廣東省2024-2025學(xué)年高二下學(xué)期期中聯(lián)考試題 化學(xué)含解析

廣東省2024—2025學(xué)年第二學(xué)期期中聯(lián)考高二化學(xué)試卷試卷共8頁(yè)，20小題，滿分100分?？荚囉脮r(shí)75分鐘。1.考試范圍：選擇性必修1占20%;選擇性必修2占80%。3.回答選擇題時(shí)，選出每小題答案后，用鉛筆把答題卡上對(duì)應(yīng)題目的答案標(biāo)號(hào)涂黑。如需改一、選擇題：本題共16小題，共44分。第1～10小題，每小題2障廟序障廟序傅 保鍵公暗A(chǔ).墨汁中的炭黑與C?0互中易發(fā)生電化學(xué)腐蝕的陰、陽(yáng)離子而能導(dǎo)電晶體C.聚乙炔(干CH=CHπ)導(dǎo)電高分子材料合成取得突破：C=C鍵長(zhǎng)>C—C鍵長(zhǎng)廣東·高二化學(xué)第1頁(yè)(共8頁(yè))A.氫鍵是一種分子間作用力B.鄰羥基苯甲醛的熔點(diǎn)比對(duì)羥基苯甲醛的熔點(diǎn)高C.冰中的氫鍵可表示為H—0—H…H—0—HD.NH?分子間氫鍵和HF分子間氫鍵的5.下列有關(guān)物質(zhì)性質(zhì)的比較正確的是6.勞動(dòng)活動(dòng)能提升學(xué)生的勞動(dòng)技能，促進(jìn)學(xué)生全面發(fā)展。下列所述化學(xué)知識(shí)正確且與對(duì)應(yīng)的勞動(dòng)活動(dòng)有關(guān)聯(lián)的是勞動(dòng)活動(dòng)ABC刻蝕電路板：FeCl?溶液腐蝕覆銅電路板FeCl?溶液呈酸性D7.下列操作及裝置能達(dá)到實(shí)驗(yàn)?zāi)康牡氖橇г嚬苋廴诹虻你K絲0CuSO?溶液A.分離NaHCO?和I?時(shí)所呈現(xiàn)的焰色D.制備[Cu(NH?)4](OH)?8.Cu?O是一種保護(hù)性殺菌劑，其立方晶胞如圖所示，a粒子的是廣東·高二化學(xué)第2頁(yè)(共8頁(yè))A.0粒子位于晶胞的頂點(diǎn)和體心B.基態(tài)Cu原子的價(jià)層電子排布式為3d?4s2C.b粒子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為D.晶胞沿y軸的投影為9.一種杯芳酚STCA4的結(jié)構(gòu)如圖所示，因該物質(zhì)能與CO?形成超分子而用于分離H?和CO?。已知H?和CO?的分子直徑分別為2.9A和3.3A(1A=10-?10m)。下列關(guān)于STCA4的說(shuō)法不正確的是A.其與CO?通過(guò)分子間相互作用形成超分子B.其空腔適配不同大小的分子體現(xiàn)了超分子的自組裝特征C.有部分S原子含有孤電子對(duì)D.STCA4中，電負(fù)性最大的元素為010.設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)法正確的是A.1molF-含有的質(zhì)子總數(shù)為10NAB.pH=1的硫酸中H總數(shù)為0.1ND.12g石墨含有未參與雜化的2p電子數(shù)為NAA.[Bmim]Cl中含有離子鍵和共價(jià)鍵中不含有手性碳原子C.[Bmim]Cl具有很高的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)D.1-甲基咪唑中N原子只有一種雜化方式廣東·高二化學(xué)第3頁(yè)(共8頁(yè))的是煤B.Na?SO?和NaOH均為含有共價(jià)鍵的離子化合物D.加入稀NaOH溶液和濃NaOH溶液的主要目的均是抑制Na?S水解氣，四種元素與Fe形成的物質(zhì)E(E中Fe元素為+2價(jià))的結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說(shuō)法正確的是C.簡(jiǎn)單氫化物的穩(wěn)定性：Y>ZD.基態(tài)Fe2+未成對(duì)電子數(shù)為5A.該物質(zhì)的化學(xué)式為BaFe?As?B.Ba與Ba之間的最短距離為anmC.距離Fe最近的As有3個(gè)廣東·高二化學(xué)第4頁(yè)(共8頁(yè))廣東·高二化學(xué)第5頁(yè)(共8頁(yè))廣東·高二化學(xué)第6頁(yè)(共8頁(yè))在Cata、Catb催化作用下發(fā)生反應(yīng)，NO轉(zhuǎn)化率隨溫度變化關(guān)系如圖所示。下列說(shuō)法正確的是0A.高溫有利于反應(yīng)正向自發(fā)進(jìn)行B.O點(diǎn)達(dá)到平衡狀態(tài)C.反應(yīng)物的總鍵能小于生成物的總鍵能D.500℃后，使用Cata比使用Catb更能有效提高NO的平衡轉(zhuǎn)化率16.積極穩(wěn)妥推進(jìn)碳達(dá)峰碳中和具有重大意義，一種利用電解原理捕獲CO?的裝置如圖所示。捕獲在石墨電極表面轉(zhuǎn)化為繁C.石墨電極上發(fā)生氧化反應(yīng)新成果。(1)集成電路工業(yè)常需要使用濺射靶材——鈷靶。基態(tài)Co原子的核外電子排布式為鈷晶體的形成是因?yàn)榫w中存在金屬陽(yáng)離子與的相互作用。(2)我國(guó)成功研制超導(dǎo)量子計(jì)算原型機(jī)“祖沖之三號(hào)”,CaH?和MgB?均屬于超導(dǎo)材料。基態(tài)Ca原子核外電子占據(jù)的最高能層的符號(hào)為;基態(tài)B原子核外電子占據(jù)的最高能級(jí)(3)GPU助力人工智能，制備GPU的主要材料為硅晶片，硅的晶胞如圖所示。14g晶體硅中含(4)芳香族氨基酸解氨酶PAL在生物制造中可用作催化劑，一種催化反應(yīng)如圖所示。NH?的VSEPR模型名稱為形；路易斯酸堿理論認(rèn)為凡可以提供電子對(duì)的分子、離子或原18.(14分)已知存在如圖所示的轉(zhuǎn)換關(guān)系，晶格能是指將1mol離子晶體完全氣化為氣態(tài)陰、陽(yáng)離子所吸收的能量。請(qǐng)回答下列問(wèn)題。(3)NaCl晶胞如圖所示，CI的配位數(shù)為(4)NaCl的晶格能為kJ·mol1:NaCl的晶格能大干KCl,原因可能是19.(14分)一種以鋰輝石(主要成分為L(zhǎng)i?O·Al?O?·4SiO?)為原料提取粗品LiOH的工藝流程如圖所示。水②LiOH和Na?SO?的溶解度隨溫度變化關(guān)系如圖所示。(1)基態(tài)Li原子核外電子軌道表示式為;離子鍵百分?jǐn)?shù)：Li?O(填“>”(2)“球磨”的目的是;“酸化焙燒”需要使用濃硫酸，SO2-價(jià)層電子對(duì)數(shù)為(3)25℃時(shí)，氫氧化鋰的溶度積常數(shù)K(LiOH)≈6.9×10?2,若“調(diào)pH”時(shí)，溶液中c(Li?)=1.38mol·L?1,為防止形成LiOH沉淀，則溶液中的c(OH)應(yīng)小于mol·L?1;“冷凍”后分離Na?SO?的操作為o(4)將LiOH粗品置于LiOH飽和溶液中，一段時(shí)間后可得到LiOH高純產(chǎn)品。缺角的LiOH晶體在LiOH飽和溶液中慢慢變?yōu)橥昝赖牧⒎襟w塊，體現(xiàn)了晶體的性；該提純方法適宜的溫度約為℃。(5)LiOH受熱分解生成Li?O,Li?O的立方晶胞如圖所示，晶胞密度為ρg·cm3,設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，則晶胞邊長(zhǎng)為om20.(14分)Cd(Ⅱ)配合物可用作發(fā)光材料、催化劑、吸附劑以及顏料等，合成多功能Cd(Ⅱ)配合物具有重要意義。(1)基態(tài)8Cd原子的簡(jiǎn)化電子排布式為[Kr]4d1?5s2,基態(tài)Cd原子核外電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有(2)Cd2能與NH?形成[Cd(NH?)?]2,[Cd(NH?)?]2+中提供孤電子對(duì)的原子為(寫元素符號(hào)),1mol[Cd(NH?)4]2+中含有配位鍵的數(shù)目為o0.80.60.20①[C=N]中σ鍵和π鍵數(shù)目之比為;Cd2+與CN形成配位鍵時(shí)，CN中的配位原子是C而不是N,原因是_②Cd2?+CN=[Cd(CN)]*的穩(wěn)定常數(shù)K?=;當(dāng)溶液中c(CN?)=10??mol·L?1廣東省2024—2025學(xué)年第二學(xué)期期中聯(lián)考【解析】炭黑與C60互為同素異形體，A項(xiàng)不正確；鋼鐵中的碳與鐵在潮濕的空氣中會(huì)形成原電池，易發(fā)生電化學(xué)腐蝕，B項(xiàng)正確；金屬晶體是由金屬陽(yáng)離子和自由電子組成，在外加電場(chǎng)作用下，自由電子可發(fā)生定向移動(dòng)，C項(xiàng)不正確；玻璃不屬于晶體，D項(xiàng)不正確?！窘馕觥扛髂芗?jí)軌道中電子能量：1s<2s<2p,能量較高的軌道中電子越多，該微粒能量越高，所以2p軌道上電子越少，該微粒能量越低，B項(xiàng)符合題意。【解析】氫鍵是除范德華力之外的另一種分子間作用力，A項(xiàng)正確；鄰羥基苯甲醛形成分子內(nèi)氫鍵，對(duì)羥基苯甲醛,氫原子與氧原子形成形成分子間氫鍵，對(duì)羥基苯甲醛的熔點(diǎn)更高，B項(xiàng)不正確；冰中的氫鍵可表示為氫鍵，C項(xiàng)不正確；F的電負(fù)性大于N且HF間形成的氫鍵鍵長(zhǎng)更短，強(qiáng)度更大，D項(xiàng)不正確。【解析】CO?為非極性分子，SO?為極性分子，A項(xiàng)不正確；CI的電負(fù)性大于H,導(dǎo)致CCI?COOH的羧基中的羥基的極性更大，更易電離出H*,酸性更強(qiáng)，B項(xiàng)不正確；Cl?為非極性分子，HCI和H?O為極性分子，根據(jù)相似相溶原理可知HCl在水中的溶解度更大，C項(xiàng)不正確；單晶硅為共價(jià)晶體，白磷為分子晶體，一般而言，共價(jià)晶體的硬度大于分子晶體，D項(xiàng)正確?！窘馕觥慨?dāng)金屬鐵受到外力作用時(shí)，鐵中的各原子層會(huì)發(fā)生相對(duì)滑動(dòng)，但不會(huì)改變?cè)瓉?lái)的排列方式，A項(xiàng)正確；表面活性劑的有機(jī)分子的一端有極性，為親水基團(tuán)，分子的另一端沒(méi)有或幾乎沒(méi)有極性，為疏水基團(tuán)，B項(xiàng)不正確；Fe3+具有較強(qiáng)的氧化性，能與Cu反應(yīng)，與溶液酸堿性無(wú)關(guān)，C項(xiàng)不正確；NaCl不具有強(qiáng)氧化性，D項(xiàng)不正確?！窘馕觥縉aHCO?受熱易分解，A項(xiàng)不正確；熔融的硫自然冷卻可獲得硫晶體，若是快速冷卻，獲得的是非晶態(tài)硫，B項(xiàng)不正確；K元素焰色為紫色，為防止其他顏色的光干擾，需透過(guò)藍(lán)色鈷玻璃觀察，C項(xiàng)正確；氨水不足，與CuSO?反應(yīng)生成Cu(OH)?,D項(xiàng)不正確?！窘馕觥烤О杏?個(gè)銅粒子和個(gè)氧粒子，故0粒子位于晶胞的頂點(diǎn)和體心，A項(xiàng)正確；基態(tài)Cu原子廣東·高二化學(xué)第1頁(yè)(共4頁(yè))的價(jià)層電子排布式為3d1?4s1,B項(xiàng)不正確；b粒子在晶胞體心，分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(,C項(xiàng)正確；根據(jù)Cu?O晶胞可知沿y軸的投影為○,D項(xiàng)正確?！窘馕觥砍肿邮怯蓛煞N或兩種以上的分子通過(guò)分子間相互作用形成的分子聚集體，A項(xiàng)正確；STCA4的空腔適配不同大小的分子體現(xiàn)了超分子的分子識(shí)別特性，B項(xiàng)不正確；苯環(huán)與苯環(huán)間連接的S原子含有孤電子對(duì)，C項(xiàng)【解析】1molF含有的質(zhì)子總數(shù)為9N?,A項(xiàng)不正確；體積未知，無(wú)法計(jì)算，B項(xiàng)不正確；1molCl?與足量NaOH溶液在常溫下反應(yīng)，轉(zhuǎn)移電子數(shù)為N?,C項(xiàng)不正確；石墨中碳原子為sp2雜化，有一個(gè)2p電子未參與雜化，12g石墨含有1mol碳原子，含有未參與雜化的2p電子數(shù)為NA,D項(xiàng)正確。【解析】與Cl-間存在離子鍵，中各原子間存在共價(jià)鍵，A項(xiàng)正確；中不含有手性碳原子，B項(xiàng)正確；離子液體一般具有較低的熔點(diǎn)且難揮發(fā)，C項(xiàng)不正確；1-甲基咪唑環(huán)上所有原子共平面，N原【解析】Na?S為離子化合物，電子式為項(xiàng)正確；Na?SO?和NaOH均含有離子鍵和共價(jià)鍵，二者均為離子化合物，B項(xiàng)正確；在實(shí)驗(yàn)室中進(jìn)行過(guò)濾操作需要漏斗、燒杯、玻璃棒等儀器，C項(xiàng)正確；加入稀NaOH溶液是為了抑制硫化鈉水解，加入濃NaOH溶液是為了增大Na濃度，促使硫化鈉析出，D項(xiàng)不正確?！窘馕觥縓、Y、Z、W為原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素，X、Y、Z同周期且相鄰，Y?常用作保護(hù)氣，結(jié)合物質(zhì)配體有兩種，A項(xiàng)正確；第一電離能：N>O>C,B項(xiàng)不正確；非金屬性：0>N,簡(jiǎn)單氫化物的穩(wěn)定性：H?O>NH?,C項(xiàng)不正確；基態(tài)Fe2電子【解析】晶胞中含有個(gè)個(gè)As,化學(xué)式為BaFe?As?,A項(xiàng)不正確；b>2a,則Ba與Ba之間的最短距離為底邊邊長(zhǎng)，為anm,B項(xiàng)正確；距離Fe最近的As有4個(gè)，C項(xiàng)不正確；晶體的密【解析】反應(yīng)△S<0,反應(yīng)能自發(fā)進(jìn)行，說(shuō)明該反應(yīng)的△H<0,低溫有利于反應(yīng)正向自發(fā)進(jìn)行，A項(xiàng)不正確；0點(diǎn)的轉(zhuǎn)化率不是該溫度下的最大轉(zhuǎn)化率，未達(dá)到平衡狀態(tài)，B項(xiàng)不正確；△H<0,反應(yīng)物的總鍵能小于生成物的總鍵會(huì)轉(zhuǎn)移2mole?,標(biāo)準(zhǔn)狀況下理論上產(chǎn)生22.4LH?,D項(xiàng)不正確。(2)N(1分，唯一答案)啞鈴形(1分，寫啞鈴狀也得分)<(2分，唯一答案)(3)1(2分，寫“一”不扣分)0.0625(2分，寫6.25×10?2也得分)(4)四面體(2分，寫正四面體不扣分)具有(2分)【解析】(1)基態(tài)Co原子的核外電子排布式為1s22s22p?3s23p?3d?4s2或[Ar]3d?4s2;金屬晶體的形成是因?yàn)榻饘訇?yáng)離子和自由電子的相互作用。(2)基態(tài)Ca原子的價(jià)層電子排布式為4s2,其電子占據(jù)的最高能層為N層；基態(tài)B原子核外電子占據(jù)的最高能級(jí)為2p,形狀為啞鈴形；B原子半徑更小，且失去一個(gè)電子后2s能級(jí)全滿、2p軌道全空，更穩(wěn)定，更難失去第二(3)根據(jù)均攤法可知1個(gè)Si原子占用2個(gè)Si—Si鍵，14gSi的物質(zhì)的量為0.5mol,含有1molSi—Si鍵；1個(gè)晶胞中含有8個(gè)Si,0.5molSi中含有mol晶胞單元。(4)有機(jī)物A中含有氨基，可以提供孤電子對(duì)，根據(jù)路易斯酸堿理論，其具有堿性。18.【答案】(1)496(2分，有效數(shù)字不做要求)243(2分，有效數(shù)字不做要求)(2)離子鍵(2分，寫靜電作用也得分)X射線衍射實(shí)驗(yàn)(2分，寫X射線衍射也得分)(4)788(2分，有效數(shù)字不做要求)NaCl和KCl均為離子晶體，Na半徑小于K?,與CI?形成的離子鍵更強(qiáng)(2分，答到Na?半徑更小，離子鍵作用更強(qiáng)即給滿分)【解析】(1)根據(jù)第一電離能和鍵能的定義及圖中能量轉(zhuǎn)化關(guān)系可知Na的第一電離能為496kJ·mol?1,Cl—Cl的鍵能為243kJ·mol?1。(2)陰、陽(yáng)離子間的相互作用力為離子鍵；X射線衍射實(shí)驗(yàn)?zāi)軠?zhǔn)確測(cè)定晶胞結(jié)構(gòu)。(3)以晶胞頂部面心處CI為研究對(duì)象，距離其最近的Na位于其上下左右前后，共6個(gè)。(4)NaCI的晶格能為1molNaCl晶體轉(zhuǎn)化為CI(g)和Na(g)