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文檔簡介

量子阱中量子阱中尤為顯著(庫侖屏蔽效應弱).

低溫下

中產(chǎn)生蘭移。

量子阱中EHP●強激發(fā)下產(chǎn)生增益(存在FP模)?!裣嗫臻g填充隨著電子-空穴對密度增加,自由電子和空穴填充導帶和價帶,而導帶會降到激子能級之下,于是低能激子就無法產(chǎn)生.這是激子在高激發(fā)情況下消失的第二種原4.吸收EHP產(chǎn)生增益。吸收聲子●化學勢和能隙的移動基本時間常數(shù)(弱耦合情況)時間內(nèi),可認為部分極化波與入射脈沖仍然是相干的。③散射過程●激子受到雜質(zhì)、缺陷、量子阱粗糙界面以及混晶中離子分布的起伏等因素散射.主要影響自由激子和擴展態(tài)激子,對局域激子的影響減弱.●激子同聲子的散射(夫勒利希耦合,形變勢以及壓電耦合).該過程隨著晶格溫度的增加而增強.●激子-激子,激子-電子彈性和非彈性散射.主要影響自由激子和擴展態(tài)激子,對局域激子的影響減弱.隨著泵浦強度增強而明顯增強.●電子與空穴復合.2.電子與空穴復合①

為處于激發(fā)態(tài)粒子的壽命.直隙材料為ns;間隙材料為

甚至ms.②激子數(shù)密度為其中

等號對應相馳豫過程僅存在復合過程,>號對應相馳豫過程中還存在上述多種散射過程.為純相馳豫時間(不包括復合過程).③激子輻射復合:發(fā)光效率

定義為發(fā)射光子數(shù)與激發(fā)電子-空穴對數(shù)比值.高質(zhì)量量子阱

優(yōu)質(zhì)直隙體材料

間隙材料

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