標準解讀

GB/T 13178-1991 是一項中華人民共和國國家標準，全稱為《金硅面壘型探測器》。這項標準詳細規(guī)定了金硅面壘型探測器（Gold-Silicon Surface Barrier Detector）的技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、包裝、運輸和儲存要求，旨在統(tǒng)一和提升此類探測器的質量與性能指標，確保其在核物理實驗、輻射監(jiān)測、環(huán)境檢測等領域的可靠應用。

技術要求部分：

  • 材料與結構：明確了金硅面壘型探測器應采用高純度硅單晶作為基材，并在其表面沉積一層薄金膜形成阻擋層。對硅片的電阻率、純度以及金膜的厚度和均勻性有具體規(guī)定。
  • 電性能指標：規(guī)定了探測器的泄漏電流、耗盡層寬度、能量分辨率等關鍵電性能參數的最低要求，以確保探測器具有良好的靈敏度和穩(wěn)定性。
  • 機械及環(huán)境適應性：包括了對外形尺寸、機械強度、工作溫度范圍以及抗輻射能力等方面的要求，確保探測器在不同環(huán)境條件下的穩(wěn)定工作性能。

試驗方法部分：

  • 描述了如何測試和評估探測器的各項技術指標，如使用特定的電壓源測量泄漏電流，通過輻射源測試能量分辨率等，確保測試過程的標準化和可重復性。

檢驗規(guī)則部分：

  • 規(guī)定了產品出廠前應進行的檢驗類型（如全檢或抽樣檢驗）、檢驗項目、合格判定準則等，確保每批產品的質量符合標準要求。

標志、包裝、運輸和儲存部分：

  • 要求制造商需在產品上明確標注型號、生產日期、制造商信息等，并對包裝材料、方式以及在運輸和儲存過程中的環(huán)境條件（如溫度、濕度）提出具體要求，以防止探測器在非使用階段受損。

該標準的實施為金硅面壘型探測器的生產和應用提供了統(tǒng)一的標準依據，有助于提升產品的互換性和兼容性，促進相關行業(yè)技術進步和市場健康發(fā)展。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現行標準GB/T 13178-2008
  • 1991-04-11 頒布
  • 1992-05-01 實施
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文檔簡介

UDC539.1.074.5F88中華人民共和國國家標準GB/T13178-91金硅面壘型探測器Partiallydepletedgoldsiliconsurfacebarrierdetectors1991-04-11發(fā)布1992-05-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

(京)新登字023號中華人民共和國國家標準金硅面墊型探測器GB/T13178-91中國標準出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復興門外三里河北街16號郵政編碼：100045htp//電話：63787337、637874471992年6月第一版2004年12月電子版制作書號：155066·1-8721版權專有浸權必究舉報電話：（010）68533533

中華人民共和國國家標準專硅面壘型探測器金CB/T13178-91Partiallydepletedgoldsiliconsurfacebarrierdetectors主題內客與適用范摩本標準規(guī)定了部分耗盡金硅面全型探測器(簡稱探測器)的分類、技術要求、測試方法、檢驗規(guī)則等。本標準適用于部分耗盡金硅面全型探測器(不包括位置靈敏探測器)。鋰源移金硅面全型探測器也可參照執(zhí)行、2引用標準GB5201帶電粒子半導體探測器測試方法GB10257核儀器與核輻射探測器質量檢驗規(guī)則術語、符號、代號3.1術語3.1.1面壘型半導體探測器surfacebarriersemiconductordetector由表面上的反型層產生的結形成勢壘的半導體探測器。3.1.2耗盡層(靈敏層）depletionlanyer半導體探測器中構成靈敏體積的一層半導體材料，粒子在其中損耗能量的絕大部分對輸出信號均有貢獻3.1.3部分耗盡partialdepletion耗盡層深度小于半導體材料基片的厚度，3.1.4靈敏面積8ensitivearea探測器中輻射最易進入耗盡層的那部分面積。3.1.5半高寬（FwHM）fullwidthathalfmaximum在僅由單峰構成的分布曲線上，峰值一半處兩點的橫坐標之間的距離。3.1.6能量分辨率energyresolution深測器對能譜高度分布FWHM的貢獻（包括探測器漏電流噪聲)以能量單位表示.3.2符號、代號3.2.1Q對"Am源5.486MeV的粒子，使用標準電子學設備，成形時間常數為0.5rs時,表示整個系統(tǒng)的分辨率(keV)。3.2.2B在3.2.1同樣條件下,表示由脈沖產生器信號峰的半高寬(FWHM)近似的

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