半導體工藝主要設備大全

1、清洗機超音波清洗機是現(xiàn)代工廠工業(yè)零件表面清洗的新技術，目前已廣泛應用于半導體硅片的清洗。超聲波清洗機“聲音也可以清洗污垢”一一超聲波清洗機又名超聲波清洗器，以其潔凈的清洗效果給清洗界帶來了一股強勁的清洗風暴。超聲波清洗機（超聲波清洗器）利用空化效應，短時間內將傳統(tǒng)清洗方式難以洗到的狹縫、空隙、盲孔徹底清洗干凈，超聲波清洗機對清洗器件的養(yǎng)護，提高壽命起到了重要作用。CSQ系列超聲波清洗機采用內置式加熱系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)，有效提高了清洗效率；設置時間控制裝置，清洗方便；具有頻率自動跟蹤功能，清洗效果穩(wěn)定；多種機型、結構設計，適應不同清洗要求。CSQ系列超聲波清洗機適用于珠寶首飾、眼鏡、鐘表零部件、汽車

2、零部件，醫(yī)療設備、精密偶件、化纖行業(yè)（噴絲板過濾芯）等的清洗；對除油、除銹、除研磨膏、除焊渣、除蠟，涂裝前、電鍍前的清洗有傳統(tǒng)清洗方式難以達到的效果。恒威公司生產CSQ系列超聲波清洗機具有以下特點：不銹鋼加強結構，耐酸耐堿；特種膠工藝連接，運行安全；使用IGBT模塊，性能穩(wěn)定；專業(yè)電源設計，性價比高。反滲透純水機去離子水生產設備之一，通過反滲透原理來實現(xiàn)凈水。純水機清洗半導體硅片用的去離子水生產設備，去離子水有毒，不可食用。凈化設備主要產品：水處理設備、灌裝設備、空氣凈化設備、凈化工程、反滲透、超濾、電滲析設備、EDI裝置、離子交換設備、機械過濾器、精密過濾器、UV紫外線殺菌器、臭氧發(fā)生器、裝

3、配式潔凈室、空氣吹淋室、傳遞窗、工作臺、高校送風口、空氣自凈室、亞高、高效過濾器等及各種配件。風淋室：運用國外先進技術和進口電器控制系統(tǒng)，組裝成的一種使用新型的自動吹淋室？它廣泛用于微電子醫(yī)院制藥生化制品食品衛(wèi)生精細化工精密機械和航空航天等生產和科研單位，用于吹除進入潔凈室的人體和攜帶物品的表面附著的塵埃，同時風淋室也起氣的作用防止未凈化的空氣進入潔凈區(qū)域，是進行人體凈化和防止室外空氣污染潔凈的有效設備？拋光機整個系統(tǒng)是由一個旋轉的硅片夾持器、承載拋光墊的工作臺和拋光漿料供給裝置三大部分組成?；瘜W機械拋光時，旋轉的工件以一定的壓力壓在旋轉的拋光墊上，而由亞微米或納米磨粒和化學溶液組成的拋光液在

4、工件與拋光墊之間流動，并產生化學反應，工件表面形成的化學反應物由磨粒的機械作用去除，即在化學成膜和機械去膜的交替過程中實現(xiàn)超精密表面加工，人們稱這種CMP為游離磨料CMP。電解拋光電化學拋光是利用金屬電化學陽極溶解原理進行修磨拋光。將電化學預拋光和機械精拋光有機的結合在一起，發(fā)揮了電化學和機構兩類拋光特長。它不受材料硬度和韌性的限制，可拋光各種復雜形狀的工件。其方法與電解磨削類似。導電拋光工具使用金鋼石導電鋰或石墨油石，接到電源的陰極，被拋光的工件（如模具）接到電源的陽極。光刻膠又稱光致抗蝕劑，由感光樹脂、增感劑（見光譜增感染料）和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。感光樹脂經光照后，在

5、曝光區(qū)能很快地發(fā)生光固化反應，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發(fā)生明顯變化。經適當?shù)娜軇┨幚?，溶去可溶性部分，得到所需圖像（見圖光致抗蝕劑成像制版過程）。光刻膠廣泛用于印刷電路和集成電路的制造以及印刷制版等過程。光刻膠的技術復雜，品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。基于感光樹脂的化學結構，光刻膠可以分為三種類型。光聚合型，采用烯類單體，在光作用下生成自由基，自由基再進一步引發(fā)單體聚合，最后生成聚合

6、物，具有形成正像的特點。光分解型，采用含有疊氮醍類化合物的材料，經光照后，會發(fā)生光分解反應，由油溶性變?yōu)樗苄?，可以制成正性膠。光交聯(lián)型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，其分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián)，形成一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，這是一種典型的負性光刻膠。柯達公司的產品KPR膠即屬此類。感光樹脂在用近紫外光輻照成像時，光的波長會限制分辨率（見感光材料）的提高。為進一步提高分辨率以滿足超大規(guī)模集成電路工藝的要求，必須采用波長更短的輻射作為光源。由此產生電子束、X射線和深紫外（V250nm）刻蝕技術和相應的電子束刻蝕膠，X射線刻蝕膠和深紫外線刻蝕膠，所

7、刻蝕的線條可細至1口111以下。光刻機光刻機用于將晶圓表面薄膜的特定部分除去的工藝設備，可以在晶圓表面會留下帶有微圖形結構的薄膜?？涛g機電子回旋共振等離子體刻蝕機涉及的是一種集成電路制作工藝中的微電子芯片加工設備。結構具有真空室、微波系統(tǒng)、磁場、真空抽放氣系統(tǒng)、配氣系統(tǒng)、監(jiān)控系統(tǒng)，真空抽放氣系統(tǒng)由機械泵、擴散泵和相應管道、閥門組成，其特征是真空室由等離子體發(fā)生室，等離子體約束室，處理室組成，等離子體發(fā)生室外套有兩組串接的磁場線圈，在等離子體約束室周圍均布永久磁鋼，處理室內裝有基片架。去膠機用于半導體集成電路、太陽能電池以及功率器件等刻蝕、去膠工藝，刻蝕方式為等離子體各向同性刻蝕。擴散爐半導體器

8、件及大規(guī)模集成電路制造過程中用于對晶片進行擴散、氧化、退火、合金及燒結等工藝的一種熱加工設備。有臥式擴散系統(tǒng)及立式擴散系統(tǒng)兩種類型。按控制方式又分為微控和程控兩種。其組成有：電阻加熱爐、凈化工作臺、送片系統(tǒng)、氣源柜、控制柜等。PECVD等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）技術原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應氣體，氣體經一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。MOCVD金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)（MOCVD）主要應用于化合物半導體材料的研究和生產，是當今世界上生產半導體光電器件和

9、微波器件材料的主要手段，如激光器、發(fā)光二極管、高效太陽能電池、光電陰極的制備，是光電子等產業(yè)不可缺少的設備。LPCVDLPCVD工藝在襯底表面淀積一層均勻的介質薄膜）用作微機械結構層材料、犧牲層、絕緣層、掩模材料，LPCVD工藝淀積的材料有多晶硅、氮化硅、磷硅玻璃。不同的材料淀積采用不同的氣體。PVDPVD（物理氣相沉積）涂層也被證明有效加工高溫合金。TiN（氮化鈦）PVD涂層是最早使用的并仍然是最受歡迎的。最近，TiAIN（氮鋁化鈦）和TiCN（碳氮化鈦）涂層也能很好使用。過去TiAIN涂層應用范圍和TiN相比限制更多。但是當切削速度提高后它們是一個很好的選擇，在那些應用提高生產率達40%。

10、濺射臺以離子束濺射為例，它由離子源、離子引出極和沉積室3大部分組成，在高真空或超高真空中濺射鍍膜法。利用直流或高頻電場使惰，性氣體（通常為氨）發(fā)生電離，產生輝光放電等離子體，電離產生的正離子和電子高速轟擊靶材，使靶材上的原子或分子濺射出來，然后沉積到基板上形成薄膜。磁控濺射磁控濺射技術已經成為沉積耐磨、耐蝕、裝飾、光學及其他各種功能薄膜的重要手段？探討了磁控濺射技術在非平衡磁場濺射、脈沖磁控濺射等方面的?最后呼吁石化行業(yè)應進步，說明利用新型的磁控濺射技術能夠實現(xiàn)薄膜的高速沉積、高純薄膜制備、提高反應濺射沉積薄膜的質量等，并進一步取代電鍍等傳統(tǒng)表面處理技術大力發(fā)展和應用磁控濺射技術？真空烘箱真空

11、烘箱廣泛應用于各實驗室和各工業(yè)領域。真空烘箱可在低溫下對熱敏材料進行干燥。劃片機為了適應集成電路的發(fā)展，劃片設備技術和工藝也有了較快發(fā)展。國外已經推出代表最高技術水平的雙軸對裝式300mm（12英寸）全自動劃片機，而國內也克服技術難點，推出200mm（8英寸）系列劃片設備，這些設備已陸續(xù)進入實用化階段。國內外新劃片設備滿足市場高要隨著集成電路由大規(guī)模向超大規(guī)模發(fā)展，集成度越來越高，到劃片工藝，晶圓片成本大幅增加；晶片直徑越來越大目前已達到300mm，劃切槽越來越窄一般在30叫?403中，這對于以金剛石砂輪作為刃具的強力磨削加工工藝來說，已進入臨界尺寸；硅片由150mm（6英寸）增大到200mm

12、,面積只增加78%,但其中可供芯片利用的面積增加了90%,晶圓片的成本和價值大幅度增加，這些給劃片機的加工精度、可靠性穩(wěn)定性提出越來越苛刻的要求，使劃片設備的設計技術更加復雜，加工制造更加困難。為了適應集成電路的發(fā)展，劃片設備技術和工藝也有了較快發(fā)展。2000年，占有國際劃片機市場最大份額的日本DISCO公司推出了引領劃片機潮流，代表了劃片機最高技術水平的雙軸對裝式300mm全自動劃片機，它已逐漸進入實用化階段。國內劃片機研制起步晚，但發(fā)展較快，特別是我們中國電子科技集團公司第45研究所推出的150mm劃片機，已將控制平臺提升到了國際上普遍采用的通用計算機操作系統(tǒng)，有效縮短了與國際水平的差距。

13、我所研制的HP-602型精密自動劃片機，其主要性能指標已接近或達到國際同類機型先進水平，在此基礎上研制的HP-801型精密自動劃片機是國內第一臺200mm自動劃片機，已于2004年達到實用化，新型的雙軸精密自動劃片機HP-821,日前已發(fā)給用戶進行工藝考核。與150mm劃片機相比，200mm劃片機總體繼承了150mm的機械機構和成熟單元技術，控制系統(tǒng)平臺由DOS操作系統(tǒng)上升為WindowsNT操作系統(tǒng)伊在設備機械結構尺寸變大的同時，精度進一步提高，而控制功能也進一步增強，自診斷系統(tǒng)更加完善，可靠性進一步提高。本土克服大尺寸劃片機技術難點由于其技術復雜性問題，大尺寸精密劃片機需要有效解決一系列技

14、術問題：機械系統(tǒng)要高剛度、高穩(wěn)定性、低損耗當劃片機的工作臺處在高速運動狀態(tài)（400mm/s）之下時，產生加速度的驅動力及相應的反作用力極易使機械結構產生共振。在劃片獨特的高速運行條件下，許多高頻的共振狀態(tài)也受到激發(fā)，使得在低速條件下完全剛性的結構顯示出顯著的柔性，極大地影響設備的性能。劃片設備典型的密集短促往復運動更加劇了這種情況。高精度的要求，需要設備具有高速運動下抗振動的極大剛度，通因此，對高精度這也正是劃片設備0.5F消除常對應著厚重的機械結構；而極高的速度要求，又必須采用輕質的結構來盡量減輕負載和高速度的要求，促使機械結構設計向兩個截然相反的方向發(fā)展，存在著本質的矛盾。機械結構設計的困

15、難和挑戰(zhàn)所在?？諝忪o壓主軸設計制造技術空氣靜壓主軸是劃片機的核心，在60000r/min的高轉速下實現(xiàn)振動值小于它與不銹鋼冷卻防水罩、機械系統(tǒng)的共振或共鳴，以及它高速旋轉引起的部件材料變形等，是劃片機設計的最大挑戰(zhàn)。這具體體現(xiàn)在材料、設計和加工手段3個方面：一是國內基礎工業(yè)滯后，材料性能滿足不了要求，需要進行材料研究和分析替換；二是設計過程中大部分參數(shù)及其組合需要反復試驗來摸索總結，工作量巨大。三是加工手段要求高，必須具備空氣車床、空氣磨床等高精度加工設備。高速高精度運動定位及控制技術從國際劃片機發(fā)展過程來看，從150mm到200mm，精度僅提高1ym,但這是在行程增大的條件下提高的，對導軌、

16、絲杠等機械部件的精度及變形要求極嚴，要確保劃切精度和芯片安全，決不允許有誤差積累，因此，只能選擇閉環(huán)控制。要在不影響或盡量小地影響效率的前提下實現(xiàn)閉環(huán)控制，必須采用高速高精度定位及其控制系統(tǒng)。高效能、快速響應驅動系統(tǒng)200mm硅片尺寸大、密度高、劃切刀痕小，因此，它對各方向動態(tài)響應和靜態(tài)穩(wěn)定性都有極高的要求，而各方向運行的速度曲線也比較特殊。在做圖像對準時，各運動方向的動態(tài)響應、運動速度和精度都直接影響到自動對準的準確性、對準效率和硅片的對準通過率。全自動劃片機一般由主機部分、自動對準、自動上下片和自動清洗4個單元組成，其核心部分是主機。HP?821精密自動劃片機是作為全自動劃片機的主機部分進

17、行研制的，已具有雙軸劃切和自動對準功能，并留有其他配套部分的軟硬件接口，具備良好的可擴展性。該機的研制成功，在為生產線提供一種200mm自動劃片機的同時，為200mm全自動劃片機的整機研制奠定了基礎。分子束外延分子束外延技術（L?MBE）是近年來發(fā)展的一種先進的薄膜生長技術，在氧化鋅薄膜生長的研究中因其獨特的優(yōu)越性顯示出越來越強的競爭力？在討論ZnO薄膜基本特性的基礎上，較為詳細地論述了激光分子束外延技術及其在氧化鋅薄膜制備中的應用和取得的新進展？成像系統(tǒng)PHOTO-CHROM是全新的薄層成像系統(tǒng)，無需電腦即可打印輸出。圖象可以儲存在軟盤中（3張TIFF或BMP圖片，或30張JPEG圖片），再

18、轉移到電腦中。系統(tǒng)帶PHOTO?CHIROMRF分析軟件，可以和PC機整合氣體過濾器氣體過濾器系高壓級，使用于空氣，氮氣等介質？用于濾去氣體中固體顆粒？具有重量輕易于安裝，通氣流量大等特點？液體過濾器一種液體過濾器裝置，包括一具有入口、出口的筒體，于該出口處設有蓋體，該筒體中設有至少兩組磁鐵單元，該磁鐵單元由多個磁鐵組合而成，且相鄰之磁鐵單元相對面具有相同磁極性，于該筒體中磁鐵單元后裝置有過濾單元，該過濾單元由可透析液體之濾網片設成筒狀。本實用新型亦可過濾液體中之鐵質異物并使液體中之水軟化。油過濾器油液污染是系統(tǒng)故障的最主要原因，它會降低系統(tǒng)性能、縮短零部件壽命、增加換油次數(shù)和延長停機時間，給

19、系統(tǒng)正常運行帶來極大的負面影響。油過濾器用來對油液進行合理有效過濾與凈化來控制油液污染。擴散片LCD光擴散片75PBA,100PBU,100S,100SXE,100MXE,100LSE,100GM2,100TL2,100TL4,125TD3LCD光反射片RW125,RW188,GR38W,RW75CB,RWX3TLED光擴散片MTN?R1,MTN-G2MTN-W1,MTN-W2MTN-W4,MTN-W5MTN-WX5,MTN-W7,MTN-W8D101,D105,D202D204,D206,D207顯影劑顯影劑包括NPDNegativeResistDevelopers（負性光刻膠顯影劑）和Po

20、sitiveResistRemovers（正性光刻膠去除劑）曝光機微電腦電子曝光機由光源系統(tǒng)，冷卻系統(tǒng)，上/下框移動及真空系統(tǒng)，曝光控制系統(tǒng)四大系統(tǒng)構成？光源系統(tǒng)由兩只7KW金屬鹵素燈，遮光罩等組成？冷卻系統(tǒng)由中間送冷氣冷卻燈管的兩層玻璃套管（PYREX管及石英玻璃管），冷卻塔，換熱器，冷氣機組成上下框架移動及真空系統(tǒng)由上/下框架，上/下框架驅動部分，玻璃面，MYLAR（PE布），兩處真空吸氣口組成？曝光控制系統(tǒng)由紫外線強度計（將曝光光量正確地顯示出來），溫度傳感器，液面?zhèn)鞲衅?，壓力傳感器，位置傳感器，PLC控制器組成.勻膠機/甩膠機勻膠機適應于半導體，硅片，晶片，基片，導電玻璃等工藝，制版的

21、表面涂覆?勻膠機穩(wěn)定的轉速和快速的啟動，可以保證半導體中膠厚度的一致性和均勻性烘膠臺烘膠臺產品用于光刻工藝中的前烘和堅膜。本產品具有烘膠速度快、均勻、控溫精度高等特點，并可長時間連續(xù)穩(wěn)定工作。半導體圭寸裝圭寸裝(Package)對于芯片來說是必須的，也是至尖重要的。封裝也可以說是指安裝半導體集成電路芯片用的外殼，它不僅起著保護芯片和增強導熱性能的作用，而且還是溝通芯片內部世界與外部電路的橋梁和規(guī)格通用功能的作用。圭裝設備圭裝工程將是為未來高精密攜帶式電子機器的主要核心技術。這是以為圭裝工程技術能將各種微小半導體元件，密圭于一小空間內，除體積小之外，功能更大。引線引線圭裝市場上第一種獲得廣泛接納

22、的圭裝是雙列直插式(DIP,DualInLine),可用陶瓷和塑料圭裝體。這種圭裝于20世紀60年代未開發(fā)出來，正如其名，引線從圭裝兩邊引出，并與圭裝垂直。這是低成本圭裝，電氣性能相對較差，通過將引腳插到電路板的通孔中便可將封裝安裝在PCE上，弓I線會在電路板的另一面夾斷，再利用波峰焊接技術來焊接。該圭裝可容納最多的引線數(shù)目為40,而電路板間距則為0.65mm這種封裝形式至今仍在使用。在20世紀70年代末80年代初，一種新的電路板裝配技術出現(xiàn)，名為表面安裝(surfacemount)。在這種方法中芯片上的引線(引腳)和元件都被焊接在電路板的某一表面，而不是穿過板體。這使得電路板兩面都可用于粘結

23、芯片，安裝過程使用了焊料回流技術，今天，超過95%的封裝都采用了表面安裝技術，為了支持這項工藝，小外形的封裝應運而生，其引線也是從封裝的兩邊伸出，并做成海鷗翅膀的形狀以便板級安裝，這類型封裝一般比DIP更薄，能支持最大的引線數(shù)為80。到20世紀80年代中期四邊都有引線的封裝出現(xiàn)，這類封裝稱為四方扁平封裝(QuadFlatPacks,QFP(引線呈海鷗翅膀形狀)或引線芯片載體(LeadedChipCarriers)(引線呈彎曲的J字形狀)。最常用的典型四方扁平封裝間距為0.65mm或0.5mm引線數(shù)高達208。這些封裝在20世紀90年代初期之硬盤驅動器和圖形市場獲得廣泛應用。在電氣方面它們大約與so封裝相近，但能提供更多的引線，因此在相同的尺寸上具備更多功能，這種封裝備有多種不同的尺寸和厚度20世紀80年代末90年代初，客戶需求在相同的占位面積上享有更高的熱性能，于是，裸露焊盤引線圭寸裝(ExposedPad