標準解讀
《GB/T 35308-2017 太陽能電池用鍺基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片》是一項國家標準,主要針對用于太陽能電池制造中的鍺基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片的質量和技術要求進行了規(guī)定。該標準適用于直接帶隙半導體材料如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等在鍺襯底上生長的外延層,這些材料廣泛應用于高效太陽能電池中。
根據這項標準,首先定義了術語和定義部分,明確了什么是“鍺基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片”以及與之相關的其他專業(yè)詞匯。接著,在技術要求章節(jié)中詳細列出了對于此類外延片的各項性能指標要求,包括但不限于:
- 尺寸公差:規(guī)定了外延片直徑、厚度及其允許偏差范圍。
- 表面質量:對外延片表面缺陷(如劃痕、顆粒污染等)的數量及大小進行了限制。
- 結構特性:描述了外延層結構的要求,比如單晶或多晶形態(tài)、界面清晰度等。
- 電學性質:設定了載流子濃度、遷移率等關鍵電參數的具體數值范圍。
- 光學特性:指定了反射率、透射率等相關光學參數的標準值。
- 雜質含量:對可能影響材料性能的各種雜質元素的最大允許濃度給出了限定。
此外,《GB/T 35308-2017》還包含了測試方法章節(jié),提供了驗證上述各項技術要求是否達標的方法指南。這包括物理尺寸測量、表面形貌分析、電學性能測試等多種實驗手段,并且推薦使用特定儀器設備來保證檢測結果的準確性與可靠性。
最后,包裝、標志、運輸及貯存等方面也有所涉及,旨在確保產品從生產到交付整個過程中的安全性和完整性。通過遵循本標準的規(guī)定,可以有效提升鍺基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片的質量水平,進而促進高性能太陽能電池的研發(fā)與應用。
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....
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- 現行
- 正在執(zhí)行有效
- 2017-12-29 頒布
- 2018-07-01 實施



文檔簡介
ICS29045
H83.
中華人民共和國國家標準
GB/T35308—2017
太陽能電池用鍺基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片
EpitaxialwafersofgermaniumbasedⅢ-Ⅴcompoundsforsolarcell
2017-12-29發(fā)布2018-07-01實施
中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布
中國國家標準化管理委員會
GB/T35308—2017
前言
本標準按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準
(SAC/TC203)
化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口
(SAC/TC203/SC02)。
本標準起草單位天津三安光電有限公司廈門市三安光電科技有限公司有色金屬技術經濟研
:、、
究院
。
本標準主要起草人畢京鋒宋明輝李森林陳文浚吳超瑜王篤祥楊素心
:、、、、、、。
Ⅰ
GB/T35308—2017
太陽能電池用鍺基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片
1范圍
本標準規(guī)定了太陽能電池用鍺基族化合物外延片以下簡稱外延片的術語和定義分類及
Ⅲ-Ⅴ(“”)、
牌號要求試驗方法檢驗規(guī)則以及標志包裝運輸貯存和質量證明書
、、、、、、。
本標準適用于太陽能電池用鍺基族化合物外延片
Ⅲ-Ⅴ。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
計數抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃
GB/T2828.11:(AQL)
硅拋光片表面質量目測檢驗方法
GB/T6624
砷化鎵外延層厚度紅外干涉測量方法
GB/T8758
硅外延層載流子濃度測定汞探針電容電壓法
GB/T14146-
半導體材料術語
GB/T14264
重摻型硅襯底中硼沾污的二次離子質譜檢測方法
GB/T24580n
原子力顯微鏡測量濺射薄膜表面粗糙度的方法
GB/T31227
3術語和定義
界定的以及下列術語和定義適用于本文件
GB/T14264。
31
.
白點whitedots
外延片上直徑大于且小于的亮點
1mm、2mm。
32
.
晶片污染wafercontamination
由于襯底加工過程或外延過程異常導致外延片表面形成直徑大于的非定向散光現象
2mm。
33
.
晶格失配度latticemismatch
數值上等于外延層晶格常數a與襯底晶格常數a之差除以襯底的晶格常數a是描述襯底與外
e00,
延層晶格匹配的常量
。
4分類及牌號
41分類
.
411外延片按照外延結構分為晶格匹配電池外延片和晶格失配電池外延片
..。
412外延片按襯底直徑主要分為ΦΦΦ
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