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半導(dǎo)體的體內(nèi)平衡濃度0

將這種多子濃度高于體內(nèi)平衡濃度的表面層叫多子堆積層，稱此時(shí)的表面空間電荷層處于多子堆積狀態(tài)。

多子空穴空間電荷特征：1）能帶向上彎曲并接近EF；2）多子（空穴）在半導(dǎo)體表面積累，越接近半導(dǎo)體表面多子濃度越高。xQsQmEFmEcEiEvEv1Ec1EFs無(wú)空間電荷(2)VG=0，VS=0，平帶半導(dǎo)體表面電荷堆積為0，稱這種狀態(tài)為平帶狀態(tài)。特征：半導(dǎo)體表面能帶平直。(3)VG>0，金屬接+，半導(dǎo)體接負(fù)EcEvEFEiqVsqVBVB是體內(nèi)勢(shì)：多子耗盡

ps<(po)p，空間電荷區(qū)的負(fù)電荷絕大部分為過(guò)剩的電離的受主IM++++++S－－－－－－電離的受主這種狀態(tài)稱為多子的耗盡狀態(tài)，空間電荷區(qū)為耗盡層?？臻g電荷特征：1）表面能帶向下彎曲；2）表面上的多子濃度比體內(nèi)少得多，基本上耗盡，表面帶負(fù)電。QmQsx（4）VG>>0反型層界面EcEiEFEvqVsxqVqVBEg半導(dǎo)體絕緣體表面空間電荷區(qū)內(nèi)能帶的彎曲P電子稱這個(gè)狀態(tài)為反型狀態(tài)

電子電離受主空間電荷反型少子堆積弱反型：ps<ns<(po)p

強(qiáng)反型：ns>(po)p

特征：1）Ei與EF在表面處相交（此處為本征型）；2）表面區(qū)的少子數(shù)>多子數(shù)——表面反型；3）反型層和半導(dǎo)體內(nèi)部之間還夾著一

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