數(shù)字智慧方案面向智能某著名企業(yè)的全方位解決方案

面向智能某著名企業(yè)的全方位解決方案如下材料為本公司擁有的文件，盡管本公司以審慎的態(tài)度確認(rèn)這些材料傳遞信息的準(zhǔn)確性，但是，這種審慎的態(tài)度并不構(gòu)成任何本公司對該些材料準(zhǔn)確性的保證。這些材料按“現(xiàn)狀”提供，只能作參考之用。本公司對任何第三方基于該使用材料而造成的損害概不承擔(dān)任何責(zé)任。這些材料本公司事先書面，，不得對外發(fā)布。免責(zé)聲明華虹NEC和宏力全方位的代工解決方案華虹NEC和宏力發(fā)展策略及增值服務(wù)智能某著名企業(yè)為半導(dǎo)體業(yè)帶來新機(jī)遇中國智能某著名企業(yè)產(chǎn)業(yè)政策與發(fā)展現(xiàn)狀I(lǐng)IIIIIIV目錄華虹NEC和宏力全方位的代工解決方案華虹NEC和宏力發(fā)展策略及增值服務(wù)智能某著名企業(yè)為半導(dǎo)體業(yè)帶來新機(jī)遇IIIIIIV

目錄中國智能某著名企業(yè)產(chǎn)業(yè)政策與發(fā)展現(xiàn)狀I(lǐng)

美國在引入智能某著名企業(yè)后，預(yù)計到2030年，電能需求量可減少

2000億度電這也相當(dāng)于減少CO2排放

2億噸，或等同于

5000萬輛汽車的CO2排放量在間接節(jié)能方面，由于智能某著名企業(yè)可實現(xiàn)諸如混合動力汽車、風(fēng)能等其他新能源某著名企業(yè)的接入，可減少體排放Source:USEPRI

走進(jìn)智能某著名企業(yè)走向低碳生活十二五：智能某著名企業(yè)全面建設(shè)期Source：拓墣產(chǎn)業(yè)研究所，2011/12第一階段(2009~2010年)規(guī)劃試點階段制定規(guī)劃建立系統(tǒng)全面的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)體系研制關(guān)鍵技術(shù)設(shè)備試點建設(shè)示范工程投資規(guī)模4萬億元人民幣受益領(lǐng)域：特高壓設(shè)備智能電表第二階段(2011~2015年)全面建設(shè)階段全面建設(shè)智能某著名企業(yè)完善技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)體系關(guān)鍵技術(shù)和設(shè)備的研制實現(xiàn)重大突破投資預(yù)計2萬億元人民幣受益領(lǐng)域：特高壓設(shè)備變電智能化智能電表配電自動化充電站和充電樁第三階段(2016~2020年)引領(lǐng)提升階段完善智能某著名企業(yè)的綜合水準(zhǔn)推廣智能化關(guān)鍵技術(shù)和設(shè)備提高清潔能源裝機(jī)比例實現(xiàn)【即插即用】分散式電源投資1.7萬億元人民幣受益領(lǐng)域：分散式電源和儲能設(shè)施智能建筑充電站和充電樁變電智能化智能某著名企業(yè)三步走進(jìn)程華虹NEC和宏力全方位的代工解決方案華虹NEC和宏力發(fā)展策略及增值服務(wù)智能某著名企業(yè)為半導(dǎo)體業(yè)帶來新機(jī)遇IIIIIIV

目錄中國智能某著名企業(yè)產(chǎn)業(yè)政策與發(fā)展現(xiàn)狀I(lǐng)傳統(tǒng)和新能源新型電力接入電能輸送和配發(fā)電能消費MotorDrive：AC/DC/ACPowerSupply：

AC/DC,PowerManagementEndpoint：

DC/DC,Lighting半導(dǎo)體工業(yè)將在電能產(chǎn)生、傳輸和消費中得到最廣泛的應(yīng)用。半導(dǎo)體在智能某著名企業(yè)中有諸多機(jī)會太陽能光伏成長空間巨大“十二五”能源規(guī)劃提出2015年太陽能發(fā)電將達(dá)1500萬千瓦，年發(fā)電量200億千瓦時風(fēng)能裝機(jī)容量將成倍增長截至2011年10月份，中國國內(nèi)并網(wǎng)風(fēng)電裝機(jī)容量已達(dá)3913萬千瓦十二五規(guī)劃提出到2015年將達(dá)1億千瓦，年發(fā)電量1900億千瓦時新型可再生能源的出現(xiàn)對于能源的接入和管理提出了挑戰(zhàn)，需要大量半導(dǎo)體器件來實現(xiàn)：逆變器MCU/DSPIGBT/MOSFET等功率分立器件可再生能源發(fā)電對于并網(wǎng)提出了挑戰(zhàn)HVDC直流輸電等技術(shù)由于長距離節(jié)能、節(jié)地、環(huán)保等優(yōu)點，在我國的應(yīng)用前景廣泛集成HVDC柔性輸電技術(shù)的IGBT換流器，已經(jīng)在南匯風(fēng)電場投入運行，并在大連、舟山等地推廣。國內(nèi)試驗成功，可提高能效并降低損耗IGBT換流器的采用使電力電子真正實現(xiàn)電壓全控制，也實現(xiàn)小型化，控制電壓低壓化，節(jié)省復(fù)雜而笨重的控制部分，為某著名企業(yè)智能化掃清了障礙長距離輸變技術(shù)和控制智能化智能某著名企業(yè)的心臟--智能電表的需求將快速擴(kuò)張從機(jī)械表的替代，到自動抄表（AMR）向高級計量（AMI）的發(fā)展，充分顯示了可持續(xù)性發(fā)展到2020年，中國智能電表芯片使用量將達(dá)到24億顆，市場規(guī)模達(dá)3000億元人民幣。其中分為5類

MCU:

4.4億顆時鐘芯片:

4.4億顆計量芯片:

4.4億顆通信芯片:

4.4億顆安全芯片:

7億顆Source:ChinaEPRISource:拓墣產(chǎn)業(yè)研究所AMI系統(tǒng)架構(gòu)電能分配的心臟--智能電表智能某著名企業(yè)通訊電力線載波（PLC）是傳統(tǒng)的主流通訊方式無線收發(fā)芯片ZigbeeGPRS，WLAN，藍(lán)牙融合電力與信息通信，實現(xiàn)共贏局面今年以來，國家密集出臺政策鼓勵多方參與通信領(lǐng)域的建設(shè)和經(jīng)營，“電力光纖入戶”迎來廣闊的產(chǎn)業(yè)發(fā)展空間光通訊光通訊控制芯片高速集成光器件智慧城市智能某著名企業(yè)使能源消費更加高效化和集中化，有效推動新能源汽車發(fā)展與傳統(tǒng)汽車相比，新能源汽車將消耗更多的半導(dǎo)體芯片：MCU(嵌入式閃存微控制器)電源管理(PMIC)精密模擬芯片PowerMOSFET/IGBTCMOS圖像傳感器MEMS傳感器……電能消費和應(yīng)用--新能源汽車(平均每臺汽車使用30-40顆MCU芯片)新能源汽車（特別是電動汽車）的推廣使用將使能源的消費從化學(xué)能轉(zhuǎn)化成電能預(yù)計2015年至少有100萬輛電動汽車上路；2020年中國將成為世界最大的新能源汽車市場華虹NEC和宏力全方位的代工解決方案華虹NEC和宏力發(fā)展策略及增值服務(wù)智能某著名企業(yè)為半導(dǎo)體業(yè)帶來新機(jī)遇IIIIIIV

目錄中國智能某著名企業(yè)產(chǎn)業(yè)政策與發(fā)展現(xiàn)狀I(lǐng)SmartgridWindPowerPowerTrain600V1200V1700V6500V……VoltageCurrentIGBT在各個領(lǐng)域地位愈發(fā)重要SolarInverterHEV/EVUPSWeldingMachineInductionCookerWhiteGoodsMotorControlDSCStrobeFlashAutoIgnition發(fā)電和輸電:IGBT器件作用持續(xù)增加逐漸取代SCR和GTO新能源:可再生能源并網(wǎng)的關(guān)鍵用電環(huán)節(jié)：IGBT器件使電能轉(zhuǎn)化效率大大提高目前全球IGBT制造技術(shù)開始邁入8寸時代，甚至已經(jīng)開始12寸生產(chǎn)線的研究；超過8家工廠（IDM）開始使用8寸生產(chǎn)線生產(chǎn)IGBT；華虹NEC是國內(nèi)第一個提供IGBT技術(shù)的8英寸晶圓代工廠:1200VNPT技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)；1700VNPT技術(shù)即將進(jìn)入量產(chǎn)；600V~6500V的fieldstopIGBT技術(shù)正在開發(fā)中，其中6500VIGBT技術(shù)已達(dá)到7100V的阻斷電壓到2020年，我國智能電表芯片使用量將達(dá)24億顆，平均每年2.4億顆華虹NEC與宏力的模擬工藝技術(shù)和嵌入式閃存技術(shù)非常適合以上各種類型的芯片

智能電表芯片解決方案Source:ChinaEPRI,TRI已集成嵌入式閃存存儲器主要智能電表芯片分類現(xiàn)有客戶市場滲透率Metering計量芯片4.4億顆>50%MCU微控制器4.4億顆>30%Security安全芯片7億顆>25%RTC時鐘芯片4.4億顆>5%PLC電力線載波芯片4.4億顆>30%

高精度模擬工藝及發(fā)展模擬系列工藝平臺符合高精度模擬設(shè)計需要，從0.5um延伸到0.18um10多年成熟量產(chǎn)，高可靠性豐富的高精度模擬IP選擇同時提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的OTP/MTP，便于產(chǎn)品線延伸在智能電表計量、控制和時鐘控制產(chǎn)品方面保持高占有率CZ6H+SCZ6S

基于CZ6H的shrinkCZ6H+FEOL

0.5umBEOL

0.35um0.13um0.13um高性能模擬CMOS

0.18um0.18um高效低成本CMOS

低功耗工藝平臺與超低漏電工藝平臺，可大幅度降低靜態(tài)電流損耗，從而降低待機(jī)功耗行業(yè)內(nèi)面積最小的嵌入式閃存IP為各類MCU微處理器芯片提供最優(yōu)化解決方案，芯片總面積相比其他公司方案節(jié)省20%~30%0.18微米嵌入式閃存技術(shù)優(yōu)勢A-180-ESF10.13微米嵌入式SONOS閃存和EE0.13umSONOS技術(shù)是高度可縮小化的技術(shù)，可以延展到0.05微米甚至更遠(yuǎn)。相比傳統(tǒng)浮柵（FloatingGate)閃存單元結(jié)構(gòu)，有以下優(yōu)點：SONOS工藝簡單，制造成本低，具有與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝高度兼容性更高的可靠性：一百萬次擦寫能力，30年數(shù)據(jù)保存能力更低靜態(tài)功耗實現(xiàn)Flash和EEPROM的完美兼容更小的IP面積等目前智能某著名企業(yè)中的主要芯片都已在該工藝上量產(chǎn)，其中部分產(chǎn)品占據(jù)整個市場份額的50%以上0.13umSRAMleakage：Only0.1pA/BitcellEEPROMCellSizeComparisonTable高端MCU平臺MCUCore/SRAM/ROM/CoreLogicE-Flash/EEPROMMemoryAnti-NoiseVCCGNDIOCells

VCCGNDADC/Comparator/USBTransceiverVCCGNDOscillatorPad/RCOscillator

VCCGND

VoltageRegulator/PMUVCCGNDVDDPOR/BORVDDGNDVoltageDetectorVCCGND已取得ARMCortex-M0授權(quán)，方便ARM內(nèi)核，切入高端市場豐富和可靠的0.18um和0.13um的嵌入式Flash和真正的EEPROM，適合高端高可靠的應(yīng)用豐富和可靠的自有和第三方IP（如USB1.1，USB2.0highSpeed)降低客戶設(shè)計時間，提高客戶成功率面向光網(wǎng)絡(luò)的芯片解決方案電力光纖入戶推動光通訊的發(fā)展，需要大量的光通訊芯片（EPON/GPON/TIA/LA/LD）由于某著名企業(yè)的特殊工作環(huán)境，需要干擾少，穩(wěn)定性高的芯片；華虹NEC和宏力可以提供SiGeBiCMOS（HBTFt:120~150GHz）和0.18-0.11um的RFCMOS可以分別用于開發(fā)高速和低速，滿足某著名企業(yè)特別應(yīng)用的芯片；華虹NEC還是國內(nèi)第一家0.18um及以下的SiGeBiCMOS工藝生產(chǎn)線

新能源汽車用半導(dǎo)體解決方案IGBT,

功率MOSFET,MCU,電池管理IC,馬達(dá)控制IC是新能源汽車的核心部件華虹NEC和宏力全方位的代工解決方案華虹NEC和宏力發(fā)展策略及增值服務(wù)智能某著名企業(yè)為半導(dǎo)體業(yè)帶來新機(jī)遇IIIIIIV

目錄中國智能某著名企業(yè)產(chǎn)業(yè)政策與發(fā)展現(xiàn)狀I(lǐng)概況ShanghaiHQJapanOfficeTaiwanOfficeUSOffice3,800名員工34億美元投資總額全球前五大純半導(dǎo)體代工廠大陸最大8英寸代工廠3條8英寸生產(chǎn)線，月產(chǎn)能14萬片8英寸硅片GraceFabsHHNECFab1HHNECFab2HHNEC

Capacity

W/MTechnologycapabilityFab18”56K110nm

Fab28”34K350nm

Grace

Capacity

W/MTechnologycapabilityFab1

8”50k90nm

Fab28”26k(planning)90nm

Fab312”HuaLi55nm公司總部位于中國上海在臺灣、日本、北美和歐洲等地均提供銷售與技術(shù)支持成為您可信賴的專注于差異化技術(shù)的晶圓代工伙伴華虹之芯造福世界

公司愿景在差異化技術(shù)領(lǐng)域，致力于成為領(lǐng)先的、可信賴的晶圓代工合作伙伴

手機(jī)功放無繩電話GPSWLAN光通信藍(lán)牙…射頻RFSiGeBiCMOS嵌入式非揮發(fā)性存儲器EmbeddedNon-VolatileMemory邏輯/數(shù)?；旌螸ogic/Mix-Signal功率分立器件PowerDiscreteDevice模擬/電源管理ICAnalog&PowerManagementIC0.25/0.18/0.13umeFlash0.35/0.18/0.13umeEEPROM0.35/0.18umeOTP/MTP1umBCD700V0.35/0.18umBCD40V0.35/0.13umCDMOS40V20-200VPowerMOSFET600VHVMOSFET600-700VSJNFET1200VIGBT0.18umLogic/MS0.15umLogic/MS0.13umLogic/MS0.115umLogic/MS0.25/0.18umRFCMOS0.35/0.18/0.13umSiGeBiCMOS0.13umSOIRFCMOSIPD智能卡安全電子票ETC通用MCU觸摸控制器…手機(jī)室內(nèi)照明電機(jī)驅(qū)動智能電表數(shù)碼相機(jī)/數(shù)碼攝像機(jī)音頻功放…開關(guān)電源計算機(jī)主板基站白色家電電機(jī)…手機(jī)液晶電視平板電腦家電計算機(jī)…特色工藝代工技術(shù)平臺領(lǐng)先的嵌入式存儲器代工解決方案提供商全球最大的智能卡技術(shù)方案提供商，涵蓋某著名企業(yè)卡、U-key、社保卡、銀行卡以及眾多安全芯片。2011年15億張SIM卡出貨量，占全球30%市場份額

；生產(chǎn)的某著名企業(yè)支付芯片國內(nèi)第一個通過銀行檢測中心檢測；大部分智能卡芯片在國內(nèi)均超過了50%以上市場份額世界最大的觸控芯片制造商,超過20萬片出貨量；全球第一個提供NVM+高壓的工藝技術(shù)，是最佳的超高信噪比觸控解決方案超低成本OTP方案提供業(yè)界最高性價比的MCU方案與ARM的戰(zhàn)略合作，提供低功耗32位MCU的完整解決方案超過40萬片0.13um和接近80萬片0.18umNVM的wafer的出貨，產(chǎn)品性能在全球各種氣候、各種得到嚴(yán)格驗證領(lǐng)先的嵌入式存儲器代工廠全球主要的模擬/電源管理IC技術(shù)代工廠久經(jīng)驗證的精密模擬系列工藝，從工藝線寬從0.5um直到0.13um，使用電壓從8V到3.3V，都有大量產(chǎn)品的實例證明（例如高精度計量IC的產(chǎn)品在2011年智能電表市場超過50%的市場份額；）全系列的BCD/CDMOS工藝提供商,涵蓋從1um到0.13um,1.8V到700V，適合中到高電壓的模擬設(shè)計，特別是電源管理IC：如LED室內(nèi)照明、LED背光和業(yè)界主流的DC-DC產(chǎn)品，專為能效6設(shè)計的電源IC；還有集成MCU的高級智能電池保護(hù)IC、智能家居控制SOC等高端產(chǎn)品累計出貨超過30萬片BCD工藝和40萬片精密模擬工藝一站式模擬/功率IC技術(shù)提供商全球第一個8英寸功率器件代工廠全球最大的功率器件代工廠，累計出貨三百萬片8英寸晶圓全球第一個提供SuperJunctionVDMOS工藝的代工廠，提供專利的獨特技術(shù)國內(nèi)第一個提供IGBT技術(shù)的8英寸代工廠，1200VIGBT進(jìn)入量產(chǎn)正在開發(fā)1700V~6500VIGBT，其中后者已經(jīng)達(dá)到7100V的阻斷電壓十年眾多復(fù)雜類型產(chǎn)品的開發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗極大地提高客戶成功率，并有效地降低客戶產(chǎn)品投放市場時