（17）晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)專題-2025屆高考化學(xué)百日沖刺小題特訓(xùn)

（17）晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)專題——2025屆高考百日沖刺小題特訓(xùn)1.類比和推理是中學(xué)化學(xué)學(xué)習(xí)的重要方法，下列推測(cè)合理的是()A冰晶體中分子采用非密堆積氨晶體中分子也采用非密堆積B晶體是分子晶體晶體也是分子晶體C分子為正四面體形，鍵角為分子也是正四面體形，鍵角也是D呈直線形，中心原子采用sp雜化呈直線形，中心原子也采用sp雜化A.A B.B C.C D.D2.加熱煮沸濃NaOH溶液和白磷反應(yīng)可制，該過程同時(shí)可獲得。其中一個(gè)反應(yīng)為。下列說法不正確的是()A.熱穩(wěn)定性：，沸點(diǎn)：B.與都是分子晶體C.制備過程中有極性鍵、非極性鍵的斷裂，也有極性鍵、非極性鍵的形成D.的配位能力比強(qiáng)，這是由于配體中的P存在3d空軌道3.某鋰離子電池電極材料結(jié)構(gòu)如圖。結(jié)構(gòu)1是鈷硫化物晶胞的一部分，可代表其組成和結(jié)構(gòu)；晶胞2是充電后的晶胞結(jié)構(gòu)；晶胞3中P的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0，0，0)，所有晶胞均為立方晶胞。下列說法正確的是()A.晶胞2中Li的配位數(shù)是4B.晶胞2和晶胞3是兩種不同構(gòu)型的C.結(jié)構(gòu)1鈷硫化物的化學(xué)式為D.晶胞3中M的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為4.某鋰離子電池電極材料結(jié)構(gòu)如圖。結(jié)構(gòu)1是鈷硫化物晶胞的一部分，可代表其組成和結(jié)構(gòu)；晶胞2是充電后的晶胞結(jié)構(gòu)；所有晶胞均為立方晶胞。下列說法正確的是()A.結(jié)構(gòu)1的化學(xué)式可表示為B.晶胞2中與的最短距離為C.充電前后與S距離最近的金屬原子數(shù)目相同D.晶胞2和晶胞3表示同一晶體5.金屬鐵因生產(chǎn)工藝和溫度不同，會(huì)有不同的晶體結(jié)構(gòu)。和的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說法正確的是()A.中鐵原子的配位數(shù)為12B.1個(gè)晶胞的質(zhì)量約為gC.金屬鐵因?yàn)橛凶杂梢苿?dòng)的離子而具有導(dǎo)電性D.與性質(zhì)完全相同6.汞及其化合物在我國(guó)應(yīng)用的歷史悠久，可用作醫(yī)藥、顏料等。一種含汞化合物的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該晶胞的密度為，A的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為。下列說法正確的是()A.B的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為B.晶胞中相鄰的兩個(gè)之間的距離為C.阿伏加德羅常數(shù)為D.圖2是晶胞的俯視圖7.錳的某種氧化物的四方晶胞及其在xy平面的投影如圖所示，當(dāng)晶體有O原子脫出時(shí)，形成O空位會(huì)使晶體具有半導(dǎo)體性質(zhì)。下列說法正確的是()A.錳元素基態(tài)原子的價(jià)電子排布圖為：B.該氧化物化學(xué)式為C.出現(xiàn)O空位，的化合價(jià)升高D.晶體難以通過形成O空位具有半導(dǎo)體性質(zhì)8.下列物質(zhì)中，含有極性共價(jià)鍵的離子晶體是()A. B. C. D.9.已知晶體屬立方晶系，晶胞邊長(zhǎng)a.將摻雜到該晶胞中，可得到一種高性能的p型太陽能電池材料，其結(jié)構(gòu)單元如圖所示。假定摻雜后的晶胞參數(shù)不發(fā)生變化，下列說法正確的是()A.該結(jié)構(gòu)單元中O原子數(shù)為3 B.Ni和Mg間的最短距離是aC.Ni最近且等距的O原子個(gè)數(shù)為4 D.該物質(zhì)的化學(xué)式為10.科研工作者合成了低溫超導(dǎo)化合物M，再利用低溫去插層法，獲得了一個(gè)新化合物N。二者的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說法正確的是()A.去插層過程中Cs元素均轉(zhuǎn)化為Cs單質(zhì)B.N的化學(xué)式為C.M中與Cs原子最臨近的Se原子有2個(gè)D.N中V原子填充了Se原子構(gòu)成的正八面體空隙11.實(shí)驗(yàn)室制取的原理為，氫氟酸可用來刻蝕玻璃，發(fā)生反應(yīng)：。的立方晶胞如圖所示，其晶胞參數(shù)為。下列說法錯(cuò)誤的是()A.氫化物的穩(wěn)定性：B.、、三者的中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)相等C.的晶體密度為(為阿伏加德羅常數(shù)的值)D.晶體中與之間的最近距離為晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)的12.已知圖甲為金屬鈉的晶胞，晶胞棱長(zhǎng)為apm，其晶胞截面如圖乙所示。圖丙為ZnS晶胞截面，已知ZnS屬立方晶體，假設(shè)晶胞棱長(zhǎng)為dpm。下列關(guān)于ZnS晶胞的描述錯(cuò)誤的是()A.每個(gè)晶胞中含有的數(shù)目為4B.與距離最近且相等的有8個(gè)C.該晶胞中兩個(gè)距離最近的和的核間距的計(jì)算表達(dá)式為D.ZnS晶體的密度為（表示阿伏加德羅常數(shù)的值）13.由銅、銦、鎵、硒組成的晶體屬于四元半導(dǎo)體化合物，原子填充在與(或)圍成的四面體空隙中，晶胞棱邊夾角均為，設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值。已知：A點(diǎn)、B點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為和。下列說法錯(cuò)誤的是()A.該晶體的化學(xué)式：B.C點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)是C.距離原子最近且等距的原子有2個(gè)D.若晶胞中與原子數(shù)相同，晶體密度為

答案以及解析1.答案：A解析：A.冰晶體中水分子采用非密堆積，是因?yàn)楸w內(nèi)部水分子間形成氫鍵的緣故；由此類比，因?yàn)榘狈肿娱g也可以形成氫鍵，所以氨晶體中氨分子也采用非密堆積，A正確；B.二氧化硅晶體為共價(jià)晶體，B錯(cuò)誤；C.分子是正四面體形，結(jié)構(gòu)為，鍵角為，C錯(cuò)誤；D.中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2+=5，采用雜化，D錯(cuò)誤；故選A。2.答案：A解析：原子半徑N<P，故鍵長(zhǎng)N—N<P—P、N—H<P—H，鍵能N—N>P—P、N—H>P—H，故熱穩(wěn)定性。分子間可形成氫鍵，增大其沸點(diǎn)，只存在范德華力，則沸點(diǎn)，A項(xiàng)錯(cuò)誤。與都是由分子構(gòu)成，都是分子晶體，B項(xiàng)正確。制備過程中有中的O—H極性鍵斷裂、中的P—P非極性鍵的斷裂，中有P—H極性鍵形成、中有P—P非極性鍵形成，C項(xiàng)正確。利用N的孤電子對(duì)與過渡金屬配位形成配位鍵，而的中心原子P既有孤電子對(duì)，也有空的d軌道，既能提供配位的電子對(duì)，又能提供接受電子對(duì)的空軌道，故配位能力<，D項(xiàng)正確。3.答案：A解析：A.由晶胞結(jié)構(gòu)可知，以位于體心的Li為研究對(duì)象，周圍距離最近且相等的O原子有4個(gè)，Li的配位數(shù)是4，A正確；B.當(dāng)2個(gè)晶胞2放在一起時(shí)，截取第1個(gè)晶胞的右一半和第2個(gè)晶胞的左一半合并后就是晶胞3。根據(jù)晶胞2的結(jié)構(gòu)可知，S的個(gè)數(shù)為，Li的個(gè)數(shù)為8，則晶胞2表示的化學(xué)式為，在晶胞3中，S的個(gè)數(shù)為，Li的個(gè)數(shù)為8，則晶胞3表示的化學(xué)式為，晶胞2和晶胞3表示同一晶體，構(gòu)型是相同的，B錯(cuò)誤；C.由均攤法得，結(jié)構(gòu)1中含有Co的數(shù)目為，含有S的數(shù)目為，Co與S的原子個(gè)數(shù)比為9：8，因此結(jié)構(gòu)1的化學(xué)式為，C錯(cuò)誤；D.晶胞3中P的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0，0，0)，晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞3中M的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，D錯(cuò)誤；故選A。4.答案：D解析：A.由均攤法得，結(jié)構(gòu)1中含有Co的數(shù)目為4+4×=4.5，含有S的數(shù)目為1+12×=4，Co與S的原子個(gè)數(shù)比為9:8，因此結(jié)構(gòu)1的化學(xué)式為，A錯(cuò)誤；B.由圖可知，晶胞2中Li與Li的最短距離為晶胞邊長(zhǎng)的，晶胞邊長(zhǎng)為a，即Li與Li的最短距離為，B錯(cuò)誤；C.結(jié)構(gòu)1中，與S最近的Co是4個(gè)，晶胞2中與S最近的Li有8個(gè)，C錯(cuò)誤；D.當(dāng)2個(gè)晶胞2放在一起時(shí)，截取第1個(gè)晶胞的右一半和第2個(gè)晶胞的左一半合并后就是晶胞3；根據(jù)晶胞2的結(jié)構(gòu)可知，S的個(gè)數(shù)為1+12×=4，Li的個(gè)數(shù)為8，則晶胞2表示的化學(xué)式為，在晶胞3中，S的個(gè)數(shù)為8×+6×=4，Li的個(gè)數(shù)為8，則晶胞3表示的化學(xué)式為，晶胞2和晶胞3表示同一晶體，D正確；故選D。5.答案：A解析：A.屬于面心立方最密堆積，鐵原子的配位數(shù)為12，故A正確；B.1個(gè)晶胞中有個(gè)鐵原子，故質(zhì)量約為，故B錯(cuò)誤；C.金屬鐵具有導(dǎo)電性的原因是鐵原子最外層的電子逃逸出原子，形成自由電子。這些自由電子在電場(chǎng)力的作用下能夠做定向移動(dòng)，從而形成電流，使得金屬鐵能夠?qū)щ?，故C錯(cuò)誤；D.與晶體結(jié)構(gòu)不同，故性質(zhì)不完全相同，故D錯(cuò)誤；故選A。6.答案：D解析：A.A的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，A為坐標(biāo)原點(diǎn)，則B的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，故A錯(cuò)誤；B.根據(jù)圖示，晶胞中相鄰的兩個(gè)之間的距離為面對(duì)角線的一半，則兩個(gè)之間的距離為anm，故B錯(cuò)誤；C.面對(duì)角線為2anm，則晶胞邊長(zhǎng)為，根據(jù)均攤原則，晶胞中數(shù)為4、數(shù)為，阿伏加德羅常數(shù)，故C錯(cuò)誤；D.從上往下看晶胞，得到正方形，四個(gè)頂點(diǎn)和對(duì)角線交點(diǎn)有，四個(gè)小正方形的中心有，即圖2是晶胞的俯視圖，故D正確；選D。7.答案：D解析：A.Mn的原子序數(shù)為25，位于元素周期表第四周期ⅦB族；基態(tài)Mn的價(jià)電子排布式為：，不是電子排布圖，故A錯(cuò)誤；B.根據(jù)均攤法可知，該晶胞中的個(gè)數(shù)為，O的個(gè)數(shù)為，該錳氧化物的化學(xué)式為，B錯(cuò)誤；C.晶體有O原子脫出時(shí)，出現(xiàn)O空位，即x減小，的化合價(jià)為+2x，即Mn的化合價(jià)降低，C錯(cuò)誤；D.中Na的化合價(jià)下降只能為0，說明不能通過這種方式獲得半導(dǎo)體性質(zhì)，D正確；故選D。8.答案：D解析：A.只含離子鍵，A錯(cuò)誤；B.只含離子鍵，B錯(cuò)誤；C.含有非極性共價(jià)鍵的離子晶體，C錯(cuò)誤；D.含有極性共價(jià)鍵的離子晶體，D正確；故選D。9.答案：D解析：A.該晶胞中O原子個(gè)數(shù)為1+12×=4，故A錯(cuò)誤；B.根據(jù)圖知，Ni和Mg的最短距離等于晶胞面對(duì)角線長(zhǎng)度的一半，即a，故B錯(cuò)誤；C.Ni的配位數(shù)即距離Ni最近的O原子的個(gè)數(shù)為6個(gè)，故C錯(cuò)誤；D.該晶胞中O原子個(gè)數(shù)為，Li原子個(gè)數(shù)為，Mg原子個(gè)數(shù)為，Ni原子個(gè)數(shù)為，所以Li、Mg、Ni、O原子個(gè)數(shù)之比=0.5：1.125：2.375：4，所以其化學(xué)式為，故D正確；故選D。10.答案：B解析：去插層過程中Cs元素生成CsI，A項(xiàng)錯(cuò)誤。根據(jù)均攤法計(jì)算，N晶胞中含有V原子數(shù)為、Se原子數(shù)為，O原子數(shù)為，則N的化學(xué)式為，B項(xiàng)正確。由M的晶胞結(jié)構(gòu)可知，Cs原子位于晶胞的棱上，同時(shí)被4個(gè)晶胞共有，M中與Cs原子最臨近的Se原子有8個(gè)，C項(xiàng)錯(cuò)誤。由N的晶胞結(jié)構(gòu)可知，N中V原子位于Se原子圍成的平面正方形中心，D項(xiàng)錯(cuò)誤。11.答案：C解析：A.O、F同周期，核電荷數(shù)越大非金屬性越強(qiáng)，因此穩(wěn)定性，A正確；B.、和的中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)分別為、、，B正確；C.由均攤法可知氟化鈣每個(gè)晶胞中含有個(gè)，8個(gè)，由晶胞結(jié)構(gòu)可知其密度為，C錯(cuò)誤；D.晶體中為面心立方最密堆積，位于圍成的正四面體的空隙中，與之間的最近距離為立方晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)的，D正確；故選C。12.答案：B解析：由圖丙可知，位于晶胞的頂角和面心，ZnS晶胞中含的個(gè)數(shù)為，A項(xiàng)正確。位于形成的正四面體空隙中，與距離最近且相等的有4個(gè)，B項(xiàng)錯(cuò)誤。距離最近的和的核間距為晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)的，則核間距的計(jì)算表達(dá)式為，C項(xiàng)正確。設(shè)晶體的密度為，D