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1、導(dǎo)光板HOTSPOT及亮暗線分析應(yīng)用隨著背光模組薄型化的潮流影響,導(dǎo)光板的厚度因?yàn)楣I(yè)設(shè)計(jì)要求下越來(lái)越輕薄,相對(duì)的led使用數(shù)量對(duì)於耗能與待機(jī)時(shí)間就造成絕對(duì)的關(guān)係。透過(guò)Optisworks的微結(jié)構(gòu)建構(gòu)功能與SOLIDWORKS參數(shù)功能,可以快速完成入光結(jié)構(gòu)建構(gòu)與修改調(diào)整。再結(jié)合 OPTISWORKS的逆向追跡應(yīng)用更可以有效掌握亮暗線或區(qū)域?qū)廑E作用現(xiàn)象。清楚解析原因,提出有效解決方案。薄型Monitor BLU Hotspot 分析單側(cè)入光: (下側(cè)40顆LED入光)導(dǎo)光板微結(jié)構(gòu):導(dǎo)光板加上蝕刻網(wǎng)點(diǎn)後,出光量增加。(此為側(cè)視圖,黃色線條為光線出光) 入光處無(wú)微結(jié)構(gòu): (無(wú)微結(jié)構(gòu)狀態(tài),光線發(fā)散角
2、度集中) 入光處無(wú)U溝結(jié)構(gòu)之模擬結(jié)果: 模擬結(jié)果與實(shí)際情形相近,出現(xiàn)紅線框選的現(xiàn)象。 入光處做U型溝槽:為使LED光源角度更均勻發(fā)散,我們於入光處加上U型溝槽微結(jié)構(gòu)。(加上微結(jié)構(gòu)後,光線發(fā)散角度變大) 入光處含U溝結(jié)構(gòu)之模擬結(jié)果:由此發(fā)現(xiàn)於入光處增加U溝後,下方間隔暗線消失了。另右下角原一亮線因整體下方亮度提高,現(xiàn)在形成一明顯暗區(qū)。 模擬結(jié)果比對(duì): 接下來(lái)針對(duì)右下角暗區(qū)部分,推測(cè)應(yīng)與右下角的連接器有關(guān)。而我們可利用Optiswork獨(dú)有的光逆追跡來(lái)印證該推論,並尋求解決方案。 光逆追跡(亮區(qū)):原始設(shè)計(jì)將右下角網(wǎng)點(diǎn)放大,以求改良暗區(qū)部分,但實(shí)際情形顯示其效果未如預(yù)期。 光逆追跡(暗區(qū)):可發(fā)現(xiàn)
3、右下角連接器擋住部分LED出光。此外,透過(guò)逆追跡發(fā)現(xiàn)暗區(qū)光線大都來(lái)自側(cè)壁的反射光,故欲改善出光效果,建議於側(cè)邊增加微結(jié)構(gòu)。 Tablet BLU Hotspot 分析下側(cè)兩角入光:(面板上視圖) 導(dǎo)光板微結(jié)構(gòu): 導(dǎo)光板增加蝕刻網(wǎng)點(diǎn):下側(cè)兩角入光(修改前):導(dǎo)光板入光處無(wú)微結(jié)構(gòu),可看出入光擴(kuò)散角度小。 模擬結(jié)果:(紅線框選處為明顯暗區(qū))由於入光發(fā)散角度小,導(dǎo)致出光集中於中間與上側(cè),形成左、右及下側(cè)暗區(qū)。 利用逆追跡來(lái)判斷暗區(qū)形成原因,以及如何有效改善。光逆追跡(設(shè)計(jì)變更前):框選左側(cè)暗區(qū),根據(jù)逆追跡顯示該區(qū)域光線幾乎一半來(lái)自於右側(cè)LED光源。所以最有效改善方式為增加左側(cè)LED發(fā)散角度,以補(bǔ)該區(qū)不足光源。 下側(cè)兩角入光(修改前):透過(guò)入光處增加V-Cut結(jié)構(gòu),使入射光源發(fā)散角度增加。修改光源入射處結(jié)構(gòu)後,再次模擬並透過(guò)逆追跡觀察暗區(qū)改善情形。 模擬結(jié)果(增加V-Cut後):可發(fā)現(xiàn)與先前未增加V-Cut時(shí),有著明顯差異。透過(guò)入射光發(fā)散角度增加,亮暗區(qū)對(duì)比下降。 光逆追跡(設(shè)計(jì)變更後): 由逆追跡發(fā)現(xiàn),該暗區(qū)來(lái)自左側(cè)LED光源增加。 光逆追跡(入光處作用情形):由左側(cè)暗
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