標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 32815-2016 硅基MEMS制造技術(shù) 體硅壓阻加工工藝規(guī)范》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)，旨在為基于體硅材料的微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）中使用壓阻效應(yīng)進(jìn)行傳感器或執(zhí)行器設(shè)計(jì)與制造時(shí)提供統(tǒng)一的技術(shù)指導(dǎo)。該標(biāo)準(zhǔn)涵蓋了從原材料選擇到最終產(chǎn)品測試整個(gè)過程中的關(guān)鍵步驟和技術(shù)要求。

首先，在材料方面，規(guī)定了用于制作壓阻式MEMS器件的單晶硅片的基本屬性，包括但不限于電阻率、晶體取向等參數(shù)的選擇依據(jù)及其對(duì)性能的影響。此外，還詳細(xì)描述了如何通過摻雜來調(diào)整硅材料的電學(xué)性質(zhì)以滿足特定應(yīng)用需求。

接著，在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)部分，給出了關(guān)于敏感元件幾何形狀設(shè)計(jì)的原則性建議，并強(qiáng)調(diào)了在考慮應(yīng)力分布均勻性和提高靈敏度的同時(shí)也要注意保證良好的機(jī)械強(qiáng)度。對(duì)于常見的幾種類型如懸臂梁、膜片等，提供了具體的尺寸推薦值及計(jì)算方法。

然后是關(guān)于制造流程的內(nèi)容，主要包括光刻、腐蝕、沉積等多個(gè)環(huán)節(jié)的操作細(xì)節(jié)和控制要點(diǎn)。例如，在光刻步驟中明確了掩模版的設(shè)計(jì)規(guī)則；對(duì)于濕法或干法刻蝕，則指出了不同條件下所需達(dá)到的精度范圍以及可能遇到的問題解決策略；至于金屬層或其他介質(zhì)層的沉積，則討論了厚度均勻性的重要性及其影響因素。

最后，《GB/T 32815-2016》還涉及到了成品的質(zhì)量檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)，包括電氣特性測試、可靠性評(píng)估等方面的要求。這有助于確保生產(chǎn)出來的每個(gè)部件都能符合預(yù)期的功能規(guī)格，并且能夠在長時(shí)間內(nèi)穩(wěn)定工作。

該文件通過上述各個(gè)方面內(nèi)容的詳盡闡述，為從事相關(guān)領(lǐng)域研究開發(fā)工作的技術(shù)人員提供了一份全面而實(shí)用的參考指南。


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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2016-08-29 頒布
  • 2017-03-01 實(shí)施
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文檔簡介

ICS31200

L55.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T32815—2016

硅基MEMS制造技術(shù)

體硅壓阻加工工藝規(guī)范

Silicon-basedMEMSfabricationtechnology—

Specificationforcriterionofthebulksiliconpiezoresistanceprocess

2016-08-29發(fā)布2017-03-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T32815—2016

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

工藝流程

4…………………1

概述

4.1…………………1

硅片選擇

4.2……………1

硅片壓阻區(qū)制備

4.3……………………1

硅片隔離區(qū)制備

4.4……………………5

硅片背腔腐蝕

4.5………………………6

硅片引線制備

4.6(G)…………………10

玻璃片金屬電極制備

4.7………………12

硅玻璃鍵合

4.8-………………………14

鍵合片硅面刻蝕

4.9……………………15

工藝保障條件要求

5………………………17

人員要求

5.1……………17

環(huán)境要求

5.2……………17

設(shè)備要求

5.3……………17

原材料要求

6………………18

安全操作要求

7……………19

用電安全

7.1……………19

化學(xué)試劑

7.2……………19

排放

7.3…………………19

檢驗(yàn)

8………………………19

總則

8.1…………………19

檢驗(yàn)方法和要求

8.2……………………19

Ⅰ

GB/T32815—2016

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位北京大學(xué)中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心大連理工大學(xué)東南大學(xué)北京青鳥元芯微

:、、、、

系統(tǒng)科技有限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人張大成王瑋李海斌楊芳黃賢何軍劉沖劉偉周再發(fā)劉軍山李婷

:、、、、、、、、、、、

姜博巖

。

Ⅲ

GB/T32815—2016

硅基MEMS制造技術(shù)

體硅壓阻加工工藝規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用體硅壓阻工藝進(jìn)行器件加工時(shí)應(yīng)遵循的工藝要求和質(zhì)量檢驗(yàn)要求

MEMS。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅基制造技術(shù)中基于背腔腐蝕和硅玻璃鍵合的體硅壓阻加工工藝的加工和

MEMS-

質(zhì)量檢驗(yàn)

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

測量管理體系測量過程和測量設(shè)備的要求

GB/T19022

微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)術(shù)語

GB/T26111(MEMS)

潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范

GB50073

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T26111。

4工藝流程

41概述

.

體硅壓阻工藝流程包括硅片壓阻區(qū)制備硅片隔離區(qū)制備硅片背腔腐蝕硅片引線制備玻璃片電

、、、、

極制備硅玻璃鍵合以及鍵合片硅面刻蝕等部分其中的關(guān)鍵工藝用表示

、-,(G)。

42硅片選擇

.

421硅片材料的選擇應(yīng)結(jié)合所制造的器件的性能要求和后續(xù)工藝需求確定如型輕摻雜電阻率

..,n、、

為等

2Ωcm。

422硅片晶面的選擇應(yīng)以后續(xù)的工藝選擇為依據(jù)當(dāng)后續(xù)工藝步驟中使用了氫氧化鉀或四

..

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