IC可靠性測試 關(guān)于EFR,HTOL和Burn in的異同

1、【討論】關(guān)于EFR,HTOL和Burn in的異同！ 【討論】關(guān)于EFR,HTOL和Burn in的異同！ 半導(dǎo)體技術(shù)天地s Archiver 論壇 Reliability可靠性測試評價 【討論】關(guān)于EFR,HTOL和Burn in的異同！semicon2009 發(fā)表于 2009-1-9 09:34:51 【討論】關(guān)于EFR,HTOL和Burn in的異同！討論EFR,HTOL和Burn in的異同 本帖最后由 semicon2009 于 2009-1-23 13:37 編輯 sunjj 發(fā)表于 2009-1-9 11:56:48 早期失效EFR：目的是通過試驗得到產(chǎn)品的早期失效率，所以試驗的

2、樣本量較大。高溫壽命HTOL：目的是通過此鑒定試驗得到產(chǎn)品的使用壽命，所以試驗時間較長。老練篩選Burn-In：目的是通過試驗剔除早期失效產(chǎn)品提高批次的可靠性，所以產(chǎn)品應(yīng)全數(shù)進(jìn)行試驗。 semicon2009 發(fā)表于 2009-1-9 12:28:23 所以EFR是qual時候做的，Burn in是mass production做的吧。那么具體使用的板子有什么區(qū)別，還有是動態(tài)測試function還是做完之后再測？有沒有詳細(xì)點的參考資料share一下？ zlf123 發(fā)表于 2009-1-9 12:42:27 了解了！ 茱wling 發(fā)表于 2009-1-9 13:18:00 pigeon 發(fā)表

3、于 2009-1-9 13:28:03 Burn in主要是模擬產(chǎn)品工作壽命，加偏壓，加高溫主要是模擬產(chǎn)品在最壞的工作使用情況下的條件。Burn in主要用于作為可靠性監(jiān)控和從批次產(chǎn)品中剔除早起失效的。取決于Burn in時間的長短，它的失效可以是早衰期的缺陷導(dǎo)致的，也可以是老化損耗期的。EFR目的是為了評估工藝的穩(wěn)定性，加速缺陷失效率，去除由于天生原因失效的產(chǎn)品。對應(yīng)于浴盆曲線的早衰期。失效多是早衰期的缺陷導(dǎo)致的，比如工藝設(shè)計等缺陷等。時間一般是168H或者更少。HTOL目的是評估器件在超熱和超電壓情況下一段時間的耐久力，也就是正常工作的壽命。對應(yīng)于浴盆曲線的wear out期。失效多是老化

4、損耗期的失效，比如熱載流子效應(yīng)，氧化層擊穿，電遷移等等。時間一般會做到1000Hrs。125條件下1000小時測試通過IC可以保證持續(xù)使用4年，2000小時測試持續(xù)使用8年；150 1000小時測試通過保證使用8年，2000小時保證使用28年。 本帖最后由 pigeon 于 2009-1-9 13:29 編輯 semicon2009 發(fā)表于 2009-1-9 15:12:28 回復(fù) 5# 茱wling 的帖子謝謝. 本帖最后由 semicon2009 于 2009-1-23 13:35 編輯 semicon2009 發(fā)表于 2009-1-10 19:39:44 繼續(xù)請教。 twiyjch 發(fā)表

5、于 2009-1-10 21:37:13 謝謝, 了解. pigeon 發(fā)表于 2009-1-11 14:09:31 回復(fù) 7# semicon2009 的帖子個人是覺得這個觀點正確的吧 yebenyin 發(fā)表于 2009-1-13 15:36:22 感謝樓上 寶貴的意見受益匪淺之前一直沒有完全搞清楚這幾個概念 LIU69 發(fā)表于 2009-1-30 10:22:21 回復(fù) 6# pigeon 的帖子幾年的說法來自哪里？是統(tǒng)計出來的還是計算出來的？ czy163 發(fā)表于 2009-2-2 15:33:55 回復(fù) 2# sunjj 的帖子回答的比較資深哦 moudo 發(fā)表于 2009-2-2 1

6、6:03:31 回復(fù) 12# LIU69 的帖子應(yīng)該是計算出來的就是MTTF的計算，再加上加速因子很容易就能大概估算出來 bonbonssy 發(fā)表于 2009-2-6 10:02:00 太牛了，學(xué)到了很多知識阿。 Kate01 發(fā)表于 2009-2-9 11:42:04 不錯的討論，了解更多的東西了。 tanwen1030 發(fā)表于 2009-2-13 13:31:53 謝謝了，好東西 lzg0000 發(fā)表于 2009-2-19 06:27:48 wqpye 發(fā)表于 2009-2-27 21:10:56 在溫度與電子系統(tǒng)可靠性一書中，作者對Arrhenius Law的準(zhǔn)確性提出了質(zhì)疑。 thhz

7、y1 發(fā)表于 2009-7-8 10:51:20 感謝樓上 寶貴的意見受益匪淺之前一直沒有完全搞清楚這幾個概念本來還想自己發(fā)貼請教高手的呢！ Tony_hf123 發(fā)表于 2009-7-11 23:37:31 mrlin 發(fā)表于 2009-7-12 11:52:52 同意樓上的,學(xué)一下具體的case比較有益 kimperkins 發(fā)表于 2009-7-20 15:00:08 MBI和TDBI是不同的，MBI就是output monitoring ,檢測的是輸出pin的信息，也是一種監(jiān)測手段。TDBI一般是可以真正意義上實現(xiàn)function test during BI. 目前據(jù)了解在存儲器類和一些高密度封裝器件上國外已經(jīng)有這種技術(shù)與機(jī)器了。當(dāng)然TDBI并不能完全取代最后的測試，因為很多device失效時他們的function 都pass但是在parameter test上，他們可能會有defect出現(xiàn)。以后BI的趨勢應(yīng)該會