標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 32277-2015 硅的儀器中子活化分析測(cè)試方法》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)，該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了使用儀器中子活化分析法測(cè)定硅材料中多種元素含量的方法。其主要內(nèi)容包括：

  • 范圍：適用于高純度硅及其相關(guān)產(chǎn)品中雜質(zhì)元素如鈉、鋁、磷、硫、氯、鉀、鈣、鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、鎵、鍺、砷、硒、銀、鎘、銦、錫、銻、碲、鉛等的定量分析。

  • 原理：基于樣品在核反應(yīng)堆或加速器產(chǎn)生的熱中子束流中被照射后，其中某些同位素會(huì)吸收一個(gè)中子而變成放射性同位素；這些放射性同位素衰變時(shí)放出γ射線或其他粒子，通過測(cè)量這些輻射的能量和強(qiáng)度來確定相應(yīng)元素的存在及濃度。

  • 試劑與材料：詳細(xì)列出了實(shí)驗(yàn)過程中所需的各種化學(xué)試劑（如稀釋劑）、標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)以及制備溶液所用到的水等要求。

  • 儀器設(shè)備：描述了進(jìn)行本方法所需的專用裝置，包括但不限于中子源、γ譜儀、多道分析系統(tǒng)等，并對(duì)每種設(shè)備的功能和技術(shù)參數(shù)提出了具體要求。

  • 樣品處理：提供了從取樣到最終樣品制備整個(gè)流程的操作指南，強(qiáng)調(diào)了避免污染的重要性，并給出了推薦的最佳實(shí)踐步驟。

  • 分析步驟：明確了如何設(shè)置實(shí)驗(yàn)條件（例如照射時(shí)間）、如何執(zhí)行實(shí)際測(cè)量過程以及如何記錄數(shù)據(jù)等方面的具體指導(dǎo)。

  • 結(jié)果計(jì)算：介紹了如何根據(jù)測(cè)得的數(shù)據(jù)計(jì)算出目標(biāo)元素的含量，涉及到校正因子的應(yīng)用、背景扣除等多個(gè)環(huán)節(jié)。

  • 精密度與準(zhǔn)確度：討論了影響測(cè)試結(jié)果可靠性的因素，并給出了一系列關(guān)于重復(fù)性和再現(xiàn)性的評(píng)價(jià)指標(biāo)。

  • 報(bào)告：規(guī)定了完成分析后應(yīng)包含哪些信息的標(biāo)準(zhǔn)格式，確保所有關(guān)鍵細(xì)節(jié)都被正確記錄下來。

此標(biāo)準(zhǔn)旨在為從事半導(dǎo)體材料質(zhì)量控制及相關(guān)研究領(lǐng)域的專業(yè)人士提供一套科學(xué)嚴(yán)謹(jǐn)、可操作性強(qiáng)的技術(shù)規(guī)范。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2015-12-10 頒布
  • 2017-01-01 實(shí)施
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文檔簡介

ICS77040

H17.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T32277—2015

硅的儀器中子活化分析測(cè)試方法

TestmethodforinstrumentalneutronactivationanalsisINAAofsilicon

y()

2015-12-10發(fā)布2017-01-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T32277—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位樂山樂電天威硅業(yè)科技有限責(zé)任公司中國原子能科學(xué)研究院新特能源股份有

:、、

限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人李智偉張亞東張新姚淑銀波邱艷梅

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T32277—2015

引言

中子活化分析是一種能夠?qū)Χ喾N材料進(jìn)行多種元素的高靈敏度定量定性分析的方法特

(NAA)、。

別是在半導(dǎo)體工業(yè)中它被指定用于分析和評(píng)價(jià)高純多晶硅用以生長半導(dǎo)體級(jí)硅單晶及硅片的原材

,(

料中的痕量元素污染光伏產(chǎn)業(yè)中硅原料需求的增長引發(fā)了更大規(guī)模的多晶硅生產(chǎn)和各種提純硅原

)。,

料替代方法的研發(fā)用這些方法生產(chǎn)的硅材料在目前的文獻(xiàn)資料中一般被稱為太陽能級(jí)硅并具有多

。,

種形狀如塊狀粉末狀和顆粒狀

,、。

隨著多晶硅和太陽能級(jí)硅生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大其質(zhì)量控制也應(yīng)加強(qiáng)而儀器中子活化分析是

,,(INAA)

可選方法之一儀器中子活化分析是一種直接對(duì)輻照樣品實(shí)施分析的方法與之相比傳統(tǒng)的放射化學(xué)

。,,

中子活化分析方法要將輻照后的樣品進(jìn)行化學(xué)分離除去干擾物質(zhì)或者濃縮待檢放射性同位

(RNAA),

素當(dāng)前一些實(shí)驗(yàn)室通過使用不同的中子源輻照條件電子設(shè)備和制樣方法實(shí)現(xiàn)了儀器中子活化分

。,、、,

析并將其應(yīng)用于各種形態(tài)種類的硅樣品硅的儀器中子活化分析方法的標(biāo)準(zhǔn)化將消除分析方法間的

,、。

差異從而建立一個(gè)通用的參考分析方法

,。

Ⅱ

GB/T32277—2015

硅的儀器中子活化分析測(cè)試方法

1范圍

11本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅材料的儀器中子活化分析測(cè)試方法

.。

12本標(biāo)準(zhǔn)適用于化學(xué)氣相沉積法或冶金提純方法生產(chǎn)的硅材料的儀器中子活化分析分析樣品可

.。

以是單晶硅多晶硅而多晶硅的形態(tài)可以是粉末顆粒塊狀或硅片

、,、、。

13本標(biāo)準(zhǔn)適用于材料的宏觀成分分析如按本測(cè)試方法進(jìn)行額外的樣品制備并在樣品抽取傳送

.。,、

和制備過程中避免表面污染也可實(shí)現(xiàn)樣品的表面或近表面區(qū)域分析

,。

14本測(cè)試方法僅適用于附錄中所列痕量元素的熱中子或超熱中子活化分析

.A。

15本測(cè)試方法不適用于非晶硅薄膜多晶硅薄膜或微晶硅薄膜的分析對(duì)于受到人為摻雜高濃度特

.、。

殊元素的硅樣品也不屬于本測(cè)試方法適用范圍但在檢查過摻雜對(duì)安全檢測(cè)限和最小等待時(shí)間t的

,,、w0

影響之后該測(cè)試方法還是可能適用

,。

16本測(cè)試方法用于分析大范圍的痕量元素見附錄通常樣品的輻照時(shí)間應(yīng)比31的衰變壽命

.(A)。,Si

長而且應(yīng)等輻照生成的31充分地衰變之后才能實(shí)施分析

,Si。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

化學(xué)試劑氫氟酸

GB/T620—2011(ISO6353-3:1987,NEQ)

化學(xué)試劑硝酸

GB/T626—2006(ISO6353-2:1983,NEQ)

電子級(jí)水

GB/T11446.1—2013

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

電離輻射防護(hù)與輻射源安全基本標(biāo)準(zhǔn)

GB18871

氮?dú)夂鸵旱踩珣?yīng)用準(zhǔn)則

GJB2253A—2008

危險(xiǎn)化學(xué)品強(qiáng)制性國家標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施手冊(cè)

《》

致電離輻射測(cè)量用特性限值判斷閾探測(cè)限值和置信區(qū)間限值的測(cè)定基本

ISO11929:2010

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