半導體器件復習

半導體器件復習..半導體器件復習..半導體器件復習..8.結(jié)大注入效應，大注入和小注入時的電流電壓特性的比較。（擴散系數(shù)增大一倍）9.比較結(jié)自建電場，緩變基區(qū)自建電場和大注入自建電場的異同點。10.勢壘電容與擴散電容的產(chǎn)生機制。11.三種結(jié)擊穿機構(gòu)。雪崩擊穿的條件？討論影響雪崩擊穿電壓的因素。12.結(jié)的交流等效電路？13.結(jié)的開關(guān)特性，貯存時間的影響因素。14.肖特基勢壘二極管與結(jié)二極管的異同。22021/1/48.結(jié)大注入效應，大注入和小注入時的電流電壓特性的比較。（擴散系數(shù)增大一倍）9.比較結(jié)自建電場，緩變基區(qū)自建電場和大注入自建電場的異同點。10.勢壘電容與擴散電容的產(chǎn)生機制。11.三種結(jié)擊穿機構(gòu)。雪崩擊穿的條件？討論影響雪崩擊穿電壓的因素。12.結(jié)的交流等效電路？13.結(jié)的開關(guān)特性，貯存時間的影響因素。14.肖特基勢壘二極管與結(jié)二極管的異同。2021/1/42雙極晶體管1.晶體管基本結(jié)構(gòu)(三個區(qū)域的摻雜濃度的數(shù)值大小)。2.晶體管處在放大區(qū)時的能帶圖，電流分布圖，基區(qū)少子濃度分布圖（四種偏置）。3.晶體管具有放大能力的基本條件。4.發(fā)射效率γ和基區(qū)輸運因子T的定義。提高晶體管電流放大系數(shù)的主要措施。5.晶體管的模型及其等效電路和互易關(guān)系。2021/1/436.晶體管共基極和共射極電流放大系數(shù)之間的關(guān)系。7.晶體管共基極和共射極輸入、輸出特性和轉(zhuǎn)移特性曲線8.大電流效應及對器件特性的影響大注入效應？效應(基區(qū)電導調(diào)制效應)和(韋伯斯脫)效應（大注入內(nèi)建電場效應）?；鶇^(qū)擴展效應(效應)。發(fā)射極電流集邊效應。2021/1/449.什么是效應對器件特性有什么影響？10.基區(qū)穿通和外延層穿通。11.三種擊穿電壓的關(guān)系。12.寫出載流子從發(fā)射極到集電極的總傳輸延遲時間的表達式，并說明各傳輸延遲時間的意義，如何提高晶體管的特征頻率？13.f,f,的定義，及相互間的大小關(guān)系？晶體管在開關(guān)過程中，結(jié)和結(jié)偏壓是如何變化的。的優(yōu)勢

2021/1/45場效應晶體管1.閾值電壓及其影響因素（襯底濃度和偏壓，氧化層中電荷,氧化層厚度等）。（表達式）2.工作原理及其類型。輸出特性曲線和轉(zhuǎn)移特性曲線。3.亞閾值區(qū)及其特性（特點）。什么是短溝道效應、窄溝道效應？效應？的伏安特性方程（線性區(qū)和飽和區(qū)）柵跨導，漏源電導。2021/1/467.小信號等效電路。管截止頻率表達式，提高頻率性能的途徑。8.器件等比例縮小原則。9.結(jié)構(gòu)的C－V特性（理想、實際）。10.熱載流子效應和閂鎖效應。11.現(xiàn)代器件的發(fā)展趨勢。2021/1/47JFET和MESFET1.JFE