1+X集成電路理論復(fù)習(xí)題（附答案）VIP

1+X集成電路理論復(fù)習(xí)題（附答案）一、單選題（共39題，每題1分，共39分）1.單晶硅生長完成后，需要進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)，其中四探針法可以測量單晶硅的（）參數(shù)。A、少數(shù)載流子壽命B、電阻率C、直徑D、導(dǎo)電類型正確答案：B2.下列描述錯(cuò)誤的是（）。A、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)包括上料位、光檢位、旋轉(zhuǎn)糾姿位、功能測試位等B、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)分選工序依靠主轉(zhuǎn)盤執(zhí)行C、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)旋轉(zhuǎn)臺每轉(zhuǎn)動一格，都會將產(chǎn)品送到各個(gè)工位D、一般轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)都需要配合編帶機(jī)使用正確答案：D3.使用轉(zhuǎn)塔式分選設(shè)備進(jìn)行芯片測試時(shí)，芯片在該工位完成操作后，需要進(jìn)入（）環(huán)節(jié)。A、測試B、旋轉(zhuǎn)糾姿C、測前光檢D、測后光檢正確答案：D4.先進(jìn)的平坦化技術(shù)有()。A、反刻法B、高溫回流法C、旋涂玻璃法D、化學(xué)機(jī)械拋光法正確答案：D答案解析：反刻法、高溫回流法、旋涂玻璃法屬于傳統(tǒng)平坦化技術(shù),化學(xué)機(jī)械拋光法屬于先進(jìn)平坦化技術(shù)。5.元器件的標(biāo)志方向應(yīng)按照圖紙規(guī)定的要求，若裝配圖上沒有指明方向，則應(yīng)使標(biāo)記向外易于辨認(rèn)，并按照（）的順序讀出。A、從右到左、從上到下B、從左到右、從上到下C、從左到右、從下到上D、從右到左、從下到上正確答案：C6.打點(diǎn)時(shí)，合格的墨點(diǎn)必須控制在管芯面積的()大小。A、1/4~1/3B、1/3~1/2C、1/4~1/2D、1/5~1/3正確答案：A答案解析：打點(diǎn)時(shí)，合格的墨點(diǎn)必須控制在管芯面積的1/4~1/3大小，且墨點(diǎn)不能覆蓋PAD點(diǎn)。7.8英寸晶圓的直徑為()mm。A、125B、150C、200D、300正確答案：C答案解析：5英寸晶圓直徑是125mm，6英寸晶圓直徑是150mm，8英寸晶圓直徑是200mm，12英寸晶圓直徑是300mm。8.濕度卡的作用是()。A、去潮濕物質(zhì)中的水分B、可以防止靜電C、起到防水的作用D、顯示密封空間的濕度狀況正確答案：D答案解析：濕度卡是用來顯示密封空間濕度狀況的卡片。9.有關(guān)開路測試不正確的是（）。A、管腳正常連接：pin1和地之間會存在一個(gè)壓差，其大小為pin1與地之間的ESD二極管的導(dǎo)通壓降，大約在0.6~0.7V左右。如果改變電壓方向，V1電壓的測量結(jié)果大約為-0.6~-0.7V左右B、管腳出現(xiàn)開路：ESD二極管被斷開，pin1和地之間的電阻會無限大，在管腳施加負(fù)電流時(shí)，V1的電壓會無限?。ㄘ?fù)壓）。在實(shí)際情況中，電壓會受測試源本身存在的鉗位電壓，或者受電壓量程擋位限制達(dá)到一個(gè)極限值C、管腳出現(xiàn)短路：ESD二極管被短路，pin1和地之間的電阻接近為0歐姆，此時(shí)不管施加多少電流，V1都接近于0VD、測量Pin1和VDD之間的通斷情況，則可以將VDD通過測試源加到0V，利用I2電流和二極管D2的正向?qū)▔航颠M(jìn)行測量和判斷。此時(shí)I2的電流方向和I1的電流方向相同，此時(shí)V1的電壓為正電壓正確答案：D10.用重力式選機(jī)設(shè)備進(jìn)行芯片檢測的第二個(gè)環(huán)節(jié)是()。A、分選B、測試C、上料D、外觀檢查正確答案：B答案解析：重力式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料→測試→分選→編帶（SOP）→外觀檢查→真空包裝。11.單晶爐加熱過程中爐體冷卻水中斷或流量不足，提示水流量低報(bào)警，該故障是（）。A、電極故障B、液面過低C、斷水D、打火正確答案：C12.轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行編帶后，進(jìn)入()環(huán)節(jié)。A、上料B、測試C、外觀檢查D、真空包裝正確答案：C答案解析：轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料→測試→編帶→外觀檢查→真空包裝。13.若遇到需要編帶的芯片，在測試完成后的操作是()。A、測試B、上料C、編帶D、外觀檢查正確答案：C答案解析：轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的操作步驟一般為：上料→測試→編帶→外觀檢查→真空包裝。14.在如下方波輸出控制程序中，占空比計(jì)算公式為（）。VoidPWM_Init(){PWM0->TBPRD=400；PWM1->TBCTL=0；PWM1->TBCTL_b.HSPCLKDIV=1；PWM1->TBCTL_b.CLKDIV=4；PWM1->TBCTL_b.PRDLD=1；PWM0->TBCTL_b.CTRMODE=2；PWM0->AQCTLA_b.CAU=1；PWM0->AQCTLA_b.CAD=2；PWM0->CMPA=200；PWM_START；}A、PWM0->AQCTLA_b.CAU/PWM0->AQCTLA_b.CAD=50%B、PWM0->TBCTL_b.CTRMODE/PWM1->TBCTL_b.CLKDIV=50%C、PWM1->TBCTL_b.HSPCLKDIV/PWM1->TBCTL_b.CLKDIV=25%D、PWM0->CMPA/PWM0->TBPRD=50%正確答案：D15.晶圓檢測工藝中，導(dǎo)片結(jié)束后，需要進(jìn)行()操作。A、加溫、扎針調(diào)試B、上片C、外檢D、扎針測試正確答案：B答案解析：晶圓檢測工藝流程：導(dǎo)片→上片→加溫、扎針調(diào)試→扎針測試→打點(diǎn)→烘烤→外檢→真空入庫。16.在用萬用表測量晶體管、電解電容等有極性元件的等效電阻時(shí)，必須注意（）。A、選擇歐姆擋位B、選擇較大量程C、注意兩支筆的極性D、以上都是正確答案：C17.載帶的預(yù)留長度一般是()。A、50-70cmB、10-30cmC、30-50cmD、70-90cm正確答案：A18.薄膜淀積完成后，需要進(jìn)行質(zhì)量評估。其中（）是檢測薄膜質(zhì)量、組分及純度的有效參數(shù)，可以用橢偏儀測量。A、厚度B、折射率C、臺階覆蓋率D、均勻性正確答案：B19.以全自動探針臺為例，關(guān)于上片的步驟，下列所述正確的是：()。A、打開蓋子→花籃放置→花籃下降→花籃到位→花籃固定→合上蓋子B、打開蓋子→花籃放置→花籃到位→花籃下降→花籃固定→合上蓋子C、打開蓋子→花籃放置→花籃下降→花籃固定→花籃到位→合上蓋子D、打開蓋子→花籃放置→花籃固定→花籃下降→花籃到位→合上蓋子正確答案：D答案解析：以全自動探針臺為例，上片的步驟為：打開蓋子→花籃放置→花籃固定→花籃下降→花籃到位→合上蓋子。20.關(guān)于全自動探針臺扎針調(diào)試的步驟，下列說法正確的是：（）。A、輸入晶圓信息→調(diào)出檢測MAP圖→自動對焦→扎針調(diào)試B、輸入晶圓信息→自動對焦→調(diào)出檢測MAP圖→扎針調(diào)試C、輸入晶圓信息→自動對焦→扎針調(diào)試→調(diào)出檢測MAP圖D、輸入晶圓信息→調(diào)出檢測MAP圖→扎針調(diào)試→自動對焦正確答案：B答案解析：全自動探針臺扎針調(diào)試步驟：輸入晶圓信息→自動對焦→調(diào)出檢測MAP圖→扎針調(diào)試。21.當(dāng)芯片移動到氣軌()時(shí)，旋轉(zhuǎn)臺吸嘴吸取芯片。A、首端B、中端C、末端D、任意位置正確答案：C答案解析：當(dāng)芯片移動到氣軌末端時(shí)，旋轉(zhuǎn)臺吸嘴的升降電機(jī)到達(dá)芯片正上方，吸嘴產(chǎn)生一定負(fù)壓將該芯片吸起，升降電機(jī)上移并后退進(jìn)入旋轉(zhuǎn)臺，上料完成。22.編帶機(jī)光檢區(qū)檢測不合格的芯片，會從光檢區(qū)滑落至不良品料管內(nèi)；而檢測合格的芯片，則會由（）吸取，并將其精準(zhǔn)地放到空載帶內(nèi)，載帶內(nèi)每放置一顆芯片便會向前傳送一格。A、真空吸嘴B、機(jī)器手臂C、鑷子D、吸盤正確答案：A23.轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備測試環(huán)節(jié)的流程是：()。A、測前光檢→測后光檢→測試→芯片分選B、芯片分選→測前光檢→測后光檢→測試C、測前光檢→測試→測后光檢→芯片分選D、測前光檢→測后光檢→芯片分選→測試正確答案：C答案解析：轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備測試環(huán)節(jié)的流程是：測前光檢→測試→測后光檢→芯片分選。24.“6s”的管理方式相較于“5s”，多的一項(xiàng)內(nèi)容是（）。A、整理B、整頓C、清潔D、安全正確答案：D答案解析：5S即整理、整頓、清掃、清潔、素養(yǎng)。6S管理是5S的升級，6S即整理、整頓、清掃、清潔、素養(yǎng)、安全(SECURITY)。25.利用平移式分選設(shè)備進(jìn)行芯片測試時(shí)，設(shè)備在測試區(qū)完成測試后，會進(jìn)入（）環(huán)節(jié)。A、外觀檢查B、分選C、上料D、真空包裝正確答案：B26.用平移式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行芯片檢測的第二個(gè)環(huán)節(jié)是()。A、分選B、上料C、測試D、外觀檢查正確答案：C答案解析：平移式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料→測試→分選→外觀檢查→真空包裝。27.晶圓烘烤時(shí)長一般為()分鐘。A、1B、5C、10D、20正確答案：B答案解析：晶圓烘烤長一般為5分鐘。烘烤時(shí)間太長會導(dǎo)致墨點(diǎn)開裂，時(shí)間太短可能會使墨點(diǎn)不足以抵抗后續(xù)封裝工藝中的液體沖刷，導(dǎo)致墨點(diǎn)消失。28.化學(xué)機(jī)械拋光中,拋光液的作用是()。A、與硅片表面材料反應(yīng),變成可溶物質(zhì)或?qū)⒁恍┯捕冗^高的物質(zhì)軟化B、向拋光墊施加壓力C、將反應(yīng)生成物從硅片表面卻除D、清洗硅片正確答案：A答案解析：硅片固定在拋光盤上后，拋光盤和裝有拋光墊的旋轉(zhuǎn)盤開始旋轉(zhuǎn)，同時(shí)噴淋拋光液；然后拋光盤向拋光墊施加壓力，此時(shí)拋光液在硅片和拋光墊之間流動，拋光液中的物質(zhì)與硅片表面材料反應(yīng)，變?yōu)榭扇芪镔|(zhì)或?qū)⒁恍┯捕冗^高的物質(zhì)軟化；通過研磨作用將反應(yīng)生成物從硅片表面去除，進(jìn)入流動的液體排出。29.4英寸的單晶硅錠的切割方式為：()。A、外圓切割B、內(nèi)圓切割C、線鋸切割D、以上均可正確答案：B答案解析：直徑＜300mm時(shí)采用內(nèi)圓切割，直徑≥300mm時(shí)采用外圓切割、線鋸切割。4英寸的單晶硅錠直徑為100mm，切割方式為內(nèi)圓切割。30.清洗是晶圓制程中不可缺少的環(huán)節(jié)，使用SC-1清洗液進(jìn)行清洗時(shí)，可以去除的物質(zhì)是（）。A、光刻膠B、顆粒C、金屬D、自然氧化物正確答案：B31.進(jìn)行芯片檢測工藝中的編帶外觀檢查時(shí)，其步驟正確的是（）。A、檢查外觀→歸納放置→固定卷盤→編帶回料→編帶固定B、固定卷盤→歸納放置→檢查外觀→編帶回料→編帶固定C、歸納放置→固定卷盤→檢查外觀→編帶回料→編帶固定D、編帶固定→固定卷盤→歸納放置→檢查外觀→編帶回料正確答案：C32.料盤檢查完后，需要以最小內(nèi)盒數(shù)為單位拆批打印標(biāo)簽，一式()份。A、1B、2C、3D、4正確答案：B答案解析：料盤檢查完后，需要以最小內(nèi)盒數(shù)為單位拆批打印標(biāo)簽，一式兩份。33.利用平移式分選設(shè)備進(jìn)行芯片檢測時(shí)，芯片在該區(qū)域的操作完成后會進(jìn)入（）區(qū)域。A、上料B、測試C、分選D、待測正確答案：C34.采用全自動探針臺對晶圓進(jìn)行扎針調(diào)試時(shí)，若發(fā)現(xiàn)單根探針發(fā)生偏移，則對應(yīng)的處理方式是（）。A、相關(guān)技術(shù)人員手動撥針，使探針移動至相應(yīng)位置B、調(diào)節(jié)扎針深度C、利用微調(diào)檔位進(jìn)行調(diào)整D、更換探針測試卡正確答案：A35.封裝工藝中，在完成芯片粘接后需要進(jìn)行銀漿固化，該環(huán)節(jié)在烘干箱中進(jìn)行，一般在（）℃的環(huán)境下烘烤1小時(shí)。A、225B、200C、150D、175正確答案：D36.單晶硅生長完成后，需要進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)，其中熱探針法可以測量單晶硅的（）參數(shù)。A、直徑B、導(dǎo)電類型C、電阻率D、少數(shù)載流子壽命正確答案：B37.添加連線時(shí)，在先的起點(diǎn)處（）鼠標(biāo)，移動光標(biāo)，在線的終點(diǎn)（）鼠標(biāo)完成連線繪制。A、雙擊、單擊B、單擊、雙擊C、單擊、單擊D、雙擊、雙擊正確答案：B38.晶向?yàn)?lt;111>、8英寸P型半導(dǎo)體材料的定位方式是沿著硅錠長度方向研磨出()。A、一個(gè)基準(zhǔn)面B、兩個(gè)基準(zhǔn)面且呈45度角C、兩個(gè)基準(zhǔn)面且呈90度角D、定位槽正確答案：D答案解析：8英寸的晶圓直徑為200mm，當(dāng)硅片直徑等于或大于200mm時(shí)，往往不再研磨基準(zhǔn)面，而是沿著晶錠長度方向磨出一小溝作為定位槽。39.在目檢過程中，篩選后出現(xiàn)嚴(yán)重失效或篩選淘汰率超過規(guī)范值，經(jīng)分析屬于批次性質(zhì)量問題的，應(yīng)()。A、淘汰超過規(guī)范值的部分，同時(shí)附上分析報(bào)告B、整批淘汰，同時(shí)附上分析報(bào)告C、留下該批次中的合格品D、不做處理正確答案：B答案解析：在目檢過程中，篩選后出現(xiàn)嚴(yán)重失效或篩選淘汰率超過規(guī)范值，經(jīng)分析屬于批次性質(zhì)量問題的，應(yīng)整批淘汰，同時(shí)附上分析報(bào)告。二、多選題（共26題，每題1分，共26分）1.將料盤裝入防靜電鋁箔袋時(shí)，還需要裝()。A、干燥劑B、濕度卡C、海綿D、標(biāo)簽正確答案：AB答案解析：將干燥劑和濕度卡固定在包裝完畢的料盤中央后放入不透明的防靜電鋁箔袋中。2.高溫回流-般用于()。A、平滑處理B、部分平坦化C、局部平坦化D、全局平坦化正確答案：AB答案解析：高溫回流一般用于平滑處理或部分平坦化。3.出現(xiàn)下列()的情況可能需要進(jìn)行墨管更換。A、墨點(diǎn)大小點(diǎn)B、小而空心的墨點(diǎn)C、位置偏移且在晶粒上的偏移情況一致D、位置偏移且在晶粒上的偏移情況不一致正確答案：AB答案解析：出現(xiàn)墨點(diǎn)大小點(diǎn)、小而空心的墨點(diǎn)等情況需更換墨管。出現(xiàn)位置偏移且在晶粒上的偏移情況一致則需要調(diào)節(jié)打點(diǎn)器的旋鈕，使墨點(diǎn)處于晶粒中央。出現(xiàn)位置偏移且在晶粒上的偏移情況不一致等情況需調(diào)節(jié)打點(diǎn)的步進(jìn)。4.選擇集成電路的關(guān)鍵因素主要包括（）。A、性能指標(biāo)B、芯片原料C、性能價(jià)格比D、工作條件正確答案：ACD5.切割機(jī)顯示區(qū)可以進(jìn)行（）、（）等操作。A、給其他操作人員發(fā)送消息B、設(shè)置參數(shù)C、切割道對位D、操作過程中做筆記正確答案：BC6.在晶圓檢測中，打點(diǎn)過程中可能出現(xiàn)的異常情況有（）。A、不能連續(xù)打點(diǎn)B、墨水外溢C、漏打點(diǎn)D、墨點(diǎn)異常正確答案：ABCD7.LK32T102單片機(jī)的串行通信串口有（）。A、USB通信B、2路異步串行口（UART）C、1路串行總線SPID、I2C正確答案：BC8.將料盤進(jìn)行臨時(shí)捆扎時(shí)，需要在料盤上放一盤空料盤，其目的是：()。A、為了美觀B、保護(hù)最上層裸露的芯片C、防止在搬運(yùn)過程中芯片發(fā)生移動D、防潮正確答案：BC答案解析：放置空料盤的目的是：①防止在搬運(yùn)過程中芯片發(fā)生移動；②保護(hù)上層裸露的芯片。9.在薄膜制備的過程中，需要檢驗(yàn)薄膜的質(zhì)量，以下屬于氧化層表面缺陷的是（）。A、針孔B、斑點(diǎn)C、層錯(cuò)D、白霧正確答案：BD10.離子注入過程中，常用的退火方法有（）。A、高溫退火B(yǎng)、快速熱退火C、氧化退火D、電阻絲退火正確答案：AB答案解析：離子注入過程中，常用的退火方法有高溫退火和快速熱退火。11.下列描述錯(cuò)誤的是（）。A、進(jìn)行芯片檢測，首先需要確定產(chǎn)品等級為消費(fèi)級、工業(yè)級還是汽車級，不同等級，測試需求不同；B、從Spec中獲得工作電壓和電流范圍、頻率范圍、輸入輸出信號類型、工作溫度及客戶應(yīng)用環(huán)境模擬條件、掃描鏈、自測等參數(shù)信息C、進(jìn)行芯片檢測，首先需要確定產(chǎn)品封裝類型D、從Spec中獲得芯片相關(guān)的全部信息包括內(nèi)部電路相關(guān)參數(shù)等正確答案：CD12.編帶前光檢的目的是檢查()。A、芯片的數(shù)量是否正確B、芯片的印章是否清晰C、芯片的管腳是否出現(xiàn)扭曲、斷裂D、芯片的電氣參數(shù)正確答案：BC答案解析：編帶前進(jìn)行光檢是為了確保進(jìn)入編帶的芯片印章和管腳都是合格的。芯片數(shù)量在上料前進(jìn)行核對，電氣參數(shù)的檢測是在測試環(huán)節(jié)進(jìn)行的。13.晶圓切割完成后需要先經(jīng)過（）和（）工序，方可進(jìn)入芯片粘接工序。A、晶圓清洗B、晶圓拋光C、第一道光檢D、第二道光檢正確答案：AD答案解析：晶圓切割之后需先經(jīng)過晶圓清洗將切割過程中產(chǎn)生的硅粉塵清除，以及第二道光檢將切割過程產(chǎn)生的不良品剔除，方可進(jìn)入芯片粘接工序14.在全自動探針臺上進(jìn)行扎針調(diào)試時(shí)，需要根據(jù)晶圓測試隨件單在探針臺輸入界面輸入的信息有()。A、晶圓產(chǎn)品名稱B、晶圓印章批號C、晶圓片號D、晶圓尺寸E、X軸步距尺寸F、Y軸步距尺寸正確答案：ABCDEF答案解析：在全自動探針臺上進(jìn)行扎針調(diào)試時(shí)，根據(jù)晶圓測試隨件單，在探針臺操作界面輸入晶圓產(chǎn)品名稱、印章批號、片號等信息，同時(shí)設(shè)定晶圓尺寸、X軸和Y軸等步進(jìn)參數(shù)。15.對于電阻、電容、電感等電子元器件性能參數(shù)進(jìn)行測量，其中有關(guān)的性能參數(shù)有（）。A、標(biāo)稱值B、伏安特性曲線C、極限值與額定值D、顏色與質(zhì)量正確答案：ABC16.管裝外觀檢查時(shí)，需要檢查的內(nèi)容有（）。A、料管內(nèi)的芯片方向是否正確B、芯片管腳是否彎曲C、芯片數(shù)量是否與隨件單一致D、印章是否錯(cuò)誤或損壞正確答案：ABCD17.塑封體上激光打字時(shí)，打印的內(nèi)容可以有（）等。A、產(chǎn)品名稱B、生產(chǎn)日期C、生產(chǎn)批次D、商標(biāo)E、注意事項(xiàng)F、適用范圍正確答案：ABCD答案解析：D選項(xiàng)“商標(biāo)”屬于制造商信息，所以有時(shí)會打印在產(chǎn)品上。18.晶圓檢測工藝中，晶圓完成打點(diǎn)以后需要進(jìn)行墨點(diǎn)烘烤，以下屬于晶圓烘烤環(huán)節(jié)的步驟的是（）。A、將烘烤完的晶圓從烘箱中取出B、用工具將高溫花籃放在高溫烘箱中C、用晶圓鑷子從常溫花籃中夾取晶圓，核對晶圓印章批號D、根據(jù)晶圓片號和花籃刻度放到對應(yīng)的高溫花籃中正確答案：ABCD19.探針卡是晶圓測試重要的材料，對測試結(jié)果起到重要作用。當(dāng)探針卡使用次數(shù)過多會影響扎針測試結(jié)果。過多使用探針卡的表現(xiàn)有（）。A、探針針尖過短B、探針針尖變細(xì)C、探針針尖斷裂D、探針針尖變粗正確答案：ACD20.LK32T102單片機(jī)編寫程序并燒錄的過程中可能會用到的軟件有（）。A、Keil-mdkB、VC++C、串口助手D、Matlab正確答案：AC21.以下是晶圓扎針測試完成后，對于不合格的管芯完成的打點(diǎn)圖，請選擇合格打點(diǎn)的管芯（）。A、圖片B、圖片C、圖片D、圖片正確答案：BC22.AltiumDesigner的設(shè)計(jì)規(guī)則系統(tǒng)的強(qiáng)大功能是（）。A、同種類型可以定義多種規(guī)則B、每個(gè)規(guī)則有不同的對象C、每個(gè)規(guī)則目標(biāo)的確切設(shè)置是由規(guī)則的范圍決定的D、規(guī)則系統(tǒng)使用預(yù)定義優(yōu)先級，來確定規(guī)則適用的對象正確答案：ABCD23.花籃可以分為()。A、高溫實(shí)心花籃B、高溫銅質(zhì)花籃C、高溫塑料花籃D、常溫花籃正確答案：ABD答案解析：花籃分為高溫花籃和常溫花籃，高溫花籃有高溫銅質(zhì)花籃和高溫實(shí)心花籃兩種。24.塑料封裝的主要特點(diǎn)有（）、（）和（）。A、防水、耐高溫B、便于自動化生產(chǎn)C、外殼堅(jiān)硬防劃傷D、成本低廉、質(zhì)量輕E、材料柔和，不損害芯片F(xiàn)、工藝簡單正確答案：BDF25.AltiumDesigner系統(tǒng)可以載入自定義元件庫，下列是自定義元件庫的是（）。A、MiscellaneousDevices.IntLibB、MotorolaAnalogTimerCircuit.IntLibC、MiscellaneousConnectors.IntLibD、MotorolaAmplifierOperationalAmplifier.IntLib正確答案：BD26.防靜電鋁箔袋的作用是（）。A、防靜電B、防電磁干擾C、防潮D、防水正確答案：ABCD答案解析：防靜電鋁箔袋具有防靜電、防電磁干擾、防潮三大功能，具有良好的防水、阻氧、避光等特點(diǎn)，可以最大程度地保護(hù)靜電敏感元器件免受潛在靜電危害。三、判斷題（共35題，每題1分，共35分）1.編帶外觀檢查采用抽檢的方式。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A2.P型半導(dǎo)體又空穴型半導(dǎo)體。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A答案解析：P型半導(dǎo)體又稱空穴型半導(dǎo)體，是以帶正電的空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體。3.上料時(shí)，取下包裹在料管一端的塑料氣泡膜后，需要檢查有無芯片落在氣泡膜內(nèi)。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A4.襯底接觸上的接觸孔必須多打，且應(yīng)盡量密集。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A5.負(fù)性光刻膠經(jīng)曝光過的區(qū)域被溶解，而未曝光的區(qū)域被保留。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：正性光刻膠經(jīng)曝光過的區(qū)域被溶解，而未曝光的區(qū)域被保留。負(fù)性光刻膠經(jīng)曝光后由原來的可溶變?yōu)椴豢扇?，從而未曝光的區(qū)域被溶解，曝光區(qū)域被保留。6.轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行測前光檢時(shí)，會在光檢顯示區(qū)顯示光檢結(jié)果，其中進(jìn)行方向判斷時(shí)，會在界面上顯示的角度360度。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行測前光檢時(shí)，光檢顯示區(qū)的角度說明有：0°、90°、180°、270°，沒有360°。7.儀器設(shè)備應(yīng)按規(guī)定定期檢定合格，并在有效的計(jì)量檢定周期內(nèi)使用。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A8.需要加溫的晶圓是在扎針調(diào)試完后，再對晶圓進(jìn)行加溫。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：需要加溫的晶圓要在加溫結(jié)束后再進(jìn)行扎針調(diào)試。9.為了驗(yàn)證所布線的電路板是符合設(shè)計(jì)規(guī)則的，現(xiàn)在設(shè)計(jì)者要運(yùn)行設(shè)計(jì)規(guī)則檢查DesignRuleCheck(DRC)。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A10.測試夾具常見故障包括：接觸不良、開路短路不良；、表面嚴(yán)重磨損等。（）A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A11.芯片檢測工藝中，由于芯片上有印章且蓋帶透明，所以在編帶完成后不需要在編帶盤上貼小標(biāo)簽。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B12.在Composer里，晶體管長度和寬度的單位默認(rèn)為毫米。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B13.轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)通常是測編一體的設(shè)備。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A14.晶圓越大，晶圓的制造成本越高。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：晶圓越大，晶圓的制造成本越低，但對材料技術(shù)和生產(chǎn)技術(shù)的要求更高。15.領(lǐng)取完待真空包裝的芯片后就可以直接進(jìn)行包裝了。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：要放置于工作區(qū)指定位置，并核對隨件單信息16.在LK32T102單片機(jī)上，“PB->OUTEN=0x0000;”將PB0~PB7引腳配置設(shè)置為輸出。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B17.12英寸的晶圓進(jìn)行單面研磨。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：對300mm的硅片來說，一般進(jìn)行雙面拋光，以保證大直徑硅片的平整度。18.重力式分選機(jī)自動上料時(shí)，放入自動篩選機(jī)入料區(qū)的料管方向沒有特殊要求。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：重力式分選機(jī)自動上料時(shí)，放入自動篩選機(jī)入料區(qū)的料管的方向需要保持一致，且藍(lán)色塞釘一端朝向上料夾具的一側(cè)。19.無鉛電鍍是在暴露于塑封體外部的引線框架表面鍍上濃度高于95.99%的高濃度錫，采用無鉛電鍍主要是因?yàn)槠渖a(chǎn)成本相對較低。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：無鉛電鍍采用的錫濃度高于99.95%，采用無鉛電鍍主要是為了減少鉛對環(huán)境的污染。20.在版圖設(shè)計(jì)中，使用源漏共享可以減小版圖面積。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A21.若遇到需要高溫加熱的晶圓，需要根據(jù)晶圓測試隨件單上的加溫條件進(jìn)行加溫后再調(diào)整打點(diǎn)器墨點(diǎn)