半導體集成電路-習題答案

1、精選優(yōu)質文檔-傾情為你奉上第1章 集成電路的基本制造工藝1.6 一般TTL集成電路與集成運算放大器電路在選擇外延層電阻率上有何區(qū)別?為什么? 答：集成運算放大器電路的外延層電阻率比一般TTL集成電路的外延層電阻率高。第2章 集成電路中的晶體管及其寄生效應復 習 思 考 題2.2 利用截錐體電阻公式，計算TTL“與非”門輸出管的，其圖形如圖題2.2所示。 提示：先求截錐體的高度 然后利用公式： ， 注意：在計算W、L時, 應考慮橫向擴散。2.3 伴隨一個橫向PNP器件產生兩個寄生的PNP晶體管，試問當橫向PNP器件在4種可能的偏置情況下，哪一種偏置會使得寄生晶體管的影響最大? 答：當橫向PNP管

2、處于飽和狀態(tài)時，會使得寄生晶體管的影響最大。2.8 試設計一個單基極、單發(fā)射極和單集電極的輸出晶體管，要求其在20mA的電流負載下，0.4V，請在坐標紙上放大500倍畫出其版圖。給出設計條件如下： 答： 解題思路由、求有效發(fā)射區(qū)周長；由設計條件畫圖 先畫發(fā)射區(qū)引線孔； 由孔四邊各距畫出發(fā)射區(qū)擴散孔； 由先畫出基區(qū)擴散孔的三邊； 由畫出基區(qū)引線孔； 由畫出基區(qū)擴散孔的另一邊； 由先畫出外延島的三邊； 由畫出集電極接觸孔； 由畫出外延島的另一邊； 由畫出隔離槽的四周； 驗證所畫晶體管的是否滿足的條件，若不滿足，則要對所作 的圖進行修正，直至滿足的條件。（ 及己知）第3章 集成電路中的無源元件 復

3、習 思 考 題3.3 設計一個4k的基區(qū)擴散電阻及其版圖。 試求： (1) 可取的電阻最小線寬=?你取多少?答：12m (2) 粗估一下電阻長度，根據隔離框面積該電阻至少要幾個彎頭?答：一個彎頭第4章 晶體管晶體管邏輯(TTL)電路復 習 思 考 題4.4 某個TTL與非門的輸出低電平測試結果為 =1V。試問這個器件合格嗎?上機使用時有什么問題? 答：不合格。4.5 試分析圖題4.5所示STTL電路在導通態(tài)和截止態(tài)時各節(jié)點的電壓和電流，假定各管的=20, 和一般NPN管相同， =0.55V, =0.40.5V, =0.10.2V。答：（1）導通態(tài)（輸出為低電平） ， ， ， ， ， ， ， ，

4、 ， ， ， ， （2）截止態(tài)（輸出為高電平） ， ， ， ， ， ，與有關 4.7 要求圖題4.7所示電路在低電平輸出時帶動20個同類門，試計算輸出管 的集電極串聯(lián)電阻的最大值 ,max是多少?答：244.8 試分析圖題4.8所示兩種電路在邏輯功能上的差別及產生差別的原因，并寫出F，F的邏輯表達式。答： , 4.9 寫出圖題4.9所示電路的輸入與輸出的邏輯關系。答：4.11 寫出圖題4.11所示電路的Q與A，B的邏輯關系，并說明為什么輸出級一定要用有源泄放電路。答：第5章 發(fā)射極耦合邏輯(ECL)電路 不做習題第6章 集成注入邏輯( )電路 不做習題 第7章 MOS反相器復 習 思 考 題7

5、.1已知一自舉反相器如圖題7.1所示，其負載管的W/L=2，設其他參數為=0.7V, =5V, ，忽略襯底偏置效應。(1) 當 時，欲使=0.3V，驅動管應取何尺寸?答：7.2 有一E/D NMOS反相器，若 =2V, =-2V, =25,=5V。(1) 求此反相器的邏輯電平是多少?答：第8章 MOS基本邏輯單元復 習 思 考 題8.2 圖題 8.2為一E/D NMOS電路。(1) 試問此電路可實現何種邏輯運算?答：(2) 設 , , ， 輸入高電平為 ，輸入低電平為 。求各種輸入情況下電路的直流工作狀態(tài)、各結點電位、各支路電流及直流功耗。 答：設端，而A端又分兩種情況： 輸入高電平 輸入低電

6、平 設端，而A端又分兩種情況： 輸入高電平 輸入低電平 8.3 二輸入的E/D NMOS或非門的電路參數為： =-3V，=1V，試計算最壞情況的值和最好情況的值。 答： 8.4 說明圖題8.4的電路均為三態(tài)輸出門，用傳輸門邏輯推導電路的邏輯表達式。 答：（a） （b） （c）第9章 MOS邏輯功能部件復 習 思 考 題 9.1 試畫出傳輸門結構的一位八選一多路開關的電路圖，寫出邏輯表達式和真值表。 答：邏輯表達式 9.4 如果圖題9.4(a)反相器是有比的，試畫出此電路各節(jié)點工作波形，分析其功能；如果圖題9.4(b)中M-1和M-2為無比的，分析此電路能否工作?為什么? 答：提示：9.4(a)

7、 畫電路各節(jié)點工作波形時，注意輸出波形的低電平是由兩次形成的。 此電路實施反相器功能。 題9.4(b)中和若為無比，無法反相器功能。9.5 分析圖題9.5所示的兩相動態(tài)電路的邏輯功能，并說明各級電路分別是有比的還是無比的。假如圖中 ，；從，試畫出圖中,A,B,C,D和各點的波形圖 答：該電路為具有保持功能的多路選通開關。 該電路中除最后一級為無比電路外，余下均為有比電路。 注意：有的波形的低電平由兩次形成。第10章 存 儲 器復 習 思 考 題本章無答案第11章 接 口 電 路 不做習題第12章 模擬集成電路中的基本單元電路復 習 思 考 題12.1 試求圖題12.1所示達林頓管放大器的電壓增

8、益 答： 若忽略 ，則 提示：、 組成小電流恒流源。12.3 試在圖題12.3(a),(b),(c),(d)電路中，分別標出E/E，E/D NMOS單管放大器，CMOS有源負載放大器和CMOS互補放大器中的柵極及，電位，并指出各電路結構上的特點。 答：(a) ， 或(b) , (c) , (d) 12.8 圖題12.8所示是A741中的偏置電路，其中=39k，=5k,=15V，=-15V。試求和的值。 答：=0.73mA 1912.12 圖題12.12是一個IC產品中的偏置電路部分。求： 偏置電流及的值。 答：先求和 12.15 有一兩管能隙基準源電路如圖題12.15所示。已知，室溫下=0.6

9、5V，有效發(fā)射面積比為=10。(1) 試簡單推導的公式；(2) 求出=400K時的值。答：(1) (2)第13章 集成運算放大器13.2 對于圖題13.2所示差分對，設=100, =0.7V，試求其和。 答： 9.513.4 圖題13.4為一個級聯(lián)射耦對放大器，設時，, ,。求：(1) , 及 ；(2) 和(若 , )。 答：(1) (2) 13.5 已知射耦對差分放大器電路如圖題13.5所示，晶體管的，試求當=130mV時的值。 答：13.8 已知圖題13.8中MOS差分對的=2mA,，負載=10k，試求跨導和差模電壓增。 答： 13.11 試指出圖題13.11中哪些元件是起過流保護作用的，

10、并說明其保護原理。 答： 二極管保護電路的保護元件為、及 晶體管保護電路的保護元件為、及13.16 CMOS運放如圖題13.16所示，其中各有關參數為：, ，=0.01, =2.3,=-1V, =1V。試求各支路電流和電路的總電壓放大倍數。 提示：此題與本書中P325圖13.36類似, 關鍵在于決定偏置電流 第14章 MOS開關電容電路復 習 思 考 題14.2 圖題14.2是由兩個電容構成的一種開關電容等效電路 和 為兩個同頻、反相的驅動脈沖信號。(1) 分析電路工作原理；(2) 寫出電路的等效電阻 的表達式。 答：14.3 圖題14.3為一個由開關S和電容 C 組成的開關電容電路。試畫出用

11、單個MOS模擬開關管來代替S的等效開關電容電路；若驅動MOS管的脈沖頻率為 =50kHz，電容 C=10pF，試求開關電容電路的等效電阻 。 答：14.4 圖題14.4是一個MOS開關電容等效電路，和為兩個同頻反相的驅動脈沖信號。(1) 分析電路工作原理；(2) 寫出電路等效電阻的表達式。 答： 第15章 集成穩(wěn)壓器復 習 思 考 題15.1 圖題15.1為某電路的過熱保護電路，為過熱保護管， ，為被保護管，試以芯片為175時，保護電路的狀態(tài)來說明該電路的過熱保護作用。 答：當25時，截止，過熱保護電路不起作用。當175時，此時，導通，過熱保護電路起作用。 第16章D/A，A/D變換器復 習

12、思 考 題本章無答案第17章集成電路設計概述本章無答案第18章集成電路的正向設計本章無答案第19章集成電路的芯片解剖復 習 思 考 題19.1如圖題19.1所示的實際版圖，要求：(1) 把版圖恢復成具體電路圖，并說明這是什么電路，完成什么邏輯功能； 答：是雙極五輸入與非門電路。第20章集成電路設計方法本章無答案第21章集成電路的可靠性設計和可測性設計簡介本章無答案第22章集成電路的計算機輔助設計簡介本章無答案同、收回房屋：1.承租人擅自將房屋轉租、轉讓或轉借的;租賃期共_年房屋租賃合同 出租方（甲方）：XXX，男/女，XXXX年XX月XX日出生，身份證號碼XXXXXXXX承租方（乙方）：XXX，男/女，XXXX年XX月XX日出生，身份證號碼XXXXXXXX甲、乙雙方就房屋租賃事宜，達成如下協(xié)議： 一、甲方將位于XX市XX街道XX小區(qū)X號樓XXXX號的房屋出租給乙方居住使用，租賃期限自XX年XX月XX日至XX年XX月XX日，計X個月。二、本房屋月租金為人民幣XX元，按月/季度/年結算。每月月初/每季季初/每年年初X日內，乙方向甲方支付全月/季/年租金。三、乙方租賃期間，水費、