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1、關(guān)于CMOS:mos管在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管被叫做mos管。 MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導(dǎo)體,確切的說,這個(gè)名字描述了集成電路中MOS管的結(jié)構(gòu),即:在一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上,加上二氧化硅和金屬,形成柵極。從結(jié)構(gòu)上說,MOS管可以分為增強(qiáng)型(E型)和耗盡型(D型),它們的區(qū)別在于當(dāng)Vgs為0時(shí),增強(qiáng)型(E型)不存在導(dǎo)電溝道,耗盡型(D型)存在導(dǎo)電溝道,原因是E型的導(dǎo)通電壓(閾值電壓)Vth0,D型的VthVds,Vgs-VthVds時(shí),S端開啟,D端不開啟,MOS管工作在飽和區(qū);當(dāng)Vgs-VthVds時(shí),S和D都開啟,MOS管工作在線
2、性區(qū)。當(dāng)VgsVth時(shí),NMOS截止。對(duì)PMOS來說,正好相反。 在MOS三明治型結(jié)構(gòu)上外加電壓: 在MOS三明治結(jié)構(gòu)上,金屬電極相對(duì)于P型半導(dǎo)體的情況下,外加正電壓,對(duì)N型半導(dǎo)體外加負(fù)電壓,就會(huì)形成與PN結(jié)合面相同的現(xiàn)象,也就是最初在氧化膜下會(huì)產(chǎn)生空乏層(depletion layer) 反轉(zhuǎn)層(reversion layer): 針對(duì)氧化膜下為P型半導(dǎo)體的情況,如果再提高電壓,就會(huì)累積電子,若是N型半導(dǎo)體則會(huì)累計(jì)空穴,我們稱此層為“反轉(zhuǎn)層”。 MOS型場(chǎng)效應(yīng)管就是利用這個(gè)層,作為一個(gè)切換開關(guān)。這是因?yàn)楦淖兺饧与妷?,就可使此電路產(chǎn)生切換的轉(zhuǎn)換(開關(guān))功用。關(guān)于D觸發(fā)器:不小心看到的單片機(jī)學(xué)習(xí)網(wǎng):關(guān)于D的壓降:LED和其它二極管一樣,都是非線性元件。當(dāng)加上一定的正向電流時(shí),呈現(xiàn)相對(duì)穩(wěn)定的正向電壓,隨電流變化不明顯。稱為正向壓降。LED反向不導(dǎo)電,只有微弱的漏電流。LED的正向電壓和材料及
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