半導(dǎo)體器件作業(yè)-有答案

1、 3/3半導(dǎo)體器件作業(yè)-有答案 1半導(dǎo)體硅材料的晶格結(jié)構(gòu)是（ A ） A 金剛石 B 閃鋅礦 C 纖鋅礦 2下列固體中，禁帶寬度Eg 最大的是（ C ） 金屬半導(dǎo)體絕緣體 3硅單晶中的層錯(cuò)屬于（ C ） 點(diǎn)缺陷線缺陷面缺陷 4施主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供（ B ），受主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供（ A ），本征激發(fā)后向半導(dǎo)體提供（A B ）。 A 空穴 B 電子 5砷化鎵中的非平衡載流子復(fù)合主要依靠（ A ） A 直接復(fù)合 B 間接復(fù)合 C 俄歇復(fù)合 6衡量電子填充能級水平的是（ B ） 施主能級費(fèi)米能級受主能級 D 缺陷能級 7載流子的遷移率是描述載流子( A )的一個(gè)物理量；載流子的擴(kuò)散系數(shù)是描

2、述載流子( B ) 的一個(gè)物理量。 A 在電場作用下的運(yùn)動(dòng)快慢 B 在濃度梯度作用下的運(yùn)動(dòng)快慢 8室溫下，半導(dǎo)體Si中摻硼的濃度為1014cm3，同時(shí)摻有濃度為1.11015cm3的磷，則電子濃度約為（ B ），空穴濃度為（ D ），費(fèi)米能級（G ）；將該半導(dǎo)體升溫至570K，則多子濃度約為（ F ），少子濃度為（ F ），費(fèi)米能級（I ）。（已知：室溫下，ni1.51010cm3，570K 時(shí)，ni21017cm3） A 1014cm3 B 1015cm3 C 1.11015cm3 D 2.25105cm3 E 1.2 1015cm3 F 21017cm3G 高于Ei H 低于Ei I 等于

3、Ei 9載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（ C ）電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（ A ）電流。 A 漂移 B 隧道 C 擴(kuò)散 10. 下列器件屬于多子器件的是（ B D ） 穩(wěn)壓二極管肖特基二極管發(fā)光二極管 D 隧道二極管 11. 平衡狀態(tài)下半導(dǎo)體中載流子濃度n0p0=ni2，載流子的產(chǎn)生率等于復(fù)合率，而當(dāng)npni2 時(shí)，載流子的復(fù)合率（ C ）產(chǎn)生率 大于等于小于 12. 實(shí)際生產(chǎn)中，制作歐姆接觸最常用的方法是（ A ） 重?fù)诫s的半導(dǎo)體與金屬接觸輕摻雜的半導(dǎo)體與金屬接觸 13在下列平面擴(kuò)散型雙極晶體管擊穿電壓中數(shù)值最小的是（ C ） A BVCEO B BVCBO C BVEBO 14MIS 結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體表面出現(xiàn)強(qiáng)

4、反型的臨界條件是（ B ）。（V S為半導(dǎo)體表面電勢；qVB=Ei-EF） A V S=V B B V S=2V B C V S=0 15晶體管中復(fù)合與基區(qū)厚薄有關(guān)，基區(qū)越厚，復(fù)合越多，因此基區(qū)應(yīng)做得（ C ）A較厚B較薄C很薄16pn 結(jié)反偏狀態(tài)下，空間電荷層的寬度隨外加電壓數(shù)值增加而（ A ）。 A展寬B變窄C不變 17在開關(guān)器件及與之相關(guān)的電路制造中，（ C ）已作為縮短少數(shù)載流子壽命的有效手段。 A 鈍化工藝 B 退火工藝 C 摻金工藝 18在二極管中，外加反向電壓超過某一數(shù)值后，反向電流突然增大，這個(gè)電壓叫（ B ）。 A 飽和電壓 B 擊穿電壓 C 開啟電壓 19真空能級和費(fèi)米能級

5、的能值差稱為（ A ） A 功函數(shù) B 親和能 C 電離電勢 20. 平面擴(kuò)散型雙極晶體管中摻雜濃度最高的是（ A ） A 發(fā)射區(qū) B 基區(qū) C 集電區(qū) 21柵電壓為零，溝道不存在，加上一個(gè)負(fù)電壓才能形成P 溝道，該MOSFET 為（ A ） A P 溝道增強(qiáng)型 B P 溝道耗盡型 C N 溝道增強(qiáng)型 D N 溝道耗盡型 二、判斷題（共20 分，每題分） （）半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間。 （）半導(dǎo)體中的電子濃度越大，則空穴濃度越小。 （）半導(dǎo)體中載流子低溫下發(fā)生的散射主要是晶格振動(dòng)的散射。 （）雜質(zhì)半導(dǎo)體的電阻率隨著溫度的增加而下降。 （）半導(dǎo)體中雜質(zhì)越多，晶格缺陷越多，非平衡載

6、流子的壽命就越短。 （）非簡并半導(dǎo)體處于熱平衡狀態(tài)的判據(jù)是n0p0=ni2。 （）MOSFET 只有一種載流子（電子或空穴）傳輸電流。 （）反向電流和擊穿電壓是表征晶體管性能的主要參數(shù)。 （）同一種材料中，電子和空穴的遷移率是相同的。 10（）MOS 型的集成電路是當(dāng)今集成電路的主流產(chǎn)品。 （）平衡PN 結(jié)中費(fèi)米能級處處相等。 （）能夠產(chǎn)生隧道效應(yīng)的PN 結(jié)二極管通常結(jié)的兩邊摻雜都很重，雜質(zhì)分布很陡。（）位錯(cuò)就是由范性形變造成的，它可以使晶體內(nèi)的一原子或離子脫離規(guī)則的周期而位移一段距離。 （）在某些氣體中退火可以降低硅-二氧化硅系統(tǒng)的固態(tài)電荷和界面態(tài)。 （）高頻下，pn 結(jié)失去整流特性的因素是

7、pn 結(jié)電容 （）pn 結(jié)的雪崩擊穿電壓主要取決于高摻雜一側(cè)的雜質(zhì)濃度。 （）要提高雙極晶體管的直流電流放大系數(shù)、值，就必須提高發(fā)射結(jié)的注入系數(shù)和基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)。 （）二氧化硅層中對器件穩(wěn)定性影響最大的可動(dòng)離子是鈉離子。 （）制造MOS 器件常常選用111晶向的硅單晶。 （）場效應(yīng)晶體管的源極和漏極可以互換，但雙極型晶體管的發(fā)射極和集電極是不可以互換的。 三、名詞解釋(共15 分，每題5分，給出關(guān)鍵詞得3分) 1雪崩擊穿 隨著PN 外加反向電壓不斷增大，空間電荷區(qū)的電場不斷增強(qiáng)，當(dāng)超過某臨界值時(shí)，載流子受電場加速獲得很高的動(dòng)能，與晶格點(diǎn)陣原子發(fā)生碰撞使之電離，產(chǎn)生新的電子空穴對，再被電場加速，再產(chǎn)生更多的電子空穴對，載流子數(shù)目在空間電荷區(qū)發(fā)生倍增，猶如雪崩一般，反向電流迅速增大，這種現(xiàn)象稱之為雪崩擊穿。 2非平衡載流子 由于外界原因，迫使半導(dǎo)體處于與熱平衡狀態(tài)相偏離的狀態(tài)，稱為非平衡狀態(tài)，其載流子濃度可以比平衡狀態(tài)時(shí)多出了一部分，比平衡時(shí)多出了的這部分載流子稱為非平衡載流子。 3共有化運(yùn)