標準解讀

《GB/T 28274-2012 硅基MEMS制造技術 版圖設計基本規(guī)則》是中國國家標準之一，該標準規(guī)定了硅基微機電系統(tǒng)（MEMS）在版圖設計階段需要遵循的基本原則和技術要求。它旨在為從事MEMS器件開發(fā)與生產(chǎn)的工程師提供一套統(tǒng)一的設計指導方針，從而保證產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。

根據(jù)該標準內(nèi)容，首先明確了適用范圍，即適用于以硅材料為基礎的各種類型MEMS器件的版圖設計工作。接著對術語和定義進行了詳細的說明，確保行業(yè)內(nèi)對于相關概念有一致的理解。

標準中詳細列出了版圖設計時應考慮的關鍵因素，包括但不限于尺寸精度、布局合理性、電氣隔離、機械強度等方面的要求。例如，在尺寸方面，強調(diào)了不同層次間特征尺寸的一致性及其公差控制；而在布局上，則關注如何通過合理安排來優(yōu)化性能同時避免潛在的干擾問題。此外，還特別提到了關于電學特性的考量，比如如何有效地實現(xiàn)信號傳輸而減少噪聲影響等。

針對特定類型的MEMS結構，《GB/T 28274-2012》也給出了專門的設計指南，如懸臂梁、隔膜等常見元件的具體參數(shù)設置建議。這些指南幫助設計師們更好地理解和掌握不同類型MEMS器件的特點及設計要點。

最后，該標準還包括了一些輔助性的附錄資料，提供了更多參考信息，比如典型工藝流程介紹、常用材料屬性數(shù)據(jù)表等，為實際操作提供了便利。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2012-05-11 頒布
  • 2012-12-01 實施
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文檔簡介

ICS31200

L55.

中華人民共和國國家標準

GB/T28274—2012

硅基MEMS制造技術

版圖設計基本規(guī)則

Silicon-basedMEMSfabricationtechnology—

Thebasicregulationoflayoutdesign

2012-05-11發(fā)布2012-12-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T28274—2012

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國微機電技術標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標準起草單位北京大學中機生產(chǎn)力促進中心中國電子科技集團第十三研究所中國科學院上

:、、、

海微系統(tǒng)與信息技術研究所西北工業(yè)大學

、。

本標準主要起草人張大成王瑋劉偉楊芳姜森林崔波熊斌喬大勇

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T28274—2012

硅基MEMS制造技術

版圖設計基本規(guī)則

1范圍

本標準規(guī)定了微結構加工時光刻版圖設計中圖形設計應遵循的基本規(guī)則

,。

本標準適用于采用接觸式單雙面光刻氧化擴散化學氣相淀積物理氣相淀積離

/、、(CVD)、(PVD)、

子注入反應離子刻蝕氫氧化鉀腐蝕硅玻璃對準靜電結合砂輪劃片等基本工藝方法

、(RIE)、(KOH)、-、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

微機電系統(tǒng)技術術語

GB/T26111—2010(MEMS)

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T26111—2010。

31

.

雙面光刻doublesidemaskalign

在基片的一面面制備與該基片另一面面已有光刻圖形或痕跡的有一定對準關系的圖形

(A),(B)

的過程

。

32

.

亮版lightmask

大面積透光的光刻版

。

33

.

暗版darkmask

大面積不透光的光刻版

。

34

.

對準標記alignmark

用于對準不同工序形成的圖形的標記

。

4光刻對準和鍵合對準方法

41單面光刻對準方法

.

通過使用光刻機等工具使光刻版上圖形與基片上對應的圖形對準其工作過程如圖所示

,1。

單面光刻對準是在有圖形基片表面涂敷光刻膠使用光刻設備將光刻版圖形與基片上已有圖形對

,

準后再通過曝光和顯影將基片上光刻膠處理成與光刻版圖形一致且

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