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文檔簡介
1、一種用于白光LED驅(qū)動的電荷泵電路設(shè)計 0 引 言目前用于白光驅(qū)動的升壓型電路主要有電感型DC-DC電路和電荷泵電路。電感型DC-DC電路存在EMI等問題,而電荷泵電路結(jié)構(gòu)簡單,EMI較小,得到了廣泛的應用。白光LED驅(qū)動的電荷泵主要有兩種類型:電壓模式和電流模式。相對于電壓模式可能造成每個LED亮度不匹配的缺點,電流模式每路單獨輸出恒定電流,使亮度可以較好地匹配,而且不需要外圍平衡電阻,大大節(jié)省了空間。本文設(shè)計了一種用于白光LED驅(qū)動的電流型電荷泵電路。采用1.5倍壓升壓,比傳統(tǒng)的2倍壓升壓模式提高了效率,并采用數(shù)字調(diào)光方式,可提供32級灰度輸出
2、,滿足不同場合的要求。系統(tǒng)結(jié)構(gòu)如圖1所示。主要可分為以下部分:帶隙基準電路,軟啟動電路,振蕩器,1.5倍壓電荷泵,數(shù)字調(diào)光模塊。當ENSET端輸入高電平時,芯片啟動,Vin經(jīng)過1.5倍壓電荷泵升壓,使輸出電壓穩(wěn)定在5 V,如果ENSET端輸入一串脈沖后置高電平,則數(shù)字調(diào)光模塊可記錄下脈沖個數(shù),然后轉(zhuǎn)換成不同的輸出電流,實現(xiàn)調(diào)光功能。 1 1.5 倍壓電荷泵原理1.1 基本原理1.5倍壓電荷泵原理如圖2所示,其基本控制思想如下:OSC通過驅(qū)動電路,控制S1S7的導通與關(guān)斷。時序如下:第一時刻,開通S1、S4、S6,Vin對電容C1充電,C2短接,使VC1=V1,VC2=0;第二時刻,關(guān)
3、閉S1、S4、S6,開通S2、S3、S5、S7,C1對C2充電,使VC1=VC2=12 V1,最后加上V1對C3充電,周而復始,VCUT經(jīng)過電阻分壓,與基準電壓做比較,控制上端MOS管的導通電阻,改變充電回路的RC充電常數(shù),最終使輸出穩(wěn)定在5 V。圖3為控制脈沖時序圖,其中D1為S1的驅(qū)動信號,低有效;D2為S4、S6的驅(qū)動信號,高有效;D3為S2、S3、S5、S7的驅(qū)動信號,低有效。為了防止時鐘饋通,驅(qū)動電路中包含了非交疊時鐘電路。1.2 實際電路設(shè)計整個開關(guān)管網(wǎng)絡由5個PMOS管S1、S2、S3、S5、S7及2個NMOS管S4、S6組成,如圖4所示。以P管S1和N管S4為例,計算開關(guān)管的寬
4、長比。根據(jù)版圖設(shè)計規(guī)則的要求,單個管子的寬長比WL可以設(shè)定為2.8m0.6m。假設(shè)S1的寬長比為x(WL),S4的寬長比為y(WL)。本設(shè)計采用CSMC0.6 m工藝,根據(jù)工藝及設(shè)計要求,V1=3.3 V,unCOX=50AV2 VTHN=0.7 V,|VTHP|=1 V,2up=un,因為其它管子的寬長比也可以同理求得。由于流過開關(guān)管的電流比較大,開關(guān)管的寬長比很大,一般采用晶體管并聯(lián)的形式,在版圖上通常以waffle的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)。如果開關(guān)管的襯底未與源端相接,則會產(chǎn)生襯底偏置效應,使開關(guān)管產(chǎn)生閾值損失,導致電荷泵電壓無法升至設(shè)定值。如圖4所示,開關(guān)管S1、S3、S4、S5、S6的源漏端能比較
5、容易的判斷出來,S2、S7的兩端電壓高低未定,因此如果處理不妥當,會引起襯底偏置效應,本設(shè)計采用了一種方式,比較好地解決了這個問題。通過一個比較器對V1和Vout進行比較,如果Vout>V1,則讓S2、S7的襯底端接Vout端,如果Vout2 調(diào)光功能實現(xiàn)越來越多應用場合希望白光LED驅(qū)動器能夠支持LED光亮度的調(diào)節(jié)。目前調(diào)光技術(shù)主要有兩種:PWM調(diào)光、數(shù)字調(diào)光。PWM(脈寬調(diào)制)調(diào)光方式是一種利用寬、窄不同的數(shù)字式脈沖,反復開關(guān)白光LED驅(qū)動器來改變輸出電流,從而調(diào)節(jié)白光LED的亮度。但需要一個專用PWM口,同時會產(chǎn)生人耳聽得見的噪聲。本設(shè)計采用一種新型的數(shù)字調(diào)光技術(shù)。相比PWM控制有
6、明顯的優(yōu)點:將時序信號存儲在內(nèi)部的寄存器中,使數(shù)據(jù)寄存器輸出一連串的控制信號,如果需要改變白光LED的亮度,則重新通過ENSET對ROM進行修改即可,不需要一直給ENSET連續(xù)的PWM信號來控制白光LED的亮度,這個特性大大減輕了微處理器的負擔,也減少了噪聲。其工作原理如下,ENSET的第一個上升沿脈沖開啟IC并且初始化設(shè)置LED電流到最低的549 A。當最終的時鐘序列輸入為想得到的亮度級別時,ENSET引腳維持高電平來維持裝置輸出電流在程序設(shè)置的級別。當ENSET引腳置低TOFF=480s以后,裝置關(guān)閉。整個調(diào)光模塊可分為四大部分:延時控制,計數(shù)器,ROM,恒流源。(1) ROM與恒流源白光
7、LED的亮度和通過它的電流成正比。本設(shè)計采用并聯(lián)恒流源的方式,最大輸出為20 mA,亮度分為32個等級。如圖7所示。ROM總共為8塊,組成32×8 bit容量。恒流源由PMOS管組成,由電荷泵輸出的5 V電源供電,每個恒流源icell電流為19.6A。恒流源具有使能端,根據(jù)ROM中的數(shù)據(jù)決定該恒流源是否有效,其中ROM輸出“0”為該恒流源有效,“1”為該恒流源無效。 以第5級亮度為例,如圖8所示,ENSET端輸入5個脈沖后保持高電平,經(jīng)過減數(shù)計數(shù)器計數(shù)輸出Q4Q0數(shù)據(jù)為“11011”,ROM輸出×7×0數(shù)據(jù)為“11110100”,即×3,
8、15;1,×0所接恒流源有效。輸出電流為:icell×32+icell×8+icell×4=0.863 mA表1列出了32級調(diào)光×7×0的數(shù)據(jù)及對應輸出電流。 數(shù)字調(diào)光部分的仿真波形如圖9所示,32個脈沖為一個循環(huán)。 (2) 數(shù)字延時本設(shè)計設(shè)置了如下功能,如果EN端輸入低電平時間超過480 us,則裝置關(guān)閉。其原理如圖10所示,其中IN為EN進行脈沖整形后得到的波形,時序與EN相同。IN端輸入高電平時,PMOS管M3導通,VDD對C1進行充電,使NMOS管M5導通,施密特觸發(fā)器輸入被拉低,OUT端輸出低電平,芯片正
9、常工作。當IN端輸入低電平時,M3截止,C1通過電流源M2進行放電,使M5截止,施密特觸發(fā)器輸入被拉高,OUT端輸出高電平。放電時問由C1的電容值和放電電流決定。仿真波形如圖11所示。在IN端輸入低電平超過478 s后,OUT端輸處高電平,使芯片關(guān)閉。 3 振蕩器本文設(shè)計一個600 kHz定頻率電流控制振蕩器,原理如圖12,首先假設(shè)Q端為“0”,則PMOS管M1導通,電流源通過M1向C1充電,同時PMOS管M3導通,R1無效,此時比較器反相端電壓VTH=VDD-R2I3,等C1兩端電壓略大于VTH時,比較器輸出高電平,使Q端變?yōu)椤?”,C1通過NMOS管M2進行放電,同時M3截止,R
10、1與R2串聯(lián),此時比較器反相端電壓VTL=VDD-(R1+R2)I3,等到C1兩端電壓略小于VTL時,比較器輸出又發(fā)生翻轉(zhuǎn),周而復始。波形通過4個反相器的整形,輸出600 kHz的方波。設(shè)I1為充電電流,I2為放電電流,T1為充電周期,T2為放電周期,則振蕩器的頻率為: 調(diào)節(jié)充放電電流,使I1=I2=IC,則振蕩頻率可表示為:式中:IC為充放電電流。圖13為振蕩器輸出及C1電容上的電壓仿真波形。該電荷泵還包括帶隙基準電路,溫度保護電路,軟啟動電路等等,限于篇幅,在此不作累述。 4 結(jié) 論本文設(shè)計了一個用于白光LED驅(qū)動的電流型電荷泵,周邊只使用3個小的陶瓷電容器,可驅(qū)動4個白光LED,單路最大輸出電流20 mA。
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