標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 32278-2015 碳化硅單晶片平整度測試方法》是中國國家標(biāo)準(zhǔn)之一，該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了碳化硅單晶片表面平整度的測量方法。其主要適用于直徑不小于2英寸（約50.8毫米）且厚度不超過635微米的碳化硅單晶片。

根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn)，平整度定義為樣品表面上任意兩點間最大高度差值。標(biāo)準(zhǔn)中推薦使用接觸式或非接觸式的輪廓儀作為主要檢測工具，并對這些儀器的操作條件進行了詳細說明，比如環(huán)境溫度應(yīng)控制在23±2℃范圍內(nèi)，相對濕度保持在45%～75%之間等。

對于具體的測試步驟，《GB/T 32278-2015》給出了詳細的指導(dǎo)：首先需要清潔待測樣品表面，然后將樣品放置于指定位置進行固定；接著按照選定的方法調(diào)整好設(shè)備參數(shù)后開始掃描整個表面；最后通過分析獲得的數(shù)據(jù)來計算出樣品的最大峰谷值即為其平整度。

此外，該標(biāo)準(zhǔn)還提供了不同尺寸規(guī)格下碳化硅單晶片的平整度要求以及如何處理異常數(shù)據(jù)等方面的指導(dǎo)信息。例如，在某些情況下如果發(fā)現(xiàn)有明顯缺陷或者污染點影響到了最終結(jié)果，則需排除這部分?jǐn)?shù)據(jù)再重新計算平均值。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2015-12-10 頒布
  • 2017-01-01 實施
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文檔簡介

ICS77040

H21.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T32278—2015

碳化硅單晶片平整度測試方法

Testmethodforflatnessofmonocrystallinesiliconcarbidewafers

2015-12-10發(fā)布2017-01-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T32278—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位北京天科合達藍光半導(dǎo)體有限公司中國科學(xué)院物理研究所

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人陳小龍鄭紅軍張瑋郭鈺

:、、、。

Ⅰ

GB/T32278—2015

碳化硅單晶片平整度測試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了碳化硅單晶拋光片的平整度即總厚度變化局部厚度變化彎曲度

,(TTV)、(LTV)、

翹曲度的測試方法

(Bow)、(Warp)。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于直徑為厚度碳化硅單晶拋光片平整

50.8mm、76.2mm、100mm,0.13mm~1mm

度的測試

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

潔凈廠房設(shè)計規(guī)范

GB50073

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

局部厚度變化localthicknessvariationLTV

;

以晶片的底平面為參考面晶片表面特定面積區(qū)域內(nèi)厚度最高點最大值和最低點最小值之

,()()()

間的差晶片的指整片上所有測試區(qū)域的最大值示意圖見圖

。LTVLTV,1。

圖1局部厚度變化LTV示意圖

()

4方法提要

一束平行光被分光鏡棱鏡分為兩束光其中一束經(jīng)過固定的反射鏡形成參考光另一束經(jīng)過移動

(),,

的反射鏡形成測量光參考光和測量光經(jīng)過分光鏡棱鏡后匯合如果兩束光相位相同光波疊加增

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