SJ-T 11850-2022 半導體分立器件3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率開關晶體管詳細規(guī)范

NPN硅小功率開關晶體管詳細規(guī)范1半導體分立器件3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型1范圍本文件規(guī)定了3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率開關晶體管(以下簡稱器件)的詳細要求。2規(guī)范性引用文件僅該日期對應的版本適于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(偷括所有的修改單)適用于本GB/T2423.23)-2013環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗Q:密封GB/T458<1994半導體分立器件和集成電路第7部分：雙極型晶體管GB/T4589.1-2006半導體器件一第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范GB/T4937—)995半導體器件機械和氣候試驗方法GB/T493714-2018半導體器件機械和氣候試驗方法第14部分：引出端強度(引線牢固度)GBt4937.15-2018半導體器件一機械和氣候試驗方法第15部分：通孔安裝器件的耐焊接熱GBT4087.21—2018半導體器件機械和氣候試驗方法第21部分：焊性GB/7684-1987半導體分立器件外形尺寸GB/Te560+1999半導體器件分立器件分規(guī)范本文件沒有要定的術語和定義。4要求質量評定類別符合GB/T4589.12006和GBT12560-1999的規(guī)定。質量評定類別為Ⅱ類。4.2.2外形尺寸3DK2219A外形符合GB/T7581—1987中A3—02B型的規(guī)定。外形圖見圖1,外形尺寸見表1。2最小AjKLL3DK2222A外形符合GB/T7581—1987中A3—01B型的規(guī)定。外形圖見圖2,外形尺寸見表2.稱922KL34DEALLeb℃℃V V6V500(3DK2222A、3DK2222AUB)8℃325(3DK2222A、3DK2222AUB)1正向電流傳輸比正向電流傳輸比正向電流傳輸比正向電流傳輸比正向電流傳輸比VV一1V—V一25VcE=50V一正向電流傳輸比小信號共發(fā)射極短路正向電滾有5一導通時間關斷時間8VE=10v.Ic=0.p電測試應符合GB/T4587—1994及本文件的規(guī)器件上的標志包括以下幾部分： 5質量評定程序5.1抽樣抽樣方案按GBT12560-1999和本文件的規(guī)定。試驗條件和檢驗要求按表6～表9的規(guī)定。6表6A組——逐批引用標準(見GB/T4589.1—2006的4.1)5正向電流傳輸比短路：IcBO?≥100μA集電極-基極截止電流發(fā)射極-基極短路1B=0,VcE=50V1一15正向電流傳輸比正向電流傳輸比正向電流傳輸比正向電流傳輸比正向電流傳輸比壓hFEhFE?一—1一一一一V5導通時間關斷時間注：全部試驗都是非破壞性的(見GB/T4589.1—2006的3.6.6)。7引用標準除非另有規(guī)4589.1—2006的4.1)測A、φD、φD1、φb?、L測A、D、E、L(3DK2222AUB)見圖1、圖2、圖3引出端強度(D)試驗條件B(3DK2219A、受試引出端數(shù)：3附錄C(3DK2222AUB)正向電流傳輸比-65℃~200℃;15個循環(huán)試驗Qk,方法1正向電流傳輸比試驗Qk,方法1電耐久性流正向電流傳輸比壓附錄B V同B8分組最后測試一注：標明(D)的試驗是破壞性的(見GB/T4589.1—2006的3.6.6)?！ぁ鱤rE?/hrEan=(hrE織a-hFE47ma)/hFE4初周8引用標準(見GB/T4589.1—2006的4.1)最小值值見表1、表2、表3見圖1、圖2、圖3VcE=20V,Ic=20mA,fF108RVcb=30V,Ice16.7mA引出端強度(D)拉力 發(fā)現(xiàn)斷覆(密封彎月正向電流傳輸比試驗Qk,方法1同B5分組最后測試穩(wěn)態(tài)濕熱(D)85℃±2℃,相對濕度85%±5%,時間168h同B8分組最后測試電耐久性附錄B同B8分組最后測試 9引用標準除非另有規(guī)定，T=25℃±5℃(見GB/T4589.1—2006的4.1)最小值值高溫貯存(D)同B8分組最后測試一一提供C2a、C2b、C3、C4、C6、C7和C9的記數(shù)檢查結果及C8前后的測試數(shù)注1:標明(D)的試驗是破壞性的(見GB/T4589.1—2006的3.6.6注2:CRRL為放行批證明記錄。表9D組(僅供鑒定)引用標準除非另有規(guī)定，T?=25℃±5℃(見GB/T4589.1—2006的4.1)溫度循環(huán)(D)-65℃~200℃;500次試驗Qk,方法1同B5分組最后測試Ic額定值的驗證(D)注：標明(D)的試驗是破壞性的(見GB/T4589.1—2006的3.6.6)。(規(guī)范性)A.2電路圖A.3電路說明A.4測試程序在環(huán)境溫度r=25C下，基極電流調至80mA,加大電源電壓(Vcc),使集電極電流達到800mA。達到熱平衡后、斷電源，按照表6中A2b、A3分組規(guī)定的IcEs、Vces,進行測試兩個參數(shù)滿足表6