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1、 6/6(陽(yáng)極氧化氧化鋁膜研究進(jìn)展)_侯春陽(yáng) CHEMICAL INDUSTRY AND ENGINEERING PROGRESS 2010年第29卷增刊222 化工進(jìn) 展 陽(yáng)極氧化氧化鋁膜研究進(jìn)展 侯春陽(yáng),陳靜,程黨國(guó),陳豐秋 (浙江大學(xué)化學(xué)工程與生物工程學(xué)系,浙江杭州 310027) 摘 要:全面歸納和分析了陽(yáng)極氧化鋁膜的結(jié)構(gòu),包括Keller模型、Murpy模型、Wood模型;綜述了陽(yáng)極氧化鋁膜形成機(jī)理研究進(jìn)展;總結(jié)了陽(yáng)極氧化鋁膜在磁學(xué)、光電、分離等方面的最新研究成果,并對(duì)陽(yáng)極氧化鋁膜的發(fā)展前景進(jìn)行了展望。 增刊 侯春陽(yáng)等:陽(yáng)極氧化氧化鋁膜研究進(jìn)展 223 形成多孔型氧化膜。并且有人發(fā)現(xiàn)

2、在鉻酸、磷酸、草酸等溶液中,若陽(yáng)極氧化電流密度高于臨界電流密度會(huì)形成阻擋型膜;在低于臨界電流密度下氧化,則形成多孔型膜6。由此可見(jiàn),膜的形態(tài)不僅僅由電解液的類型決定。 對(duì)于多孔型陽(yáng)極氧化膜結(jié)構(gòu)的研究最早是在1953年,美國(guó)學(xué)者Keller 等7根據(jù)氧化鋁的電鏡照片,提出了當(dāng)時(shí)最具權(quán)威性的Keller 模型,如圖1(a)所示,這為鋁陽(yáng)極氧化的機(jī)理研究奠定了基礎(chǔ)。該模型認(rèn)為多孔氧化鋁包括兩層,即與鋁基相鄰的阻 擋層和外表面的多孔層。阻擋層很薄,且緊密無(wú) (a )Keller 模型 (b )Murpy 模型 (c )Wood 模型 圖1 多孔陽(yáng)極氧化鋁膜的結(jié)構(gòu)模型11 孔。多孔層較厚,由規(guī)則排列、互

3、相平行且垂直于表面的六角柱形單元組成,每一個(gè)六角柱形中央有一個(gè)星型小孔,整個(gè)表面呈蜂窩狀??椎拇笮∨c電解液的種類有關(guān),與電壓無(wú)關(guān);阻擋層的厚度與電解電壓有關(guān),而與電解液的種類無(wú)關(guān)。 20世紀(jì)60年代初,Marphy 等8提出了三層結(jié)構(gòu)模型 圖1(b):膜內(nèi)層是極其致密的由不均勻微晶體組成的無(wú)水氧化層;中間是阻擋層,是無(wú)水氧化層轉(zhuǎn)化為水合氧化物的過(guò)渡區(qū)域,這個(gè)區(qū)域具有次微晶的結(jié)構(gòu),且被認(rèn)為是能夠進(jìn)行電解質(zhì)導(dǎo)電的:外層主要由水合度高的氧化物組成,在這一區(qū)域水合程度高度擴(kuò)展,次微晶甚少,因而它是生成膜孔的母體。 20世紀(jì)70年代,Wood 等9對(duì)Keller 模型進(jìn)行了一些修正圖1(c),認(rèn)為氧化膜

4、膜胞排列堆積緊密,膜孔近似于圓形。它由底層薄而致密的阻擋層和其上厚而疏松的多孔層構(gòu)成10。其中,多孔層是由緊密排列的氧化物晶胞組成,晶胞形狀為正六角柱狀。在每個(gè)晶胞上有一通過(guò)中心的細(xì)孔,孔徑大小均一、排列有序、分布均勻。這些微孔在10250 nm 之間,貫穿整個(gè)多孔層且與基體表面垂直,孔道之間相互平行。這一模型被大家廣泛接受。 1.2 陽(yáng)極氧化鋁膜的形成機(jī)理 鋁陽(yáng)極氧化形成多孔陽(yáng)極氧化鋁膜的過(guò)程是一個(gè)涉及物理、化學(xué)和電化學(xué)等諸多方面的復(fù)雜過(guò)程;同時(shí)也受到電解液類型、陽(yáng)極氧化電壓、反應(yīng)溫度和時(shí)間等實(shí)驗(yàn)參數(shù)影響。鋁陽(yáng)極氧化多孔膜的形成機(jī)理大體可以分為兩大類12:一類理論模型是從剖析正常陽(yáng)極化條件下

5、最終形成的膜層結(jié)構(gòu)出發(fā)提出;另一類理論模型是在實(shí)驗(yàn)觀察基礎(chǔ)上,借助于一定的理論分析提出。這些模型在一定程度上都可以解釋一些實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象,但是到目前尚未形成統(tǒng)一的認(rèn)識(shí)。目前比較常見(jiàn)的有以下幾種模型2。 (1)臨界電流密度模型 20世紀(jì)80年代,Xu 等13通過(guò)對(duì)鋁基體上氧化膜生長(zhǎng)過(guò)程中離子遷移規(guī)律的系統(tǒng)研究,提出了與膜形態(tài)有關(guān)的臨界電流密度模型。該模型認(rèn)為,在特定的陽(yáng)極氧化條件下,氧化過(guò)程總存在一個(gè)臨界電流密度j c ,當(dāng)外加電流密度大于j c 時(shí),生成的氧 化膜為致密的阻擋型;當(dāng)外加電流密度小于j c 時(shí),生成的氧化膜為多孔型,此種臨界電流密度效應(yīng)勾勒出了陽(yáng)極氧化過(guò)程中陰、陽(yáng)離子的動(dòng)力學(xué)行為規(guī) 化

6、工進(jìn)展 2010年第29卷224 律。這種觀點(diǎn)打破了過(guò)去認(rèn)為膜的形態(tài)與電解液類型密切相關(guān)的傳統(tǒng)看法,提出在酸性及中性溶液中既可形成多孔型膜,也可形成壁壘型膜。 (2)體膨脹應(yīng)力模型 Jessensky等14通過(guò)陽(yáng)極氧化法制備了具有規(guī)則六邊形陣列結(jié)構(gòu)的多孔氧化膜,并提出了體膨脹應(yīng)力模型。認(rèn)為O2向鋁基體內(nèi)的遷移填補(bǔ)了A13+外遷損失的體積,使阻擋層得以生長(zhǎng)。由于生成氧化膜的體積小于消耗的金屬體積,隨著阻擋層的形成出現(xiàn)體積變小的傾向,即產(chǎn)生拉應(yīng)力,最終使阻擋層外表面出現(xiàn)裂紋。裂紋處電流密度較高,局部升溫引起體積膨脹,又使裂紋再度合攏,通過(guò)裂紋的多次形成與合攏,形成了最初的微孔和多孔層。由于圓孔表面

7、積最小,孔自組織按密排六方排列使能量最低、結(jié)構(gòu)最穩(wěn)定,所以孔逐漸生長(zhǎng)為圓形,膜胞按規(guī)則六邊形排列。這一模型首次定性分析了自組織原理在孔有序生長(zhǎng)過(guò)程中的作用。 王為等15指出在鋁阻擋層界面,晶格嚴(yán)重不匹配,密度存在很大差異,導(dǎo)致阻擋層內(nèi)部產(chǎn)生很大的內(nèi)應(yīng)力而產(chǎn)生微裂紋,微裂紋處的局部電場(chǎng)集中導(dǎo)致微孔萌生。初期微裂紋分布不均,微孔形狀及分布也不均勻。隨著陽(yáng)極氧化的進(jìn)行,為了使整個(gè)系統(tǒng)受力均勻,新生氧化膜通過(guò)微孔結(jié)構(gòu)逐步調(diào)整,系統(tǒng)向穩(wěn)定狀態(tài)過(guò)渡。這是體膨脹應(yīng)力模型的進(jìn)一步發(fā)展。 (3)電場(chǎng)支持下的溶解模型 Thompson16通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究并結(jié)合前人的研究成果,提出了電場(chǎng)支持下的溶解模型。認(rèn)為鋁的陽(yáng)極化

8、過(guò)程包括阻擋層形成階段、微孔形成階段和多孔層穩(wěn)定生長(zhǎng)階段。剛在電極兩端加上電壓時(shí),產(chǎn)生很大的電流,鋁表面形成薄而致密的阻擋層;同時(shí)在酸性電解液的作用下,剛生成的氧化鋁部分會(huì)發(fā)生化學(xué)溶解。當(dāng)阻擋層達(dá)一定的臨界值后,電解液開(kāi)始在其表面某些活性點(diǎn)處溶解出最初的孔核,使原來(lái)均勻分布的電場(chǎng)在孔底部集中。電場(chǎng)的集中使孔底部的電流增強(qiáng)導(dǎo)致局部過(guò)熱,從而增強(qiáng)了孔底部的溶解速度。同時(shí),孔底的過(guò)快溶解又反過(guò)來(lái)加劇電場(chǎng)的進(jìn)一步集中,使孔核不斷向縱深方向發(fā)展。阻擋層外表面發(fā)生溶解生成多孔層的同時(shí),在電場(chǎng)作用下A13+ 向外遷移、O2和OH向內(nèi)遷移,阻擋層/鋁基體界面處又不斷形成新的阻擋層。最后,當(dāng)阻擋層的溶解和生長(zhǎng)達(dá)

9、到動(dòng)態(tài)平衡后,進(jìn)入多孔層的穩(wěn)定生長(zhǎng)階段。 1989年,徐源等17用超薄切片配合透射電子顯微鏡觀察研究了多孔型鋁陽(yáng)極氧化膜孔洞產(chǎn)生及發(fā)展的全過(guò)程。據(jù)此提出孔洞發(fā)展過(guò)程的幾何模型及膜內(nèi)電場(chǎng)分布的準(zhǔn)靜態(tài)數(shù)學(xué)模型。該模型認(rèn)為,在孔洞發(fā)展過(guò)程中,膜內(nèi)電場(chǎng)分布不均勻,電場(chǎng)在孔洞發(fā)展中起主導(dǎo)作用,孔洞總是沿電場(chǎng)強(qiáng)度最大的方面發(fā)展。鋁陽(yáng)極氧化時(shí),電場(chǎng)對(duì)膜作用的機(jī)制可用電致壓應(yīng)力及電場(chǎng)助溶作用來(lái)加以解釋。這與電場(chǎng)支持下的溶解模型類似。 近來(lái),朱旭飛等18研究了不同氣壓條件下鋁在磷酸溶液中的陽(yáng)極氧化過(guò)程,發(fā)現(xiàn)在真空下進(jìn)行陽(yáng)極氧化,氧氣析出非常明顯。通過(guò)測(cè)定不同氣壓下的陽(yáng)極氧化曲線,分析了致密膜向多孔氧化鋁膜的轉(zhuǎn)化

10、和生長(zhǎng)過(guò)程,結(jié)果顯示:氧氣析出是導(dǎo)致氧化膜從致密膜向多孔膜轉(zhuǎn)變的主要原因。提出了在氧化膜/電解液界面上氧氣分子的聚集是造成表面條紋的新觀點(diǎn)。通過(guò)氧化膜斷面的SEM形貌表征,首次發(fā)現(xiàn)多孔膜的主孔道中存在分孔道。分孔道的產(chǎn)生說(shuō)明析氧反應(yīng)不但在致密膜/電解液界面發(fā)生,而且在多孔膜孔壁/電解液界面也同時(shí)發(fā)生。 在這些研究中,電場(chǎng)支持下的溶解模型被人們廣泛接受并進(jìn)行了大量研究。普遍認(rèn)為,酸性條件下多孔陽(yáng)極氧化膜形成過(guò)程中電流密度隨時(shí)間變化的曲線可分為以下幾個(gè)階段,如圖2所示19。 阻擋層形成階段(pm段) 隨著陽(yáng)極氧化的進(jìn)行,阻擋層首先在鋁基體表面形成,并向基體內(nèi)部不斷延伸。因?yàn)殡妷汉愣?,因此氧化初期?/p>

11、隨著阻擋層不斷增厚,膜內(nèi)電場(chǎng)減少,因電流密度與膜內(nèi)電場(chǎng)呈指數(shù)關(guān)系,所以電流密度急劇下降。m點(diǎn)阻擋層最厚,電流密度最小。 微孔形成階段(ms段) 陽(yáng)極氧化初期阻擋膜厚度不均勻,導(dǎo)致電場(chǎng)強(qiáng) 圖2 陽(yáng)極氧化初期的電流-時(shí)間曲線 增刊侯春陽(yáng)等:陽(yáng)極氧化氧化鋁膜研究進(jìn)展225 度局部集中,形成微孔的前身。局部區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度集中促使這些區(qū)域阻擋層的電場(chǎng)輔助溶解,下凹的區(qū)域不斷減薄形成孔穴,這一過(guò)程同時(shí)又促使電流密度在孔穴部分集中??梢?jiàn),電場(chǎng)輔助溶解有力地促進(jìn)了微孔的形成及多孔層的生長(zhǎng)。 多孔層穩(wěn)定增厚階段(s點(diǎn)后) 鋁基體與阻擋膜界面處膜的生長(zhǎng)和孔底部與電解液界面處氧化膜的電場(chǎng)輔助溶解這兩個(gè)界面過(guò)程達(dá)到動(dòng)

12、態(tài)平衡,阻擋層的厚度保持不變,并不斷向鋁基體推移。同時(shí),在多孔層外側(cè)與電解液的界面處氧化鋁膜也在溶解,但只是一般的化學(xué)溶解,溶解速度很緩慢,因此多孔層不斷地增厚。 圖3為多孔陽(yáng)極氧化鋁膜生長(zhǎng)過(guò)程示意圖20,它與圖2中氧化過(guò)程的各個(gè)階段相對(duì)應(yīng)。圖3中的(a)、(b)對(duì)應(yīng)阻擋層形成階段(pm段),(c)、(d)為微孔形成階段(ms段),(e)為多孔層穩(wěn)定生長(zhǎng)階段(s點(diǎn)后)。 圖3 多孔氧化鋁膜生長(zhǎng)過(guò)程示意圖 2 陽(yáng)極氧化鋁膜的應(yīng)用 鋁的表面技術(shù)中陽(yáng)極氧化是應(yīng)用最廣與最成功的技術(shù),也是研究和開(kāi)發(fā)最深入與最全面的技術(shù)。鋁的陽(yáng)極氧化膜具有一系列優(yōu)越的性能,可以滿足多種多樣的需求,因此被譽(yù)為鋁的一種萬(wàn)能的

13、表面保護(hù)膜。在硬質(zhì)陽(yáng)極氧化方面,通過(guò)在電解液中添加有機(jī)酸或多元醇或利用脈沖電流與直流疊加等方法,提高氧化膜的耐蝕性和耐磨性。在復(fù)合陽(yáng)極氧化方面,通過(guò)在電解液中添加具有特殊性能的微粒,如鐵磁物質(zhì)、導(dǎo)電或超硬粉體,從而提高了氧化膜的耐蝕性和硬度。近十年來(lái),人們對(duì)鋁的陽(yáng)極氧化的應(yīng)用不僅局限于它的保護(hù)作用,還將注意力轉(zhuǎn)移到多孔型陽(yáng)極氧化鋁膜的特殊孔結(jié)構(gòu)上,以此來(lái)開(kāi)發(fā)各種功能性納米材料。 最初,陽(yáng)極氧化鋁膜因其硬度高、抗蝕性強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性好等特點(diǎn)被廣泛用于金屬表面防護(hù)21;后來(lái)人們開(kāi)始對(duì)鋁氧化膜的多孔結(jié)構(gòu)產(chǎn)生興趣,并實(shí)現(xiàn)了有色物質(zhì)在多孔膜中的析出,用于各種染色和電解著色處理,增強(qiáng)其表面裝飾性能22。同時(shí)

14、鋁及鋁合金的陽(yáng)極氧化膜,己不具備金屬的導(dǎo)電性質(zhì),而成為良好的絕緣性體,而且陽(yáng)極氧化膜的導(dǎo)熱系數(shù)大大低于純鋁,耐高溫,可作為電絕緣性膜和絕熱抗熱保護(hù)層。還可以利用膜層的半導(dǎo)體整流特性,制作電容器膜等23。 在磁學(xué)方面,在多孔氧化鋁膜的微孔中填充Fe、Co、Ni等磁性金屬后,可用作高密度磁性介質(zhì)。津屋等利用氧化鋁膜制成磁盤(pán)。他首先在氧化鋁膜的細(xì)孔中析出非磁性金屬,再把氧化鋁部分溶解,讓非磁性金屬部分露出頭,然后在其上面先鍍一層Cr,再鍍一層CoNiCr,最后鍍一層碳保護(hù)膜24。Hideo等25合成納米級(jí)氧化鋁膜孔的FeP和FeCu合金鍍層。國(guó)內(nèi),王為等26對(duì)不同組成的納米級(jí)氧化鋁膜的Fe-Co鍍層

15、的磁性進(jìn)行分析,其結(jié)果表明,該膜的Fe-Co鍍層具有良好的垂直記錄特性。 在光電方面,水木一成等27研究了在陽(yáng)極氧化鋁膜中加入Mn時(shí)的場(chǎng)致發(fā)光現(xiàn)象,并用電解著色原理,把Mn電解析出,然后進(jìn)行局部熱處理,制成場(chǎng)致發(fā)光器件。勝野及嚴(yán)木等通過(guò)在多孔膜內(nèi)注入Tb3+制得在外加電場(chǎng)作用下發(fā)出綠色光的元件,若采用交流電壓在含有Eu3+的硫酸溶液中對(duì)鋁進(jìn)行氧化,在不同的電位區(qū)間鋁電極發(fā)出不同顏色的光,外加電壓的增加,其發(fā)光強(qiáng)度和電流密度都相應(yīng)的增加,因此,利用氧化鋁膜的孔徑細(xì)小可獲得具有高發(fā)光強(qiáng)度的超細(xì)微發(fā)光器件28。氧化鋁多孔膜的納米級(jí)結(jié)構(gòu)使制備高性能的束狀微電極成為可能,廈門(mén)大學(xué)的趙堅(jiān)等29利用氧化鋁模

16、板法合成了不同納米尺寸的納米管/納米線,并采用AFM和TEM 技術(shù)對(duì)模板及由模板合成的納米材料進(jìn)行了表征,同時(shí)研究了納米管陣列的LiMn2O4電極的循環(huán)伏安行為。另外,通過(guò)在氧化鋁膜微孔中電沉積出Ni,當(dāng)光照射到膜表面時(shí),其入射光會(huì)產(chǎn)生與孔垂直方向的光(H偏光)和與孔平行方向的光(V偏光),由于其光衰減常數(shù)不同,利用這種性質(zhì)可制成偏光器或光相位板等微小器件30。 在分離方面,陽(yáng)極氧化鋁膜的納米級(jí)孔徑和直 化工進(jìn)展 2010年第29卷226 管狀規(guī)則排列的特殊結(jié)構(gòu)使其在分離方面有了更廣闊的應(yīng)用。Kingo等31利用陽(yáng)極氧化鋁膜作為分離膜對(duì)水、丙酮、乙醇、苯等進(jìn)行分離,并對(duì)氫氣、氦氣、氮?dú)?、一氧?/p>

17、碳、二氧化碳進(jìn)行分離。黑田孝一等32和曠亞非33均以多孔氧化鋁膜作為離子分離膜,通過(guò)研究膜的電位與溶液pH值的關(guān)系,發(fā)現(xiàn)離子在電場(chǎng)的作用下透過(guò)膜層具有選擇性,膜的電位0,膜層荷正電,具有陰離子選擇性,反之,具有陽(yáng)離子選擇性,因此,可用來(lái)做選擇透過(guò)性膜。森崎等24利用在多孔陽(yáng)極氧化鋁膜中填充具有電場(chǎng)方向性的液晶,控制其溫度和電壓,使氣體通過(guò)分離膜。當(dāng)空氣通過(guò)時(shí),由于氧和氮的透過(guò)度不同,可以得到含有富氧的氣體。另外,利用陽(yáng)極氧化鋁膜進(jìn)行蛋白質(zhì)及血液分離、大腸桿菌的截留34、葡萄糖的過(guò)濾35等都有良好的效果。 在其它方面,利用陽(yáng)極氧化鋁膜多孔層具有大的內(nèi)表面積,在其細(xì)孔中還可以裝載催化劑,龜山秀雄等

18、36就曾利用該膜制出具有高的熱傳導(dǎo)性能的連續(xù)式催化劑載體;Anderson等37利用磷酸中制得的多孔陽(yáng)極氧化鋁膜,通過(guò)在其微孔中電沉積Fe、Ni、Cu、Zn,制成了太陽(yáng)能選擇吸收膜;將陽(yáng)極氧化鋁膜從基體上剝離下來(lái),采用真空沉積等方法在納米微孔中沉積Au、Pt等金屬,并用導(dǎo)電體連接,除去阻擋層,即可獲得束狀微電極38。還可以利用其特殊結(jié)構(gòu)進(jìn)行分子組裝得到具有特殊結(jié)構(gòu)的高分子材料39。 總之,利用陽(yáng)極氧化鋁膜的納米孔徑特殊結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā)新型功能膜材料具有更廣闊的研究?jī)r(jià)值和應(yīng)用前景。 3 結(jié)語(yǔ) 鋁的陽(yáng)極氧化處理始于20世紀(jì)20年代,由于處理后的金屬具有良好的耐腐蝕性、耐磨性及電絕緣性,用于建筑鋁型材的表面

19、防護(hù)。當(dāng)前多孔陽(yáng)極氧化鋁膜朝著功能化應(yīng)用方向發(fā)展,主要從兩方面著手:一方面,通過(guò)在其納米級(jí)微孔中沉積各種性質(zhì)不同的物質(zhì),如金屬、半導(dǎo)體、高分子材料等來(lái)制備新型功能材料、納米線、納米管等;另一方面,利用其孔徑大小均一、分布較窄的多孔結(jié)構(gòu),研制新型的超精密分離膜。通過(guò)人們的不斷研究和改進(jìn),相信不久,它會(huì)有更多的新應(yīng)用,并能加以實(shí)用化。 增刊侯春陽(yáng)等:陽(yáng)極氧化氧化鋁膜研究進(jìn)展227 影響J. 材料保護(hù),2005,38(1):20-23. 21郭鶴桐,王為. 鋁陽(yáng)極氧化的回顧與展望J. 材料保護(hù),2000, 33(1):43-46. 22王艷芝. 鋁及鋁合金陽(yáng)極氧化膜著色技術(shù)研究進(jìn)展J. 電鍍與精 飾

20、,2001,23(3):20-23. 23王春濤. 物理強(qiáng)化和稀土改性陽(yáng)極氧化工藝及性能研究D. 杭 州:浙江工業(yè)大學(xué),2003. 24李春鴻. 陽(yáng)極氧化技術(shù)在材料功能化方面的應(yīng)用J. 表面技術(shù), 1997,26(2):5-7. 25Hideo Daimon. Magnetic properties of Fe-Cu and Fe-P electrodeposited alumite filmsJ. Appl. Phys.,1991,30(2):282-289. 26王為,曾曙,等. 納米級(jí)Al2O3孔膜的形貌及其Fe-Co合金鍍層 的磁性研究J. 電鍍與精飾,1998,20(2):5-8.

21、27水木一成,等. 逆電解離Tb3+付活陽(yáng)極酸化Al2O3皮膜用 緑色発光素子J. 表面技術(shù)(日),1989,40(12):1405-1408. 28王為,郭鶴同,等. 鋁陽(yáng)極氧化多孔膜功能化應(yīng)用的新趨向J. 化 工進(jìn)展,1997,16(4):43-48. 29趙堅(jiān),高泉涌,楊勇,等. 納米尺度電極材料的模板法合成及其 電化學(xué)性能研究J. 電化學(xué),2000,6(4):19-24. 30水木一成,等. 陽(yáng)極酸化Al2O3皮膜Mn付活剤電 気化學(xué)的封入J. 金屬表面技術(shù)(日),1987,38(12):561-563. 31Kingo Itaya. Properties of porous anod

22、ic aluminum oxide films as membranesJ. Chem. Eng.,1984,17(5):514-520 32黑田孝一等. 酸化等電點(diǎn)前後 透過(guò)J. 表面技術(shù)(日),1991,42(2):232-239. 33曠亞非. 鋁陽(yáng)極氧化多孔膜層的界面電性能研究J. 電化學(xué), 1998,4(2):164-169. 34夏祖西,等. 第七屆全國(guó)生物化工學(xué)術(shù)會(huì)議論文集C/第七屆全 國(guó)生物化工學(xué)術(shù)會(huì)議,北京,1996. 35Ahmad T Shawaqfeh,Ruth E Baltus.Fabrication and characterization of single layer and m

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