標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 772-2005 高壓絕緣子瓷件 技術(shù)條件》與《GB 772-1987》相比,在內(nèi)容上進(jìn)行了多方面的更新和完善。首先,新標(biāo)準(zhǔn)在適用范圍上更加明確地指出了其適用于標(biāo)稱電壓超過(guò)1kV的高壓電力系統(tǒng)用瓷或玻璃絕緣子瓷件的技術(shù)要求。其次,在術(shù)語(yǔ)和定義部分,增加了對(duì)一些關(guān)鍵概念如“破壞負(fù)荷”、“彎曲強(qiáng)度”的詳細(xì)說(shuō)明,使得標(biāo)準(zhǔn)更加易于理解和執(zhí)行。

對(duì)于材料性能的要求,《GB/T 772-2005》增加了對(duì)陶瓷原料的具體要求,并且對(duì)于成品的物理機(jī)械性能指標(biāo)做了調(diào)整,比如提高了抗彎強(qiáng)度、抗拉強(qiáng)度等技術(shù)參數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)值,這反映了行業(yè)技術(shù)水平的進(jìn)步以及對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量要求的提高。同時(shí),該版本還引入了更多關(guān)于環(huán)保方面的要求,強(qiáng)調(diào)生產(chǎn)過(guò)程中應(yīng)減少有害物質(zhì)使用,體現(xiàn)了綠色制造的理念。


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  • 2005-08-26 頒布
  • 2006-04-01 實(shí)施
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I C S 2 9 K4 8 0 8 0 . 1 0 場(chǎng)黔 中 華 人 民 共 和 國(guó) 國(guó) 家 標(biāo) 準(zhǔn) GB / T 7 7 2 -2 0 0 5 代替 GB 7 7 2 -1 9 8 7 高壓絕緣子瓷件技術(shù)條件 T e c h n i c a l s p e c i f i c a t i o n s o f p o r c e l a i n e l e me n t f o r h i g h v o l t a g e i n s u l a t o r s 2 0 0 5 - 0 8 - 2 6 發(fā)布2 0 0 6 - 0 4 - 0 1 實(shí)施 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中 國(guó) 國(guó) 家 標(biāo) 準(zhǔn) 化 管 理 委 員 會(huì) 發(fā) 布 GB / T 7 7 2 -2 0 0 5 目次 前言 1 范圍 2 規(guī)范性引用文件 二 3 術(shù)語(yǔ)和定義 4技術(shù)要求 5 試驗(yàn) ” “ “ “ “ 6 包裝與標(biāo)志 標(biāo)準(zhǔn)分享網(wǎng) w w w .b z f x w .c o m 免費(fèi)下載 GB / T 7 7 2 -2 0 0 5 月U舀 本標(biāo)準(zhǔn)代替 G B / T 7 7 2 -1 9 8 7 高壓絕緣子瓷件技術(shù)條件 。 本標(biāo)準(zhǔn)與 G B / T 7 7 2 -1 9 8 7相比主要變化如下: 結(jié)構(gòu)和編寫(xiě)規(guī)則按 G B / T 1 . 1 -2 0 0 0 標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第 1 部分: 標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和編寫(xiě)規(guī)則 ; 修改了壁厚偏差的規(guī)定( 1 9 8 7年版的2 . 1 . 1 . 3 , 本版的 4 . 1 . 3 ) ; 修改了圓度公差的規(guī)定( 1 9 8 7年版的2 . 2 . 1 , 本版的4 . 2 . 1 . 3 ) ; 刪去了“ 超聲波探測(cè)檢查” 的規(guī)定( 1 9 8 7年版的 2 . 9 ) 0 本標(biāo)準(zhǔn) 由中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)提出 。 本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)絕緣子標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。 本標(biāo)準(zhǔn)起草單位: 西安電瓷研究所、 大連電瓷廠、 南京電氣集團(tuán)有限責(zé)任公司、 唐山市高壓電瓷廠、 西安西電高壓電瓷有限責(zé)任公司、 NG K唐山電瓷有限公司 本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人: 李大楠、 劉樹(shù)橫、 林榮偉、 房子章、 楊明、 賀建蒼、 董剛 本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為: GB 7 7 2 -1 9 6 5 , GB 7 7 2 - 1 9 7 7 , GB/ T 7 7 2 - 1 9 8 7 GB / T 7 7 2 -2 0 0 5 高壓絕緣子瓷件技術(shù)條件 1 范 圍 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了高壓絕緣子瓷件的技術(shù)要求、 試驗(yàn)、 包裝和標(biāo)志的一般要求 本標(biāo)準(zhǔn)適用于標(biāo)準(zhǔn)電壓高于 1 0 0 0 v、 頻率不超過(guò) 1 0 0 H z的交流系統(tǒng)的架空電力線路、 電氣裝置 和設(shè)備上使用的絕緣子瓷件。 本標(biāo)準(zhǔn)不適用于在有破壞瓷及釉的介質(zhì)( 氣體或液體) 中工作的瓷件。 2規(guī)范性引用文件 下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件, 其隨后所有 的修改單( 不包括勘誤的內(nèi)容) 或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn), 然而, 鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究 是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件, 其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。 G B / T 1 9 1 -2 0 0 0 包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志( e q v I S O 7 8 0 : 1 9 9 7 ) G B / T 7 7 5 . 1 絕緣子試驗(yàn)方法第 1 部分: 一般試驗(yàn)方法 G B / T 7 7 5 . 2 絕緣子試驗(yàn)方法 第2 部分: 電 氣試 驗(yàn)方法 G B / T 7 7 5 . 3 絕緣子試驗(yàn)方法 第3 部分: 機(jī)械 試驗(yàn)方法 ( ; B / T 1 1 8 2 -1 9 9 6 形狀和位置公差通則、 定義、 符號(hào)和圖樣表示法( e q v I S O 1 1 0 1 : 1 9 9 6 ) GB / T 2 9 0 0 . 8 - 1 9 9 5 電工名詞術(shù)語(yǔ)絕緣子( e q v I E C 6 0 4 7 1 ) J B / 丁3 3 8 4 -1 9 9 9 高壓絕緣子抽樣方案 J B / T 5 8 9 6 -1 9 9 1 常用絕緣子術(shù)語(yǔ) 3術(shù)語(yǔ)和定義 G B / T 2 9 0 0 . 8 , J B / T 5 8 9 6和G B / T 1 1 8 2確立的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。 斑 點(diǎn)f r e c k l e s 熔化在瓷件表面上的雜物( 如鐵質(zhì)、 石膏等) 所形成的異色斑點(diǎn) 3 . 2 雜質(zhì)i n c l u s i o n s 粘附在瓷件表面上的缽屑、 砂粒、 石英粉等顆粒。 3 . 3 燒缺i m p e r f e c t i o n 坯體內(nèi)雜物燒去后所形成深人瓷件 七 的凹陷。 3 . 4 氣泡b u b b l e s 因雜物分解在瓷體表面所形成的泡 3 . 5 粘釉 g l a z e s t i c k 在熔燒時(shí), 由于瓷件相互之間或與外物粘連而損壞釉面或瓷體的缺陷 標(biāo)準(zhǔn)分享網(wǎng) w w w .b z f x w .c o m 免費(fèi)下載 GB/ T 7 7 2 -2 0 0 5 碰損c h i p p i n g s 坯件或瓷件相互之間或與外物相碰擊而傷及釉面或瓷體的缺陷。 缺釉 s p o t s w i t h o u t g l a z e 瓷件規(guī)定應(yīng)上釉的表面上露出的瓷件無(wú)釉部分。 釉面針孔 p i n h o l e s i n t h e g l a z e 瓷件釉面上呈現(xiàn)的不深人瓷體的、 直徑在 mm 以下的小孔。 堆釉s t a c k e d g l a z e 高 出正常釉 面的積釉部分 。 3 . 1 0 折痕f o l d s 壞泥折迭在坯 件表面上面而未開(kāi)裂的痕跡 。 3 . 1 1 刀痕s c r a t c h e s 由于坯件加工不當(dāng), 在表面上造成的細(xì)條痕跡。 波紋 w a v i n e s s 由于坯件加工不當(dāng), 在表面上造成的不平痕跡。 有限結(jié)構(gòu)l i mi t e d d e s i g n 影響瓷件裝配 附件 的部位 3 . 1 4 無(wú)限結(jié)構(gòu)u n l imi t e d d e s ig n 瓷件不裝配附件的部位 技術(shù) 要求 4 . 1 尺寸偏 差 4 . 1 . 1 瓷件一般尺寸偏差 瓷件一般尺寸偏差應(yīng)符合表 1 的規(guī)定。 表 1 瓷件一般尺寸偏差 瓷件公稱尺寸 d 允許 偏 差 有 限 結(jié) 構(gòu)無(wú) 限 結(jié) 構(gòu) d 夏 4 5 4 5 1 0 0 0 士 1 2 . 0 十 1 3 . 0 土 1 5 . 0 十 1 6 . 0 士 1 8 . 0 豐 2 6 . 0 十 1 9 . 0+ 2 8 . 0 十 2 0 . 0+ 3 0 . 0 士 ( 0 _ 01 5 d+ 5 )+ ( 0 . 0 2 5 d+ 5 ) 注: 表中“ 瓷件公稱尺寸” 為被測(cè)量部位的長(zhǎng)( 高) 度或直徑。 2 爬電距離偏差 爬電距離的測(cè)量值與圖樣上規(guī)定的設(shè)計(jì)尺寸有關(guān), 即使這個(gè)尺寸可能大于買方原先規(guī)定的值 爬電距離的偏差值規(guī)定如下: 以公稱值( 包括最小公稱值) 規(guī)定時(shí), 最大偏差為: 士( 0 . 0 4 L+1 . 5 ) m m( L為公稱爬電距離, m m) ; 以最小值規(guī)定時(shí), 爬電距離的測(cè)量值不得小于此值。 3 壁厚偏差( 未研磨瓷套) 瓷套壁厚偏差應(yīng)符合表2的規(guī)定。 表 2壁厚偏差m m 公 稱 壁 厚t壁 厚 允 許 偏 差 t 6 時(shí) 瓷件軸線的直線度由供需雙方協(xié)議 由于軸線的彎曲可能引起瓷件傘裙的傾斜而影響瓷件兩端與金屬附件的裝配時(shí), 瓷件兩端傘裙傾 斜不應(yīng)使H 、一H,; ( 0 . 0 3 2 D +3 ) m m ( H m , 、 為傘裙至端面的 最大距離, H m o。 為傘裙至端面的最小距 離, n為瓷件端 部傘裙 直徑 , 單位均 為 mm) . 4 . 2 . 1 . 3 瓷件的圓度應(yīng)符合下列公差: 當(dāng) 。 蕊3 0 0 時(shí), ( 0 . 0 4 D +1 . 5 ) mm; 當(dāng) D3 0 0時(shí) , ( 0 . 0 2 5 D+6 ) mm; 這里, D為瓷件直徑, mm o 當(dāng)D為瓷套內(nèi)徑時(shí), 應(yīng)為( 0 . 0 2 5 D十1 . 5 ) mmo 當(dāng)未測(cè)量瓷件的圓度而測(cè)量瓷件圓截面的直徑差時(shí), 其最大直徑與最小直徑差值的一半不應(yīng)超過(guò) 如下值 : 當(dāng)D 蕊2 5 0時(shí), ( 0 . 0 1 D+2 . 5 ) m m; 當(dāng). 2 5 0時(shí), 0 . 0 2 Dmm, 4 . 2 . 1 . 4 盤(pán)形懸式絕緣子和針式絕緣子瓷件的傘緣變形度, 不應(yīng)超過(guò) 。 . 0 2 Dm m( D為瓷件傘裙直徑, mm) 傘的變形不應(yīng)導(dǎo)致正常使用情況下在傘的上表面產(chǎn)生積水現(xiàn)象。 G B/ T 7 7 2 -2 0 0 5 4 . 2 . 2 瓷件經(jīng)磨削后的形位公差及表面粗糙度 4 . 2 . 2 . 1 瓷件兩端面平行度不應(yīng)超過(guò): 等級(jí)I 0 , 1 8 o o D mm 等級(jí)u 0 . 3 5 %D mm 等級(jí)lu 0 , 5 2 %D mm 式中:D -瓷件直徑, mm 4 . 2 . 2 . 2 瓷件的上下端同軸度不應(yīng)超過(guò): 等級(jí) I 0 . 1 5 0 O H mm 等級(jí) II 0 . 2 5 %H mm 等級(jí)fu 0 . 3 0 %H mm 式中:H- 一 瓷件長(zhǎng)( 高) 度 , mm 4 . 2 . 2 . 3 瓷件端面的粗糙度不應(yīng)大于表 4的規(guī)定。 表 4磨削端面粗糙 度 表面粗糙度R a 拼m 2 5 1 2 . 56 . 33 . 21 . 6 適 用 范 圍 無(wú)密封要求, 只是 由于制造上的原因需 要 磨 削 時(shí) 油 密 封 面氣體密封面特殊要求的光滑面 注:檢查時(shí), 一般可采用試品與標(biāo)樣( 瓷) 憑目力觀測(cè)的方法進(jìn)行比較, 必要時(shí)采用儀器進(jìn)行測(cè)量。 4 . 3 瓷件的外觀質(zhì)t 4 . 3 . 1 瓷件應(yīng)按圖樣在規(guī)定的部位均勻地上一層光滑、 發(fā)亮并堅(jiān)硬的釉, 釉面應(yīng)無(wú)裂紋和影響其 良好 運(yùn)行性能的其他缺陷。釉不應(yīng)有顯著的色調(diào)不均現(xiàn)象, 但因釉較薄而顏色較淺是允許的, 例如在半徑較 小 的邊緣部位的釉 面。 4 . 3 . 2 瓷件表面缺陷不應(yīng)超過(guò)表 5的規(guī)定, 且不應(yīng)影響瓷件的安裝和連接 表 5 瓷件表面缺陷最大允許值 瓷件分類單個(gè)缺陷 外表面缺陷 總 面 積 m m 類 別 H X Dm m , 斑點(diǎn)、 雜質(zhì)、 燒缺、 氣泡等直徑 ni m 粘釉或碰損面積 m mZ 缺釉深 度 或 高 度 mmM 1 Iffm m 9he m m 1 H X D( 5 0 0 0 32 0 . 0 8 0 . 04 0 . 011 0 0 . 0 2 5 0 0 0 1 5 0 0 0 0 0 I 2 1 00 . 04 0 0 . 02 0 0. 02 10 0 + 黑 注1 : 表中, H為瓷件高度或長(zhǎng)度, -.; D為瓷件最大外徑, mm 注2 內(nèi)表面( 內(nèi)孔及膠裝部位, 但不包括懸式頭部膠裝部位) 缺陷總面積不作規(guī)定。 注 3 : 括號(hào)內(nèi)數(shù)值適用于線路針式和懸式絕緣子的瓷件。 標(biāo)準(zhǔn)分享網(wǎng) w w w .b z f x w .c o m 免費(fèi)下載 GB / T 7 7 2 - 2 0 0 5 4 . 3 . 3 當(dāng)耐污型產(chǎn)品的L / H 2 . 2 時(shí)( L為爬電距離, H為瓷件高度) , 其允許的缺陷總面積, 不應(yīng)大 于 表 5 中 規(guī) 定 的 外 表 缺 陷 總 面 積 乘 2 H 4 . 3 . 4 瓷件主體部位外表面單個(gè)缺釉面積不應(yīng)超過(guò) 2 5 m m . 4 . 3 . 5 釉面缺陷不能過(guò)分集中。釉面針孔在任一 5 0 0 m m- 面積范圍內(nèi)應(yīng)不超過(guò) 1 5個(gè)。總針孔量不 應(yīng)超過(guò)5 0 +D X L / 1 5 0 0 個(gè)( D為瓷件直徑, I為瓷件的爬電距離, 單位均為 mm ) 。積聚的雜質(zhì)( 例如砂 粒) 應(yīng)算作單個(gè)缺陷 4 . 3 . 6 堆釉、 折痕的高度或深度應(yīng)不超過(guò)表5的規(guī)定, 刀痕和波紋的深度不超過(guò) 。 . 5 mm, 這些缺陷不 計(jì)算 面積 4 . 3 . 7 瓷件焙燒支承面不上釉部位不算缺陷, 但其不上釉高度不應(yīng)超過(guò)表 6 的規(guī)定, 超過(guò)部分按缺釉 計(jì)算其面積。磨削部位表面不算作缺釉 表 6 瓷件焙燒支承面不上釉高度 瓷 件 類 別12 - 45 - 7 I 不 上 釉 高 度 3 5( 1 0 4 . 3 . 8線路絕緣子瓷件不允許有 裂紋。 電器和配電裝置用瓷件一般不允許有裂紋。作為主絕緣用的及承受較大沖擊機(jī)械負(fù)荷的瓷件, 允 許在距離主體( 包括電極) 部位 1 0 m m以外的傘棱表面上有裂紋, 其他瓷件允許在距離電極部位 1 0 m m 以外的表面上有裂紋 以上裂 紋 的寬 度 不應(yīng) 超 過(guò) 。 . 5 m m, 單 個(gè) 長(zhǎng)度 不 應(yīng)超 過(guò) 1 0 m m, 裂紋 總長(zhǎng) 不 應(yīng)超 過(guò) 外表面缺陷 c面積( m m ) 。 4 . 3 . 9 瓷件表面缺陷超過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定時(shí), 缺陷的修補(bǔ)應(yīng)由供需雙方協(xié)議 4 . 4 孔隙性試驗(yàn)要求 瓷件剖面應(yīng)均質(zhì)致密, 經(jīng)孔隙性試驗(yàn)后不應(yīng)有任何滲透現(xiàn)象??紫缎栽囼?yàn)的壓力不低于 2 0 X 1 0 6 P a , 壓力( P a ) 與時(shí)間( h ) 的乘積不應(yīng)低于 1 8 0 X 1 0 6 4 . 5 溫度循環(huán)試驗(yàn)要求 瓷件應(yīng)能耐受三次溫度循環(huán)試驗(yàn)而不損壞, 其試驗(yàn)溫度差按表7的規(guī)定 表 7溫度循環(huán)試驗(yàn)溫 度差 GB / T 7 7 2 -2 0 0 5 4 . 6 瓷件( 瓷套、 瓷管) 壁厚工頻擊穿電壓 瓷件( 瓷套、 瓷管) 壁厚工頻擊穿電壓不應(yīng)低于表 8的規(guī)定。 表 8壁厚工頻擊穿電壓 m m 1 01 52 02 53 04 05 06 0 工頻擊穿電壓 k V( 有效值) 6 58 09 01 0 01 0 51 1 51 2 5 1 3 5 注:當(dāng)瓷件壁厚介于表中的中間數(shù)值時(shí), 其擊穿電壓按線性播入法確定。 4 . 7 逐個(gè)電氣試驗(yàn)要求( 僅對(duì)B型瓷件或空心瓷件) 作主絕緣用的B型及空心瓷件, 應(yīng)能耐受連續(xù) 5 mi n的工頻火花電壓試驗(yàn)而不擊穿、 損壞或異常 發(fā)熱。 作非主絕緣用的瓷件, 其瓷壁應(yīng)能耐受連續(xù)5 mi n的工頻電壓試驗(yàn)而不擊穿, 其試驗(yàn)電壓值為表 8 規(guī)定值的 1 / 2 對(duì)于小型瓷件或由于結(jié)構(gòu)上的原因試驗(yàn)時(shí)可能要發(fā)生閃絡(luò)的瓷件, 試驗(yàn)電壓值應(yīng)為該 瓷件發(fā)生閃絡(luò)時(shí)的電壓值的9 0 %. 4 . 8 機(jī)械強(qiáng)度 瓷件應(yīng)符合產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)或圖樣規(guī)定的機(jī)械強(qiáng)度要求, 并按產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行機(jī)械破壞或耐受試驗(yàn)。 5試驗(yàn)” 5 . 1 試驗(yàn)分類 瓷件的試驗(yàn)項(xiàng)目分為逐個(gè)試驗(yàn)、 抽樣試驗(yàn)和型式試驗(yàn)。 5 . 2逐個(gè)試驗(yàn) 出廠的每一只瓷件應(yīng)按表 9 規(guī)定的順序進(jìn)行逐個(gè)試驗(yàn), 如有瓷件不符合表 9中規(guī)定的任何一項(xiàng)要 求, 則此瓷件不符合本標(biāo)準(zhǔn)要求 表 9 逐個(gè)試驗(yàn)項(xiàng) 目 序 號(hào) 試驗(yàn)項(xiàng)目名稱試 驗(yàn) 根 據(jù)試 臉 方 法 1 外 觀 檢 查 本標(biāo)準(zhǔn)第 4 . 3條及 6 . 2條 G B 7 7 5 . 1 2 尺 寸 檢 查 本標(biāo)準(zhǔn)第 4 . 1條 G B 7 7 5 . 1 3 形位公差檢查本標(biāo)準(zhǔn)第 4 . 2 條 G B 7 7 5 . 1 4 工頻火花電壓試驗(yàn)本標(biāo)準(zhǔn)第 4 . 7 條 G B 7 7 5 . 2 5 瓷壁耐壓試驗(yàn)本標(biāo)準(zhǔn)第 4 . 7 條 GB 7 7 5 . 2 6 逐個(gè)機(jī)械負(fù)荷試驗(yàn)本標(biāo)準(zhǔn)第 4 . 8 條 G B 7 7 5 . 3 注 1 : 尺寸及形位公差檢查的項(xiàng)目應(yīng)由產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定 注2 :用整體成型方法制造的瓷套, 瓷壁耐壓試驗(yàn)允許按驗(yàn)收批量進(jìn)行抽樣試驗(yàn), 如不合格則應(yīng)進(jìn)行逐個(gè)試驗(yàn)。 5 . 3 抽樣試驗(yàn) 5 . 3 .1 抽樣規(guī)則 瓷件應(yīng)按批進(jìn)行驗(yàn)收, 以同一工藝方法制成的同一型號(hào)( 或代號(hào)) 的瓷件算作一批, 大型及特大型瓷 件( 指表 5 中 5 類及以上瓷件) 批量不應(yīng)超過(guò)5 0 0只, 小型瓷件不應(yīng)超過(guò)3 2 0 0只。 瓷件應(yīng)按批進(jìn)行抽樣試驗(yàn), 抽樣試驗(yàn)在逐個(gè)試驗(yàn)合格后的批中隨機(jī)抽取試品進(jìn)行, 抽樣規(guī)則按 B / T 3 3 8 4 的規(guī)定。 t )第 5 , 6 章的條款僅適用于以“ 瓷件” 為產(chǎn)品出廠的情況。 標(biāo)準(zhǔn)分享網(wǎng) w w w .b z f x w .c o m 免費(fèi)下載 G B/ T 7 7 2 -2 0 0 5 批量與樣本容量 ( 每項(xiàng)試驗(yàn)的試品數(shù) ) 字碼關(guān)系按表 1 0的規(guī) 定。 表 1 0批A與樣本容f字碼 批 量 N 檢 查 水 平 S- 1S- 2 S- 3 ( 1 5 AAA 1 6 一 2 5AAB 2 6 一 5 0ABB 5 1 一 9 0 BB C 9 1 - 1 5 0BBC 1 5 1 - 5 00 BCD 5 01 - 1 2 0 0 CCE 1 2 0 1 一 3 2 00CDE 注 1 : 表中字母A, 對(duì)于特大型產(chǎn)品, 允許樣本容量為“ 1“ 注2 : 如無(wú)特殊規(guī)定, 檢查水平按下列規(guī)定: a ) S - 1 特大型瓷件( 指表 5中7 類) : b ) S- 2 - 一 大型瓷件( 指表5中5 -6 類) ; c)s 一 3 一般瓷件或有重要要求的瓷件. 計(jì)件抽樣方案的判定準(zhǔn)則見(jiàn)表 I L 表 1 1 判定準(zhǔn)則 樣 本 字 碼樣 本 容 量 判 定 數(shù) A R Ad A+R e , R 2 A n1 101 A 或 B 刀l 202 n之 4工2 C n】 302 刀2 612 D 刀 1 S02 月2 1 012 E 刀l 802 刀2 1 623 注: A 接收判定數(shù)。第一次抽樣的接收判定數(shù)為AL . 第二次抽樣的接收判定數(shù)為人: R拒收判定數(shù)。第一次抽樣的拒收判定數(shù)為R , 第二次抽樣的判定數(shù)為凡: 。一次抽樣的樣本容量或二次抽樣的第一次抽取的樣本容量。 ” : 一 一 二次抽樣的第二次抽樣的樣本容量。 5 . 3 . 2抽樣試驗(yàn)項(xiàng) 目及試驗(yàn) 順序 抽樣試驗(yàn)項(xiàng) 目及試驗(yàn)順序規(guī)定見(jiàn)表 1 2 GB / T 7 7 2 -2 0 0 5 表 1 2抽樣試驗(yàn)項(xiàng) 目 序 號(hào)項(xiàng) 目名 稱試 驗(yàn) 根 據(jù)試 驗(yàn) 方 法試 品 數(shù) 量 1 尺寸及形位公差檢查 本標(biāo)準(zhǔn)第 4 . 1及4 . 2條GB / T 7 7 5 . 1 按抽樣方案規(guī)定抽出總數(shù)的 全 部 2 溫度循環(huán)試驗(yàn) 本標(biāo)準(zhǔn)第 4 . 5條 GB / T 7 7 5 . 1 經(jīng)項(xiàng) 1 試驗(yàn)后的全部 3 機(jī) 械 破 壞 負(fù) 荷 試 驗(yàn)本標(biāo)準(zhǔn)第 4 . 8 條G B / T 7 7 5 . 3 按抽樣 方案規(guī) 定并 經(jīng)項(xiàng) 2 試 驗(yàn) 4 孔 隙 性 試 驗(yàn)! 本標(biāo)準(zhǔn)第 4 . 4 條G B / T 7 7 5 . 1 與抽樣方案規(guī)定的試品數(shù) 目 相同的瓷塊, 但不得少于3塊 注 1 : 尺寸及形位公差檢查的項(xiàng)目( 包括爬電距離) 應(yīng)由產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定 注2 : 大型及特大型瓷件經(jīng)溫度循環(huán)試驗(yàn)合格的試品, 可以提交用戶使用 注 3 : 進(jìn)行機(jī)械破壞負(fù)荷的種類由產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定, 但機(jī)械破壞負(fù)荷試驗(yàn)有兩種或若干種時(shí), 其試品數(shù)量應(yīng)為檢查 水平規(guī)定數(shù)量的兩倍或若干倍。 注 4 : 孔隙性試驗(yàn)用的試塊, 可以選取機(jī)械破壞負(fù)荷試驗(yàn)后的瓷塊或用相同工藝制造的同等厚度的試塊進(jìn)行 試驗(yàn)采用計(jì)件二次抽樣方案( 當(dāng)樣本容量為“ 1 ” 時(shí), 采用計(jì)件一次方案) , 其判定程序如下: 如果第一次樣本 n l 中, 不合格品數(shù) d , 簇A , , , 則接收該批。如果 d , )R , , , 則拒收該批。如果A, d , 尺 , 則應(yīng)在該批中重新再抽取第二次樣本 n : 進(jìn)行重復(fù)試驗(yàn)。在第二次樣本中的不合格品種d : 加 上 d, 即兩次聯(lián)合樣本中的不合格品樣之和, 如果 d : 十d , 鎮(zhèn)A , z , 則接收該批。如果d : 十d , )R , , 則拒 收該批但若在第二次試驗(yàn)時(shí)僅尺寸、 形位公差或外觀質(zhì)量不合格, 允許逐個(gè)進(jìn)行檢查, 合格品則可以 出廠 。 5 . 4 型式試驗(yàn) 新產(chǎn)品試制定型或正常產(chǎn)品修改結(jié)構(gòu)、 改變?cè)牧吓浞郊肮に嚪椒〞r(shí), 必須進(jìn)行型式試驗(yàn)。每項(xiàng)試 驗(yàn)的試品數(shù)量大型及特

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