DB13T 1314-2010 太陽能級(jí)單晶硅方棒、單晶硅片_第1頁
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DB13DB13/T1314—2010太陽能級(jí)單晶硅方棒、單晶硅片河北省質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布I1GB/T1554硅晶體完整性化學(xué)GB/T2828.1計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第一部2指單晶硅片在白熾燈或熒光燈下，肉眼明顯可見的指切割時(shí)在單晶硅片表面留下的輕微不規(guī)則凹凸直線狀痕跡?；挾绕頲hamferwidthdeΦ220mm或由供需雙方商定規(guī)格；按單晶硅方棒、單晶硅片的形狀和外形尺寸(注：a×a/φ見圖1,100×100/127、103×103/135、125×125/150、125×125/165、13L—弦長。素位錯(cuò)密度個(gè)N型45）～（硅片邊長的3/4＞長度＞硅片邊>15μm，≤25μm>25μm，≤70μm總厚度變>25μm，≤35μm>35μm，≤70μm>30μm，≤40μm>40μm，≤70μm凹坑、“V”型缺口、孔洞，無硅膠殘留，表面無沾污和異常斑硅片表面不允許有裂紋，目視無凹硅片表面不允許有裂紋，目視無68.1.1.3單晶硅片的出廠檢驗(yàn)項(xiàng)目為：厚度、總厚度變化、翹曲度、外觀、表7產(chǎn)品檢測(cè)按GB/T2828.1一般檢查水平Ⅱ,正常檢查一次抽樣方案進(jìn)行，

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