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文檔簡介
附件:電子行業(yè)計量技術規(guī)范項目建議書建議項目名稱在片SOLT校準件校準規(guī)范制定或修訂█制定□修訂被修訂計量技術規(guī)范號計量技術規(guī)范性質□檢定規(guī)程█校準規(guī)范計量技術規(guī)范類別□重點█基礎主要起草單位中國電子科技集團公司第十三研究所聯(lián)系人霍曄聯(lián)系電9117798095040任務年限1年申請經(jīng)費4萬元參加單位中國電子科技集團公司第四十一研究所具備的特點█安全█節(jié)能█環(huán)保█自主創(chuàng)新□其他___目的、意義和必要性1.指出該計量技術規(guī)范項目編制的目的、意義,描述涉及安全、節(jié)能、環(huán)保、自主創(chuàng)新等方面的特點和發(fā)揮的作用,解決行業(yè)、產(chǎn)業(yè)的問題和必要性、迫切性;1.1編制的目的和意義在片SOLT校準件是在片S參數(shù)測量系統(tǒng)的必備工具之一,主要用途是對在片S參數(shù)測量系統(tǒng)進行校準,消除系統(tǒng)誤差。在片SOLT校準件由短路(short)、開路(open)、負載(load)和直通(thru)組成的校準組件,在片SOLT校準件的原理是通過用在片S參數(shù)測量系統(tǒng)分別測量其短路、開路、負載和直通校準件的原始數(shù)據(jù),得到十二項或八項系統(tǒng)誤差項,通過誤差項修正得到DUT(被測件)的測量值。目前,在使用在片SOLT校準件校準時,均采用廠家給的定義值:包括特征阻抗Z0(50Ω),開路電容Copen,短路電感Lshort,負載電阻R和負載電感Lload,直通延時tdelay、參考延時ref-tdelay和參考損耗ref-loss。但隨著長時間的使用,探針與校準件頻繁的接觸,校準件會出現(xiàn)不同程度的磨損,導致校準件參數(shù)量值發(fā)生了偏差,若繼續(xù)使用廠家定義值會使測量結果不準。編制《在片SOLT校準件校準規(guī)范》能夠保證在片校準件的準確性和一致性。1.2規(guī)范特點及必要性和迫切性在片S參數(shù)是微波毫米波半導體器件最基礎、最重要的微波參數(shù)之一,涵蓋了反射與傳輸特性、幅度與相位特性,能對大部分在片器件如低噪放、功率單片、衰減器等裸芯片的微波特性進行合理的表征。測試芯片S參數(shù)前,需對系統(tǒng)進行校準,在片SOLT校準件是應用最廣泛的校準件,如果其量值偏差大,會導致被測芯片S參數(shù)出現(xiàn)偏差,從而降低設計效率,影響器件性能。由于上述在片SOLT校準件的重要性以及應用的普遍性,如果校準件的準確性、一致性出現(xiàn)問題,將直接影響被測件量值的準確性。為了保障在片SOLT校準件的準確性,須對其進行可靠的計量校準工作,目前國內沒有在片SOLT校準件的校準規(guī)范,因此編制《在片SOLT校準件校準規(guī)范》就顯得尤為迫切和必要。2.先進性和亮點、社會效益和推廣應用前景;2.1先進性和亮點一:在片SOLT校準件的參數(shù)定值方法。通過校準件的等效電路,建立測量模型,通過測量校準件的長度,直流電阻和用校準準確度最高的多線TRL校準方法對在片S參數(shù)測量系統(tǒng)進行校準、校準完后測量在片校準件的S參數(shù)。開路、短路、負載和直通(傳輸線)的測量示意圖如圖1~圖4所示。根據(jù)測量示意圖可以計算得到在片SOLT校準件的參數(shù)量值。(1)開路電容圖1開路校準件測量示意圖(2)短路電感圖2短路校準件測量示意圖(3)負載電感和電阻圖3負載校準件測量示意圖(4)直通(傳輸線)延時、參考延時和參考損耗圖4直通(傳輸線)測量示意圖2.2先進性和亮點二:在片SOLT校準件的參數(shù)量值不確定度通過測量模型,根據(jù)在片S參數(shù)測量不確定度,用蒙特卡洛評定測量不確定度的方法得到開路電容、短路電感、負載電感等參數(shù)的測量不確定度。2.3社會效益和推廣應用前景《在片SOLT校準件校準規(guī)范》的制定,可以保證在片校準件量值統(tǒng)一、準確、可靠,從而提升半導體器件電路的設計效率,保證工藝質量可靠。規(guī)范此類校準方法,推進國產(chǎn)化進程,具有一定的經(jīng)濟效益和顯著的社會效益,應用前景廣闊。3.查新結果(國家、本行業(yè)或其他行業(yè)是否有相關技術規(guī)范);國內無在片SOLT校準件計量技術規(guī)范,JJF(軍工)162-2017《網(wǎng)絡分析儀在片測量系統(tǒng)校準規(guī)范》規(guī)定了用已知量值的檢驗件校準在片矢量網(wǎng)絡分析儀的方法,表征的是反射幅度、傳輸幅度和傳輸相位。不適用于在片SOLT校準件開路電容、短路電感等參數(shù)的校準,不滿足計量需求。范圍和主要計量特性1.計量技術規(guī)范的適用范圍;適用于新制造、新購置、修理后、使用中的在片SOLT校準件的校準。2.以典型儀器或試驗設備(注明儀器型號)為依據(jù),提出計量特性的技術指標,包括其名稱、測量范圍和最大允許誤差;典型儀器型號:101190技術指標名稱測量范圍最大允許誤差/測量不確定度頻率1GHz~50GHz/開路電容-30fF~-5fF0.1fF~2.0fF(k=2)短路電感-30pH~20pH0.1pH~3.0pH(k=2)負載電阻45Ω~55Ω±0.3%負載電感-5pH~15pH0.1pH~3.0pH(k=2)直通延時0.9ps~1.1ps0.06ps~0.10ps(k=2)傳輸線參考延時1ps~40ps0.06ps~1.5ps(k=2)傳輸線參考損耗0.10dB~0.95dB0.02dB~0.08dB(k=2)3.主要測量標準的技術指標:校準用設備應經(jīng)過計量技術機構檢定或校準,滿足使用要求,并在有效期內。(1)在片S參數(shù)校準裝置圖5在片S參數(shù)校準裝置在片S參數(shù)標準件校準裝置如圖5所示,包含了多線TRL校準件、矢量網(wǎng)絡分析儀、多線TRL校準軟件、微波探針和探針臺等。頻率范圍:1GHz~50GHz;S21模:0dB~40dB,U=0.13dB~0.40dB(k=2);S21相位:-180°~180°,U=1.5°~4°(k=2);S11模:0~1,U=0.015~0.05(k=2);S11相位:-180°~180°;U:1.5°~180°(k=2);(2)數(shù)字多用表測量范圍:30Ω~60Ω;允許誤差:優(yōu)于±0.07%。(3)顯微鏡測量范圍:100μm~22mm;允許誤差:優(yōu)于±2μm。4.簡要描述主要計量項目的技術原理。在片SOLT校準件外觀應完好無損。數(shù)字多用表、在片S參數(shù)校準裝置至少預熱30min;按被測在片SOLT校準件的計量特性,設置掃描類型、頻率、掃描點數(shù)、中頻帶寬(應不大于200Hz);根據(jù)多線TRL校準軟件提示,采用多線TRL校準件對在片S參數(shù)校準裝置用多線TRL方法進行校準。依次將多線TRL校準件放置于探針臺,完成自校準。然后開始測試,步驟如下:(1)開路電容(a)在在片S參數(shù)校準裝置探針端口1和探針端口2連接在片開路校準件;(b)設置測量參數(shù)為S11,設置數(shù)據(jù)格式為實部Real和虛部Imaginary;(c)設置測量參數(shù)為S22,設置數(shù)據(jù)格式為實部Real和虛部Imaginary;圖6在片S參數(shù)校準裝置校準在片SOLT校準件示意圖(d)開路電容如式(1)和(2)所示。(1)(2)其中,(3)式中:——開路校準件1端口電容值,F(xiàn);——開路校準件2端口電容值,F(xiàn);——開路校準件1端口反射系數(shù)實部和虛部測量值;——開路校準件2端口反射系數(shù)實部和虛部測量值;——特征阻抗,50Ω;——角頻率,rad/s;f——頻率,Hz。(2)短路電感(a)在在片S參數(shù)校準裝置探針端口1和探針端口2連接在片短路校準件;(b)設置測量參數(shù)為S11,設置數(shù)據(jù)格式為實部Real和虛部Imaginary;(c)設置測量參數(shù)為S22,設置數(shù)據(jù)格式為實部Real和虛部Imaginary;(e)短路電感如式(4)和(5)所示。(4)(5)式中:——短路校準件1端口電感值,H;——短路校準件2端口電感值,H;——短路校準件1端口反射系數(shù)實部和虛部測量值;——短路校準件2端口反射系數(shù)實部和虛部測量值;——特征阻抗,50Ω;——角頻率,rad/s;f——頻率,Hz。(3)負載電阻用數(shù)字多用表電阻測量功能測量負載校準件的直流電阻。(a)數(shù)字多用表選擇電阻測量功能,將微波探針同軸端連接至數(shù)字多用表;(b)將微波探針的探針尖壓于短路校準件上,將數(shù)字多用表電阻讀書歸零,測量示意圖如圖7所示;(c)將微波探針的探針尖壓于負載校準件上,讀取并記錄負載電阻值測量示意圖如圖8所示。圖7數(shù)字多用表測量短路校準件電阻示意圖圖8數(shù)字多用表測量負載校準件電阻示意圖(4)負載電感(a)在在片S參數(shù)校準裝置探針端口1和探針端口2連接在片負載校準件;(b)設置測量參數(shù)為S11,設置數(shù)據(jù)格式為實部Real和虛部Imaginary;(c)設置測量參數(shù)為S22,設置數(shù)據(jù)格式為實部Real和虛部Imaginary;(e)負載電感如式(6)和(7)所示。(6)(7)式中:——負載校準件1端口電感值,H;——負載校準件2端口電感值,H;——負載校準件1端口反射系數(shù)實部和虛部測量值;——負載校準件2端口反射系數(shù)實部和虛部測量值;——負載校準件1端口電阻值,Ω;——負載校準件2端口電阻值,Ω;——特征阻抗,50Ω;——角頻率,rad/s;f——頻率,Hz。(5)直通延時(a)用多線TRL校準軟件得到直通校準件的有效介電常數(shù),如公式(8)~(15)所示;(8)(9)(10)(11)(12)(13)(14)(15)式中:i——第i個傳輸線;j——第j個傳輸線;Mi——第i個傳輸線的傳輸矩陣;X、Y——多線TRL校準時兩個誤差網(wǎng)絡的傳輸矩陣;、——Mij的特征值;——傳輸線傳播常數(shù);——傳輸線衰減常數(shù);——角頻率,rad/s;——有效介電常數(shù);——光在真空中的傳播速度,3×108m/s。(b)用顯微鏡測量直通校準件的長度,測量示意圖如圖9所示,根據(jù)式(16)計算直通校準件的延時。(16)式中:——直通校準件的延時,s;——直通校準件的長度,m;1——探針與直通校準件接觸的長度,一般取7×10-5m;——光在真空中的傳播速度,3×108m/s;——直通校準件的有效介電常數(shù)。圖9顯微鏡測量直通長度示意圖(6)傳輸線參考延時(a)用多線TRL校準軟件得到傳輸線(根據(jù)被校在片直通校準件的定義選擇相應的傳輸線,如101190選擇3500μm長的傳輸線)的有效介電常數(shù),如公式(8)~(15)所示;(b)用測量顯微鏡測量傳輸線的長度,測量示意圖如圖10所示,根據(jù)式(17)計算傳輸線的參考延時。(17)式中:——傳輸線的參考延時,s;——傳輸線的長度,m;1——探針與傳輸線接觸的長度,一般取7×10-5m;——光在真空中的傳播速度,3×108m/s;——傳輸線的有效介電常數(shù)。圖10顯微鏡測量傳輸線長度示意圖(7)傳輸線參考損耗(a)用多線TRL校準軟件得到傳輸線的衰減常數(shù),如公式(8)~(15)所示;(b)用顯微鏡測量傳輸線(根據(jù)被校在片直通校準件的定義選擇相應的傳輸線,如101190選擇3500μm長的傳輸線)的長度,測量示意圖如圖10所示,根據(jù)式(18)計算傳輸線的參考損耗;(18)式中:——傳輸線的長度,m;——40GHz時傳輸線的參考損耗值,dB;——40GHz時傳輸線的衰減常數(shù),dB/m。水平□國際先進█國內先進國內外情況簡要說明1.與國內相關技術規(guī)范之間的關
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