關(guān)于CMOS,關(guān)于D觸發(fā)器,關(guān)于LED壓降_第1頁
關(guān)于CMOS,關(guān)于D觸發(fā)器,關(guān)于LED壓降_第2頁
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1、關(guān)于CMOS：mos管在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管被叫做mos管。 MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導(dǎo)體，確切的說，這個(gè)名字描述了集成電路中MOS管的結(jié)構(gòu)，即：在一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。從結(jié)構(gòu)上說，MOS管可以分為增強(qiáng)型(E型)和耗盡型（D型），它們的區(qū)別在于當(dāng)Vgs為0時(shí)，增強(qiáng)型（E型）不存在導(dǎo)電溝道，耗盡型（D型）存在導(dǎo)電溝道，原因是E型的導(dǎo)通電壓（閾值電壓）Vth0，D型的VthVds,Vgs-VthVds時(shí)，S端開啟，D端不開啟，MOS管工作在飽和區(qū)；當(dāng)Vgs-VthVds時(shí)，S和D都開啟，MOS管工作在線

2、性區(qū)。當(dāng)VgsVth時(shí)，NMOS截止。對(duì)PMOS來說，正好相反。 在MOS三明治型結(jié)構(gòu)上外加電壓： 在MOS三明治結(jié)構(gòu)上，金屬電極相對(duì)于P型半導(dǎo)體的情況下，外加正電壓，對(duì)N型半導(dǎo)體外加負(fù)電壓，就會(huì)形成與PN結(jié)合面相同的現(xiàn)象，也就是最初在氧化膜下會(huì)產(chǎn)生空乏層（depletion layer） 反轉(zhuǎn)層（reversion layer）： 針對(duì)氧化膜下為P型半導(dǎo)體的情況，如果再提高電壓，就會(huì)累積電子，若是N型半導(dǎo)體則會(huì)累計(jì)空穴，我們稱此層為“反轉(zhuǎn)層”。 MOS型場(chǎng)效應(yīng)管就是利用這個(gè)層，作為一個(gè)切換開關(guān)。這是因?yàn)楦淖兺饧与妷?，就可使此電路產(chǎn)生切換的轉(zhuǎn)換（開關(guān)）功用。關(guān)于D觸發(fā)器：不小心看到的單片機(jī)學(xué)習(xí)網(wǎng)：關(guān)于D的壓降：LED和其它二極管一樣，都是非線性元件。當(dāng)加上一定的正向電流時(shí)，呈現(xiàn)相對(duì)穩(wěn)定的正向電壓，隨電流變化不明顯。稱為正向壓降。LED反向不導(dǎo)電，只有微弱的漏電流。LED的正向電壓和材料及

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