time Programmable)是)是MCU的一種存儲器類型。的一種存儲器類型。MC

12、U按其存儲器按其存儲器類型可分為類型可分為掩膜片掩膜片-MASK(掩模掩模)ROM、OTP(一次性可編程一次性可編程)ROM、FLASH ROM等等類型。類型。MASK ROM的的MCU價格便宜,但程價格便宜,但程序在出廠時已經固化,適合程序固定不變的序在出廠時已經固化,適合程序固定不變的應用場合;應用場合;FALSH ROM的的MCU程序可以程序可以反復擦寫,靈活性很強,但價格較高,適合反復擦寫,靈活性很強,但價格較高,適合對價格不敏感的應用場合或做開發(fā)用途;對價格不敏感的應用場合或做開發(fā)用途;14 OTP ROM的的MCU價格介于前兩者之間,價格介于前兩者之間,同時又擁有一次性可編程能力,

13、適合既同時又擁有一次性可編程能力,適合既要求一定靈活性,又要求低成本的應用要求一定靈活性,又要求低成本的應用場合,尤其是功能不斷翻新、需要迅速場合,尤其是功能不斷翻新、需要迅速量產的電子產品。量產的電子產品。15A1A0Y1Y2Y3Y4十進制0001101100000001010010010149 熔絲型開關熔絲型開關 反熔絲型開關反熔絲型開關000000111001用高壓將用高壓將PLICE介質擊穿。介質擊穿。熔絲斷開為熔絲斷開為1PLICE(可編程邏輯互連電路單元)(可編程邏輯互連電路單元)16在反熔絲在反熔絲PROM中,各連接點放的不是熔絲,而中,各連接點放的不是熔絲,而是一種是一種PL

14、ICE編程單元,如圖所示。未編程時縱編程單元,如圖所示。未編程時縱線和橫線間是不通的,編程時對需要連接處加上線和橫線間是不通的,編程時對需要連接處加上高壓使其中高壓使其中PLICE(可編程邏輯互連電路單元)(可編程邏輯互連電路單元)介質擊穿而短路,從而達到該點邏輯連接的目的。介質擊穿而短路,從而達到該點邏輯連接的目的。反熔絲編程示意圖反熔絲編程示意圖(a)反熔絲編程陣列結構反熔絲編程陣列結構 (b)PLICE 編程元件編程元件1718194、如何了解代工公司的情況?、如何了解代工公司的情況?了解一家了解一家IC代工公司代工公司(foundry)最直接和最直接和簡便的方法,是認真瀏覽該代工公司的

15、簡便的方法,是認真瀏覽該代工公司的技術發(fā)展路線圖技術發(fā)展路線圖20華潤上華科技有限公司華潤上華科技有限公司CSMC技術發(fā)展路線技術發(fā)展路線21華潤上華科技有限公司華潤上華科技有限公司CSMC技術發(fā)展路線(續(xù))技術發(fā)展路線(續(xù))22什么是什么是eFlach?嵌入(embed)式系統(tǒng)是指操作系統(tǒng)和功能軟件集成于計算機硬件系統(tǒng)之中。簡單的說就是系統(tǒng)的應用軟件與系統(tǒng)的硬件一體化,具有軟件代碼小,高度自動化,響應速度快等特點。特別適合于要求實時的和多任務的體系。嵌入式系統(tǒng)不一定就是單片機。嵌入式系統(tǒng)主要是將軟件系統(tǒng)固化集成到硬件系統(tǒng)(如放到FLASH)中。http:/ 23和艦科技和艦科技(蘇州蘇州 )

16、有限公司有限公司 RoadmapRtn Available Now200620070.35/0.3m 3.3V/ 12V0.35/0.3m 3.3V/ 18V0.35m 3.3V/12V,18V embedded OTP0.25m 2.5V/+-16V0.35m 3.3V CIS0.15m1.5V/+-16V0.18m pixel size 3.2m0.5/0.45m 3.3V/ 5V0.35/0.3m 3.3V/ 5V0.25m 2.5V/3.3V0.18m 1.8V/3.3V0.35/0.3m 3.3V/5V0.25m 2.5V/3.3V, 5V0.18m 1.8V/3.3V0.5m OT

17、P 5V/12V0.35m FLASH 5V/10.5V0.25m FLASH 5V/9V0.25m e-EEPROM 2.5V/ 3.3V0.15m1.2V/3.3V0.15m1.5V/3.3V0.13 m Cu 1.2V/3.3V0.18mFlash1.8V/3.3V0.13me-Flash1.2V/3.3V2008 Logic Mix Mode NVM Hi-Voltage CIS 0.35m3.3V/13.5V0.25m2.5V/5V0.18me-Flash1.8V/3.3V0.18mRF CMOS0.13mFlash 1.2V/3.3V0.13mAl0.13mAl 1.2V/+-16

18、V0.18m1.8V/+-16V0.13m Al1.2V/3.3V0.13m Cu1.2V/3.3V0.162m1.8/3.3V和艦科技和艦科技(蘇州蘇州 )有限公司有限公司 Roadmap24什么是什么是NVM?只讀存儲器只讀存儲器(Read Only Memory,ROM) 它又稱固定存儲器。它又稱固定存儲器。ROM是是把數(shù)據(jù)固定地存儲起來,然后按給定把數(shù)據(jù)固定地存儲起來,然后按給定地址進行讀出,但不象地址進行讀出,但不象RAM那樣可以那樣可以隨時快速寫入和修改,只能讀出。它隨時快速寫入和修改,只能讀出。它在停電后照樣能長期保存數(shù)據(jù),所以在停電后照樣能長期保存數(shù)據(jù),所以又被稱為又被稱為不揮

19、發(fā)存儲器不揮發(fā)存儲器(Nonvolatile Memory)。25大陸、臺灣大陸、臺灣Foundry技術演進技術演進19941997199920022005大陸大陸 3m0.8m0.35m0.18m0.13m臺灣臺灣 0.35m0.25m0.18m0.13m0.09m2621世紀頭世紀頭10年將面臨如何進行年將面臨如何進行0.1m級級 電電路的設計和制造問題。生產工藝從路的設計和制造問題。生產工藝從 微米級微米級(micro-M)(3m、2m1985年、年、1.5m、1m1989年)、年)、 亞微米級亞微米級(submicro-SM)()(0.7m、0.5m1993年)發(fā)展到年)發(fā)展到 深亞微

20、米深亞微米(deep submicro-DSM)()(0.35m1997年、年、0.25m、0.18m2001年、年、0.13m),), 超深亞微米或亞超深亞微米或亞0.1m2005年(年(very deep submicro-VDSM )。)。275、有幾種、有幾種IC版圖文件格式?版圖文件格式? GDSIIGraphicalDesignSystemII二進制格式用來備份、導入、導出版圖,以及提交給Foundry流片 CIFCaltechIntermediateFormat文本格式 EDIFElectronicDesignInterchangeFormat文本格式EDIF格式也用于描述線路圖

21、、網表、符號等其他數(shù)據(jù)286、描述你對集成、描述你對集成電路工藝的認識。電路工藝的認識。(仕蘭微面試題目)(仕蘭微面試題目)29晶圓處理制程晶圓處理制程 晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電路與電子元件(如電晶體管、電容器、邏輯門等),路與電子元件(如電晶體管、電容器、邏輯門等),為上述各制程中所需技術最復雜且資金投入最多的為上述各制程中所需技術最復雜且資金投入最多的過程過程 ,以微處理器(,以微處理器(Microprocessor)為例,其所)為例,其所需處理步驟可達需處理步驟可達數(shù)百道數(shù)百道,而其所需加工機臺先進且,而其所需加工機臺先進且昂貴,動

22、輒數(shù)千萬一臺,其所需制造環(huán)境為為一溫昂貴,動輒數(shù)千萬一臺,其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與度、濕度與 含塵(含塵(Particle)均需控制的無塵室)均需控制的無塵室/超超凈間凈間(Clean-Room),雖然詳細的處理程序是隨著),雖然詳細的處理程序是隨著產品種類與所使用的技術有關;不過其基本處理步產品種類與所使用的技術有關;不過其基本處理步驟通常是晶圓先經過適當?shù)那逑矗E通常是晶圓先經過適當?shù)那逑矗–leaning)之後,)之後,接著進行氧化(接著進行氧化(Oxidation)及沉積,最後進行顯影、)及沉積,最後進行顯影、蝕刻及離子注入等反覆步驟,以完成晶圓上電路的蝕刻及離子注入等反覆步驟

23、,以完成晶圓上電路的加工與制作。加工與制作。30 晶圓處理制程(晶圓處理制程(Wafer Fabrication;簡稱;簡稱 Wafer Fab) 1.圖形轉換:圖形轉換:將設計在掩膜版將設計在掩膜版(類似于照相底片類似于照相底片)上的圖上的圖形轉移到半導體單晶片上形轉移到半導體單晶片上 2. 摻雜:摻雜:根據(jù)設計的需要,將各種雜質摻雜在需要的根據(jù)設計的需要,將各種雜質摻雜在需要的位置上,形成晶體管、接觸等位置上,形成晶體管、接觸等 3. 制膜:制膜:制作各種材料的薄膜制作各種材料的薄膜31圖形轉換:圖形轉換:光刻:接觸光刻、接近光刻、投影光刻、電子光刻:接觸光刻、接近光刻、投影光刻、電子束光

24、刻束光刻刻蝕:干法刻蝕、濕法刻蝕刻蝕:干法刻蝕、濕法刻蝕摻雜:摻雜:離子注入離子注入 退火退火擴散擴散制膜:制膜:氧化:干氧氧化、濕氧氧化等氧化:干氧氧化、濕氧氧化等CVD:APCVD、LPCVD、PECVDPVD:蒸發(fā)、濺射:蒸發(fā)、濺射32后部封裝、測試后部封裝、測試 (在另外廠房)(在另外廠房)(1)背面減?。┍趁鏈p?。?)劃片劃片、掰片、掰片(3)粘片)粘片(4)壓焊:金絲球焊)壓焊:金絲球焊(5)切筋)切筋(6)整形)整形(7)封裝封裝(8)沾錫:保證管腳的電學接觸)沾錫:保證管腳的電學接觸(9)老化老化(10)成測,篩選成測,篩選(11)打字、包裝)打字、包裝33后工序后工序劃片劃片

25、封裝封裝測試測試老化老化篩選篩選 輔助工序輔助工序超凈廠房技術超凈廠房技術超純水、高純氣超純水、高純氣體制備技術體制備技術光刻掩膜版制備光刻掩膜版制備技術技術材料準備技術材料準備技術347、列舉幾種集成電路典型工藝。工、列舉幾種集成電路典型工藝。工藝上常提到藝上常提到0.25,0.18指的是什么?指的是什么?(仕蘭微面試題目)(仕蘭微面試題目)35集成電路的基本制造工藝集成電路的基本制造工藝流程流程1.雙極集成電路的基本制造工藝2.CMOS集成電路工藝3.Bi-CMOS集成電路工藝36 1.)雙極集成電路中元件的形成過程和元件結構雙極集成電路中元件的形成過程和元件結構 由典型的由典型的PN結隔

26、離的摻金結隔離的摻金TTL電路工藝制作的集成電路中的電路工藝制作的集成電路中的晶體管的剖面圖如下圖所示,它基本上由表面圖形晶體管的剖面圖如下圖所示,它基本上由表面圖形(由光刻掩模決由光刻掩模決定定)和雜質濃度分布決定。和雜質濃度分布決定。ALSiO2BPP+P-SUBN+ECN+-BLN-epiP+典型數(shù)字集成電路中典型數(shù)字集成電路中NPN晶體管剖面圖晶體管剖面圖 37 2. )CMOS集成電路工藝集成電路工藝 體硅體硅CMOS工藝設計中阱工藝的選擇工藝設計中阱工藝的選擇 (1) p阱工藝阱工藝實現(xiàn)實現(xiàn)CMOS電路的工藝技術有多種。電路的工藝技術有多種。CMOS是在是在PMOS工藝技術基礎上于

27、工藝技術基礎上于1963年年 發(fā)展起來的,因此采發(fā)展起來的,因此采用在用在n型襯底上的型襯底上的p阱制備阱制備NMOS器件是很自然的選擇。器件是很自然的選擇。由于氧化層中正電荷的作用以及負的金屬由于氧化層中正電荷的作用以及負的金屬(鋁鋁)柵與襯柵與襯底的功函數(shù)差,使得在沒有溝道離子注入技術的條件底的功函數(shù)差,使得在沒有溝道離子注入技術的條件下,制備低閾值電壓下,制備低閾值電壓(絕對值絕對值)的的PMOS器件和增強型器件和增強型NMOS器件相當困難。于是,采用輕摻雜的器件相當困難。于是,采用輕摻雜的n型襯底型襯底制備制備PMOS器件,采用較高摻雜濃度擴散的器件,采用較高摻雜濃度擴散的p阱做阱做N

28、MOS器件,在當時成為最佳的工藝組合。器件,在當時成為最佳的工藝組合。38考慮到空穴的遷移率比電子遷移率考慮到空穴的遷移率比電子遷移率要低近要低近2倍多,且遷移率的數(shù)值是摻雜濃倍多,且遷移率的數(shù)值是摻雜濃度的函數(shù)度的函數(shù)(輕摻雜襯底的載流子遷移率較輕摻雜襯底的載流子遷移率較高高)。因此,。因此,采用采用p阱工藝有利于阱工藝有利于CMOS電路中兩種類型器件的性能匹配電路中兩種類型器件的性能匹配,而尺,而尺寸差別較小。寸差別較小。p阱阱CMOS經過多年的發(fā)展,經過多年的發(fā)展,已成為成熟的主要的已成為成熟的主要的CMOS工藝。與工藝。與NMOS工藝技術一樣,它采用了硅柵、工藝技術一樣,它采用了硅柵、

29、 等平面和全離子注入技術。等平面和全離子注入技術。39 (2) n阱工藝阱工藝為了實現(xiàn)與為了實現(xiàn)與LSI的主流工藝增強型的主流工藝增強型/耗層型耗層型(E/D)的的完全兼容,完全兼容,n阱阱CMOS工藝得到了重視和發(fā)展。它采工藝得到了重視和發(fā)展。它采用用E/D NMOS的相同的的相同的p型襯底材料制備型襯底材料制備NMOS器件,器件,采用離子注入形成的采用離子注入形成的n阱制備阱制備PMOS器件,采用溝道器件,采用溝道離子注入調整兩種溝遭器件的閾值電壓。離子注入調整兩種溝遭器件的閾值電壓。 n阱阱CMOS工藝與工藝與p阱阱CMOS工藝相比有許多明顯工藝相比有許多明顯的優(yōu)點。首先是的優(yōu)點。首先是

30、與與E/D NMOS工藝完全兼容工藝完全兼容,因此,因此,可以直接利用已經高度發(fā)展的可以直接利用已經高度發(fā)展的NMOS工藝技術;其次工藝技術;其次是制備在輕摻雜襯底上的是制備在輕摻雜襯底上的NMOS的性能得到了最佳化的性能得到了最佳化-保持了高的電子遷移率,低的體效應系數(shù),低的保持了高的電子遷移率,低的體效應系數(shù),低的n+結結的寄生電容,降低了漏結勢壘區(qū)的電場強度,從而降的寄生電容,降低了漏結勢壘區(qū)的電場強度,從而降低了電子碰撞電離所產生的電流等。這個優(yōu)點對動態(tài)低了電子碰撞電離所產生的電流等。這個優(yōu)點對動態(tài)CMOS電路,如時鐘電路,如時鐘CMOS電路,多米諾電路等的性電路,多米諾電路等的性能改

31、進尤其明顯。能改進尤其明顯。 40 (3) 雙阱工藝雙阱工藝雙阱雙阱CMOS采用高濃度的采用高濃度的n+襯底,在襯底,在上面生長高阻上面生長高阻r外延層,并在其上形成外延層,并在其上形成n阱阱和和p阱。它有利于每種溝道類型的器件性能阱。它有利于每種溝道類型的器件性能最佳化,且因存在低阻的通道,使可控硅最佳化,且因存在低阻的通道,使可控硅鎖閂效應受到抑制。圖鎖閂效應受到抑制。圖A(c)是雙阱是雙阱CMOS結構示意圖。最為理想的結構示意圖。最為理想的CMOS結構應該結構應該是絕緣襯底上的是絕緣襯底上的CMOS技術技術(SOI/CMOS)。它徹底消除了體硅它徹底消除了體硅CMOS電路中的電路中的“可

32、控可控硅鎖閂硅鎖閂”效應,提高抗輻射能力并有利于效應,提高抗輻射能力并有利于速度和集成度的提高。速度和集成度的提高。41 SOI/CMOS電路電路利用絕緣襯底的硅薄膜利用絕緣襯底的硅薄膜(Silicon on Insulator)制作制作CMOS電路,能徹底消除體電路,能徹底消除體硅硅CMOS電路中的寄生可控硅結構。能大電路中的寄生可控硅結構。能大幅度減小幅度減小PN結面積,從而減小了電容效結面積,從而減小了電容效應。這樣可以提高芯片的集成度和器件的應。這樣可以提高芯片的集成度和器件的速度。下圖示出理想的速度。下圖示出理想的SOI/CMOS結構。結構。SOI結構是針對亞微米結構是針對亞微米CM

33、OS器件提出的,器件提出的,以取代不適應要求的常規(guī)結構和業(yè)已應用以取代不適應要求的常規(guī)結構和業(yè)已應用的蘭寶石襯底外延硅結構的蘭寶石襯底外延硅結構(SOS-Silicon on Sapphire結構結構)。SOI結構在高壓集成電路結構在高壓集成電路和三維集成電路中也有廣泛應用。和三維集成電路中也有廣泛應用。423.) Bi-CMOS工藝工藝Bi-CMOS同時包括雙極和同時包括雙極和MOS晶體管的集成電路,它結合了雙極晶體管的集成電路,它結合了雙極器件的高跨導、強驅動能力和器件的高跨導、強驅動能力和CMOS器件的高集成度、低功耗的器件的高集成度、低功耗的優(yōu)點,使它們互相取長補短、發(fā)揮優(yōu)點,使它們互

34、相取長補短、發(fā)揮各自優(yōu)點,制造高速、高集成度、各自優(yōu)點,制造高速、高集成度、好性能的好性能的VLSI。43工藝上常提到工藝上常提到0.25、0.18指的是特征尺寸指的是特征尺寸 特征尺寸特征尺寸 (Feature Size) / (Critical Dimension) 特征尺寸定義為器件中最小線條寬度特征尺寸定義為器件中最小線條寬度(對對MOS器器件而言,通常指器件柵電極所決定的溝道幾何長件而言,通常指器件柵電極所決定的溝道幾何長度度),也可定義為最小線條寬度與線條間距之和,也可定義為最小線條寬度與線條間距之和的一半。減小特征尺寸是提高集成度、改進器件的一半。減小特征尺寸是提高集成度、改進器

35、件性能的關鍵。特征尺寸的減小主要取決于性能的關鍵。特征尺寸的減小主要取決于光刻技光刻技術術的改進。集成電路的特征尺寸向深亞微米發(fā)展,的改進。集成電路的特征尺寸向深亞微米發(fā)展,目前的規(guī)?;a是目前的規(guī)?;a是0.18m、0.15 m 、0.13m工藝,工藝, Intel目前將大部分芯片生產制成轉換到目前將大部分芯片生產制成轉換到0.09 m、 0.065m 。44雙極型電路結構45CMOS電路電路CMOS電路結構46Bi-CMOS電路電路Bi-CMOS電路結構47SOI絕緣體上硅工藝SilicononInsulator,SOI488、請描述一下國內的工藝現(xiàn)狀。、請描述一下國內的工藝現(xiàn)狀。 國

36、內的集成電路的特征尺寸向深亞微米國內的集成電路的特征尺寸向深亞微米發(fā)展,目前的規(guī)?;a是發(fā)展,目前的規(guī)?;a是0.18m、0.15 m 、0.13m工藝,晶圓的尺寸也工藝,晶圓的尺寸也在增加,當前的主流晶圓的尺寸為在增加,當前的主流晶圓的尺寸為4、6吋,正在向吋,正在向8吋晶圓邁進。吋晶圓邁進。49截至截至2006年,我國年,我國IC生產線共生產線共47條,其中:條,其中: 大尺寸線:大尺寸線:12英寸英寸2條、條、8英寸英寸10條,共條,共12條占條占25.5%,占四分之一。,占四分之一。 中尺寸線:中尺寸線:6英寸英寸12條、條、5英寸英寸9條,共條,共21條,占條,占44.7%,最多

37、為二分之一弱。,最多為二分之一弱。 小尺寸線:小尺寸線:4英寸英寸14條,占條,占29.8%,三分之一弱。,三分之一弱。 總之,從今年我國總之,從今年我國IC生產線投產的速度看出,生產線投產的速度看出,“十一五十一五”規(guī)劃期間原先預計將投產規(guī)劃期間原先預計將投產20條條25條條芯片線的預測是完全可能實現(xiàn)的。因為這個預測芯片線的預測是完全可能實現(xiàn)的。因為這個預測平均要求每年投產平均要求每年投產4條條5條芯片線,而頭一年到條芯片線,而頭一年到十一月中旬就已增加了十一月中旬就已增加了7條線。條線。50515253545556579、介紹幾家你所熟悉的封測廠、介紹幾家你所熟悉的封測廠江蘇長電科技股份有

38、限公司(江蘇新潮科技公司)江蘇長電科技股份有限公司(江蘇新潮科技公司)Http:/www.cj-地址:江蘇省江陰市濱江中路地址:江蘇省江陰市濱江中路275號江蘇長電科技號江蘇長電科技股份有限公司是中國半導體封裝生產基地,國內股份有限公司是中國半導體封裝生產基地,國內著名的三極管制造商,集成電路封裝測試龍頭企著名的三極管制造商,集成電路封裝測試龍頭企業(yè),國家重點高新技術企業(yè)和省園林化工廠。公業(yè),國家重點高新技術企業(yè)和省園林化工廠。公司占地司占地12萬平方米,凈化廠房萬平方米,凈化廠房8萬平方米。在萬平方米。在2800余名員工中科技人員占余名員工中科技人員占40%.2004年形成年產:集年形成年產

39、:集成電路成電路35億塊;大中小功率三極管億塊;大中小功率三極管150億只的能力。億只的能力。 58無錫華潤安盛科技有限公司無錫華潤安盛科技有限公司http:/ 無錫華潤安盛科技有限公司無錫華潤安盛科技有限公司 (以下簡稱(以下簡稱“華華潤安盛潤安盛”),是香港上市公司華潤勵致的),是香港上市公司華潤勵致的 核心核心企業(yè)企業(yè) 和中國著名的民族微電子企業(yè)和中國著名的民族微電子企業(yè)華潤微華潤微電子的下屬公司,也是華潤微電子與世界第三電子的下屬公司,也是華潤微電子與世界第三大半導體封裝測試企業(yè)大半導體封裝測試企業(yè) STATS Chip PAC 合資合資成立的中外合資股份有限公司。主要為海內外成立的中

40、外合資股份有限公司。主要為海內外半導體芯片設計、晶圓制造供應商提供集成電半導體芯片設計、晶圓制造供應商提供集成電路封裝、測試和超薄減薄等代工服務。路封裝、測試和超薄減薄等代工服務。 59華潤安盛面向高速發(fā)展的海內外半導體華潤安盛面向高速發(fā)展的海內外半導體市場,以市場,以“躋身全球十大半導體封裝測躋身全球十大半導體封裝測試企業(yè)試企業(yè)”為愿景,遵循為愿景,遵循“以最具競爭力以最具競爭力的專業(yè)服務,成為半導體封裝測試的首的專業(yè)服務,成為半導體封裝測試的首選,實現(xiàn)股東價值與員工價值的最大化選,實現(xiàn)股東價值與員工價值的最大化”的使命,產銷規(guī)模以每年的使命,產銷規(guī)模以每年 30% 以上的幅以上的幅度增長,

41、并躋身國內同行業(yè)領先地位,度增長,并躋身國內同行業(yè)領先地位,被中國半導體行業(yè)協(xié)會、中國電子信息被中國半導體行業(yè)協(xié)會、中國電子信息產業(yè)發(fā)展研究院評選為產業(yè)發(fā)展研究院評選為“中國最具成長中國最具成長性的半導體封裝測試企業(yè)性的半導體封裝測試企業(yè)”。6061lGAPT 集團是一家外商獨資的半導體后工序企集團是一家外商獨資的半導體后工序企業(yè),計劃于上海浦東開發(fā)區(qū)張江高科技園區(qū)投業(yè),計劃于上海浦東開發(fā)區(qū)張江高科技園區(qū)投資數(shù)億美元,建立一個完整的封裝設計資數(shù)億美元,建立一個完整的封裝設計,組裝組裝,測試與凸晶企業(yè)測試與凸晶企業(yè), GAPT 將結合現(xiàn)有芯片制造將結合現(xiàn)有芯片制造商及商及IC設計公司設計公司,

42、為我們的客戶提供最好的為我們的客戶提供最好的一一站式站式(One Stop shopping)全方位產品及服務。全方位產品及服務。GAPT第一顆第一顆 PBGA27X27產品在產品在2001年年5月月1日誕生并已通過所有可靠性測試并在年底開始日誕生并已通過所有可靠性測試并在年底開始量產;量產;PBGA35X35、31X31、37.5X37.5(包(包含散熱蓋的設計)含散熱蓋的設計),多芯片模組多芯片模組,系統(tǒng)芯片及系統(tǒng)芯片及TFBGA、QFN已通過審驗開始量產;同時已通過審驗開始量產;同時QFP 高腳數(shù)產品生產線已在高腳數(shù)產品生產線已在2002年第二季度建年第二季度建立,產量不斷提高。立,產量

43、不斷提高。62http:/ 廈門永紅電子有限公司是電子部重點扶持的最廈門永紅電子有限公司是電子部重點扶持的最早從事高精度半導體和集成電路塑封引線框架早從事高精度半導體和集成電路塑封引線框架frame開發(fā)、生產及精密模具開發(fā)、生產及精密模具tooling制造的專制造的專業(yè)廠家。公司于業(yè)廠家。公司于1983年由天水永紅器材廠與廈年由天水永紅器材廠與廈門華夏集團聯(lián)營創(chuàng)建,門華夏集團聯(lián)營創(chuàng)建,2001年年7月引入社會資月引入社會資金后再經股權優(yōu)化而成。金后再經股權優(yōu)化而成。63l星科金朋公司是世界排名前列的半導體封裝測試星科金朋公司是世界排名前列的半導體封裝測試公司,提供全球各地客戶整體與快捷的高質量

44、服公司,提供全球各地客戶整體與快捷的高質量服務。客戶群包括數(shù)家晶圓代工廠、全球知名務??蛻羧喊〝?shù)家晶圓代工廠、全球知名IDM大廠與遍布全球各地集成電路設計公司。服務產大廠與遍布全球各地集成電路設計公司。服務產品種類含蓋通信、電腦、電源供應器與數(shù)據(jù)型消品種類含蓋通信、電腦、電源供應器與數(shù)據(jù)型消費性產品等。以先進制造與管理技術為基礎,加費性產品等。以先進制造與管理技術為基礎,加上全球性布局,星科金朋在全球封裝測試業(yè)樹立上全球性布局,星科金朋在全球封裝測試業(yè)樹立了可靠與高質量服務的標竿。星科金朋公司在全了可靠與高質量服務的標竿。星科金朋公司在全球擁有一萬多名員工,在新加坡、中國及中國臺球擁有一萬多

45、名員工,在新加坡、中國及中國臺灣地區(qū)、韓國、馬來西亞和美國等地設有工廠。灣地區(qū)、韓國、馬來西亞和美國等地設有工廠。 星科金朋(上海)有限公司位于上海西郊經濟技星科金朋(上海)有限公司位于上海西郊經濟技術開發(fā)區(qū),距虹橋機場僅術開發(fā)區(qū),距虹橋機場僅8公里之遙,現(xiàn)有員工公里之遙,現(xiàn)有員工四千多人,占地面積四千多人,占地面積11萬平方米。公司提供定期萬平方米。公司提供定期和不定期的員工海外培訓機會,為員工的發(fā)展提和不定期的員工海外培訓機會,為員工的發(fā)展提供廣闊的平臺。供廣闊的平臺。 64樂山菲尼克斯半導體有限公司樂山菲尼克斯半導體有限公司(中國四川樂山)(中國四川樂山)l安森美半導體是中國西部投資的先

46、驅者,在安森美半導體是中國西部投資的先驅者,在1995年其作年其作為摩托羅拉半導體元件部與樂山無線電股份有限公司合為摩托羅拉半導體元件部與樂山無線電股份有限公司合資成立了樂山菲尼克斯半導體有限公司,走在中國的資成立了樂山菲尼克斯半導體有限公司,走在中國的西部大開發(fā)政策之前。安森美半導體在這個合資企業(yè)里西部大開發(fā)政策之前。安森美半導體在這個合資企業(yè)里擁有擁有51的股份的股份, 樂山無線電股份有限公司占樂山無線電股份有限公司占39,摩托,摩托羅拉占羅拉占10。樂山菲尼克斯已成為四川省最大的外商。樂山菲尼克斯已成為四川省最大的外商投資企業(yè)和最大的電子出口商之一。該公司在新芯片廠投資企業(yè)和最大的電子出

47、口商之一。該公司在新芯片廠投資前的核準投資額達投資前的核準投資額達2.80億美元。樂山菲尼克斯已億美元。樂山菲尼克斯已經成為安森美半導體中國乃至全球卓越的半導體制造中經成為安森美半導體中國乃至全球卓越的半導體制造中心,并能制造出具有世界級品質和成本保持在基準點水心,并能制造出具有世界級品質和成本保持在基準點水平的產品。工廠每年生產超過平的產品。工廠每年生產超過100億只器件,生產能力正億只器件,生產能力正在穩(wěn)定地增長。在穩(wěn)定地增長。2002年年8月,安森美半導體成為首家宣布月,安森美半導體成為首家宣布在中國西部投資六英寸芯片廠的跨國公司,在中國西部投資六英寸芯片廠的跨國公司, 擴大其在樂擴大其

48、在樂山菲尼克斯合資廠的規(guī)模。山菲尼克斯合資廠的規(guī)模。65宇芯宇芯 (成都成都) 集成電路封裝測試有限公司集成電路封裝測試有限公司友尼森(友尼森(Unisem)()(.my)成立)成立于于1989年,馬來西亞第二大半導體封裝測試公司,年,馬來西亞第二大半導體封裝測試公司,1992年開始從事獨立的年開始從事獨立的IC封裝和測試,目前為客封裝和測試,目前為客戶提供晶圓制造,晶圓測試、戶提供晶圓制造,晶圓測試、IC封裝與測試及相封裝與測試及相關輔助服務,擁有世界領先的半導體封裝測試技關輔助服務,擁有世界領先的半導體封裝測試技術,總部位于馬來西亞霹靂州怡保,并在馬來西術,總部位于馬來西亞霹靂州怡保,并在

49、馬來西亞,英國,中國等國家擁有生產基地,約亞,英國,中國等國家擁有生產基地,約94%的的產品銷往歐美,產品銷往歐美,6%銷往亞洲。銷往亞洲。 66l2004年年8月,友尼森宣布,將投資月,友尼森宣布,將投資2.1億美金在億美金在成都高新西區(qū)出口加工區(qū)西區(qū)新建友尼森旗下成都高新西區(qū)出口加工區(qū)西區(qū)新建友尼森旗下現(xiàn)代化程度最高的半導體工廠,使其成為友尼現(xiàn)代化程度最高的半導體工廠,使其成為友尼森在全球的旗艦企業(yè)森在全球的旗艦企業(yè)宇芯(成都)集成電宇芯(成都)集成電路封裝測試有限公司路封裝測試有限公司,新工廠將采用目前世界上新工廠將采用目前世界上最先進的全新的設備,生產最先進的全新的設備,生產SLP、B

50、GA、SOIC、TSSOP等高端產品。等高端產品。2004年底,宇芯工廠開建,年底,宇芯工廠開建, 2006年中開始投產。友尼森宇芯年中開始投產。友尼森宇芯(成都成都)項目全部項目全部建成后,員工總數(shù)將達到建成后,員工總數(shù)將達到4500-5600人。人。 宇芯宇芯成都以團隊精神、信賴、責任、主動、關愛為成都以團隊精神、信賴、責任、主動、關愛為核心價值,并傾注極大的關注在員工福利、健核心價值,并傾注極大的關注在員工福利、健康與安全上。我們把員工視為企業(yè)最有價值的康與安全上。我們把員工視為企業(yè)最有價值的資產,并為員工提供良好的培訓包括海外培訓資產,并為員工提供良好的培訓包括海外培訓的機會,及廣闊的

51、發(fā)展空間。的機會,及廣闊的發(fā)展空間。67lhttp:/www.fujitsu- 公司現(xiàn)有公司現(xiàn)有DIP、SIP、SOP、QFP、SSOP、TQFP、MCM等系列等系列封裝形式,多個產品填補國內空白。封裝形式,多個產品填補國內空白。68692006年度國內十大半導體企業(yè)統(tǒng)計結果年度國內十大半導體企業(yè)統(tǒng)計結果http:/行業(yè)動態(tài)行業(yè)動態(tài)2007年4月9日 為全面總結為全面總結2006年國內各有關半導體企業(yè)所取年國內各有關半導體企業(yè)所取得的成績,依據(jù)參加全國半導體行業(yè)統(tǒng)計企業(yè)的得的成績,依據(jù)參加全國半導體行業(yè)統(tǒng)計企業(yè)的上報數(shù)據(jù),中國半導體行業(yè)協(xié)會分別排出上報數(shù)據(jù),中國半導體行業(yè)協(xié)會分別排出2006年

52、年度國內度國內10大集成電路設計企業(yè)、大集成電路設計企業(yè)、10大集成電路與大集成電路與分立器件制造企業(yè)以及分立器件制造企業(yè)以及10大封裝測試企業(yè),其結大封裝測試企業(yè),其結果如下:果如下:707172天津天津江陰江陰7310、半導體工藝中,摻雜有哪、半導體工藝中,摻雜有哪幾種方式?幾種方式?74GDS D G SP-siNN2SiOAl 摻雜工藝(擴散與離子注入)摻雜工藝(擴散與離子注入) 通過摻雜可以在硅襯底上形成不同類型的半導體區(qū)通過摻雜可以在硅襯底上形成不同類型的半導體區(qū)域,構成各種器件結構。摻雜工藝的基本思想就是通過域,構成各種器件結構。摻雜工藝的基本思想就是通過某種技術措施,將一定濃度

53、的某種技術措施,將一定濃度的價元素,如硼,或價元素,如硼,或價價元素,如磷、砷等摻入半導體襯底。元素,如磷、砷等摻入半導體襯底。75摻雜:將需要的雜質摻入特定的摻雜:將需要的雜質摻入特定的半導體區(qū)域中,以達到改變半導半導體區(qū)域中,以達到改變半導體電學性質,形成體電學性質,形成PN結、電阻、結、電阻、歐姆接觸歐姆接觸磷磷(P)、砷、砷(As) N型硅型硅硼硼(B) P型硅型硅摻雜工藝:擴散、離子注入摻雜工藝:擴散、離子注入76替位式擴散:替位式擴散:雜質離子占據(jù)硅原子的位:雜質離子占據(jù)硅原子的位:、族元素族元素一般要在很高的溫度一般要在很高的溫度(9501280)下進行,下進行,橫向擴散嚴重。但

54、對設備的要求相對較低。橫向擴散嚴重。但對設備的要求相對較低。磷、硼、砷等在二氧化硅層中的擴散系數(shù)均磷、硼、砷等在二氧化硅層中的擴散系數(shù)均遠小于在硅中的擴散系數(shù),遠小于在硅中的擴散系數(shù),可以利用氧化層可以利用氧化層作為雜質擴散的掩蔽層作為雜質擴散的掩蔽層間隙式擴散:間隙式擴散:雜質離子位于晶格間隙:雜質離子位于晶格間隙:Na、K、Fe、Cu、Au 等元素等元素擴散系數(shù)要比替位式擴散大擴散系數(shù)要比替位式擴散大67個數(shù)量級個數(shù)量級(絕對不許用手摸硅片(絕對不許用手摸硅片防止防止Na+沾污沾污。)77例如,在例如,在N型襯底上摻硼,可以使原先型襯底上摻硼,可以使原先的的N型襯底電子濃度變小,或使型襯底

55、電子濃度變小,或使N型襯底改型襯底改變成變成P型;如在型;如在N型襯底表面摻磷,可以提型襯底表面摻磷,可以提高襯底的表面雜質濃度。高襯底的表面雜質濃度。 摻雜分為熱擴散法摻雜和離子注入法摻雜分為熱擴散法摻雜和離子注入法摻雜。由光刻工藝摻雜。由光刻工藝(刻蝕刻蝕)為摻雜確定摻雜的為摻雜確定摻雜的區(qū)域,在需要摻雜處區(qū)域,在需要摻雜處(即摻雜窗口即摻雜窗口)裸露出硅裸露出硅襯底,非摻雜區(qū)則用一定厚度的二氧化硅襯底,非摻雜區(qū)則用一定厚度的二氧化硅或者氮化硅等薄膜材料進行屏蔽。離子注或者氮化硅等薄膜材料進行屏蔽。離子注入則常采用一定厚度的二氧化硅、光刻膠入則常采用一定厚度的二氧化硅、光刻膠或這兩層材料同

56、時作為摻雜屏蔽?;蜻@兩層材料同時作為摻雜屏蔽。78對對P型襯底,如果將一定濃度的型襯底,如果將一定濃度的價元素價元素摻入,將使原先的摻入,將使原先的P型襯底空穴濃度變低,或型襯底空穴濃度變低,或使使P型襯底改變?yōu)樾鸵r底改變?yōu)镹型。同樣的,如果在型。同樣的,如果在P型襯型襯底表面摻硼,將提高底表面摻硼,將提高P型襯底的表面濃度。型襯底的表面濃度。 所謂所謂熱擴散摻雜熱擴散摻雜就是利用原子在高溫下的就是利用原子在高溫下的擴散運動,使雜質原子從濃度很高的雜質源向擴散運動,使雜質原子從濃度很高的雜質源向硅中擴散并形成一定的分布。熱擴散通常分兩硅中擴散并形成一定的分布。熱擴散通常分兩個步驟進行:預淀積和

57、再分布。預淀積是在高個步驟進行:預淀積和再分布。預淀積是在高溫下,利用雜質源,如硼源、磷源等,對硅片溫下,利用雜質源,如硼源、磷源等,對硅片上的摻雜窗口進行擴散,在窗口處形成一層較上的摻雜窗口進行擴散,在窗口處形成一層較薄但具有較高濃度的雜質層。這是一種恒定表薄但具有較高濃度的雜質層。這是一種恒定表面源的擴散過程。面源的擴散過程。79再分布是利用預淀積所形成的表面雜質層再分布是利用預淀積所形成的表面雜質層做雜質源,在高溫下將這層雜質向硅體內擴散做雜質源,在高溫下將這層雜質向硅體內擴散的過程。通常再分布的時間較長,通過再分布,的過程。通常再分布的時間較長,通過再分布,可以在硅襯底上形成一定的雜質

58、分布和結深??梢栽诠枰r底上形成一定的雜質分布和結深。再分布是限定表面源擴散過程。再分布是限定表面源擴散過程。 80離子注入離子注入 離子注入離子注入是另一種摻雜技術,離子是另一種摻雜技術,離子注入摻雜也分為兩個步驟:離子注入和注入摻雜也分為兩個步驟:離子注入和退火再分布。離子注入是通過高能離子退火再分布。離子注入是通過高能離子束轟擊硅片表面,在摻雜窗口處,雜質束轟擊硅片表面,在摻雜窗口處,雜質離子被注入硅本體,在其他部位,雜質離子被注入硅本體,在其他部位,雜質離子被硅表面的保護層屏蔽,完成選擇離子被硅表面的保護層屏蔽,完成選擇摻雜的過程。進入硅中的雜質離子在一摻雜的過程。進入硅中的雜質離子在一

59、定的位置形成一定的分布。通常,離子定的位置形成一定的分布。通常,離子注入的深度注入的深度(平均射程平均射程)較淺且濃度較大,較淺且濃度較大,必須重新使它們再分布。摻雜深度由注必須重新使它們再分布。摻雜深度由注入雜質離子的能量和質量決定,摻雜濃入雜質離子的能量和質量決定,摻雜濃度由注入雜質離子的數(shù)目度由注入雜質離子的數(shù)目(劑量劑量)決定。決定。 81同時,由于高能粒子的撞擊,導致硅結同時,由于高能粒子的撞擊,導致硅結構的晶格發(fā)生損傷。為恢復晶格損傷,在離構的晶格發(fā)生損傷。為恢復晶格損傷,在離子注入后要進行退火處理,根據(jù)注入的雜質子注入后要進行退火處理,根據(jù)注入的雜質數(shù)量不同,退火溫度在數(shù)量不同,

60、退火溫度在450950之間,摻之間,摻雜濃度大則退火溫度高,反之則低。在退火雜濃度大則退火溫度高,反之則低。在退火的同時,摻入的雜質同時向硅體內進行再分的同時,摻入的雜質同時向硅體內進行再分布,如果需要,還要進行后續(xù)的高溫處理以布,如果需要,還要進行后續(xù)的高溫處理以獲得所需的結深和分布。獲得所需的結深和分布。 離子注入技術以其摻雜濃度控制精確、離子注入技術以其摻雜濃度控制精確、位置準確等優(yōu)點,正在取代熱擴散摻雜技術,位置準確等優(yōu)點,正在取代熱擴散摻雜技術,成為成為VLSI工藝流程中摻雜的主要技術。工藝流程中摻雜的主要技術。 82離子注入離子注入 的優(yōu)點:的優(yōu)點: 摻雜的均勻性好摻雜的均勻性好

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