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第四節(jié)離子晶體
第一課時(shí)干冰水晶明礬雪花氯化鈉金剛石常見晶體粉末狀氯化鈉晶體
1.NaCl晶體是典型的離子化合物,其中存在哪些微粒?試寫出NaCl的電子式.
2.上述離子是通過怎樣的相互作用結(jié)合成晶體的呢?你知道嗎?2Na+Cl2==2NaCl
+11+17+17+11Na+
Cl-NaClCl-Na+氯化鈉的形成過程:知識(shí)回顧:離子鍵
1、
稱為離子鍵。2、成鍵的微粒:陰、陽離子3、成鍵的本質(zhì):陰陽離子間的靜電作用4、成鍵的條件:活潑金屬元素的原子和活潑的非金屬元素的原子使陰、陽離子結(jié)合成離子化合物的靜電作用思考
哪些物質(zhì)中含有離子鍵?
1、活潑的金屬元素(IA、IIA)和活潑的非金屬元素(VIA、VIIA)形成的化合物。
2、活潑的金屬元素和酸根離子(或氫氧根離子)形成的化合物
3、銨根和酸根離子(或活潑非金屬元素離子)形成的鹽。強(qiáng)堿大多數(shù)鹽活潑金屬氧化物
4、從物質(zhì)類別的角度來說,離子化合物通常包括________、___________和________________。5.常見的離子化合物6、影響離子鍵強(qiáng)弱的因素:離子半徑和離子電荷同種類型的離子晶體,通常離子半徑越
、離子帶電荷越
,離子鍵就越
。離子鍵越強(qiáng),破壞它所需能量就越
。熔點(diǎn)就越
。小多強(qiáng)大高7、離子鍵的特征沒有方向性:陰陽離子是球形對稱的,電荷的分布也是球形對稱的,它們在空間各個(gè)方向上的靜電作用相同,都可以和帶不同電荷的離子發(fā)生作用沒有飽和性:在靜電作用能達(dá)到的范圍內(nèi),只要空間條件允許,一個(gè)離子可以多個(gè)離子發(fā)生作用強(qiáng)堿、活潑金屬氧化物、大部分的鹽類。1、定義:由陽離子和陰離子通過離子鍵結(jié)合而成的晶體。2、成鍵粒子:陰、陽離子3、相互作用力:離子鍵4、常見的離子晶體:一、離子晶體(2)硬度
。5.離子晶體物理性質(zhì)的特點(diǎn):(1)熔沸點(diǎn)
,
難揮發(fā)難壓縮。較高較大(3)導(dǎo)電性
閱讀課本P79最后一段(即科學(xué)視野之前的一段),結(jié)合氯化鈉晶體的結(jié)構(gòu),你認(rèn)為離子晶體物理性質(zhì)有何特點(diǎn)?離子電荷越多,核間距離越小,熔沸點(diǎn)升高。固態(tài)不導(dǎo)電,水溶液或者熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電。思考:氯化鈉晶體中鈉離子和氯離子分別處于晶胞的什么位置?頂點(diǎn)和面心是鈉離子棱上和體心是氯離子晶體的微觀結(jié)構(gòu)NaCl(1)氯化鈉晶體5、晶胞類型:(3)與Na+等距離且最近的Na+
、Cl-
各有幾個(gè)?
計(jì)算方法:均攤法頂點(diǎn)占1/8;棱占1/4;面心占1/2;體心占1
(2)每個(gè)晶胞含鈉離子、氯離子的個(gè)數(shù)與Na+等距離且最近的Na+
有:12個(gè)與Na+等距離且最近的Cl-有:6個(gè)Na+Cl-315624154236每個(gè)Cl-
周圍與之最接近且距離相等的Na+共有
個(gè)。6這幾個(gè)Na+在空間構(gòu)成的幾何構(gòu)型為
。正八面體NaCl晶體中離子的配位數(shù)CsCl晶體的結(jié)構(gòu)銫離子氯離子
氯化銫晶體中氯離子和銫離子分別處于晶胞的什么位置?氯離子位于頂點(diǎn),銫離子位于體心。(2)氯化銫晶體CsCl晶胞(1)銫離子和氯離子的位置:銫離子:體心氯離子:頂點(diǎn);或者反之。(2)每個(gè)晶胞含銫離子、氯離子的個(gè)數(shù)銫離子:1個(gè);氯離子:1個(gè)(3)與銫離子等距離且最近的銫離子、氯離子各有幾個(gè)?銫離子:6個(gè);氯離子:8個(gè)科學(xué)探究:找出NaCl、CsCl兩種離子晶體中陽離子和陰離子的配位數(shù),它們是否相等?離子晶體陰離子的配位數(shù)陽離子的配位數(shù)NaCl6CsCl6688(3)CaF2型晶胞2°Ca2+的配位數(shù):F-的配位數(shù):1°一個(gè)CaF2晶胞中含:4個(gè)Ca2+和8個(gè)Fˉ84CaFCa2+配位數(shù)是_____,F(xiàn)-的配位數(shù)是_______。84圖示為CaF2晶胞的1/8,觀察點(diǎn)為上左前方晶胞上面心(4)ZnS型晶胞2°陽離子的配位數(shù):陰離子的配位數(shù):1°一個(gè)ZnS晶胞中含:4個(gè)陽離子和4個(gè)陰離子44科學(xué)探究:你認(rèn)為是什么因素決定了離子晶體中離子的配位數(shù)?根據(jù)表3—5、表3—6分析影響離子晶體中離子配位數(shù)的因素。配位數(shù)468半徑比0.2~0.40.4~0.70.7~1.0空間構(gòu)型ZnSNaClCsCl6、決定離子晶體結(jié)構(gòu)的因素(1)幾何因素晶體中正負(fù)離子的半徑比(2)電荷因素晶體中正負(fù)離子的電荷比(3)鍵性因素離子鍵的純粹因素1、幾何因素配位數(shù)與r+/r-之比相關(guān):0.225——0.414 4配位0.414——0.732 6配位 0.732——1.000 8配位 NaCl:95/181=0.525CsCl:169/181=0.933晶體中正負(fù)離子的半徑比2、電荷因素CaF2的晶胞例:CaF2的晶體中,Ca2+和F-的個(gè)數(shù)之比____,電荷數(shù)之比_____,Ca2+配位數(shù)是_____,F(xiàn)-的配位數(shù)是_______。由正負(fù)離子的電荷比影響離子晶體的配位數(shù)的因素,稱為電荷因素。1:22:184科學(xué)視野[閱讀思考]
碳酸鹽熱分解的實(shí)質(zhì)是什么?表3-7的有關(guān)數(shù)值說明了什么?組成碳酸鹽中陽離子的金屬的金屬性越弱,金屬陽離子的半徑越小,碳酸鹽的熱穩(wěn)定性越差,反之越好。NaClCsCl熔點(diǎn)℃沸點(diǎn)℃
801
645
1413
1290
為什么NaCl的熔沸點(diǎn)比CsCl高?交流與討論結(jié)論:
對于組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì),陰、陽離子半徑越小,離子鍵越強(qiáng),熔沸點(diǎn)較高,晶體越穩(wěn)定。
離子鍵的強(qiáng)弱在一定程度上可以用離子晶體的晶格能來衡量。
1.概念:氣態(tài)離子形成1摩爾離子晶體釋放的能量,通常取正值。或指拆開1mol離子晶體使之形成氣態(tài)陰離子和氣態(tài)陽離子所吸收的能量(二)、離子晶體的晶格能2.表示:符號為U單位是KJ/mol,取正值
3、影響晶格能大小因素離子晶體中陰陽離子半徑越小,所帶電荷越多,離子鍵越強(qiáng),晶格能越大
4晶格能的作用:(1)晶格能越大,離子晶體越穩(wěn)定,離子晶體的熔沸點(diǎn)越高,硬度越大。(2)巖漿晶出規(guī)則與晶格能的關(guān)系★晶格能高的晶體熔點(diǎn)較高,更容易在巖漿冷卻過程中冷卻下來,從而先結(jié)晶總結(jié)一離子晶體有什么特點(diǎn)?無單個(gè)分子存在;NaCl不表示分子式。熔沸點(diǎn)較高,硬度較大,難揮發(fā)難壓縮。且隨著離子電荷的增加,核間距離的縮短,晶格能增大,熔點(diǎn)升高。一般易溶于水,而難溶于非極性溶劑。固態(tài)不導(dǎo)電,水溶液或者熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電。哪些物質(zhì)屬于離子晶體?強(qiáng)堿、部分金屬氧化物、部分鹽類。各類型離子晶體晶胞的比較晶體類型晶胞類型晶胞結(jié)構(gòu)示意圖配位數(shù)距離最近且相等的相反離子每個(gè)晶胞含有離子數(shù)實(shí)例NaCl型
ABCsCl型ZnS型AB2CaF2型Na+:6Cl-:6Cs+:Cl-:88Zn2+:S2-:44Ca2+:F-:48Na+:Cl-:Cs+:Cl-:Zn2+:S2-:Ca2+:F-:Na+:Cl-:Cs+:Cl-:Zn2+:S2-:Ca2+:F-:6688444844114484KBr
AgCl、MgO、CaS、BaSeZnS、AgI、
BeOCsCl、CsBr、CsI、TlCl堿土金屬鹵化物、堿金屬氧化物。練習(xí)
1、下表列出了有關(guān)晶體的知識(shí),其中錯(cuò)誤的是()2、下列物質(zhì)的晶體,按其熔點(diǎn)由低到高的排列順序正確的是()
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