半導(dǎo)體的基本知識(shí)72105

1、第二節(jié)半導(dǎo)體的基本知識(shí)多數(shù)現(xiàn)代電子器件是由性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的半導(dǎo)體材料制成的。為了從電路的觀點(diǎn)理解這些器件的性能，首先必須從物理的角度了解它們是如何工作的。一、半導(dǎo)體材料從導(dǎo)電性能上看，物質(zhì)材料可分為三大類：導(dǎo)體： 電阻率 < 10-4 ·cm絕緣體：電阻率 > 109 ·cm半導(dǎo)體：電阻率介于前兩者之間。目前制造半導(dǎo)體器件的材料用得最多的有：硅和鍺兩種二、本征半導(dǎo)體及本征激發(fā)1、本征半導(dǎo)體沒(méi)有雜質(zhì)和缺陷的半導(dǎo)體單晶，叫做本征半導(dǎo)體。2、本征激發(fā)當(dāng)溫度升高時(shí)，電子吸收能量擺脫共價(jià)鍵而形成一對(duì)電子和空穴的過(guò)程，稱為本征激發(fā)。三、雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入

2、微量的雜質(zhì)， 就會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著的變化。因摻入雜質(zhì)不同，雜質(zhì)半導(dǎo)體可分為空穴（P）型半導(dǎo)體和電子（N）型半導(dǎo)體兩大類。1、P型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入少量的三價(jià)元素雜質(zhì)就形成P型半導(dǎo)體，P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是空穴，少數(shù)載流子是電子。2、N型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入少量的五價(jià)元素雜質(zhì)就形成N型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴。 返回第三節(jié)PN結(jié)的形成及特性一、PN結(jié)及其形成過(guò)程在雜質(zhì)半導(dǎo)體中， 正負(fù)電荷數(shù)是相等的，它們的作用相互抵消，因此保持電中性。1、載流子的濃度差產(chǎn)生的多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合后，在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴

3、的濃度差，N型區(qū)內(nèi)的電子很多而空穴很少，P型區(qū)內(nèi)的空穴很多而電子很少，這樣電子和空穴都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴(kuò)散，因此，有些電子要從N型區(qū)向P型區(qū)擴(kuò)散， 也有一些空穴要從P型區(qū)向N型區(qū)擴(kuò)散。2、電子和空穴的復(fù)合形成了空間電荷區(qū)電子和空穴帶有相反的電荷，它們?cè)跀U(kuò)散過(guò)程中要產(chǎn)生復(fù)合（中和），結(jié)果使P區(qū)和N區(qū)中原來(lái)的電中性被破壞。 P區(qū)失去空穴留下帶負(fù)電的離子，N區(qū)失去電子留下帶正電的離子， 這些離子因物質(zhì)結(jié)構(gòu)的關(guān)系，它們不能移動(dòng)，因此稱為空間電荷，它們集中在P區(qū)和N區(qū)的交界面附近，形成了一個(gè)很薄的空間電荷區(qū)，這就是所謂的PN結(jié)。3、空間電荷區(qū)產(chǎn)生的內(nèi)電場(chǎng)E又阻止多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)在空間電荷區(qū)后

4、，由于正負(fù)電荷之間的相互作用，在空間電荷區(qū)中形成一個(gè)電場(chǎng)，其方向從帶正電的N區(qū)指向帶負(fù)電的P區(qū)，由于該電場(chǎng)是由載流子擴(kuò)散后在半導(dǎo)體內(nèi)部形成的，故稱為內(nèi)電場(chǎng)。因?yàn)閮?nèi)電場(chǎng)的方向與電子的擴(kuò)散方向相同，與空穴的擴(kuò)散方向相反，所以它是阻止載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的。綜上所述，PN結(jié)中存在著兩種載流子的運(yùn)動(dòng)。一種是多子克服電場(chǎng)的阻力的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)；另一種是少子在內(nèi)電場(chǎng)的作用下產(chǎn)生的漂移運(yùn)動(dòng)。因此，只有當(dāng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí)，空間電荷區(qū)的寬度和 內(nèi)建電場(chǎng)才能相對(duì)穩(wěn)定。 由于兩種運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的電流方向相反，因而在無(wú)外電場(chǎng)或其他因素激勵(lì)時(shí)，PN結(jié)中無(wú)宏觀電流。二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮N結(jié)在外加電壓的作用下，動(dòng)態(tài)平衡

5、將被打破，并顯示出其單向?qū)щ姷奶匦浴?、外加正向電壓當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，外電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)的方向相反，內(nèi)電場(chǎng)變?nèi)?，結(jié)果使空間電荷區(qū)（PN結(jié)）變窄。同時(shí)空間電荷區(qū)中載流子的濃度增加，電阻變小。這時(shí)的外加電壓稱為正向電壓或正向偏置電壓用VF表示。在VF作用下，通過(guò)PN結(jié)的電流稱為正向電流IF。外加正向電壓的電路如圖所示。2、外加反向電壓當(dāng)PN結(jié)外加反向電壓時(shí)，外電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)的方向相同，內(nèi)電場(chǎng)變強(qiáng)，結(jié)果使空間電荷區(qū)（PN結(jié)）變寬, 同時(shí)空間電荷區(qū)中載流子的濃度減小，電阻變大。這時(shí)的外加電壓稱為反向電壓或反向偏置電壓用VR表示。在VR作用下，通過(guò)PN結(jié)的電流稱為反向電流IR或稱為反向飽和電流IS。如下

6、圖所示。3、PN結(jié)的伏安特性根據(jù)理論分析，PN結(jié)的伏安特性可以表達(dá)為：式中iD為通過(guò)PN結(jié)的電流，vD為PN結(jié)兩端的外加電壓；VT為溫度的電壓當(dāng)量=kT/q=T/11600=0.026V， 其中k為波爾慈曼常數(shù)（1.38×10-23J/K），T為絕對(duì)溫度（300K），q為電子電荷（1.6×10-19C） ；e為自然對(duì)數(shù)的底；IS為反向飽和電流。返回第四節(jié)半導(dǎo)體二極管一、半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體二極管按其結(jié)構(gòu)的不同可分為點(diǎn)接觸型和面接觸型兩類。點(diǎn)接觸型二極管是由一根很細(xì)的金屬觸絲(如三價(jià)元素鋁)和一塊半導(dǎo)體(如鍺)的表面接觸，然后在正方向通過(guò)很大的瞬時(shí)電流，使觸絲和半導(dǎo)體牢固

7、地熔接在一起，三價(jià)金屬與鍺結(jié)合構(gòu)成PN結(jié)，并做出相應(yīng)的電極引線，外加管殼密封而成，如圖 2.7所示。由于點(diǎn)接觸型二極管金屬絲很細(xì)， 形成的PN結(jié)面積很小， 所以極間電容很小，同時(shí)，也不能承受高的反向電壓和大的電流。這種類型的管子適于做高頻檢波和脈沖數(shù)字電路里的開(kāi)關(guān)元件， 也可用來(lái)作小電流整流。 如2APl是點(diǎn)接觸型鍺二極管， 最大整流電流為16mA， 最高工作頻率為15OMHz。面接觸型或稱面結(jié)型二極管的PN結(jié)是用合金法或擴(kuò)散法做成的，其結(jié)構(gòu)如圖2.7 所示。由于這種二極管的PN結(jié)面積大，可承受較大的電流，但極間電容也大。這類器件適用于整流，而不宜用于高頻電路中。如2CPl為面接觸型硅二極管，

8、最大整流電流為40OmA， 最高工作頻率只有3kHz。圖2.7中的硅工藝平面型二極管結(jié)構(gòu)圖， 是集成電路中常見(jiàn)的一種形式。代表二極管的符號(hào)也在圖2.7中示出。部分二極管實(shí)物如圖2.8所示。二、極管的伏安特性實(shí)際的二極管的V-I特性如圖2.9所示。由圖可以看出，二極管的V-I特性和PN結(jié)的V-I特性(圖2.6)基本上是相同的。下面對(duì)二極管V-I特性分三部分加以說(shuō)明:1、正向特性：二極管外加正向偏置電壓時(shí)的V-I特性對(duì)應(yīng)于圖2.9（b）的第段為正向特性，此時(shí)加于二極管的正向電壓只有零點(diǎn)幾伏，但相對(duì)來(lái)說(shuō)流過(guò)管子的電流卻很大，因此管子呈現(xiàn)的正向電阻很小。但是，在正向特性的起始部分，由于正向電壓較小，外

9、電場(chǎng)還不足以克服PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)，因而這時(shí)的正向電流幾乎為零，二極管呈現(xiàn)出一個(gè)大電阻，好像有一個(gè)門坎。 硅管的門坎電壓Vth(又稱死區(qū)電壓)約為0·5V，鍺管的Vth約為0·lV，當(dāng)正向電壓大于Vth時(shí)，內(nèi)電場(chǎng)大為削弱，電流因而迅速增長(zhǎng)。2、反向特性：二極管外加反向偏置電壓時(shí)的V-I特性P型半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子（電子）和N型半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子（空穴），在反向電壓作用下很容易通過(guò)PN結(jié)， 形成反向飽和電流。但由于少數(shù)載流子的數(shù)目很少， 所以反向電流是很小的， 如圖2.9（b）的第段所示， 一般硅管的反向電流比鍺管小得多，其數(shù)量級(jí)為：硅管nA級(jí)，鍺管大mA級(jí)。溫度升高時(shí)，由于少

10、數(shù)載流子增加，反向電流將隨之急劇增加。3、反向擊穿特性：二極管擊穿時(shí)的V-I特性當(dāng)增加反向電壓時(shí)， 因在一定溫度條件下， 少數(shù)載流子數(shù)目有限，故起始一段反向電流沒(méi)有多大變化，當(dāng)反向電壓增加到一定大小時(shí)，反向電流劇增，這叫做二極管的反向擊穿， 對(duì)應(yīng)于圖2.9的第段，其原因與PN結(jié)擊穿相同。三、二極管的主要參數(shù)1、最大整流電流 IF：是指管子長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)，允許通過(guò)的最大正向平均電流。因?yàn)殡娏魍ㄟ^(guò)PN結(jié)要引起管子發(fā)熱，電流太大，發(fā)熱量超過(guò)限度，就會(huì)使PN結(jié)燒壞。例如2APl最大整流電流為16mA。2、反向擊穿電壓 VBR：指管子反向擊穿時(shí)的電壓值。擊穿時(shí)，反向電流劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?，甚至?/p>

11、過(guò)熱而燒壞。一般手冊(cè)上給出的最高反向工作電壓約為擊穿電壓的一半，以確保管子安全運(yùn)行。例如2APl最高反向工作電壓規(guī)定為2OV， 而反向擊穿電壓實(shí)際上大于40V。3、反向電流 IR：指管子末擊穿時(shí)的反向電流， 其值愈小，則管子的單向?qū)щ娦杂?。由于溫度增加，反向電流?huì)急劇增加，所以在使用二極管時(shí)要注意溫度的影響。4、極間電容 CJ：二極管的極間電容包括勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容，在高頻運(yùn)用時(shí)必須考慮結(jié)電容的影響。二極管不同的工作狀態(tài)，其極間電容產(chǎn)生的影響效果也不同。二極管的參數(shù)是正確使用二極管的依據(jù)，一般半導(dǎo)體器件手冊(cè)中都給出不同型號(hào)管子參數(shù)。使用時(shí)，應(yīng)特別注意不要超過(guò)最大整流電流和最高反向工作電壓，否

12、則將容易損壞管子。返回第五節(jié)二極管基本電路及其分析方法在電子技術(shù)中，二極管電路得到廣泛的應(yīng)用。本節(jié)只介紹幾種基本的電路，如限幅電路、開(kāi)關(guān)電路、低電壓穩(wěn)壓電路等。二極管是一種非線性器件，因而二極管電路一般要采用非線性電路的分析方法。這里主要介紹比較簡(jiǎn)單理想模型和恒壓模型分析法。一、二極管正向特性的數(shù)學(xué)模型1、理想模型-理想的開(kāi)關(guān)圖2.10表示理想二極管的VI特性和符號(hào)，其中的虛線表示實(shí)際二極管的VI特性。由圖中可見(jiàn)，在正向偏置時(shí)，其管壓降為OV，而當(dāng)二極管處于反向偏置時(shí)，認(rèn)為它的電阻為無(wú)窮大，電流為零。在實(shí)際的電路中，當(dāng)電源電壓遠(yuǎn)比二極管的管壓降大時(shí)，利用此法來(lái)近似分析是可行的。2、恒壓模型-其

13、正向壓降為0.7V(硅管)這個(gè)模型如圖2.11所示，其基本思想是當(dāng)二極管導(dǎo)通后，其管壓降認(rèn)為是恒定的，且不隨電流而變，典型值為0.7V，不過(guò)，這只有當(dāng)二極管的電流iD近似等于或大于1mA時(shí)才是正確的。 該模型提供了合理的近似，因此應(yīng)用也較廣。二、模型分析法應(yīng)用舉例1、靜態(tài)工作點(diǎn)分析電路如圖2.12所示，請(qǐng)分別用二極管的理想模型和恒壓模型分析其靜態(tài)工作點(diǎn)。（1）使用理想模型得：VD=0V，ID=VDD/R（2）使用恒壓模型得：VD=0.7V，ID=（VDD-VD）/R上述的計(jì)算結(jié)果表明：VDD>>VD時(shí)，使用恒壓模型較好，因此，根據(jù)實(shí)際情況選擇合適的模型是關(guān)鍵。2、模型分析法應(yīng)用舉例

14、例題1：如果圖示電路(a)中設(shè)二極管為恒壓模型。求電路中輸出的電壓Vo值說(shuō)明二極管處于何種狀態(tài)？解：假設(shè)先將A、B斷開(kāi)，則VA = -10V, VB = -5V，VAB= VA-VB= -5V，可見(jiàn)重新接入后二極管將處于反向截止?fàn)顟B(tài)：電路中電流為0（反向電阻無(wú)窮大），電阻R上的壓降為0，Vo = -5V成立。例題2：如果圖2.13所示電路(b)中設(shè)二極管為恒壓模型。求電路中輸出的電壓Vo值說(shuō)明二極管處于何種狀態(tài)？解：將D1、D2斷開(kāi)，VB1A9V，VB2A= -12-(-9)=-3V 將D1、D2接入后，D1導(dǎo)通，D2截止，VA被D1箝位在0.7V上。Vo= VA= -0.7V成立。返回第六節(jié)

15、特殊二極管除前面所討論的普通二極管外，還有若干種特殊二極管，如齊納二極管、變?nèi)荻O管、光電子器件(包括光電二極管、 發(fā)光二極管和激光二極管)等，本節(jié)主要討論齊納二極管及其應(yīng)用。一、齊納二極管齊納二極管又稱穩(wěn)壓二極管，是一種特殊的面接觸型硅晶體二極管。由于它有穩(wěn)定電壓的作用，經(jīng)常應(yīng)用在穩(wěn)壓設(shè)備和一些電子線路中。 穩(wěn)壓二極管的特性曲線與普通二極管基本相似，只是穩(wěn)壓二極管的反向特性曲線比較陡。穩(wěn)壓二極管的正常工作范圍，是在伏安特性曲線上的反向電流開(kāi)始突然上升的A、B段。 這一段的電流， 對(duì)于常用的小功率穩(wěn)壓管來(lái)講，一般為幾毫安至幾十毫安。1、穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)（1）穩(wěn)定電壓Vz穩(wěn)定電壓就是穩(wěn)壓二極

16、管在正常工作時(shí)，管子兩端的電壓值。這個(gè)數(shù)值隨工作電流和溫度的不同略有改變，既是同一型號(hào)的穩(wěn)壓二極管，穩(wěn)定電壓值也有一定的分散性， 例如2CW14硅穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓為67.5V。（2）耗散功率PM反向電流通過(guò)穩(wěn)壓二極管的PN結(jié)時(shí)，要產(chǎn)生一定的功率損耗，PN結(jié)的溫度也將升高。根據(jù)允許的PN結(jié)工作溫度決定出管子的耗散功率。通常小功率管約為幾百毫瓦至幾瓦。（3）穩(wěn)定電流IZ、最小穩(wěn)定電流IZmin、大穩(wěn)定電流IZmax穩(wěn)定電流：工作電壓等于穩(wěn)定電壓時(shí)的反向電流；最小穩(wěn)定電流：穩(wěn)壓二極管工作于穩(wěn)定電壓時(shí)所需的最小反向電流；最大穩(wěn)定電流：穩(wěn)壓二極管允許通過(guò)的最大反向電流。2、穩(wěn)壓二極管的應(yīng)用穩(wěn)壓管常用

17、在整流濾波電路之后，用于穩(wěn)定直流輸出電壓的小功率電源設(shè)備中。如圖由R、Dz組成的就是穩(wěn)壓電路，穩(wěn)壓管在電路中穩(wěn)定電壓的原理如下：只要R參數(shù)選得適當(dāng)，就可以基本上抵消Vi的升高值，因而使Vo基本保持不變。可見(jiàn)，在這種穩(wěn)壓電路中， 起自動(dòng)調(diào)節(jié)作用的主要是穩(wěn)壓二極管Dz，當(dāng)輸出電壓有較小的變化時(shí)， 將引起穩(wěn)壓二極管電流Iz的較大變化，通過(guò)限流電阻R的補(bǔ)償作用，保持輸出電壓Vo基本不變。限流電阻R的選擇：1、當(dāng)I0 = I0min、VI = VImax 時(shí) 要求：2、當(dāng)I0 = I0max、VI = VImin 時(shí) 要求：故R的取值范圍為：第二節(jié) 半導(dǎo)體三極管（BJT）BJT是通過(guò)一定的工藝，將兩個(gè)P

18、N結(jié)結(jié)合在一起的器件，由于PN結(jié)之間的相互影響， 使BJT表現(xiàn)出不同于單個(gè) PN結(jié)的特性而具有電流放大，從而使PN結(jié)的應(yīng)用發(fā)生了質(zhì)的飛躍。本節(jié)將圍繞BJT為什么具有電流放大作用這個(gè)核心問(wèn)題，討論BJT的結(jié)構(gòu)、內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)過(guò)程以及它的特性曲線和參數(shù)。一、BJT的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介BJT又常稱為晶體管，它的種類很多。按照頻率分，有高頻管、低頻管； 按照功率分，有小、中、大功率管；按照半導(dǎo)體材料分，有硅管、鍺管；根據(jù)結(jié)構(gòu)不同， 又可分成NPN型和PNP型等等。但從它們的外形來(lái)看，BJT都有三個(gè)電極，如圖3.1所示。圖3.1是NPN型BJT的示意圖。 它是由兩個(gè) PN結(jié)的三層半導(dǎo)體制成的。中間是一塊很薄的P

19、型半導(dǎo)體(幾微米幾十微米)，兩邊各為一塊N型半導(dǎo)體。從三塊半導(dǎo)體上各自接出的一根引線就是BJT的三個(gè)電極，它們分別叫做發(fā)射極e、基極b和集電極c，對(duì)應(yīng)的每塊半導(dǎo)體稱為發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。雖然發(fā)射區(qū)和集電區(qū)都是N型半導(dǎo)體，但是發(fā)射區(qū)比集電區(qū)摻的雜質(zhì)多。在幾何尺寸上， 集電區(qū)的面積比發(fā)射區(qū)的大，這從圖3.1也可看到，因此它們并不是對(duì)稱的。二、BJT的電流分配與放大作用1、BJT內(nèi)部載流子的傳輸過(guò)程BJT工作于放大狀態(tài)的基本條件：發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏。在外加電壓的作用下， BJT內(nèi)部載流子的傳輸過(guò)程為：（1）發(fā)射極注入電子由于發(fā)射結(jié)外加正向電壓VEE，因此發(fā)射結(jié)的空間電荷區(qū)變窄，這時(shí)發(fā)射區(qū)的多數(shù)

20、載流子電子不斷通過(guò)發(fā)射結(jié)擴(kuò)散到基區(qū)， 形成發(fā)射極電流IE，其方向與電子流動(dòng)方向相反，如圖3.2所示。（2）電子在基區(qū)中的擴(kuò)散與復(fù)合由發(fā)射區(qū)來(lái)的電子注入基區(qū)后， 就在基區(qū)靠近發(fā)射結(jié)的邊界積累起來(lái)， 右基區(qū)中形成了一定的濃度梯度，靠近發(fā)射結(jié)附近濃度最高，離發(fā)射結(jié)越遠(yuǎn)濃度越小。因此， 電子就要向集電結(jié)的方向擴(kuò)散，在擴(kuò)散過(guò)程中又會(huì)與基區(qū)中的空穴復(fù)合，同時(shí)接在基區(qū)的電源VEE的正端則不斷從基區(qū)拉走電子， 好像不斷供給基區(qū)空穴。電子復(fù)合的數(shù)目與電源從基區(qū)拉走的電子數(shù)目相等， 使基區(qū)的空穴濃度基本維持不變。這樣就形成了基極電流IB， 所以基極電流就是電子在基區(qū)與空穴復(fù)合的電流。 也就是說(shuō)， 注人基區(qū)的電子有

21、一部分未到達(dá)集電結(jié)， 如復(fù)合越多， 則到達(dá)集電結(jié)的電子越少， 對(duì)放大是不利的。 所以為了減小復(fù)合，常把基區(qū)做得很薄 (幾微米)，并使基區(qū)摻入雜質(zhì)的濃度很低，因而電子在擴(kuò)散過(guò)程中實(shí)際上與空穴復(fù)合的數(shù)量很少， 大部分都能到達(dá)集電結(jié)。（3）集電區(qū)收集電子集電結(jié)外加反向電壓，其集電結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)非常強(qiáng)，且電場(chǎng)方向從C區(qū)指向B區(qū)。使集電區(qū)的電子和基區(qū)的空穴很難通過(guò)集電結(jié)，但對(duì)基區(qū)擴(kuò)散到集電結(jié)邊緣的電子卻有很強(qiáng)的吸引力， 使電子很快地漂移過(guò)集電結(jié)為集電區(qū)所收集，形成集電極電流IC。 與此同時(shí)，集電區(qū)的空穴也會(huì)在該電場(chǎng)的作用下，漂移到基區(qū)， 形成很小的反向飽和電流ICB0 。2、電流分配關(guān)系與正向偏置的二極管電

22、流類似，發(fā)射極電流iE與vBE成指數(shù)關(guān)系： 集電極電流iC是iE的一部分，即：式中稱為BJT的電流放大系數(shù)三、BJT的特性曲線.共射極電路的特性曲線（1）輸入特性VCE=0V時(shí)，b、e間加正向電壓，這時(shí)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為正偏，相當(dāng)于兩個(gè)二極管正向并聯(lián)的特性。VCE1V時(shí)，這時(shí)集電結(jié)反偏，從發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的電子絕大部分都漂移到集電極，只有小部分與空穴復(fù)合形成IB。 vCE>1V以后，IC增加很少，因此IB的變化量也很少，可以忽略vCE對(duì)IB的影響，即輸入特性曲線都重合。注意:發(fā)射結(jié)開(kāi)始導(dǎo)通的電壓vBE：0.6V0.7V(硅管)，0.10.3V(鍺管)（2）輸出特性曲線對(duì)于一確定的iB值，i

23、C隨VCE的變化形成一條曲線，給出多個(gè)不同的iB值，就產(chǎn)生一個(gè)曲線族。如圖3.6所示。 IB = 0V， IC=ICEO BJT截止，無(wú)放大作用，因此對(duì)應(yīng)IB=0的輸出特性曲線以下的區(qū)域稱為截止區(qū)如圖3.6所示。 IB0 ， VCE<1V ，iC隨IB的變化不遵循的規(guī)律，而且iC隨VCE的變化也是非線性的，所以該區(qū)域稱為飽和區(qū)。 IB0、VCE1V，iC隨iB的變化情況為： 或在這個(gè)區(qū)域中IC幾乎不隨VCE變化，對(duì)應(yīng)于每一個(gè)IB值的特性曲線都幾乎與水平軸平行，因此該區(qū)域稱為線性區(qū)或放大區(qū)。四、BJT的主要參數(shù) BJT的參數(shù)是用來(lái)表征管子性能優(yōu)劣相適應(yīng)范圍的，它是選用BJT的依據(jù)。了解這些

24、參數(shù)的意義，對(duì)于合理使用和充分利用BJT達(dá)到設(shè)計(jì)電路的經(jīng)濟(jì)性和可靠性是十分必要的。1.流放大系數(shù)BJT在共射極接法時(shí)的電流放大系數(shù)，根據(jù)工作狀態(tài)的不同，在直流和交流兩種情況下分別用符號(hào) 和表示。其中上式表明:BJT集電極的直流電流 IC與基極的直流電流IB的比值， 就是BJT接成共射極電路時(shí)的直流電流放大系數(shù)， 有時(shí)用hFE來(lái)代表。但是，BJT常常工作在有信號(hào)輸人的情況下，這時(shí)基極電流產(chǎn)生一個(gè)變化量，相應(yīng)的集電極電流變化量為，則與之比稱為BJT的交流電流放大系數(shù)，記作即2.極間反向電流（1）集電極-基極反向飽和電流ICBO。表示發(fā)射極開(kāi)路，c、b間加上一定的反向電壓時(shí)的電流。（2）集電極-發(fā)射

25、極反向飽和電流（穿透電流）ICEO。表示基極開(kāi)路，c、e間加上一定的反向電壓時(shí)的集電極電流。3.極限參數(shù)（1）集電極最大允許電流ICM。表示BJT的參數(shù)變化不超過(guò)允許值時(shí)集電極允許的最大電流。當(dāng)電流超過(guò)ICM時(shí)，三極管的性能將顯著下降，甚至有燒壞管子的可能。（2）集電極最大允許功耗PCM。表示BJT的集電結(jié)允許損耗功率的最大值。超過(guò)此值時(shí)，三極管的性能將變壞或燒毀。（3）反向擊穿電壓V（BR）CEO。 表示基極開(kāi)路，c、e間的反向擊穿電壓。4、晶體管的選擇（1）依使用條件選PCM在安全區(qū)工作的管子， 并給予適當(dāng)?shù)纳嵋蟆＃?）要注意工作時(shí)反向擊穿電壓 ， 特別是VCE不應(yīng)超過(guò) V（BR）CE

26、O。（3）要注意工作時(shí)的最大集電極電流IC不應(yīng)超過(guò)ICM。（4）要依使用要求：是小功率還是大功率， 低頻、高頻還是超高頻，工作電源的極性，值大小要求。返回第三節(jié)共射極放大電路在實(shí)踐中，放大電路的用途是非常廣泛的，它能夠利用BJT的電流控制作用把微弱的電信號(hào)增強(qiáng)到所要求的數(shù)值， 例如常見(jiàn)的擴(kuò)音機(jī)就是一個(gè)把微弱的聲音變大的放大電路。 聲音先經(jīng)過(guò)話筒變成微弱的電信號(hào)，經(jīng)過(guò)放大器，利用BJT的控制作用，把電源供給的能量轉(zhuǎn)為較強(qiáng)的電信號(hào)，然后經(jīng)過(guò)揚(yáng)聲器 (喇叭)還原成為放大了的聲音。為了了解放大器的工作原理，先從最基本的放大電路開(kāi)始討論。一、共射極基本放大電路的組成在圖3.7所示的單管放大電路中， 采用

27、NPN型硅BJT，VCC是集電極回路的直流電源 (一般在幾伏到幾十伏的范圍)， 它的負(fù)端接發(fā)射極,正端通過(guò)電阻R接集電極， 以保證集電結(jié)為反向偏置；R是集電極電阻(一般在幾千歐至幾十千歐的范圍)，它的作用是將BJT的集電極電流iC的變化轉(zhuǎn)變?yōu)榧姌O電壓VCE的變化。VBB是基極回路的直流電源,它的負(fù)端接發(fā)射極， 正端通過(guò)基極電阻Rb接基極，以保證發(fā)射結(jié)為正向偏置，并通過(guò)基極電阻 Rb(一般在幾千歐至幾百千歐的范圍) (一般在幾十千歐至幾百千歐的范圍)，由VBB供給基極一個(gè)合適的基極電流對(duì)于硅管，VBE約為0.7V左右， 對(duì)于鍺管，VBE約為0.2V左右，而VBB一般在幾伏至幾十伏的范圍內(nèi)(常取

28、VBB=VCC)，即VBBVBE，所以近似有由上式可見(jiàn)，這個(gè)電路的偏流IB決定于VB，和Rb的大小，VBB和Rb經(jīng)確定后，偏流IB就是固定的，所以這種電路稱為固定偏流電路。Rb又稱為基極偏且電阻。電容Cb1和Cb2稱為隔直電容或耦合電容(一般在幾微法到幾十微法的范圍)，它們?cè)陔娐分械淖饔檬?quot;傳送交流，隔離直流"。值得指出的是， 放大作用是利用BJT的基極對(duì)集電極的控制作用來(lái)實(shí)現(xiàn)的， 即在輸入端加一個(gè)能量較小的信號(hào)，通過(guò)BJT的基極電流去控制流過(guò)集電極電路的電流， 從而將直流電源VCC的能量轉(zhuǎn)化為所需要的形式供給負(fù)載。 因此， 放大作用實(shí)質(zhì)上是放大器件的控制作用；放大器是一種

29、能量控制部件。同時(shí)還要注意放大作用是針對(duì)變化量而言的。 二、共射極基本放大電路的工作過(guò)程待放大的輸人電壓vi從電路的A、O兩點(diǎn)(稱為放大電路的輸入端)輸入，放大電路的輸出電壓Vo由B、O兩點(diǎn)(稱為放大電路的輸出端)輸出。輸入端的交流電壓vi 通過(guò)電容Cb，加到BJT的發(fā)射結(jié)，從而引起基極電流iB相應(yīng)的變化。iB的變化使集電極電流iC隨之變化。iC的變 化量在集電極電阻RC上產(chǎn)生壓降。集電極電壓vCE =VCC 一iCRC，當(dāng)iC的瞬時(shí)值增加時(shí)，vCE 就要減小，所以vCE 的變化恰與iC 相反。vCE 中的變化量經(jīng)過(guò)電容Cb ，傳送到輸出端成為輸出電壓Vo 。如果電路參數(shù)選擇適當(dāng)，v0 的幅度

30、將比vi 大得多，從而達(dá)到放大的目的，對(duì)應(yīng)的電流、電壓波形示于圖3.8中。在半導(dǎo)體電路中，常把輸人電壓、輸出電壓以及直流電源Vcc 和VBB 的共同端點(diǎn)(0點(diǎn))稱為"地"，用符號(hào)""表示(注意，實(shí)際上這一點(diǎn)并不真正接到大地上)，并以地端作為零電位點(diǎn) (參考電位點(diǎn))。這樣，電路中各點(diǎn)的電位實(shí)際上就是該點(diǎn)與地之間的電壓(即電位差)。例如Vc就是指集電極對(duì)地的電壓。這些概念和術(shù)語(yǔ)，前面已作過(guò)初步的介紹，但這里所討論的放大電路要復(fù)雜得多。三、共射極放大電路的簡(jiǎn)化為了分析方便，我們規(guī)定:電壓的正方向是以共同端 (0點(diǎn)) 為負(fù)端，其他各點(diǎn)為正端。 圖3.9中所標(biāo)出的

31、"十"、"一"號(hào)分別表示各電壓的假定正方向；而電流的假定正方向如圖中的箭頭所示，即ic、ib 以流入電極為正；iE則以流出電極為正。圖中表示電流、電壓的符號(hào)的意義如下：VBE 、IB （大寫符號(hào)，大寫下標(biāo)）表示直流值。vbe 、ib （小寫符號(hào)，小寫下標(biāo)）表示瞬時(shí)值。vBE 、iB （小寫符號(hào)，大寫下標(biāo)）表示交直流量之和。Vbe 、Ib （大寫符號(hào)，小寫下標(biāo)）表示交流有效值。圖3.9是簡(jiǎn)化后共射極放大電路， 它是工程實(shí)際中用得較廣泛的一種電路組態(tài)。為了簡(jiǎn)化電路， 一般選取VCC =VBB ，如圖3.9所示。左圖是右圖的習(xí)慣畫法。返回第四節(jié)圖解分析法一、靜

32、態(tài)工作情況分析我們把放大電路未加入信號(hào)VS時(shí)的狀態(tài)稱為靜態(tài)，此時(shí)電路的電壓（電流）值稱為靜態(tài)值，可用IBQ、ICQ、VCEQ表示。 這些值在特性曲線上確定一點(diǎn)，這一點(diǎn)就稱為Q點(diǎn)。當(dāng)放大電路輸入信號(hào)后，電路中各處的電壓、電流便處于變動(dòng)狀態(tài)，這時(shí)電路處于動(dòng)態(tài)工作情況，簡(jiǎn)稱動(dòng)態(tài)。對(duì)于靜態(tài)工作情況，可以近似地進(jìn)行估算，也可用圖解法求解。1.近似估算Q點(diǎn)這里以圖3.10所示電路為例估算電路的Q點(diǎn)。（1）畫出電路的直流通路如圖3.10所示。畫直流通路時(shí)，要將耦合電容Cb1、Cb2當(dāng)成開(kāi)路；（2）由VCC、Rb和三極管T構(gòu)成的基極回路可得： （3）利用IC=IB 的關(guān)系，可以求得ICQ（4）從VCC、Rc和

33、三極管T構(gòu)成的集電極回路可得：2、用圖解法確定Q點(diǎn)（1）作出電路非線性部分（包括由廠家提供或從手冊(cè)中獲得特性曲線和確定其偏流的VCC、Rb）的V-I特性如圖3.11所示。（2）作出線性部分的V-I特性-直流負(fù)載線根據(jù)：VCEQ=VCC-ICRC令iC=0，得vCE=VCC令vCE=0，得iC=VCC/RC畫出由（VCC，0）和（0，VCC/Rc）兩點(diǎn)決定的直線，顯然這是一條斜率為-1/Rc的直線。由于討論的是靜態(tài)工作情況，電路中的電壓、電流值都是直流量，所以上述直線稱為直流負(fù)載線。（3）由電路的線性與非線性兩部分V-I特性的交點(diǎn)確定Q點(diǎn)（VCEQ，ICQ）二、動(dòng)態(tài)工作情況分析1、放大電路在接入

34、正弦信號(hào)時(shí)的工作情況當(dāng)接入正弦信號(hào)時(shí)，電路將處在動(dòng)態(tài)工作情況， 可以根據(jù)輸入信號(hào)電壓vi通過(guò)圖解確定輸出電壓vo，從而可以得出vi與vo之間的相位關(guān)系和動(dòng)態(tài)范圍。 圖解的步驟是先根據(jù)輸入信號(hào)電壓vi在輸入特性上畫出iB的波形， 然后根據(jù)iB的變化在輸出特性上畫出ic和vBE 的波形。(1)根據(jù)vi在輸入特性上求iB設(shè)放大電路的輸入電壓正弦波， 當(dāng)它加到放大電路的輸入端后，BJT的基極和發(fā)射極之間的電壓vBE就是在原有直流電壓VBE的基礎(chǔ)上疊加了一個(gè)交流量vi(vbe)，根據(jù)vBE的變化規(guī)律， 便可從輸入特性畫出對(duì)應(yīng)的iB的波形圖，如圖3.12所示。由圖上可讀出對(duì)應(yīng)于峰值為0.02V的輸入電壓，

35、基極電流iB將在60A與20A之間變動(dòng)。（2）根據(jù)iB在輸出特性曲線上求iC和vBE因?yàn)榉糯箅娐返闹绷髫?fù)載線是不變的， 當(dāng)iB在60A與20A之間變動(dòng)時(shí)， 直流負(fù)載線與輸出特性的交點(diǎn)也會(huì)隨之而變， 對(duì)應(yīng)于iB=60A 的一條輸出特性與直流負(fù)載線的交點(diǎn)是Q'點(diǎn)， 對(duì)應(yīng)于iB=20A的一條輸出特性與直流負(fù)載線的交點(diǎn)是0''點(diǎn)，所以放大電路只能在負(fù)載線的Q'0''段上工作，即放大電路的工作點(diǎn)隨著iB的變動(dòng)將沿著直流負(fù)載線在 Q'與0''點(diǎn)之間移動(dòng)，因此，直線段 Q'0'' 是工作點(diǎn)移動(dòng)的軌跡，通常稱為動(dòng)態(tài)

36、工作范圍。由圖可見(jiàn)，在vi的正半周， vi先由40A增大到60A，放大電路的工作點(diǎn)將由Q點(diǎn)移到Q'點(diǎn)，相應(yīng)的iC和IC增到最大值， 而vCE由原來(lái)的VCE減小到最小值；然后iB由60A減小到40A，放大電路的工作點(diǎn)將由 Q'回到 Q，相應(yīng)的iC也由最大值回到IC， 而vCE則由最小值回到VCE。在的負(fù)半周， 其變化規(guī)律恰好相反， 放大電路的工作點(diǎn)先由 Q 移到Q"，再由Q"回到Q點(diǎn)。這樣，就可在坐標(biāo)平面上畫出對(duì)應(yīng)的iB、iC和vCE的波形圖，如圖3.12所示，vCE中的交流量vce的波形就是輸出電壓v0的波形。綜上分析，可總結(jié)如下幾點(diǎn)： 沒(méi)有輸入信號(hào)電壓時(shí)，

37、 BJT 各電極都是恒定的電流和電壓(IB、IC、VCE)，當(dāng)在放大電路輸入端加入輸入信號(hào)電壓后，iB、ic、vCE都在原來(lái)靜態(tài)直流量的基礎(chǔ)上疊加了一個(gè)交流量，即iB=IB+ib, iC=IC+ic, vCE=VCE+vce因此，放大電路中電壓、電流包含兩個(gè)分量：一個(gè)是靜態(tài)工作情況決定的直流成分 IB、 IC、VCE；另一個(gè)是由輸入電壓引起的交流成分ib、ic和vce。雖然這些電流、電壓的瞬時(shí)值是變化的，但它們的方向始終是不變的。 vCE中的交流分量vce(即經(jīng)Cb2隔直后的交流輸出電壓vo)的幅度遠(yuǎn)比vi為大，且同為正弦波電壓，體現(xiàn)了放大作用。 從圖3.12中還可以看到，v0(vce)與vi

38、相位相反。這種現(xiàn)象稱為放大電路的反相作用 ， 因而共射極放大電路又叫做反相電壓放大器，它是一種重要的電路組態(tài)。圖3.13 共射極電路 合適的靜態(tài)工作點(diǎn)是電路實(shí)現(xiàn)不失真放大的必要條件2.交流負(fù)載線放大電路在工作時(shí)， 輸出端總要接上一定的負(fù)載，如在圖 3.13 中，負(fù)載電阻RL=4k，這時(shí)放大電路的工作情況是否會(huì)因?yàn)镽L的接人而受到影響呢?這是下面所要討論的問(wèn)題。（1）畫交流通路在靜態(tài)時(shí)，由于隔直電容Cb2比的作用，RL對(duì)電路的Q點(diǎn)無(wú)影響。動(dòng)態(tài)工作時(shí)的情況則不同， 隔直電容Cb1和Cb2在具有一定頻率的信號(hào)作用下，其容抗可以忽略；同時(shí)考慮到電源Vcc的內(nèi)阻很小，可視為短路。這樣便可畫出圖3.13的

39、交流通路如圖3.14所示。 此時(shí)圖中的電壓和電流都是交流成分。（2）計(jì)算交流負(fù)載電阻的阻值由圖3.14中可以看出， 放大電路的交流負(fù)載電阻為RL與RC的并聯(lián)值，即（3）畫交流負(fù)載線可見(jiàn)，交流負(fù)載線要比直流負(fù)載線更陡一些。 另外交流負(fù)載線和直流負(fù)載線必然在Q點(diǎn)相交，這是因?yàn)樵诰€性工作范圍內(nèi)，輸人電壓在變化過(guò)程中是一定經(jīng)過(guò)零點(diǎn)的。在通過(guò)零點(diǎn)時(shí)vi=0， 因此，這一時(shí)刻既是動(dòng)態(tài)過(guò)程中的一個(gè)點(diǎn)，又與靜態(tài)工作情況相符 ，所以這一時(shí)刻的 iC 和 vCE應(yīng)同時(shí)在兩條負(fù)載線上，這只有是兩條負(fù)載線的交點(diǎn)才有可能。因此只要再確定一點(diǎn)即可畫出交流負(fù)載線。由圖3.15中可知，icpICQ=1.5mA，RL=2kW，

40、則vop=ICQRL=3V只要作過(guò)Q（VCEQ，ICQ）和vCEM（vCEM，0）的直線即可獲得交流負(fù)載線。返回第五節(jié)小信號(hào)模型（微變等效電路）分析法如果放大電路的輸入信號(hào)電壓很小，就可以設(shè)想把BJT小范圍內(nèi)的特性曲線近似地用直線來(lái)代替，從而可以把BJT這個(gè)非線性器件所組成的電路當(dāng)作線性電路來(lái)處理，這就是BJT小信號(hào)建模的指導(dǎo)思想。這種方法是把非線性問(wèn)題線性化的工程處理方法。關(guān)于BJT的小信號(hào)建模，通常有兩種方法，一種是已知網(wǎng)絡(luò)的特性方程，按此方程畫出小信號(hào)模型；另一種則是從網(wǎng)絡(luò)所代表的BJT的物理機(jī)構(gòu)出發(fā)加以分析， 再用電阻、電容、電感等電路元件來(lái)模擬其物理過(guò)程，從而得出模型。 本節(jié)從方程出

41、發(fā)結(jié)合特性曲線來(lái)建立小信號(hào)模型。一、BJT的小信號(hào)模型1.BJT H 參數(shù)的引出BJT在共射極接法時(shí)，可表示為圖3.16所示的雙口網(wǎng)絡(luò)。 BJT的特性曲線用圖形描述了管子內(nèi)部電壓、電流的關(guān)系。而B(niǎo)JT的參數(shù)，則是用數(shù)學(xué)形式表示管子內(nèi)部電壓、電流微變量的關(guān)系， 兩種方法都是表征管子性能、反映管內(nèi)物理過(guò)程的， 因而兩者之間必然具有密切的內(nèi)在聯(lián)系。下面從管子的特性曲線出發(fā)，來(lái)找出BJT的參數(shù)。圖3.16中的輸入回路和輸出回路電壓、電流的關(guān)系可分別表示為 vBE=f1(iB,vCE) iC=f2(iB,vCE)如果BJT工作在小信號(hào)下，考慮電壓、電流之間的微變關(guān)系，對(duì)上面兩式取全微分可得：在上面兩個(gè)式

42、子中，由于dvBE、dvCE、diB、diC代表無(wú)限小的信號(hào)增量，也就是可以用電流、電壓的交流分量來(lái)代替。即：式中hie hre hfe hoe 稱為BJT的H參數(shù)，其中2. BJT的H參數(shù)模型（1） H參數(shù)模型的引出vbe=hieib+hrevce 表示輸入回路方程，它表明輸人電壓vbe是由兩個(gè)電壓相加構(gòu)成的，其中一個(gè)是hfeib，表示輸入電流ib在rbe上的電壓降；另一個(gè)是hfevce， 表示輸出電壓vce對(duì)輸入回路的反作用，用一個(gè)電壓源來(lái)代表。 如圖3.17左邊的輸入端等效電路，這是戴維南等效電路的形式。ic=hfeib+hoevce 表示輸出回路方程，它表明輸出電流ic是由兩個(gè)并聯(lián)支路

43、的電流相加而成的，一個(gè)是由基極電流ib引起的ic = hfeib，用電流源表示；另一個(gè)是由于輸出電壓加在輸出電阻l/hoe上引起的電流，即vcehoe。這樣，又得到圖3.17右邊的輸出端等效電路， 這是諾頓等效電路的形式。由此得到包含四個(gè)H參數(shù)的BJT的小信號(hào)模型，這就是把BJT線性化后的線性模型。在分析計(jì)算時(shí)，可以利用這個(gè)模型來(lái)代替BJT，從而可以把BJT電路當(dāng)作線性電路來(lái)處理， 使復(fù)雜電路的計(jì)算大為簡(jiǎn)化。 因此，它在電子電路分析中應(yīng)用得很廣泛。用電子電路中的習(xí)慣符號(hào)表示四個(gè)H參數(shù)的 BJT微變等效電路如圖3.17所示。（2）模型的簡(jiǎn)化對(duì)于共射接法的三極管微變等效電路，H參數(shù)的量級(jí)一般是：由

44、這些具體數(shù)字可見(jiàn)，hre和hoe相對(duì)而言是很小的，對(duì)于低頻放大電路，輸入回路中hrevce 比 vbe小得多，而輸出回路中負(fù)載電阻RC(或RL)比BJT輸出電阻l/hoe小得多， 所以在模型中常常可以把hoe和hre忽略掉，這在工程計(jì)算上不會(huì)帶來(lái)顯著的誤差。 因此圖3.17可改畫成圖3.18。利用這個(gè)簡(jiǎn)化模型來(lái)表示BJT時(shí)， 將使BJT放大電路的分析計(jì)算進(jìn)一步簡(jiǎn)化。當(dāng)負(fù)載電阻Rc(RL)較小， 滿足Rc(RL)/rce 0.1的條件時(shí)， 利用這個(gè)簡(jiǎn)化模型來(lái)分析低頻放大電路所得放大電路的各主要指標(biāo)， 如電壓增益、電流增益、放大電路的輸入電阻及輸出電阻等，其誤差不會(huì)超過(guò)10%。這在工程上已能滿足要

45、求了。 （3）H參數(shù)的確定應(yīng)用H參數(shù)等效電路來(lái)分析放大電路時(shí)，首先必須得到BJT在Q點(diǎn)處的H參數(shù)。由于BJT本身參數(shù)的分散性以及參數(shù)會(huì)隨Q點(diǎn)變化而改變，實(shí)際上在計(jì)算時(shí)不能直接采用手冊(cè)上提供的數(shù)據(jù) ， 因此在計(jì)算電路 之前，首先必須確定所用的BJT在給定Q點(diǎn)上的H參數(shù)。獲得H參數(shù)的方法可采用H參數(shù)測(cè)試儀，或利用BJT特性圖示儀測(cè)量和rbe，rbe也可以借助下面的公式進(jìn)行估算： 式中rbb為基區(qū)體電阻，對(duì)于低頻小功率管，rbb約為200左右。 這樣上式可改寫為式中 VT為溫度的電壓當(dāng)量， 前已述及在室溫(3ooK)時(shí)，其值為26mV。應(yīng)當(dāng)注意的是，上式的適用范圍為0.1mAIE5mA，實(shí)驗(yàn)表明，超

46、越此范圍，將帶來(lái)較大的誤差。幾點(diǎn)說(shuō)明：（1）四個(gè)參數(shù)均對(duì)交流變化量而言，只能解決交流分量的計(jì)算，不能用于計(jì)算Q 。（2）采用此法分析放大電路的步驟是：確定Q點(diǎn)；求出Q點(diǎn)附近的微變等效參數(shù)；畫放大電路的微變等效電路；求解AV、Ri、Ro。二、用H參數(shù)小信號(hào)模型分析共發(fā)射極基本放大電路例題1：原理電路如圖3.19所示（1）確定Q點(diǎn)（2）求出Q點(diǎn)附近的微變等效參數(shù)（3）畫放大電路的微變等效電路畫微變等效電路的步驟： 畫出交流等效電路，將電源和電容器視為短路； 用BJT的H參數(shù)等效電路代替交流通路中的BJT符號(hào) 標(biāo)出各支路和節(jié)點(diǎn)之間的電流、電壓關(guān)系（4）求解Av、Ri、Ro 求AV根據(jù)定義：由圖可得：

47、 計(jì)算輸入電阻Ri根據(jù)定義： 計(jì)算輸出電阻R0根據(jù)定義：返回第六節(jié) 放大電路的工作點(diǎn)穩(wěn)定問(wèn)題一、放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)Q的重要性一個(gè)放大電路的性能與靜態(tài)工作點(diǎn)Q的位置有著十分密切的關(guān)系，而靜態(tài)工作點(diǎn)是由晶體管參數(shù)和放大器偏置電路共同決定的。晶體管是一個(gè)對(duì)溫度非常敏感的器件，當(dāng)環(huán)境溫度改變時(shí)，其參數(shù)會(huì)隨之改變。這樣， 放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)將發(fā)生變化， 從而引起性能發(fā)生改變。因此，晶體管電路的溫度穩(wěn)定性，是必須重視的問(wèn)題。二、溫度對(duì)晶體管參數(shù)的影響以圖3.23所示共射極電路為例，分析溫度對(duì)晶體管參數(shù)的影響：（1）當(dāng)溫度升高時(shí)，基極門限電壓VBE減小。由電路的輸入回路VCC=IBQRb+VBE可知, VBE下降，IB增大，因而IC增加。（2）當(dāng)溫度升高時(shí)，電流放大系數(shù)增大，即IC增加。（3）當(dāng)溫度升高時(shí)，ICEO增大，IC增加。綜上所述，ICBO、VBE隨溫度升高的結(jié)果，都集中表現(xiàn)在靜態(tài)電流IC增加。如果在溫度變化時(shí)，能設(shè)法使IC近似維持恒定，就可解決問(wèn)題。三、采取的措施：（1）針對(duì)ICBO的影響，設(shè)法使基