GB/T 32282-2015氮化鎵單晶位錯密度的測量陰極熒光顯微鏡法

ICS77040

H21.

中華人民共和國國家標準

GB/T32282—2015

氮化鎵單晶位錯密度的測量

陰極熒光顯微鏡法

TestmethodfordislocationdensityofGaNsinglecrystal—

Cathodoluminescencespectroscopy

2015-12-10發(fā)布2016-11-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T32282—2015

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所蘇州納維科技有限公司

:、。

本標準主要起草人曾雄輝張燚董曉鳴牛牧童劉爭暉邱永鑫王建峰徐科

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T32282—2015

氮化鎵單晶位錯密度的測量

陰極熒光顯微鏡法

1范圍

本標準規(guī)定了用陰極熒光顯微鏡法測試氮化鎵單晶位錯密度的方法

。

本標準適用于位錯密度在3個28個2之間的氮化鎵單晶中位錯密度的測試

1×10/cm~5×10/cm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所用的修改單適用于本文件

。,()。

硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗方法

GB/T1554

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

微束分析掃描電鏡圖像放大倍率校準導(dǎo)則

GB/T27788

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

陰極熒光cathodoluminescence

材料在陰極射線電子束激發(fā)下產(chǎn)生發(fā)光的一種物理現(xiàn)象

()。

32

.

輻射復(fù)合radiativerecombination

電子從高能態(tài)到低能態(tài)的躍遷過程中電子和空穴復(fù)合時會釋放一定的能量能量以光子的形式

,,

釋放

。

33

.

非輻射復(fù)合nonradiativerecombination

電子從高能態(tài)到低能態(tài)的躍遷過程中電子和空穴復(fù)合時會釋放一定的能量能量以除光子輻射之

,,

外的其他形式釋放

。

4方法提要

通常待測發(fā)光材料樣品在電子束的作用下會被激發(fā)出各種信號如二次電子信號背散射電子信

,,,、

號射線信號陰極熒光信號等采用特定的探測器對上述信號進行分別接收便可得到反映樣品相

、X、。,

應(yīng)特征的圖像對陰極熒光信號主要采用光電倍增管來探測將光信號轉(zhuǎn)換成電流最后以圖像輸出

。,,。

陰極熒光圖像上的襯度反映了樣品不同區(qū)域發(fā)光的強弱

。

位錯通常是氮化鎵單晶中的非輻射復(fù)合中心因此會在陰極熒光圖像上表現(xiàn)為暗點陰極熒光顯微

,,

鏡的空間分辨率可達到幾十納米