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文檔簡介

第二單元集成電路晶圓測試基礎(chǔ)第二單元集成電路晶圓測試基礎(chǔ)1.硅片2.晶圓3.晶圓測試項(xiàng)目4.晶圓測試設(shè)備5.晶圓測試操作1.硅片制備集成電路芯片的晶圓片,其襯底材料主要為硅片,其純度為99999%,簡稱“九個(gè)9”。硅片制備與檢測1.硅片硅片幾何尺寸圓形薄片,邊緣有定位邊或定位槽。a)P型(11)b)P型(10)c)N型(100)d)N型(11l1.硅片刪"""測m-"直徑(mm)厚度(pm)面積(cm2)質(zhì)量(g)100(4")525±2578.549.65125(5625±25122.72150(6")675±20176.71200(8”)725±20314.1653.08300(12"775±20127.64450(18″)?1.硅片加工工藝流程1.硅片基本檢測項(xiàng)目硅片的主要質(zhì)量要求器件特征尺寸(pm)0.30.25硅片直徑(mm位平整度(mm)02(2×2117(26×32)012(26×3208(26×3正面微粗糙度(nm015單位面積體微缺陷數(shù)(個(gè)/m≤5000氧含量(10-6≤(24±2)≤(23±1.5)|≤(22:15單位面積顆粒數(shù)(個(gè)/cm2)0.3外延層厚度/均勻性(pm/±3.0/士5%%1,4/士2%1.0/±2%摻雜濃度(個(gè)/m3)摻雜類型<101014~10lP型PPN型1.硅片商用硅片舉例一RemarkIsinglecrystalsilicon.lo-cmASTMI84ASTMFBISaplingPlanBoRientationlASTMF613tioa0±10degrecASTMI847,SEMIM1SecondaryFlatCarbonconcentration1.硅片ResistiityuaiformityFlatnessGlobal(GFLR)tienEtchPitDensity(EPDepositedpolysilicon8+/-0.15um-Depositedaxic2mmclearancefromedgexx區(qū)1.硅片RemarkurfaceDefectslp.orangepeel,cack,swatch,bare.ISEMIMITabledgechp,cratergroovemoundwmarkLineage.crow'sfeetprs62BackSurfaceDefectSEMIM1TableSodiun00E+11SLSlionL

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