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文檔簡介
1、精選優(yōu)質文檔-傾情為你奉上第1章 集成電路的基本制造工藝1.6 一般TTL集成電路與集成運算放大器電路在選擇外延層電阻率上有何區(qū)別?為什么? 答:集成運算放大器電路的外延層電阻率比一般TTL集成電路的外延層電阻率高。第2章 集成電路中的晶體管及其寄生效應復 習 思 考 題2.2 利用截錐體電阻公式,計算TTL“與非”門輸出管的,其圖形如圖題2.2所示。 提示:先求截錐體的高度 然后利用公式: , 注意:在計算W、L時, 應考慮橫向擴散。2.3 伴隨一個橫向PNP器件產生兩個寄生的PNP晶體管,試問當橫向PNP器件在4種可能的偏置情況下,哪一種偏置會使得寄生晶體管的影響最大? 答:當橫向PNP管
2、處于飽和狀態(tài)時,會使得寄生晶體管的影響最大。2.8 試設計一個單基極、單發(fā)射極和單集電極的輸出晶體管,要求其在20mA的電流負載下,0.4V,請在坐標紙上放大500倍畫出其版圖。給出設計條件如下: 答: 解題思路由、求有效發(fā)射區(qū)周長;由設計條件畫圖 先畫發(fā)射區(qū)引線孔; 由孔四邊各距畫出發(fā)射區(qū)擴散孔; 由先畫出基區(qū)擴散孔的三邊; 由畫出基區(qū)引線孔; 由畫出基區(qū)擴散孔的另一邊; 由先畫出外延島的三邊; 由畫出集電極接觸孔; 由畫出外延島的另一邊; 由畫出隔離槽的四周; 驗證所畫晶體管的是否滿足的條件,若不滿足,則要對所作 的圖進行修正,直至滿足的條件。( 及己知)第3章 集成電路中的無源元件 復
3、習 思 考 題3.3 設計一個4k的基區(qū)擴散電阻及其版圖。 試求: (1) 可取的電阻最小線寬=?你取多少?答:12m (2) 粗估一下電阻長度,根據隔離框面積該電阻至少要幾個彎頭?答:一個彎頭第4章 晶體管晶體管邏輯(TTL)電路復 習 思 考 題4.4 某個TTL與非門的輸出低電平測試結果為 =1V。試問這個器件合格嗎?上機使用時有什么問題? 答:不合格。4.5 試分析圖題4.5所示STTL電路在導通態(tài)和截止態(tài)時各節(jié)點的電壓和電流,假定各管的=20, 和一般NPN管相同, =0.55V, =0.40.5V, =0.10.2V。答:(1)導通態(tài)(輸出為低電平) , , , , , , , ,
4、 , , , , (2)截止態(tài)(輸出為高電平) , , , , , ,與有關 4.7 要求圖題4.7所示電路在低電平輸出時帶動20個同類門,試計算輸出管 的集電極串聯(lián)電阻的最大值 ,max是多少?答:244.8 試分析圖題4.8所示兩種電路在邏輯功能上的差別及產生差別的原因,并寫出F,F的邏輯表達式。答: , 4.9 寫出圖題4.9所示電路的輸入與輸出的邏輯關系。答:4.11 寫出圖題4.11所示電路的Q與A,B的邏輯關系,并說明為什么輸出級一定要用有源泄放電路。答:第5章 發(fā)射極耦合邏輯(ECL)電路 不做習題第6章 集成注入邏輯( )電路 不做習題 第7章 MOS反相器復 習 思 考 題7
5、.1已知一自舉反相器如圖題7.1所示,其負載管的W/L=2,設其他參數為=0.7V, =5V, ,忽略襯底偏置效應。(1) 當 時,欲使=0.3V,驅動管應取何尺寸?答:7.2 有一E/D NMOS反相器,若 =2V, =-2V, =25,=5V。(1) 求此反相器的邏輯電平是多少?答:第8章 MOS基本邏輯單元復 習 思 考 題8.2 圖題 8.2為一E/D NMOS電路。(1) 試問此電路可實現何種邏輯運算?答:(2) 設 , , , 輸入高電平為 ,輸入低電平為 。求各種輸入情況下電路的直流工作狀態(tài)、各結點電位、各支路電流及直流功耗。 答:設端,而A端又分兩種情況: 輸入高電平 輸入低電
6、平 設端,而A端又分兩種情況: 輸入高電平 輸入低電平 8.3 二輸入的E/D NMOS或非門的電路參數為: =-3V,=1V,試計算最壞情況的值和最好情況的值。 答: 8.4 說明圖題8.4的電路均為三態(tài)輸出門,用傳輸門邏輯推導電路的邏輯表達式。 答:(a) (b) (c)第9章 MOS邏輯功能部件復 習 思 考 題 9.1 試畫出傳輸門結構的一位八選一多路開關的電路圖,寫出邏輯表達式和真值表。 答:邏輯表達式 9.4 如果圖題9.4(a)反相器是有比的,試畫出此電路各節(jié)點工作波形,分析其功能;如果圖題9.4(b)中M-1和M-2為無比的,分析此電路能否工作?為什么? 答:提示:9.4(a)
7、 畫電路各節(jié)點工作波形時,注意輸出波形的低電平是由兩次形成的。 此電路實施反相器功能。 題9.4(b)中和若為無比,無法反相器功能。9.5 分析圖題9.5所示的兩相動態(tài)電路的邏輯功能,并說明各級電路分別是有比的還是無比的。假如圖中 ,;從,試畫出圖中,A,B,C,D和各點的波形圖 答:該電路為具有保持功能的多路選通開關。 該電路中除最后一級為無比電路外,余下均為有比電路。 注意:有的波形的低電平由兩次形成。第10章 存 儲 器復 習 思 考 題本章無答案第11章 接 口 電 路 不做習題第12章 模擬集成電路中的基本單元電路復 習 思 考 題12.1 試求圖題12.1所示達林頓管放大器的電壓增
8、益 答: 若忽略 ,則 提示:、 組成小電流恒流源。12.3 試在圖題12.3(a),(b),(c),(d)電路中,分別標出E/E,E/D NMOS單管放大器,CMOS有源負載放大器和CMOS互補放大器中的柵極及,電位,并指出各電路結構上的特點。 答:(a) , 或(b) , (c) , (d) 12.8 圖題12.8所示是A741中的偏置電路,其中=39k,=5k,=15V,=-15V。試求和的值。 答:=0.73mA 1912.12 圖題12.12是一個IC產品中的偏置電路部分。求: 偏置電流及的值。 答:先求和 12.15 有一兩管能隙基準源電路如圖題12.15所示。已知,室溫下=0.6
9、5V,有效發(fā)射面積比為=10。(1) 試簡單推導的公式;(2) 求出=400K時的值。答:(1) (2)第13章 集成運算放大器13.2 對于圖題13.2所示差分對,設=100, =0.7V,試求其和。 答: 9.513.4 圖題13.4為一個級聯(lián)射耦對放大器,設時,, ,。求:(1) , 及 ;(2) 和(若 , )。 答:(1) (2) 13.5 已知射耦對差分放大器電路如圖題13.5所示,晶體管的,試求當=130mV時的值。 答:13.8 已知圖題13.8中MOS差分對的=2mA,,負載=10k,試求跨導和差模電壓增。 答: 13.11 試指出圖題13.11中哪些元件是起過流保護作用的,
10、并說明其保護原理。 答: 二極管保護電路的保護元件為、及 晶體管保護電路的保護元件為、及13.16 CMOS運放如圖題13.16所示,其中各有關參數為:, ,=0.01, =2.3,=-1V, =1V。試求各支路電流和電路的總電壓放大倍數。 提示:此題與本書中P325圖13.36類似, 關鍵在于決定偏置電流 第14章 MOS開關電容電路復 習 思 考 題14.2 圖題14.2是由兩個電容構成的一種開關電容等效電路 和 為兩個同頻、反相的驅動脈沖信號。(1) 分析電路工作原理;(2) 寫出電路的等效電阻 的表達式。 答:14.3 圖題14.3為一個由開關S和電容 C 組成的開關電容電路。試畫出用
11、單個MOS模擬開關管來代替S的等效開關電容電路;若驅動MOS管的脈沖頻率為 =50kHz,電容 C=10pF,試求開關電容電路的等效電阻 。 答:14.4 圖題14.4是一個MOS開關電容等效電路,和為兩個同頻反相的驅動脈沖信號。(1) 分析電路工作原理;(2) 寫出電路等效電阻的表達式。 答: 第15章 集成穩(wěn)壓器復 習 思 考 題15.1 圖題15.1為某電路的過熱保護電路,為過熱保護管, ,為被保護管,試以芯片為175時,保護電路的狀態(tài)來說明該電路的過熱保護作用。 答:當25時,截止,過熱保護電路不起作用。當175時,此時,導通,過熱保護電路起作用。 第16章D/A,A/D變換器復 習
12、思 考 題本章無答案第17章集成電路設計概述本章無答案第18章集成電路的正向設計本章無答案第19章集成電路的芯片解剖復 習 思 考 題19.1如圖題19.1所示的實際版圖,要求:(1) 把版圖恢復成具體電路圖,并說明這是什么電路,完成什么邏輯功能; 答:是雙極五輸入與非門電路。第20章集成電路設計方法本章無答案第21章集成電路的可靠性設計和可測性設計簡介本章無答案第22章集成電路的計算機輔助設計簡介本章無答案同、收回房屋:1.承租人擅自將房屋轉租、轉讓或轉借的;租賃期共_年房屋租賃合同 出租方(甲方):XXX,男/女,XXXX年XX月XX日出生,身份證號碼XXXXXXXX承租方(乙方):XXX,男/女,XXXX年XX月XX日出生,身份證號碼XXXXXXXX甲、乙雙方就房屋租賃事宜,達成如下協(xié)議: 一、甲方將位于XX市XX街道XX小區(qū)X號樓XXXX號的房屋出租給乙方居住使用,租賃期限自XX年XX月XX日至XX年XX月XX日,計X個月。二、本房屋月租金為人民幣XX元,按月/季度/年結算。每月月初/每季季初/每年年初X日內,乙方向甲方支付全月/季/年租金。三、乙方租賃期間,水費、
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