魯科版選修3 3.2.2 離子晶體 課件（20張）.pptx

組織建設(shè) 化學(xué) 選修3 第2課時(shí)離子晶體 第3章物質(zhì)的聚集狀態(tài)與物質(zhì)性質(zhì)第2節(jié)金屬晶體與離子晶體 離子晶體 食鹽 圖片導(dǎo)學(xué) 視頻導(dǎo)學(xué) 為什么氯化鈉的性質(zhì)與干冰 金剛石的不同 思考討論 知識(shí)1 離子晶體 1 定義 由陽離子和陰離子通過離子鍵結(jié)合而成的晶體 2 成鍵粒子 陰 陽離子 3 相互作用力 離子鍵 4 常見的離子晶體 強(qiáng)堿 活潑金屬氧化物 大部分的鹽類 問題解讀 5 晶胞類型 1 氯化鈉型晶胞 na 和cl 的位置 均位于頂角 并交錯(cuò)排列鈉離子 體心棱中點(diǎn)氯離子 面心頂點(diǎn) 或反之 每個(gè)晶胞含鈉離子 氯離子的個(gè)數(shù) 與na 等距離且最近的na 有 12個(gè) 知識(shí)解讀 知識(shí)1 離子晶體 na cl nacl的晶體結(jié)構(gòu)配位數(shù) 與na 等距離且最近的cl 有 6個(gè) 知識(shí)解讀 知識(shí)1 離子晶體 2 氯化銫型晶胞 銫離子和氯離子的位置 cs 體心cl 頂點(diǎn) 或反之 每個(gè)晶胞含cs cl 個(gè)數(shù) 1 與cs 等距離且最近的cs cl cs 6個(gè) cl 8個(gè) 配位數(shù) 知識(shí)解讀 5 晶胞類型 知識(shí)1 離子晶體 知識(shí)解讀 cscl晶體 知識(shí)1 離子晶體 5 晶胞類型 3 caf2型晶胞 一個(gè)caf2晶胞中 4個(gè)ca2 和8個(gè)f ca2 的配位數(shù) 8 f 的配位數(shù) 4 知識(shí)解讀 知識(shí)1 離子晶體 5 晶胞類型 4 zns型晶胞 1個(gè)zns晶胞 4個(gè)陽離子4個(gè)陰離子 陽離子配位數(shù) 4 陰離子配位數(shù) 4 知識(shí)解讀 知識(shí)1 離子晶體 5 晶胞類型 6 決定離子晶體結(jié)構(gòu)因素 離子鍵的純粹因素 7 離子晶體的特點(diǎn) 幾何因素 正負(fù)離子的半徑比 電荷因素 正負(fù)離子的電荷比 鍵性因素 知識(shí)解讀 知識(shí)1 離子晶體 無單個(gè)分子 無分子式 熔沸點(diǎn)較高 硬度較大 難揮發(fā)難壓縮 一般易溶于水 難溶有機(jī)溶劑 固態(tài)不導(dǎo)電 水溶液或熔融狀態(tài)下導(dǎo)電 數(shù)據(jù)導(dǎo)學(xué) 填空下表并思考 6 6 8 8 什么因素決定了離子晶體中離子的配位數(shù) 思考交流 根據(jù)下表數(shù)據(jù)分析影響離子晶體中離子配位數(shù)的因素 知識(shí)2 晶格能 一定程度上可以用來衡量離子鍵的強(qiáng)弱 1 定義 拆開1mol離子晶體 形成完全氣態(tài)陰陽離子所吸收的能量 問題解讀 知識(shí)2 晶格能 符號(hào)u 2 晶格能的大小的影響因素 離子半徑 所帶電荷 所帶電荷越多 離子半徑越小 離子間的距離越小 晶格能越大 問題解讀 知識(shí)2 晶格能 晶格能隨離子間距的減小而增大 因此隨著陽離子或陰離子半徑的減小 晶格能增大 晶格能愈大 晶體的熔點(diǎn)就愈高 晶格能 q1 q2 r晶格能與陰 陽離子所帶電荷的乘積成正比 與陰 陽離子間的距離成反比 晶格能的大小還與離子晶體的結(jié)構(gòu)型式有關(guān) 帶異性電荷的離子之間存在相互吸引 帶同性電荷的離子之間卻存在相互排斥作用 問題解讀 知識(shí)2 晶格能 3 晶格能的作用 巖漿晶出規(guī)則與晶格能 晶體析出次序與晶格能 形成的晶體越穩(wěn)定 熔點(diǎn)越高硬度越大 離子鍵越強(qiáng) 晶格能越大 構(gòu)成微粒 陰 陽 離子 幾何因素電荷因素鍵性因素 2 決定離子晶體結(jié)構(gòu)的因素 正負(fù)離子半徑比 離子鍵的純粹程度 3 晶格能 概念 晶格能作用 影響晶格能大小的因素 課時(shí)小結(jié) 當(dāng)堂感悟 1 離子晶體結(jié)構(gòu)特點(diǎn) 微粒間作用力 離子鍵 正負(fù)離子電荷比 當(dāng)堂感悟 離子晶體的結(jié)構(gòu)模型 1 如圖是氯化銫晶體的晶胞 已知晶體中兩個(gè)最近的cs 離子核間距離為acm 氯化銫相對(duì)分子質(zhì)量為m na為阿伏加德羅常數(shù) 則氯化銫晶體密度是 晶體密度 c 當(dāng)堂鞏固 每個(gè)晶胞有1個(gè)cs 1個(gè)cl 1mol氯化銫v naa3cm3 2 已知xyz三種元素組成化合物是離子晶體其晶胞如圖 xyz分別處于立方體頂點(diǎn) 棱邊中點(diǎn) 立方體體心 下面關(guān)于該化合物說法正確的是 a 該晶體的化學(xué)式為zxy3b 該晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體熔點(diǎn)高c 每個(gè)x周圍距離最近的y有8個(gè)d 每個(gè)z周圍距離最近的x有16個(gè) 當(dāng)堂鞏固 1 1 3 金屬晶體熔點(diǎn)差別大 無可比性 6個(gè) 8個(gè) a 3 判斷kcl nacl cao bao晶體熔點(diǎn)高低順序可能是 a kcl nacl bao caob nac