模電填空題答案

1、精選優(yōu)質文檔-傾情為你奉上精選優(yōu)質文檔-傾情為你奉上專心-專注-專業(yè)專心-專注-專業(yè)精選優(yōu)質文檔-傾情為你奉上專心-專注-專業(yè)第一章一、填空題1雜質半導體分為（ N ）型和（ P ）型。自由電子是（ N ）型半導體中的多子?？昭ㄊ牵?N ）型半導體中的中的少子。2雜質半導體中的少子因（本征激發(fā)）而產生，多子主要因（ 雜質電離 ）而產生。3常溫下多子濃度等于（ 雜質 ）濃度,而少子濃度隨（ 溫度 ）變化顯著。4半導體中的（ 擴散 ）電流與載流子濃度梯度成正比；（ 漂移 ）電流與電場強度成正比。5當（ P ）區(qū)外接高電位而（ N ）區(qū)外接低電位時，PN結正偏。6PN結又稱為（ 空間電荷區(qū) ），（

2、耗盡層 ），（ 阻擋層 ）和（ 勢壘區(qū) ）。7PN結的伏安方程為（ ）。該方程反映出PN結的基本特性是（ 單向導電 ）特性。此外，PN結還有（ 電容 ）效應和（ 反向擊穿 ）特性。8PN結電容包括（ 勢壘 ）電容和（ 擴散 ）電容。PN結反偏時，只存在（ 勢壘 ）電容。反偏越大，該電容越（ 小 ）。9普通Si二極管的導通電壓的典型值約為（ 0.7 ）伏，而Ge二極管導通電壓的典型值約為（ 0.3 ）伏。10（ 鍺 ）二極管的反向飽和電流遠大于（ 硅 ）二極管的反向飽和電流。11PN結的反向擊穿分為（ 雪崩 ）擊穿和（ 擊納 ）擊穿兩種機理。12穩(wěn)壓管是利于PN結（ 反向擊穿電壓穩(wěn)定的 ）特性工

3、作的二極管。13. 變容二極管是利于PN結（ 反偏時勢壘電容 ）特性工作的二極管。14二極管交流電阻rd的定義式是（ ），rd的估算式（ ），其中熱電壓VT 在T=300K時值約為（ 26 ）mV。第二章一填空題1當發(fā)射結正偏，集電結反偏時，BJT工作在（ 放大 ）區(qū)，當發(fā)射結和集電結都（ 正偏 ）時，BJT飽和；當發(fā)射結和集電結都（ 反偏 ）時，BJT截止。2放大偏置的NPN管，三電極的電位關系是（ ）。而放大偏置的PNP管，三電極的關系是（ ）。3為了提高值，BJT在結構上具有發(fā)射區(qū)雜質密度（ 遠大于 ）基區(qū)雜質密度和基區(qū)（ 很薄 ）的特點。4ICBO 表示（ 集電結反向飽和電流 ），下標

4、O 表示（ 發(fā)射極開路 ）。ICEO表示（ 穿透電流 ），下標O表示（ 基極開路 ），兩個電流之間的關系是（ ）。5在放大區(qū)，iC 與iB 的關系為（ ），對Si 管而言，iC （ ）。6.共射直流放大系數與共基直流電流放大系數的關系是（ ）。7.在放大區(qū)，iE iC 和iB 近似成（ 線性 ）關系，而這些電流與vBE則是（ 指數 ）關系。8放大偏置的BJT 在集電結電壓變化時，會通過改變基區(qū)寬度而影響各級電流，此現(xiàn)象稱為（ 基區(qū)寬度調制效應 ）。9一條共射輸入特性曲線對應的函數關系是（ ）。一條共射輸出特性曲線對應的函數關系是（ ）。10當溫度增加時，（ 增加 ），ICBO （ 增加 ），而

5、共射輸入特性曲線（ 左移 ）。（外部偏置電路一定時，這種左移使偏壓減小。）11BJT的三個主要極限參數是（ ），（ ）和（ ）。12交流的定義式為（ ）；交流的定義式為（ ）。13當| | =1 時的頻率稱為BJT的（ 特征頻率 ）。14在工程上，可將不等式（ mV ）作為雙極性晶體管的線性模型成立條件。15BJT的小信號跨導gm定義式為（ ），估算式為（ ）。16rbe 和交流其實是兩個共射H 參數，它們與混合參數的關系是rbe =（ ）, =（ ）。（后面的題號不太對應，但都能找到答案）17引入厄利電壓VA是為了便于估算反映基調效應的混合參數（ ）和（ ）。1場效應管（FET）依靠（ ）控

6、制漏極電流iD,故稱為（ 電壓 ）控制器件。2FET工作于放大區(qū)，又稱為（ 飽和 ）區(qū)或（ 恒流 ）區(qū)。此時iD主要受（ ）電壓控制，而iD 幾乎不隨（ ）電壓的改變而變化。3N溝道FET放大偏置時，iD 的方向是從（ 漏 ）極到（ 源 ）極；P 溝道FET放大偏置時，iD 的方向是從（ 源 ）極到（ 漏 ）極。6符號IDSS 的含義是（ 零偏（）飽和漏電流 ）。7溝道預夾斷是指溝道在（ 靠近漏極端 ）位置剛好消失的狀態(tài)。此時，vDS 與vGS 滿足的關系式稱為（ 預夾斷 ）方程。8耗盡 型FET的小信號跨導定義為gm=（ ）。對于耗盡型管gm（ ）或（ ）；對于增強型管gm （ ）。9在放大

7、區(qū)，耗盡型管轉移特性曲線近似滿足的平方律關系式為（ ），而增強型管的平方律關系式為（ ）。10根據FET在放大區(qū)的外特性，它的柵極、源極和漏極分別與BJT的（ 基 ）極、（ 發(fā)射 ）極和（ 集電 ）極相似。第三章一、填空題1放大器的直流通路可用來求（ 工作點 ）。在畫直流通路時，應將電路元件中的（ 電容 ）開路，（ 電感 ）短路。 2交流通路只反映（ 交流 ）電壓與（ 交流 ）電流之間的關系。在畫交流通路時，應將耦合和傍路電容及恒壓源（ 短路 ）。圖F3-13圖F3-1所示共射放大器的輸出直流負載線方程近似為（ ）。該電路的交流負載線是經過（ 工作 ）點，且斜率為（ ）的一條直線。共射放大器的

8、交流負載線是放大器工作時共射輸出特性曲線上的動點（ , ）的運動軌跡。圖F3-14CE放大器工作點選在（ 交流負載線 ）的中點時，無削波失真的輸出電壓最大。5放大器的信號源的等效負載是放大器的（ 輸入 ）電阻，而向放大器的負載RL輸出功率的等效信號源的內阻是放大器的（ 輸出 ）電阻。6多級放大器的增益等于各級增益分貝數（ 相加 ）。若放大器AV70.7倍，則AV的分貝數（ 37 ）。7級聯(lián)放大器常用的級間耦合方式有（ 電容 ）耦合，（ 變壓器 ）耦合和（ 直接 ）耦合。8放大器級間產生共電耦合的原因是（ 電源不是理想恒壓源，存在內阻 ），消除共電耦合的方法是采用（ 電源去耦 ）電路。9高增益直

9、流放大器要解決的一個主要問題是（ 克服零點漂移 ）。 10在多級放大器中，中間某一級的（ 輸入 ）電阻是上一級的負載。11任何正常工作的放大器的（ 功率 ）增益總是大于一。12從頻譜分析的角度而言，放大器非線性失真的主要特征是（ 輸出信號的頻率分量比輸入信號多 ）。13圖F3-2和圖F3-3是兩個無源單口網絡。圖F3-2的端口等效電阻是Ra 等于（51.1 ）。圖F3-3的端口等效電阻等于（ ）。 圖F3-2 圖F3-314圖F3-4是某放大器的通用模型。如果該放大器的端電壓增益AV100，則該放大器的AVS=（ 39.2 ） dB，AVO=（ 40.4 ） dB ,AI=（ 34 ） dB

10、，AP=（ 15 ） dB 。15在BJT三種基本放大器中，CE組態(tài)使用較多的一個原因是（ 功率 ）增益最大。16當溫度增加時，晶體管的直流參數（ ）和（ ）增加，而（ ）減小，使圖F3-5偏置電路的工作點向（ 飽和區(qū) ）移動。17當溫度增加時，圖F3-5偏置電路的（ 基極 ）電流幾乎不變，而（ 集電極 ）電流明顯增大，（ 集射間 ）電壓明顯減小。該偏置電路稱為（固定基流）電路。18圖F3-6所示偏置電路稱為（ 基極分壓射極）偏置電路。當電路滿足條件（ （或） ）或（ ）時，穩(wěn)Q效果較好。 圖F3-4 圖F3-519圖F3-6 電路中，只有電阻（ ）對IC 幾乎無影響，但RC增加時 ,工作點會

11、移向（ 飽和 ）區(qū)。 11在FET分立元件放大電路中，常采用的偏置電路是（ 源極自給偏壓 ）電路和（ 混合偏置 ）電路。但（源極自偏）電路不能用于增強型MOSFET。12FET的基本放大組態(tài)：CS組態(tài)、CD組態(tài)和CG組態(tài)，其放大特性分別與BJT的（ CE ）組態(tài)、（ CC ）組態(tài)和（ CB ）組態(tài)相似。13FET的（ 溝道長度調制 ）效應與BJT的基區(qū)寬調效應相似?；鶇^(qū)寬調效應使集電結反偏電壓變化對各極電位有影響，而FET的該反應使（ ）電壓的變化對iD 產生影響。14FET的小信號參數（ ）是溝道調制效應的反映。第四章一、填空題1在半導體集成電路（IC）中，（ 晶體管 ）元件占芯片面積最小，

12、（ 電阻 ）和（ 電容 ）元件的值越大，占芯片面積越大，而（ 電感 ）元件無法集成。2Si集成放大器的偏置電路往往采用（ 恒流源 ）電路。而集成放大器的負載常采用（ 有源 ）負載，其目的是為了（ 提高電壓增益 ）。3IC中的恒壓源和恒流源電路其模型中的電阻都是（ 交流 ）電阻。前者有很小的（ 交流 ）電阻，后者的（ 交流 ）電阻很大。4圖F51所示CE基本差動放大器的差模輸入電壓vid的線性范圍約為（ 28 ）mV。5在圖F51中，當vid 超過大約（ 100 ）mV時，輸出出現(xiàn)明顯限幅。6差動放大器依靠電路的（ 對稱性 ）和（ 共模 ）負反饋來抑制零點漂移。圖F5-17一般情況下，單端輸入的差動放大器其輸出電壓與同一信號差模輸入時的輸出電壓幾乎相同，其原因是（ 很大，使單端輸入時，共模分量的輸出很小 ）。8采用恒流源偏置的差動放大器可以明顯提高（ 共模負反饋 ）。10NPN-PNP互補對稱乙類功放在每管工作時，都是（ CC ）組態(tài)。在這種功放里，對發(fā)射結加入一定正偏的目的是為了克服（ 交越失真 ）。11圖F5-2所示復合管等效為一支（ PNP ）管（標出各電極）。其等效